JPH08213302A - 微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスク - Google Patents
微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスクInfo
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- JPH08213302A JPH08213302A JP1589495A JP1589495A JPH08213302A JP H08213302 A JPH08213302 A JP H08213302A JP 1589495 A JP1589495 A JP 1589495A JP 1589495 A JP1589495 A JP 1589495A JP H08213302 A JPH08213302 A JP H08213302A
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- mok1
- mark
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 工程の進行に伴なって露光用マスクと被加工
体との間の位置合せ精度が低下しない微細加工方法を提
案する。 【構成】 当初の工程において、爾後の工程で使用する
マスクの数に足りる数の位置合せ用マークＭＯＫ１1 〜
ＭＯＫ１3 を被加工体１に形成し、マスクを使う工程毎
に順次異なる位置合せ用マークを用いる。
体との間の位置合せ精度が低下しない微細加工方法を提
案する。 【構成】 当初の工程において、爾後の工程で使用する
マスクの数に足りる数の位置合せ用マークＭＯＫ１1 〜
ＭＯＫ１3 を被加工体１に形成し、マスクを使う工程毎
に順次異なる位置合せ用マークを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば半導体集積回路
或は液晶表示パネル等を製造する場合に用いて好適な微
細加工方法に関する。
或は液晶表示パネル等を製造する場合に用いて好適な微
細加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８乃至図１０を用いて従来の微細加工
方法を説明する。この例では被加工体１を半導体基板と
し、被加工体１に図９Ｅに示す材質が異なる２個の電極
４と５を形成する場合について説明する。図８Ａに示す
ように被加工体１の一方の面に例えばＳｉＯ2 のような
絶縁層２と、この絶縁層２の上面に、フォトレジスト層
Ｆを被着形成する。この被加工体１に形成したフォトレ
ジスト層Ｆと対向して第１フォトマスクＭ１を対向して
配置し、フォトレジスト層Ｆに第１フォトマスクＭ１を
介して露光を施す。
方法を説明する。この例では被加工体１を半導体基板と
し、被加工体１に図９Ｅに示す材質が異なる２個の電極
４と５を形成する場合について説明する。図８Ａに示す
ように被加工体１の一方の面に例えばＳｉＯ2 のような
絶縁層２と、この絶縁層２の上面に、フォトレジスト層
Ｆを被着形成する。この被加工体１に形成したフォトレ
ジスト層Ｆと対向して第１フォトマスクＭ１を対向して
配置し、フォトレジスト層Ｆに第１フォトマスクＭ１を
介して露光を施す。
【０００３】露光・現像処理の後、残されたフォトレジ
スト層Ｆをマスクとしてエッチングを行うことにより絶
縁層２は図８Ｂに示す２と２Ａの状態に残される。この
工程で残された絶縁層２Ａは爾後の工程でフォトマスク
を用いる場合の位置合せ用マークＭＯＫ１として利用さ
れる。尚、図示する絶縁層２は枠形に形成されているも
のとし、この枠状の絶縁層２の内側の面に例えばイオン
を注入し、イオン注入層３を形成した場合を示す。
スト層Ｆをマスクとしてエッチングを行うことにより絶
縁層２は図８Ｂに示す２と２Ａの状態に残される。この
工程で残された絶縁層２Ａは爾後の工程でフォトマスク
を用いる場合の位置合せ用マークＭＯＫ１として利用さ
れる。尚、図示する絶縁層２は枠形に形成されているも
のとし、この枠状の絶縁層２の内側の面に例えばイオン
を注入し、イオン注入層３を形成した場合を示す。
【０００４】図８Ｂでは絶縁層２及び２Ａが所定のパタ
ーンで残された被加工体１の面に、電極４を形成するた
めの金属層４Ａを、例えば蒸着等の方法で形成した状態
を示す。この金属層４Ａから電極４を形成するために、
金属層４Ａの上面に再びフォトレジスト層Ｆを図８Ｃに
示すように被着形成し、このフォトレジスト層Ｆに対し
て、図８Ｄに示すように、第２フォトマスクＭ２を対向
して配置し、第２フォトマスクＭ２を介してフォトレジ
スト層Ｆに露光を施す。第２フォトマスクＭ２をフォト
レジスト層Ｆと対向して配置する場合、被加工体１に形
成した位置合せマークＭＯＫ１と第２フォトマスクＭ２
のマークパータンＭＯＫ２の位置を合せて配置し、露光
・現像処理を行なう。
ーンで残された被加工体１の面に、電極４を形成するた
めの金属層４Ａを、例えば蒸着等の方法で形成した状態
を示す。この金属層４Ａから電極４を形成するために、
金属層４Ａの上面に再びフォトレジスト層Ｆを図８Ｃに
示すように被着形成し、このフォトレジスト層Ｆに対し
て、図８Ｄに示すように、第２フォトマスクＭ２を対向
して配置し、第２フォトマスクＭ２を介してフォトレジ
スト層Ｆに露光を施す。第２フォトマスクＭ２をフォト
レジスト層Ｆと対向して配置する場合、被加工体１に形
成した位置合せマークＭＯＫ１と第２フォトマスクＭ２
のマークパータンＭＯＫ２の位置を合せて配置し、露光
・現像処理を行なう。
【０００５】図８Ｄに示した露光・現像処理によりフォ
トレジスト層Ｆは図８Ｅに示すように残される。この残
されたフォトレジスト層Ｆをマスクとしてエッチングを
施し、図８Ｆに示す電極４を形成する。この場合、位置
合せ用マークＭＯＫ１は絶縁層２Ａの上に金属層４Ａが
被着形成される。次に電極５を形成する工程について図
９を用いて説明する。
トレジスト層Ｆは図８Ｅに示すように残される。この残
されたフォトレジスト層Ｆをマスクとしてエッチングを
施し、図８Ｆに示す電極４を形成する。この場合、位置
合せ用マークＭＯＫ１は絶縁層２Ａの上に金属層４Ａが
被着形成される。次に電極５を形成する工程について図
９を用いて説明する。
【０００６】電極４が形成された状態において、その上
面に電極５を形成するための金属層５Ａを図９Ａに示す
ように形成する。電極４は例えばタングステンシリサイ
ドで形成し、電極５は金等で形成する。金属層５Ａの上
に図９Ｂに示すようにフォトレジスト層Ｆを被せ、図９
Ｃに示すように第３フォトマスクＭ３を対向させて電極
５の形成位置及び位置合せ用マークＭＯＫ１を除く他の
部分に露光を施す。この場合、マークパターンＭＯＫ２
を被加工体１側に形成した位置合せ用マークＭＯＫ１に
位置合せし、電極５の形成位置を決める。
面に電極５を形成するための金属層５Ａを図９Ａに示す
ように形成する。電極４は例えばタングステンシリサイ
ドで形成し、電極５は金等で形成する。金属層５Ａの上
に図９Ｂに示すようにフォトレジスト層Ｆを被せ、図９
Ｃに示すように第３フォトマスクＭ３を対向させて電極
５の形成位置及び位置合せ用マークＭＯＫ１を除く他の
部分に露光を施す。この場合、マークパターンＭＯＫ２
を被加工体１側に形成した位置合せ用マークＭＯＫ１に
位置合せし、電極５の形成位置を決める。
【０００７】第３フォトマスクＭ３を用いて露光するこ
とにより、図９Ｄに示すように電極５を形成すべき位置
と、位置合せ用マークＭＯＫ１と対向する位置にフォト
レジストＦが残され、このフォトレジストＦを用いて金
属層５Ａをエッチングし、電極５を形成する。このと
き、位置合せ用マークＭＯＫ１の上にも金属層５Ａがマ
ークの形状に残される。
とにより、図９Ｄに示すように電極５を形成すべき位置
と、位置合せ用マークＭＯＫ１と対向する位置にフォト
レジストＦが残され、このフォトレジストＦを用いて金
属層５Ａをエッチングし、電極５を形成する。このと
き、位置合せ用マークＭＯＫ１の上にも金属層５Ａがマ
ークの形状に残される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図８及び図９を用いて
説明したように、従来は当初、被加工体１に形成した位
置合せ用マークＭＯＫ１を利用して第２フォトマスクＭ
２、第３フォトマスクＭ３の位置合せを行なうから、工
程が進むに従って位置合せ用マークＭＯＫ１の形状が変
形し、位置合せの精度が漸次悪くなってしまう欠点があ
る。
説明したように、従来は当初、被加工体１に形成した位
置合せ用マークＭＯＫ１を利用して第２フォトマスクＭ
２、第３フォトマスクＭ３の位置合せを行なうから、工
程が進むに従って位置合せ用マークＭＯＫ１の形状が変
形し、位置合せの精度が漸次悪くなってしまう欠点があ
る。
【０００９】つまり、フォトマスクＭ１，Ｍ２，Ｍ３に
形成するマークパターンＭＯＫ２も、被加工体１側に形
成した位置合せ用マークＭＯＫ１の形状と同一の形状に
形成するから、例えば金属層４Ａと５Ａの形成位置がわ
ずかずつずれると、位置合せ用マークＭＯＫ１の形状が
変形して位置合せ用マークＭＯＫ１の位置がずれてしま
うことになる。図１０はその状態を示す。図１０に示す
ように絶縁層２Ａの位置と、その上に形成した金属層４
Ａによるマーク位置と、更にその上に形成した金属層５
Ａの形成位置がわずかずつずれると、位置合せ用マーク
ＭＯＫ１の形状が変形してしまい、以降の工程における
微細パターンのマスク合せが困難になる不都合が生じ
る。
形成するマークパターンＭＯＫ２も、被加工体１側に形
成した位置合せ用マークＭＯＫ１の形状と同一の形状に
形成するから、例えば金属層４Ａと５Ａの形成位置がわ
ずかずつずれると、位置合せ用マークＭＯＫ１の形状が
変形して位置合せ用マークＭＯＫ１の位置がずれてしま
うことになる。図１０はその状態を示す。図１０に示す
ように絶縁層２Ａの位置と、その上に形成した金属層４
Ａによるマーク位置と、更にその上に形成した金属層５
Ａの形成位置がわずかずつずれると、位置合せ用マーク
ＭＯＫ１の形状が変形してしまい、以降の工程における
微細パターンのマスク合せが困難になる不都合が生じ
る。
【００１０】このために、例えば高速応答形のＦＥＴ等
を製造しようとした場合、ゲート電極とソース、ドレイ
ン電極との間を狭く然も精度よく位置決めしなければな
らないが、マスクの位置を決めるための位置合せ用マー
クＭＯＫ１の形状が工程を経るに従って変形してしまう
ことから、精度良く位置決めを行なうことができなくな
り、高速応答型の半導体素子を製造する上で障害となっ
ている。
を製造しようとした場合、ゲート電極とソース、ドレイ
ン電極との間を狭く然も精度よく位置決めしなければな
らないが、マスクの位置を決めるための位置合せ用マー
クＭＯＫ１の形状が工程を経るに従って変形してしまう
ことから、精度良く位置決めを行なうことができなくな
り、高速応答型の半導体素子を製造する上で障害となっ
ている。
【００１１】この発明の目的は工程が進んでも、被加工
体に形成した位置合せ用マークの形状が変形しない微細
加工方法及びこの微細加工方法に用いるフォトマスクを
提供しようとするものである。
体に形成した位置合せ用マークの形状が変形しない微細
加工方法及びこの微細加工方法に用いるフォトマスクを
提供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明では当初の工程
でフォトマスクを用いる工程の数に対応した数の位置合
せ用マークを被加工体に形成して用意し、この複数の位
置合せ用マークを順次用いてフォトマスクとの位置合せ
を行なう方法を提案するものである。つまり、第１フォ
トマスクを用いて露光を行なう場合に、この第１フォト
マスクに、その後に使用するフォトマスクの数に対応し
た数のマークパターンを形成し、このマークパターンを
用いて被加工体に予め複数の位置合せ用マークを形成す
る。
でフォトマスクを用いる工程の数に対応した数の位置合
せ用マークを被加工体に形成して用意し、この複数の位
置合せ用マークを順次用いてフォトマスクとの位置合せ
を行なう方法を提案するものである。つまり、第１フォ
トマスクを用いて露光を行なう場合に、この第１フォト
マスクに、その後に使用するフォトマスクの数に対応し
た数のマークパターンを形成し、このマークパターンを
用いて被加工体に予め複数の位置合せ用マークを形成す
る。
【００１３】第２フォトマスクには被加工体に形成した
第１位置合せ用マークに対応する位置に遮光性のマーク
パターンを形成し、このマークパターンと第１位置合せ
用マークとを用いて第２フォトマスクを被加工体に対し
て位置合せする。このとき、他の位置合せ用マークには
露光を与え、位置合せに使用しない位置合せ用マークの
位置にはフォトレジスト層を残さないようにする。
第１位置合せ用マークに対応する位置に遮光性のマーク
パターンを形成し、このマークパターンと第１位置合せ
用マークとを用いて第２フォトマスクを被加工体に対し
て位置合せする。このとき、他の位置合せ用マークには
露光を与え、位置合せに使用しない位置合せ用マークの
位置にはフォトレジスト層を残さないようにする。
【００１４】従ってフォトレジスト層をマスクとして行
なうエッチング工程では位置合せ用マークとして利用し
たマークに対してはその上面にマークの形状に金属層が
残されるが、他の位置合せ用マークとして利用しない位
置合せ用マークに対しては金属層が除去される。このよ
うに、位置合せ用マークの上面に形成された金属層がエ
ッチングで除去された場合に、そのとき使用するエッチ
ング液は金属だけをエッチングする性質のエッチング液
を用いるから、絶縁層で形成された位置合せ用マークが
露出してエッチング液に触れても、その位置合せ用マー
クの形状が変形することはない。
なうエッチング工程では位置合せ用マークとして利用し
たマークに対してはその上面にマークの形状に金属層が
残されるが、他の位置合せ用マークとして利用しない位
置合せ用マークに対しては金属層が除去される。このよ
うに、位置合せ用マークの上面に形成された金属層がエ
ッチングで除去された場合に、そのとき使用するエッチ
ング液は金属だけをエッチングする性質のエッチング液
を用いるから、絶縁層で形成された位置合せ用マークが
露出してエッチング液に触れても、その位置合せ用マー
クの形状が変形することはない。
【００１５】従ってこの発明によればフォトマスクを使
う工程の数が多くあっても、各フォトマスクを使う工程
毎に用意した位置合せ用マークを用いるから、位置合せ
用マークの位置が漸次ずれることはない。よって精度よ
く微細加工することができる利点が得られる。
う工程の数が多くあっても、各フォトマスクを使う工程
毎に用意した位置合せ用マークを用いるから、位置合せ
用マークの位置が漸次ずれることはない。よって精度よ
く微細加工することができる利点が得られる。
【００１６】
【実施例】図１乃至図６にこの発明による微細加工方法
の一実施例を示す。図１はこの発明の当初に用いる第１
フォトマスクＭ１の一例を示す。この発明の微細加工に
用いる第１フォトマスクは被加工体に形成する主パター
ンＰＡＯに加えて、爾後の工程で使用するフォトマスク
の枚数に足りる数の位置合せ用マークパターンＭＯＫ２
1 ，ＭＯＫ２2 ，ＭＯＫ２3 を具備している構造を特徴
とするものである。
の一実施例を示す。図１はこの発明の当初に用いる第１
フォトマスクＭ１の一例を示す。この発明の微細加工に
用いる第１フォトマスクは被加工体に形成する主パター
ンＰＡＯに加えて、爾後の工程で使用するフォトマスク
の枚数に足りる数の位置合せ用マークパターンＭＯＫ２
1 ，ＭＯＫ２2 ，ＭＯＫ２3 を具備している構造を特徴
とするものである。
【００１７】図２は図１に示した第１フォトマスクＭ１
を用いて露光し、絶縁層２をエッチングした状態を示
す。枠状の絶縁層２は例えば高速電界効果トランジスタ
を形成するための領域を囲む絶縁層を示す。この絶縁層
２で囲まれる内側の領域には既にイオンが注入されてイ
オン注入層３が形成されている。尚、図には位置合せ用
マークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を１組だけ
示すが、被加工体１には互に離れた位置に位置合せ用マ
ークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を複数組形成
する場合もある。
を用いて露光し、絶縁層２をエッチングした状態を示
す。枠状の絶縁層２は例えば高速電界効果トランジスタ
を形成するための領域を囲む絶縁層を示す。この絶縁層
２で囲まれる内側の領域には既にイオンが注入されてイ
オン注入層３が形成されている。尚、図には位置合せ用
マークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を１組だけ
示すが、被加工体１には互に離れた位置に位置合せ用マ
ークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を複数組形成
する場合もある。
【００１８】図１及び図２に示す例では３個の位置合せ
用マークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を形成し
た場合を示す。図２に示す状態では各位置合せ用マーク
ＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 は絶縁層２Ａで形
成されている。図２の状態の面の全体に図８Ｂで説明し
たように金属層４Ａを例えば蒸着等の方法で被着形成
し、更にその上面に図８Ｃで説明したようにフォトレジ
スト層Ｆを被着する。このフォトレジスト層Ｆに対し、
図３に示す第２フォトマスクＭ２を用いて露光を施す。
第２フォトマスクＭ２は図９Ｅに示した電極４を形成す
るための電極形成パターンＰＡ1 と位置合せ用マークＭ
ＯＫ１1 に対して位置合せするためのマークパターンＭ
ＯＫ２1 とが形成される。この実施例ではフォトレジス
ト層Ｆの形成するレジストをポジ型フォトレジストを用
いた場合を示す。このためこれら電極形成パターンＰＡ
1 とマークＭＯＫ２1 は遮光体で形成され、フォトレジ
スト層Ｆに対して電極形成部分と位置合せ用マークＭＯ
Ｋ１1 の部分を遮光し、除去すべき部分に光を照射し、
光を照射した部分のフォトレジスト層Ｆを現像液に対し
て溶け易くし、光を照射した部分のフォトレジスト層Ｆ
を除去する。
用マークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を形成し
た場合を示す。図２に示す状態では各位置合せ用マーク
ＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 は絶縁層２Ａで形
成されている。図２の状態の面の全体に図８Ｂで説明し
たように金属層４Ａを例えば蒸着等の方法で被着形成
し、更にその上面に図８Ｃで説明したようにフォトレジ
スト層Ｆを被着する。このフォトレジスト層Ｆに対し、
図３に示す第２フォトマスクＭ２を用いて露光を施す。
第２フォトマスクＭ２は図９Ｅに示した電極４を形成す
るための電極形成パターンＰＡ1 と位置合せ用マークＭ
ＯＫ１1 に対して位置合せするためのマークパターンＭ
ＯＫ２1 とが形成される。この実施例ではフォトレジス
ト層Ｆの形成するレジストをポジ型フォトレジストを用
いた場合を示す。このためこれら電極形成パターンＰＡ
1 とマークＭＯＫ２1 は遮光体で形成され、フォトレジ
スト層Ｆに対して電極形成部分と位置合せ用マークＭＯ
Ｋ１1 の部分を遮光し、除去すべき部分に光を照射し、
光を照射した部分のフォトレジスト層Ｆを現像液に対し
て溶け易くし、光を照射した部分のフォトレジスト層Ｆ
を除去する。
【００１９】従って図３に示した第２フォトマスクＭ２
を用いて露光を施し、遮光された部分のフォトレジスト
層Ｆを残し、この残されたフォトレジスト層Ｆをマスク
にしてエッチングを行なうと図４に示すように、イオン
注入層３の上に電極４が形成される。更に位置合せ用マ
ークＭＯＫ１1 の上面に金属層４Ａがマークの形状に残
される。この状態では他の位置合せマークＭＯＫ１2 ，
ＭＯＫ１3 の上面は当初の絶縁層２Ａが露出する。この
絶縁層２Ａで形成される位置合せ用マークＭＯＫ１2 と
ＭＯＫ１3 は金属層４Ａをエッチングするエッチング液
には耐久性を持つためその形状が変形することはない。
を用いて露光を施し、遮光された部分のフォトレジスト
層Ｆを残し、この残されたフォトレジスト層Ｆをマスク
にしてエッチングを行なうと図４に示すように、イオン
注入層３の上に電極４が形成される。更に位置合せ用マ
ークＭＯＫ１1 の上面に金属層４Ａがマークの形状に残
される。この状態では他の位置合せマークＭＯＫ１2 ，
ＭＯＫ１3 の上面は当初の絶縁層２Ａが露出する。この
絶縁層２Ａで形成される位置合せ用マークＭＯＫ１2 と
ＭＯＫ１3 は金属層４Ａをエッチングするエッチング液
には耐久性を持つためその形状が変形することはない。
【００２０】次に図９Ｅに示した電極５を形成するため
の工程では図５に示す第３フォトマスクＭ３を用いる。
この第３フォトマスクＭ３には電極形成パターンＰＡ2
と、位置合せ用マークＭＯＫ１2 に対して位置合せする
ためのマークパターンＭＯＫ２2 とが設けられる。第３
フォトマスクＭ３を被加工体１に対して位置合せする際
には当初に形成した状態を維持している位置合せ用マー
クＭＯＫ１2 を用いるので、この位置合せ用マークＭＯ
Ｋ１2 は工程の進行に伴なって変形されていないため位
置合せを精度よく行なうことができる。
の工程では図５に示す第３フォトマスクＭ３を用いる。
この第３フォトマスクＭ３には電極形成パターンＰＡ2
と、位置合せ用マークＭＯＫ１2 に対して位置合せする
ためのマークパターンＭＯＫ２2 とが設けられる。第３
フォトマスクＭ３を被加工体１に対して位置合せする際
には当初に形成した状態を維持している位置合せ用マー
クＭＯＫ１2 を用いるので、この位置合せ用マークＭＯ
Ｋ１2 は工程の進行に伴なって変形されていないため位
置合せを精度よく行なうことができる。
【００２１】この結果、第３フォトマスクＭ３を用いて
露光し、エッチングを行なうと図６に示すように電極５
を形成することができる。この状態では位置合せ用マー
クＭＯＫ１2 の上面には金属層５Ａが残され、未使用の
マークＭＯＫ１3 は絶縁層２Ａのままに維持される。図
７はこの発明の変形実施例を示す。この実施例では被加
工体１上に形成する位置合せ用マークＭＯＫ１1 ，ＭＯ
Ｋ１2 ，ＭＯＫ１3 のそれぞれに近接して工程番号又は
使用するマスク番号に対応した数字、記号を付した場合
を示す。図７の例では使用するマスク番号ＮＯを付した
場合を示す。
露光し、エッチングを行なうと図６に示すように電極５
を形成することができる。この状態では位置合せ用マー
クＭＯＫ１2 の上面には金属層５Ａが残され、未使用の
マークＭＯＫ１3 は絶縁層２Ａのままに維持される。図
７はこの発明の変形実施例を示す。この実施例では被加
工体１上に形成する位置合せ用マークＭＯＫ１1 ，ＭＯ
Ｋ１2 ，ＭＯＫ１3 のそれぞれに近接して工程番号又は
使用するマスク番号に対応した数字、記号を付した場合
を示す。図７の例では使用するマスク番号ＮＯを付した
場合を示す。
【００２２】このように位置合せ用マークＭＯＫ１1 〜
ＭＯＫ１3 のそれぞれに各マークを位置合せに使用する
マスク番号ＮＯを付しておくことにより、工程の順序、
使用するマスクを取り違えるような事故を起すことを防
止できる利点が得られる。また、上述の実施例では被加
工体１を半導体基板として説明したが、その他の微細加
工、例えば液晶表示パネル或は薄膜磁気ヘッド等を製造
する場合にもこの発明を適用することができる。また、
上述の実施例ではフォトレジスト層Ｆとして光の照射を
受けない部分が残る性質のレジストを用いたが、逆の性
質のレジストを用いることもできる。この場合には図
１、図３、図５で説明したフォトマスクの遮光部分をネ
ガ、ポジの関係に逆転させればよい。
ＭＯＫ１3 のそれぞれに各マークを位置合せに使用する
マスク番号ＮＯを付しておくことにより、工程の順序、
使用するマスクを取り違えるような事故を起すことを防
止できる利点が得られる。また、上述の実施例では被加
工体１を半導体基板として説明したが、その他の微細加
工、例えば液晶表示パネル或は薄膜磁気ヘッド等を製造
する場合にもこの発明を適用することができる。また、
上述の実施例ではフォトレジスト層Ｆとして光の照射を
受けない部分が残る性質のレジストを用いたが、逆の性
質のレジストを用いることもできる。この場合には図
１、図３、図５で説明したフォトマスクの遮光部分をネ
ガ、ポジの関係に逆転させればよい。
【００２３】また、上述の実施例では未使用の位置合せ
用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 の上面にフォトレジス
トＦを全く残さない方法を説明したが、未使用の位置合
せ用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 の上面に位置合せ用
マークＭＯＫ１2 及びＭＯＫ１3 を含んで、例えば図７
に点線で示すようにフォトレジスト層を残し、位置合せ
用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を含む領域に金属層４
又は５を形成してもよい。
用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 の上面にフォトレジス
トＦを全く残さない方法を説明したが、未使用の位置合
せ用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 の上面に位置合せ用
マークＭＯＫ１2 及びＭＯＫ１3 を含んで、例えば図７
に点線で示すようにフォトレジスト層を残し、位置合せ
用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ１3 を含む領域に金属層４
又は５を形成してもよい。
【００２４】このように、位置合せ用マークＭＯＫ
１2 ，ＭＯＫ１3 を含む領域に金属層４又は５を残すよ
うに形成しても、位置合せ用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ
１3 は金属層４又は５の厚み分だけ均等に膨らむだけ
で、位置の表示には変化がない。従って初期の位置情報
を維持することができる。また上述の実施例ではフォト
マスクを用いる工程毎に位置合せ用マークＭＯＫ１1、
ＭＯＫ１2 、ＭＯＫ１3 を順次１個ずつ使用した場合を
説明したが、その他の方法として１個の位置合せ用マス
クを２回ずつ用いてもよい。このように同一の位置合せ
用マスクの使用回数を制限すれば従来の位置合せ方法と
比較しても大きな位置合せ誤差を発生するおそれがな
い。
１2 ，ＭＯＫ１3 を含む領域に金属層４又は５を残すよ
うに形成しても、位置合せ用マークＭＯＫ１2 ，ＭＯＫ
１3 は金属層４又は５の厚み分だけ均等に膨らむだけ
で、位置の表示には変化がない。従って初期の位置情報
を維持することができる。また上述の実施例ではフォト
マスクを用いる工程毎に位置合せ用マークＭＯＫ１1、
ＭＯＫ１2 、ＭＯＫ１3 を順次１個ずつ使用した場合を
説明したが、その他の方法として１個の位置合せ用マス
クを２回ずつ用いてもよい。このように同一の位置合せ
用マスクの使用回数を制限すれば従来の位置合せ方法と
比較しても大きな位置合せ誤差を発生するおそれがな
い。
【００２５】
【発明の効果】上述したように、この発明では複数のフ
ォトマスクを用いて露光を繰返し、エッチング処理等を
行なう微細加工方法において、当初の工程において少な
くとも使用するフォトマスクの数に足りる数の位置合せ
用マークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１ 2 ，ＭＯＫ１3 を形成
し、この位置合せ用マークを順次使用する方法を採るか
ら、フォトマスクの位置合せ毎に常に初期の形状を保つ
位置合せ用マークを使用することができる。
ォトマスクを用いて露光を繰返し、エッチング処理等を
行なう微細加工方法において、当初の工程において少な
くとも使用するフォトマスクの数に足りる数の位置合せ
用マークＭＯＫ１1 ，ＭＯＫ１ 2 ，ＭＯＫ１3 を形成
し、この位置合せ用マークを順次使用する方法を採るか
ら、フォトマスクの位置合せ毎に常に初期の形状を保つ
位置合せ用マークを使用することができる。
【００２６】この結果マスクの使用回数が多い場合で
も、工程の進行に伴って位置合せ精度が悪くなることは
なく、精度の高い微細加工を施すことができる利点が得
られる。
も、工程の進行に伴って位置合せ精度が悪くなることは
なく、精度の高い微細加工を施すことができる利点が得
られる。
【図１】この発明の微細加工に用いる第１フォトマスク
の一例を示す平面図。
の一例を示す平面図。
【図２】この発明の一実施例を説明するための一部を断
面で示す斜視図。
面で示す斜視図。
【図３】この発明に用いる第２フォトマスクの一例を示
す平面図。
す平面図。
【図４】この発明の微細加工の工程を説明するための一
部を断面で示す斜視図。
部を断面で示す斜視図。
【図５】この発明に用いる第３フォトマスクの一例を示
す平面図。
す平面図。
【図６】図４と同様に、この発明の微細加工の工程を説
明するための一部を断面で示す斜視図。
明するための一部を断面で示す斜視図。
【図７】この発明の変形実施例を示す図１と同様の斜視
図。
図。
【図８】従来の技術を説明するための断面図。
【図９】図８と同様に従来の技術を説明するための断面
図。
図。
【図１０】従来の技術の不都合を説明するための拡大平
面図。
面図。
１ 被加工体 ＭＯＫ１1 〜ＭＯＫ１3 位置合せ用マーク Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３ フォトマスク ＭＯＫ２1 〜ＭＯＫ２3 マークパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/43 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７０ 21/302 Ｊ 29/46 Ｔ Ｇ
Claims (5)
- 【請求項１】 フォトレジスト層が被着形成された被加
工体の面と対向して所定のパターンが描かれたフォトマ
スクを配置し露光・現像処理することにより所定のパタ
ーンにフォトレジスト層を残し、残されたフォトレジス
ト層をマスクにしてエッチングを施し、被加工体の層を
所定のパターンに形成する微細加工方法において、 初期に使用するフォトマスクに爾後の工程で使用するフ
ォトマスクの枚数に足りる数の位置合せ用マークを被加
工体に形成するためのマークパターンを形成し、このマ
ークパターンによって使用するフォトマスクの枚数に対
応した数のマークを被加工体に形成することを特徴とす
る微細加工方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の微細加工方法においてフ
ォトマスクを使用する工程毎に順次異なる位置合せ用マ
ークによって被加工体とフォトマスクとの間の位置合せ
を行なうことを特徴とす微細加工方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の微細加工方法において、
複数の位置合せ用マークのそれぞれに対応して、使用す
るフォトマスクの順番を表わす番号乃至符号を形成した
ことを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の微細加工方法に用いるフ
ォトマスクであって、工程中に使用するフォトマスクの
枚数に足りる数のマークパターンを具備したことを特徴
とする微細加工用フォトマスク。 - 【請求項５】 請求項２記載の微細加工方法に用いるフ
ォトマスクであって、各フォトマスクに割当られた使用
順番に対応した位置にマークパターンが形成されている
ことを特徴とする微細加工用フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1589495A JPH08213302A (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1589495A JPH08213302A (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213302A true JPH08213302A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=11901501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1589495A Pending JPH08213302A (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355187B2 (en) | 2002-05-31 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, position detection method, exposure apparatus, device manufacturing method, and substrate |
| JP2008541451A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-11-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 複数レチクル処理のためのレチクルのアライメントおよびオーバーレイ |
-
1995
- 1995-02-02 JP JP1589495A patent/JPH08213302A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355187B2 (en) | 2002-05-31 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, position detection method, exposure apparatus, device manufacturing method, and substrate |
| JP2008541451A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-11-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 複数レチクル処理のためのレチクルのアライメントおよびオーバーレイ |
| TWI472883B (zh) * | 2005-05-10 | 2015-02-11 | 泛林股份有限公司 | 多光罩處理之光罩對準及重疊 |
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