JPH0768519B2 - 液晶組成物 - Google Patents

液晶組成物

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JPH0768519B2
JPH0768519B2 JP63296458A JP29645888A JPH0768519B2 JP H0768519 B2 JPH0768519 B2 JP H0768519B2 JP 63296458 A JP63296458 A JP 63296458A JP 29645888 A JP29645888 A JP 29645888A JP H0768519 B2 JPH0768519 B2 JP H0768519B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は強誘電性液晶組成物の成分として有用な新規な
光学活性化合物を含有する強誘電性液晶組成物に関す
る。
[従来の技術] 現在、最も広く用いられている液晶表示素子はツイスト
ネマチック(TN)型表示素子であるが、発光型表示素子
(エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマデ
ィスプレイなど)と比べて応答速度が遅いという欠点を
有している。この欠点の改善のため種々研究が試みられ
ており、TN型表示素子とは別な原理による液晶ディスプ
レイとして強誘電性液晶を用いる表示方法が提案されて
いる(エヌ・エー・クラーク(N.A.Clark)ら、アプラ
イド・フィジクス・レターズ(Applied Physics Letter
s)36,899(1980)参照)。
この表示方法は強誘電性液晶のカイラルスメクチックC
相を利用するものであり、TN型表示素子に比べて高速応
答性などの点で優れている。さらに応答速度の向上にと
もなって表示の大容量化が可能になるため、このような
強誘電性液晶材料として、カイラルスメクチック相を呈
しうる強誘電性液晶化合物で自発分極の値(以下、Psと
いう)が大きな化合物が求められているが、充分満足し
うるような性能を有するのものはえられていないのが現
状である。
一方、スメクチック液晶に、それ自体は液晶性を示さな
い光学活性化合物を添加することによっても強誘電性液
晶組成物がえられることが知られている。この組成物は
従来注目されていなかった構造を有する光学活性化合物
を利用できるため、強誘電性液晶材料の探索の範囲がさ
らに広まっている(エル・エー・ブレスナー(L.A.Bres
ner)らのモレキュラー・クリスタルズ・アンド・リキ
ッド・クリスタルズ(Molecular Crystals and Liquid
Crystals)89,327(1982)参照)。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、一般に微生物による発酵により、または
天然物として比較的容易に入手しうるアミノ酸、有機
酸、糖などを除いて光学活性化合物の入手は困難であ
る。とくに前記スメクチック液晶へ添加して使用される
化合物であって、スメクチック液晶との相溶性の高い光
学活性化合物をうる技術は完成されていない。
本発明の目的は既存のスメクチック液晶との相溶性がよ
く、しかもPs値の大きな液晶組成物がえられる有用な光
学活性化合物をスメクチック液晶に添加してなる強誘電
性液晶組成物を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、一般式(I): (式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基またはアルキル
オキシ基、Aはニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、
水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜18のアルキル基も
しくはアルキルオキシ基、−CO−R2、または を示す、ここでR2は炭素数1〜18のアルキル基またはア
ルキルオキシ基を示す、またYはハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、メチル基、水素原子またはトリフルオロ
メチル基であり、2個のYは同種でもよく、異種でもよ
い)で表わされる光学活性化合物の少なくとも1種を含
有する液晶組成物 に関する。
[実施例] 本発明に用いる光学活性化合物は、一般式(I): で表わされる光学活性化合物である。
前記一般式(I)中のR1は炭素数1〜18、好ましくは5
〜12のアルキル基またはアルキルオキシ基である。該炭
素数が18をこえると液晶組成物に添加したときの粘度が
高くなり応答速度が遅くなり、またR1がアルキル基また
はアルキルオキシ基でないばあいには液晶組成物に添加
したときのスメクチック相の熱安定性を急激に低下させ
やすい。
前記炭素数1〜18のアルキル基の具体例としては、たと
えばメチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチ
ル、i−ブチル、ペンチル、1−または2−メチルブチ
ル、ヘキシル、1−または3−メチルペンチル、ヘプチ
ル、1−または4−メチルヘキシル、オクチル、1−メ
チルヘプチル、ノニル、1−または6−メチルオクチ
ル、デシル、1−メチルノニル、ウンデシル、1−メチ
ルデシル、ドデシル、1−メチルウンデシルなどがあげ
られるが、これらに限定されるものではない。これらの
アルキル基中には不斉炭素が含まれていてもよい。
また炭素数1〜18のアルキルオキシ基の具体例として
は、たとえばメトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、i
−プロピルオキシ、ブチルオキシ、i−ブチルオキシ、
ペンチルオキシ、1−または2−メチルブチルオキシ、
ヘキシルオキシ、1−または3−メチルペンチルオキ
シ、ヘプチルオキシ、1−または4−メチルヘキシルオ
キシ、オクチルオキシ、1−メチルヘプチルオキシ、ノ
ニルオキシ、1−または6−メチルオクチルオキシ、デ
シルオキシ、1−メチルノニルオキシ、ウンデシルオキ
シ、1−メチルデシルオキシ、ドデシルオキシ、1−メ
チルウンデシルオキシなどがあげられるが、これらに限
定されるものではない。これらのアルキルオキシ基中に
は不斉炭素が含まれていてもよい。
前記一般式(I)中のAは、ニトロ基、シアノ基、カル
ボキシル基、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜18、
好ましくは5〜12のアルキル基もしくはアルキルオキシ
基、−CO−R2または であり、このR2は炭素数1〜18、好ましくは5〜12のア
ルキル基またはアルキルオキシ基である。
また一般式(I)中のベンゼン環の水素原子はハロゲン
原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基またはトリフルオ
ロメチル基により置換されていてもよい。
このような一般式(I)で表わされる光学活性化合物の
好ましい具体例としては、たとえば などがあげられる。
本発明に用いる光学活性化合物は(R)体であってもよ
く、(S)体であってもよい。また光学純度は100%で
あるのが液晶組成物に添加したときの応答速度の点から
好ましいが、95%程度以上であれば強誘電性液晶組成物
などの用途に使用するのにとくに問題はない。
本発明に用いる一般式(I)で表わされる光学活性化合
物は、R1、AおよびYの種類によっても異なるが、通常
は液状もしくは液晶状のごとき性状を有し、白色ないし
黄色を呈する。
本発明に用いる光学活性化合物は既存の多くの液晶性物
質と相溶性が高いので、液晶材料を成分として混合使用
しうる。とくにスメクチック液晶混合物に添加して強誘
電性液晶混合物として用いるときには、えられるカイラ
ルスメクチック相において大きなPs値を実現できる。
本発明に用いる光学活性化合物は必ずしも液晶相を示さ
ないが、ノンカイラルスメクチック液晶化合物、カイラ
ルスメクチック液晶化合物、これらの組成物に適量添加
することによって、これら組成物に自発分極を生じせし
めたり、また該分極を増大させることにより、応答速度
の速い強誘電性液晶組成物とすることができる。
また、本発明に用いる光学活性化合物は光学活性の不斉
炭素を有するため、これをネマチック液晶に添加するこ
とによりねじれ構造を誘起させることができる。ねじれ
構造を有するネマチック液晶、すなわちカイラルネマチ
ック液晶はTN型液晶表示素子のいわゆるリバース・ドメ
イン(しま模様)を生成することがないので、本発明に
用いる光学活性化合物はリバース・ドメイン防止用の材
料としても有効に作用する。
つぎに本発明に用いる一般式(I)で表わされる光学活
性化合物の製法について説明する。
本発明に用いる一般式(I)で表わされる光学活性化合
物は、たとえば一般式(II): (式中、R1、Yは前記と同じ)で表わされるp−置換−
α−メチルベンジルアルコールと、一般式(III): (式中、Xはハロゲン原子を示す、A、Yは前記と同
じ)で表わされる化合物または一般式(IV): (式中、AおよびYは前記と同じ)で表わされる化合物
とを用い、下記反応式(1)または反応式(2)で表わ
される方法によって製造される。
反応式(1)で表わされる製法では、光学活性なp−置
換−α−メチルベンジルアルコール(式中、R1は炭素数
1〜18のアルキル基またはアルキルオキシ基、Yはハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、水素原子ま
たはトリフルオロメチル基を示す)を水素化ナトリウム
などの強塩基を用いてアルコラートとしたのち、一般
式: (式中、Xはハロゲン原子、AおよびYは前記と同じ基
を示す)で表わされるp−置換フルオロベンゼン類、p
−置換クロルベンゼン類、フルオロベンゼン類またはク
ロルベンゼン類と反応させることにより、光学活性アル
コールの絶対配置を保持したまま一般式(I)で表わさ
れる光学活性化合物を製造することができる。
また、反応式(2)で表わされる製法では、光学活性ア
ルコールをジシクロヘキシルカルボジイミド(以下、DC
Cという)と塩化第1銅の存在下、チッ素雰囲気中で反
応させ、まずDCCと光学活性アルコールの付加体(イソ
ウレア)を形成させる。そののち、該付加体を一般式: (式中、AおよびYは前記と同じ)で表わされるp−置
換フェノール類またはフェノール類と反応させることに
より、光学活性アルコールの絶対配置が反転した一般式
(I)で表わされる光学活性化合物を製造することがで
きる。すなわち、反応式(2)で表わされる製法ではWa
lden反転が起こって絶対配置が反転した光学活性化合物
がえられる。したがって、反応式(2)で表わされる製
法を採用するばあいにおいて、一般式(I)で表わされ
る光学活性化合物の(R)体を製造したいときには出発
原料として(S)体の光学活性アルコールを用い、一般
式(I)で表わされる光学活性化合物の(S)体を製造
したいときには、出発原料として(R)体の光学活性ア
ルコールを用いればよい。
ここで反応式(1)におけるp−置換フルオロベンゼン
類、p−置換クロルベンゼン類および反応式(2)にお
けるp−置換フェノール類のパラ位の置換基は一般式
(I)で表わされる光学活性化合物のAに対応してお
り、適宜にパラ位の置換基の異なった化合物を用いるこ
とにより、それぞれに応じた目的物が製造される。
なお、前記製法における出発原料たる光学活性アルコー
ルは既に本出願人の一部らによって出願されている特願
昭63−38388号明細書に記載の方法により容易に製造し
うる。すなわち、ラセミアルコールを有機溶媒中で、2,
2,2−トリクロロエチルブチレートとエステラーゼ活性
を有する酵素を用いてラセミアルコールの(+)体のみ
を選択的にエステル化した化合物と、未反応の(−)体
のアルコールとを分離する光学分割方法を採用すれば前
記光学活性アルコールがえられる。また、本発明では前
記p−置換フルオロベンゼン類、p−置換クロルベンゼ
ン類、フルオロベンゼン類、クロルベンゼン類、p−置
換フェノール類またはフェノール類として、ベンゼン環
の側位(o位、m位)にニトロ基、シアノ基、ハロゲン
原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を有する化
合物も有効に使用しうる。
また、一般式(I)中のAがカルボシル基の光学活性化
合物は、前記反応式(1)もしくは反応式(2)でえら
れたシアノ化合物(一般式(I)中のAがシアノ基の化
合物)またはエステル化合物(一般式(I)中のAが−
CO−R7(R7はアルキルオキシ基)である化合物)を、た
とえば下記反応式(3)または反応式(4)で表わされ
るように、たとえばアルカリ加水分解して製造すること
ができる。
さらに一般式(I)中のAが で表わされる化合物は、たとえば下記反応式(5)で表
わされるように、たとえば前記カルボン酸化合物(一般
式(I)中のAがカルボキシル基の化合物)をDCCと4
−ジメチルアミノピリジン(以下、DMAPという)の存在
下にp−アルキルフェノール類またはp−アルキルオキ
シフェノール類とエステル化させることにより製造する
ことができる。
つぎに本発明の液晶組成物について説明する。
本発明の液晶組成物は前記一般式(I)で表わされる光
学活性化合物の少なくとも1種を含有する組成物であ
る。
前記光学活性化合物が配合される液晶化合物または液晶
組成物としては、スメクチックC相を呈しうる化合物ま
たは組成物、ネマティック液晶または組成物などがあげ
られる。
前記スメクチックC相を呈しうる化合物としては、たと
えば一般式(V)〜(VII)で表わされる化合物があげ
られる。
(式中、BおよびDはそれぞれ単結合、−COO−、−OCO
−、−CH=CH−COO−、−OCO−CH=CH−、−O−、−S
−、−OCOO−もしくは−CO−;EおよびGはそれぞれ単結
合、−COO−、−OCO−、−CH=N−、−N=CH−、−CH
=CH−、−C≡C−、−CH=CH−COO−、−OCO−CH=CH
−、−CH2CH2−、−OCH2−、−CH2O−、−COS−もしく
は−SCO−; はそれぞれベンゼン環、シクロヘキサン環、ビシクロ
[2,2,2]オクタン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピ
ラジン環、ピリダジン環、ピペラジン環、ピラン環、ジ
オキサシクロヘキサン環、チアピラン環、ジチアン環、
チアジアジン環、テトラジン環などの六員環を示し、こ
れらの六員環中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭
素原子、シアノ基、ニトロ基、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基または重水素で置換されていてもよい。R3
よびR4はそれぞれ直鎖状または分岐状の炭素数1〜15の
アルキル基を示し、アルキル基中に不斉炭素が含まれて
いてもよい。pは1または2を示す。) 前記ネマティック液晶としては、たとえば一般式(VII
I)〜(X)で表わされる化合物があげられる。
(式中、B、D、E、G、 は前記と同じ、JはE、Gと同種の基、 と同種の基、R5およびR6はそれぞれ直鎖状または分岐状
の炭素数1〜15のアルキル基、シアノ基、ニトロ基また
はCF3基を示し、アルキル基中に不斉炭素が含まれてい
てもよい。) 本発明の液晶組成物中の一般式(I)で表わされる光学
活性化合物の含有率は、0.1〜20%(重量%、以下同
様)が好ましく、さらに0.5〜10%が好ましい。該含有
率が0.1%未満のばあい応答速度が低下し、20%をこえ
るとSc相を示す温度範囲が実用温度範囲以下になりやす
い。
さらに本発明の液晶組成物には必要に応じてCT錯体、イ
オンドーパント、界面活性剤、活性アルミナなどを添加
してもよい。
前記一般式(I)で表わされる光学活性化合物を含有し
た本発明の液晶組成物は、たとえばスメクチックC相を
呈する適切な化合物または組成物に一般式(I)で表わ
される光学活性化合物が添加されてなるばあい、Psが大
きく、高速応答性を示し、IACまたはINAC相系列を有す
る配向性およびメモリー性の良好な強誘電性液晶組成物
となる。
以下に本発明を実施例をあげてさらに詳細に説明する
が、本発明は何らこれらに限定されるものではない。
製造例1 (+)−4−n−ペンチル−α−メチルベンジル−4′
−ニトロフェニルエーテル (一般式(I)においてR1=C5H11、A=NO2) 無水テトラヒドロフラン40ml中に水素化ナトリウム3.20
g(含量60%、80ミリモル)をよく懸濁し、氷冷下に
(+)−4−n−ペンチル−α−メチルベンジルアルコ
ール9.62g(50ミリモル、比施光度▲[α]20 D▼=+3
9.7゜(C=1.00,クロロホルム))を滴下し、さらに氷
冷下に1時間攪拌した。ついでp−フルオロニトロベン
ゼン8.47g(60ミリモル)の無水テトラヒドロフラン溶
液を氷冷下に滴下し、さらに室温にて攪拌しながら12時
間反応させた。反応液に注意深く水を加えて過剰の水素
化ナトリウムを分解したのち、ジエチルエーテル150ml
を加えて抽出した。エーテル抽出液を2N−水酸化ナトリ
ウム水溶液で2回、水で3回洗浄したのち、エーテル層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを除去し
てえた粗生成物14.47gをシリカゲルクロマドグラフィー
(n−ヘキサン/酢酸エチル=30/1(容量比、以下同
様))によって精製して目的とする黄色液体の標記化合
物10.96gをえた(収率70%)。
比施光度:▲[α]25 D▼=+85.1゜(C=1.13,クロロ
ホルム) えられた化合物の赤外吸収スペクトルを第1図に示す。
また、1H−NMRスペクトル(300MHz、CDCl3、TMS内部標
準)のδ(ppm)は以下の通りであった。
以上分析データからこの化合物を(+)−4−n−ペン
チル−α−メチルベンジル−4′−ニトロフェニルエー
テルと同定した。
製造例2 (−)−4−n−オクチル−α−メチルベンジル−4′
−シアノフェニルエーテル (一般式(I)においてR1=C6H17、A=CN) 無水テトラヒドロフラン40ml中に水素化ナトリウム3.20
g(含量60%、80ミリモル)をよく懸濁し、氷冷下に
(−)−4−n−オクチル−α−メチルベンジルアルコ
ール11.72g(50ミリモル、比施光度▲[α]25 D▼=−3
2.0゜(C=1.60、クロロホルム))を滴下し、さらに
氷冷下に1時間攪拌した。ついでp−フルオロベンゾニ
トリル7.27g(60ミリモル)の無水テトラヒドロフラン
溶液を氷冷下に滴下し、さらに室温にて攪拌しながら12
時間反応させた。反応液に注意深く水を加えて過剰の水
素化ナトリウムを分解したのち、ジエチルエーテル300m
lを加えて抽出した。エーテル抽出液を2N水酸化ナトリ
ウム水溶液で2回、水で3回洗浄したのち、エーテル層
を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エーテルを除去し
てえた粗生成物18.36gをシリカゲルクロマトグラフィー
(n−ヘキサン/酢酸エチル=50/1)によって精製して
目的とする淡黄色液体の標記化合物13.47gをえた(収率
80%)。
比施光度:▲[α]25 D▼−35.4゜(C=1.09、クロロ
ホルム) えられた化合物の赤外吸収スペクトルを第2図に示す。
また、1H−NMRスペクトル(300MHz、CDCl3、TMS内部標
準)のδ(ppm)は以下の通りであった。
以上分析データからこの化合物を(−)−4−n−オク
チル−α−メチルベンジル−4′−シアノフェニルエー
テルと同定した。
製造例3 (−)−4−(4′−n−オクチル−α−メチルベンジ
ルオキシ)安息香酸 (一般式(I)においてR1=C8H17、A=COOH) 実施例2で合成した(−)−4−n−オクチル−α−メ
チルベンジル−4′−シアノフェニルエーテル9.00g(2
7ミリモル)を水酸化ナトリウム11.2g(280ミリモ
ル)、エチルアルコール20ml、水50mlの混合溶液中で24
時間加熱還流してアルカリ加水分解した。反応液を塩酸
で酸性とし、析出した白色結晶をろ別、水洗後乾燥して
粗生成物8.36gをえた。エチルアルコールから再結晶し
て目的とする白色結晶の標記化合物5.86gをえた(収率6
2%)。
融点:99℃ 比施光度:▲[α]25 D▼=−19.2゜(C=1.03、酢
酸) えられた化合物の赤外吸収スペクトルを第3図に示す。
また、1H−NMRスペクトル(300MHz、DMSO−d6)のδ(p
pm)は以下の通りであった。
以上分析データからこの化合物を(−)−4−(4′−
n−オクチル−α−メチルベンジルオキシ)安息香酸と
同定した。
製造例4 (−)−4−(4′−n−オクチル−α−メチルベンジ
ルオキシ)安息香酸−4″−n−ヘプチルオキシフェニ
ルエステル (一般式(I)においてR1=C6H17実施例3で合成した(−)−4−(4′−n−オクチル
−α−メチルベンジルオキシ)安息香酸1.06g(3.0ミリ
モル)をジシクロヘキシルカルボジイミド0.68g(3.3ミ
リモル)、ジメチルアミノピリジン0.12g(1.0ミリモ
ル)およびp−n−ヘプチルオキシフェノール0.63g
(3.0ミリモル)とともにジクロロメタン40mlに溶解
し、室温で24時間撹拌反応させた。析出した結晶をろ別
し、ジクロロメタン層を塩酸水溶液で2回、水で3回洗
浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジクロ
ロメタンを除去してえた粗生成物1.82gをシリカゲルク
ロマトグラフィー(n−ヘキサン/ベンゼン=3/2)に
よって精製して目的とする白色結晶の標記化合物1.18g
をえた(収率72%)。
融点:49〜51℃ 比施光度:▲[α]25 D▼=−35.4゜(C=1.01、クロ
ロホルム) えられた化合物の赤外吸収スペクトルを第4図に示す。
また、1H−NMRスペクトル(300MHz、CDCl3、TMS内部標
準)のδ(ppm)は以下の通りであった。
以上分析データからこの化合物を(−)−4−(4′−
n−オクチル−α−メチルベンジルオキシ)安息香酸−
4″−n−ヘプチルオキシフェニルエステルと同定し
た。
製造例5 (+)−4−n−ペンチル−α−メチルベンジル−4′
−n−ヘプチルフェニルエーテル (一般式(I)においてR1=C5H11、A=C7H15) (−)−4−n−ペンチル−α−メチルベンジルアルコ
ール3.00g(16ミリモル、比施光度▲[α]25 D▼=−3
8.2゜(C=1.00、クロロホルム))をジシクロヘキシ
ルカルボジイミド3.20g(16ミリモル)および塩化第1
銅30mg(0.3ミリモル)と混合し、チッ素雰囲気下、室
温で24時間攪拌反応させた。つぎに反応液にp−n−ヘ
プチルフェノール2.50g(13ミリモル)をジクロルメタ
ン20mlに溶解した溶液を滴下し、チッ素雰囲気下、室温
で24時間攪拌反応させた。析出した結晶をろ別し、ジク
ロロメタン層はジエチルエーテル50mlで希釈し、炭酸水
素ナトリウムの飽和水溶液で2回、水で3回洗浄したの
ち無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を除去してえ
た粗生成物5.59gをシリカゲルクロマトグラフィー(n
−ヘキサン/酢酸エチル=19/1)によって精製して目的
とする淡黄色液体の標記化合物2.35gをえた(収率49
%)。
比施光度:▲[α]25 D▼=+27.3゜(C=1.42、クロ
ロホルム) えられた化合物の赤外吸収スペクトルを第5図に示す。
また、1H−NMRスペクトル(300MHz、CDCl3、TMS内部標
準)のδ(ppm)は以下の通りであった。
以上分析デタからこの化合物を(+)−4−n−ペンチ
ル−α−メチルベンジル−4′−n−ヘプチルフェニル
エーテルと同定した。
実施例1 前記一般式(I)で示される光学活性化合物を用いて強
誘電性液晶組成物を調製し、強誘電性液晶デバイスに適
用した。
まず、以下の成分よりなるノンカイラル液晶組成物
(A)を調製した。
この液晶組成物(A)は室温でスメクチックC相を示
し、その相転移は (ここでSc、SA、NおよびIはそれぞれスメクチックC
相、スメクチックA相、ネマチック相、等方性液体を示
す)であった。
この液晶組成物(A)に製造例1で合成した光学活性化
合物 を2%添加して液晶組成物(B)を調製した。
この液晶組成物は(B)は下記相転移を示した。
2枚のガラス基板上にそれぞれITO膜を形成し、さらにS
iO2を形成し、ナイロン膜を塗布し、ラビングした。次
にこの2枚のガラス基板をセル厚2μmで張り合わせ、
液晶組成物(B)を注入したのち、いったん液晶組成物
が等方性液体に変化する75℃にセルを加熱し、そののち
1℃/minで室温まで冷却することにより良好な配向をえ
た。
えられた液晶セルを2枚の直交する偏光子の間に設置
し、Vp−p=20Vの矩形波を印加したところ、透過光強
度の変化が観察された。透過光強度の変化により求めた
応答速度は25℃で340μsecであった。
実施例2 実施例1と同様にして、ノンカイラル液晶組成物(A)
に製造例2で合成した光学活性化合物 を2%添加して液晶組成物(C)を調製した。
この液晶組成物は(C)は下記相転移を示した。
つぎに実施例1と同様にして液晶セルを作製した。えら
れた液晶セルにVp−p=20Vの矩形波を印加したときの
透過光強度の変化により求めた応答速度は25℃で370μs
ecであった。
実施例3 実施例1と同様にして、ノンカイラル液晶組成物(A)
に製造例4で合成した光学活性化合物 を2%添加して液晶組成物(D)を調製した。
この液晶組成物(D)は下記相転移を示した。
つぎに実施例1と同様にして液晶セルを作製した。えら
れた液晶セルにVp−p=20Vの矩形波を印加したときの
透過光強度の変化より求めた応答速度は25℃で320μsec
であった。
実施例4 ネマチック液晶組成物E8(BDH社製)をTN型液晶表示セ
ルに注入して偏光顕微鏡観察したところ、リバース・ツ
イストドメインの発生が観察された。
このネマチック液晶組成物に製造例2で合成した光学活
性化合物 を0.1%添加して液晶組成物(E)を調製した。この液
晶組成物(E)をTN型液晶表示セルに注入して偏光顕微
鏡観察したところ、リバース・ツイストドメインは解消
され、均一なネマチック層が観察された。
[発明の効果] 本発明の液晶組成物には強誘電性液晶組成物の構成成分
として有用な一般式(I)で表わされる光学活性化合物
が使用されているため、えられる液晶組成物は高速応答
性、動作温度範囲が広い点、配向性およびメモリー性に
優れているので液晶表示素子の材料として有用である。
【図面の簡単な説明】
第1〜5図は、それぞれ製造例1〜5でえられた光学活
性化合物の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
フロントページの続き (72)発明者 倉立 知明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22―22 シャ ープ株式会社内 (72)発明者 向殿 充浩 大阪府大阪市阿倍野区長池町22―22 シャ ープ株式会社内 (72)発明者 船田 文明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22―22 シャ ープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−125652(JP,A)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I): (式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基またはアルキル
    オキシ基、Aはニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、
    水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜18のアルキル基も
    しくはアルキルオキシ基、−CO−R2または を示す、ここでR2は炭素数1〜18のアルキル基またはア
    ルキルオキシ基を示す、またYはハロゲン原子、シアノ
    基、ニトロ基、メチル基、水素原子またはトリフルオロ
    メチル基であり、2個のYは同種でもよく、異種でもよ
    い)で表わされる光学活性化合物の少なくとも1種を含
    有する液晶組成物。
  2. 【請求項2】カイラルスメクチック相を呈しうる請求項
    1記載の液晶組成物。
  3. 【請求項3】カイラルネマチック相を呈しうる請求項1
    記載の液晶組成物。
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