JPH0770129A - フタロシアニンおよびその製造方法 - Google Patents
フタロシアニンおよびその製造方法Info
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- JPH0770129A JPH0770129A JP6178865A JP17886594A JPH0770129A JP H0770129 A JPH0770129 A JP H0770129A JP 6178865 A JP6178865 A JP 6178865A JP 17886594 A JP17886594 A JP 17886594A JP H0770129 A JPH0770129 A JP H0770129A
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-
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- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
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Abstract
放射線を吸収するために有用であり、光学的データ記憶
ディスクにコーティングするために、銀行券または小切
手の印刷のような機密保護の適用に、リソグラフ印刷板
の製造に、または漂白用助剤の洗剤粉末に使用すること
ができる。
Description
アリールチオおよびアリールアミノ置換基を有するフタ
ロシアニン、特に中心金属原子として銅、マンガンまた
は鉄を有するフタロシアニンおよびこのフタロシアニン
の製造方法に関する。
(2):
金属原子、クロロ−金属基およびオキシ−金属基または
水素原子であり、kがMの1/2原子価の逆数であり、
RおよびR1が互いに無関係に有機基であり、R2がHま
たは置換または非置換のアルキル基であり、aが平均値
15〜8であり、bが平均値1〜8であり、かつa+b
が15〜16であるフタロシアニンおよびそのスルホン
化された誘導体が提供される。
1000nm、より有利には800〜900nmの最大
吸収(λmax)を有するものである。
Mが水素であるかまたは金属、ハロ−金属基またはオキ
シ−金属基で錯化されていてもよい。適当な金属、ハロ
−金属基およびオキシ−金属基は、周期表のIA、II
A、IIIB、IVB族からなるもの、第1、第2およ
び第3遷移金属およびランタノイド系列からなるもので
ある。有利な金属、ハロ−金属基およびオキシ−金属基
は、金属が銅、マンガン、鉄、亜鉛、コバルト、アルミ
ニウムおよびチタンから選択されるものであり、より有
利には銅、マンガン、鉄、亜鉛およびコバルトから選択
されるものであり、特に銅からなるものである。
子は、ハロ−金属基を生じるCl、F、BrおよびIで
あり、有利にはCl、FおよびBrであり、たとえばA
lが金属である式:AlClの場合は、そのようなハロ
−金属基はフタロシアニン核の2つの位置で配位結合し
ている。
えばAlが金属である場合にAlOHのようなオキシ−
金属基を、またはTiが金属である場合にTiOのよう
なオキシ−金属基を提供する酸素またはヒドロキシ基で
あり、そのようなオキシ−金属基はフタロシアニン核の
2つの位置で配位結合している。
アリール基、複素環式基、脂環式基およびアルキル基か
ら選択され、これらのそれぞれが場合により1つ以上の
置換基により置換されている。RまたはR1がアリール
基または複素環式基である場合は、有利には互いに無関
係に単環または双環式のアリール基または複素環式基か
ら選択される。適当なアリール基または複素環式基の例
は、フェニル、ナフチル、ピリジル、キノリニル、チエ
ニル、フラニル、チアゾリルおよびベンゾチアゾリルで
ある。RまたはR1が脂環式基である場合は、有利には
互いに無関係にC4〜C8−シクロアルキル、より有利に
はシクロヘキシルである。R、R1またはR2がアルキル
基である場合は、有利には互いに無関係にC1〜C10−
アルキル基、より有利にはC1〜C6−アルキル基、特に
C1〜C4−アルキル基である。
により置換されている場合は、置換基はC1〜C10−ア
ルキル、有利にはC1〜C6−アルキル、C1〜C10−ア
ルコキシ、有利にはC1〜C6−アルコキシ、CN、NO
2、CF3、ハロゲン原子、有利にはF、ClまたはB
r、NR3R4、OR3、SO2NR3R4、SO2R3、CO
NR3R4、COOR3およびCOR3から選択され、これ
らのR3およびR4は互いに無関係にH、C1〜C6−アル
キル、アリール、有利にはフェニルおよびC1〜C4−ア
ルキルアリール、有利にはベンジルから選択される。R
およびR1により表される有機基のための特に有利な置
換基は、C1〜C6−アルキル、OR3(R3はC1〜C6−
アルキルである)およびNR3R4(R3およびR4が互い
に無関係にH、C1〜C6−アルキル、フェニルまたはC
1〜C4−アルキルアリールである)である。
表す場合は、置換基はOH、ハロゲン原子、有利にはC
l、BrまたはF、CN、COOC1〜C6−アルキルお
よびフェニルから選択される。
ニル、およびC1〜C6−アルキル、特にメチル、C1〜
C6−アルコキシ、特にメトキシまたはNR3R4、特に
NH2により置換されたフェニルである。
は平均値15〜10である。
平均値1〜6である。
り、Rが4−メチルフェニルであり、R1がフェニル、
4−メチルフェニル、4−メトキシフェニルまたは4−
アミノフェニルであり、R2がHであり、aが10〜1
5であり、かつbが1〜6である化合物である。
カ(4−メチルフェニルチオ)モノ(フェニルアミノ)
銅フタロシアニン、デカ(4−メチルフェニルチオ)ペ
ンタ(4−アミノフェニルアミノ)銅フタロシアニン、
デカ(4−メチルフェニルチオ)ペンタ(4−メトキシ
フェニルアミノ)銅フタロシアニンおよびトリデカ(4
−メチルフェニルチオ)ジ(4−メチルフェニルアミ
ノ)銅フタロシアニンである。
れた誘導体は、有利には式(3):
R、R1、R2、aおよびbは前記のものを表し、Aは
H、金属、アンモニウムまたは置換されたアンモニウム
から選択され、かつcは平均値0.1〜60である。
れた誘導体は、有利には40個までのSO3A基、より
有利には30個までのSO3A基、特に16個までのS
O3A基を有し、これらはR、R1またはR2により表さ
れる基に結合している。
れた誘導体の有利なサブグループにおいては、SO3A
基の平均値は有利には2〜40であり、より有利には2
〜30であり、特に4〜16である。
ルカリ金属またはアルカリ土類金属イオン、特にナトリ
ウムイオン、カリウムイオンまたはリチウムイオンのよ
うなアルカリ金属イオンである。Aがアンモニウムイオ
ンである場合は、有利にはNH+ 4または化合物の水溶性
を高める置換されたアンモニウムイオンまたは化合物の
アルコール溶解性を高める式:NQ+ 4の置換されたアン
モニウムイオンである。化合物の水溶性を高める適当な
置換されたアンモニウムイオンの例は、アルキル基が1
〜4個の炭素原子を有するモノ−、ジ−、トリ−、テト
ラアルキルおよびヒドロキシアルキルアンモニウムイオ
ンであり、たとえばN+(CH3)4、N+(C2H5)4、
N+(C2H4OH)4、NH+ 3CH3、NH+ 2(CH3)2
およびNH+(CH3)3である。
ンにおいては、少なくとも1つのQは脂肪族基であり、
残りのQ基はC1〜C4−アルキルまたはHである。Qに
より表される脂肪族基は有利には4〜16個の、より有
利には7〜12個の、特に7〜9個の炭素原子を有す
る。有利な脂肪族基は直鎖または分枝鎖を有するアルキ
ルおよびアルケニル基である。Qにより表され、8〜9
個の炭素原子を有する有利なアルキル基は、3,5,5
−トリメチルヘキシル、1,1,3,3−テトラメチル
ブチルおよび2−エチルヘキシルである。ほかの適当な
脂肪鎖の例は、1−エチル−3−メチルペンチル、1,
5−ジメチルヘキシル、1−メチルヘプチル、1,4−
ジメチルブチル、1,2,2−トリメチルプロピル、2
−エチルブチル、1−プロピルブチル、1,2−ジメチ
ルブチル、2−メチルペンチル、1−エチルペンチル、
1,4−ジメチルペンチル、1−メチルヘキシル、3−
メチルヘキシル、1,3,3−トリメチルブチル、1−
メチルノニルである。Aにより表される置換されたアン
モニウムイオンは、有利には前記の1つの脂肪族アルキ
ル基を有し、残りの基は有利にはHまたはC1〜C4−ア
ルキルであり、特にHまたはメチルである。特に有利な
アンモニウムイオンには、2−エチルヘキシルアンモニ
ウム、1,1,3,3−テトラメチルブチルアンモニウ
ムおよび3,5,5−トリメチルヘキシルアンモニウム
が含まれる。
により表される金属イオンは有利にはアルカリ金属また
はアルカリ土類金属イオンであり、より有利にはリチウ
ムイオン、ナトリウムイオンおよびカリウムイオンから
選択される。特に有利にはAがナトリウムイオンまたは
アンモニウムイオンまたは水素である。
製造されるかまたは水性媒体から精製される場合は水和
した形で晶出してもよく、この場合に結晶の40個まで
の水分子がフタロシアニンに結合されており、従って式
(3)はそのような水和した形を含むと解されるべきで
ある。
(4): MkPc(S−R)d (dは15〜16である)のフタロシアニンを式
(5): H−NR1R2 の化合物と反応させることにより、式(1):
のものを表す)のフタロシアニンを製造する方法が提供
される。
式(5)の化合物を、場合により不活性の液体の存在下
で混合し、高められた温度に加熱することにより実施す
ることができる。適当な不活性の液体はN−メチルピロ
リドンまたはジメチルホルムアミドのようなアミドであ
る。
で実施する。
温度で、より有利には130℃〜200℃の温度で、特
に150℃〜190℃の温度で実施する。
ら従来の方法により、たとえば反応混合物を冷却し、エ
タノールのような液体に注入し、かつ沈殿した生成物を
濾過することにより単離することができる。この生成物
はエタノールのような液体で洗浄することにより、また
は溶離剤としてトルエンのような液体を使用してシリカ
から溶離することにより精製することができる。
kおよびPcは前記のものを表す)の化合物を式
(7): R−S−H (Rは前記のものを表す)の化合物と反応することによ
り製造することができる。反応は溶融でまたはニトロベ
ンゼン、ジメチルホルムアミドまたはN−メチル−2−
ピロリドンのような不活性の液体中で80℃〜300℃
の高温で実施することができる。
−ジシアノベンゼンを適当な金属または金属塩と不活性
の有機液体中で高温で反応することにより製造すること
ができる。
ンは、式(2)のフタロシアニンの前駆物質(cは0で
ある)を過剰のSO3を含有することができる硫酸(発
煙硫酸)を使用してスルホン化することにより製造する
ことができる。酸の濃度は1%硫酸から30%発煙硫酸
までの広い範囲内で変動することができる。有利には酸
の濃度は50%硫酸から30%発煙硫酸までであり、特
に有利には酸の濃度は98%硫酸から30%発煙硫酸ま
でである。反応温度は必要なスルホン化の程度に依存し
て−10℃から60℃で変動することができる。スルホ
ン化は不活性の液体中で実施することができる。
度が上昇すると、より多くのスルホン酸基がフタロシア
ニンに導入される。同様に特別の酸濃度で反応温度が上
昇すると、より多くのスルホン酸基がフタロシアニンに
導入される。
%発煙硫酸であり、有利な反応温度は−10℃〜40
℃、特に10℃〜40℃である。
ー源からの電磁放射線を吸収するために有用であり、光
学的データ記憶ディスクにコーティングするためにまた
は銀行券または小切手の印刷のような機密保護の適用に
またはリソグラフ印刷板の製造にまたは漂白用助剤の洗
剤粉末に使用することができる。
る。
ルチオ)銅フタロシアニン i)ペンタデカ(4−メチルフェニルチオ)銅フタロシ
アニンの製造 4−メチルチオフェノール(12.4部)、水酸化カリ
ウム(5.6部)およびジメチルホルムアミド(20c
m3)を撹拌しながら60分かけて80〜85℃に加熱
し、引き続き60℃に冷却し、ペンタデカクロロ銅フタ
ロシアニン(VYNAMON グリーン 2GFW)
(5.68部)を加えた。反応混合物を撹拌しながら更
に60分かけて130℃に加熱した。
40P(200cm3)に注入し、得られた沈殿物を濾
過し、エタノール740P(500cm3)で無色にな
るまで洗浄し、かつ50℃で乾燥した。
生成物が得られた(融点104〜115℃、λmax(C
HCl3)776cm~1)。
オ)銅フタロシアニン(5.0部)およびアニリン(5
1部)を撹拌しながら16時間かけて180℃に加熱し
た。混合物をエタノール740P(400cm3)に注
入し、微細な黒色の固形物が沈殿した。溶液を濾過し、
黒色の固形物をジクロロメタンに溶かした。シリカを溶
液に加え、減圧下で溶剤を除去し、微細な黒色の粉末が
得られた。粉末を溶離剤としてトルエンを使用したシリ
カカラムにかけた。すべての類似したフラクションを収
集し、減圧下で溶剤を除去し、黒色の固形物(3.4
部、69%)が得られた(融点110〜114℃、λma
x(CH2Cl2)793cm~1)。
フェニルチオ)銅フタロシアニン ペンタデカ(4−メチルフェニルチオ)銅フタロシアニ
ン(2.41部)およびp−フェニルジアミン(22
部)を溶融し、180℃で16時間撹拌し、引き続き1
00℃に冷却した。エタノール740P(100c
m3)を撹拌したガムに加えた。黒/紫の固形物が沈殿
し、これを濾過した。固形物をエタノール740P(1
00cm3)で洗浄し、熱いエタノール740P中で泥
状化し(4×200ml)、濾過し、かつ乾燥した
(1.85部、80%、融点>250℃、λmax(CH
Cl3)870cm~1)。
ルフェニルチオ)銅フタロシアニン ペンタデカ(4−メチルフェニルチオ)銅フタロシアニ
ン(2.41部)および4−アニシジン(25.0部)
をいっしょに160〜180℃で18時間加熱した。反
応混合物を80〜85℃に冷却し、エタノール740P
(70cm3)を加え、生成物を濾過し、かつエタノー
ル740P(200cm3)でほとんど無色になるまで
洗浄した。残留物をエタノール(100cm3)中で沸
騰させ、濾過し、熱いエタノール(30cm3)で洗浄
し、残留する4−アニシジンを除去した。この工程を繰
り返し、残留する4−アニシジンを含まないほとんど黒
色の粉末が得られた(融点185℃、λmax(CH2Cl
2)860cm~1)。
フェニルチオ)銅フタロシアニン 例3に記載のように実施した、ただし4−アニシジンの
代わりに4−トルイジン(21.7部)を使用した。生
成物は融点165〜170℃およびλmax(CH2C
l2)826cm~1を有した。
ルフェニルチオ)銅フタロシアニン ペンタデカ(4−メチルフェニルチオ)銅フタロシアニ
ン(2.41部)および4−アニシジン(2.5部)を
いっしょにN−メチルピロリドン(10部)中で160
〜180℃で18時間加熱した。
P、100cm3)に注入し、緑/黒の沈殿物を濾過
し、エタノール(100cm3)で洗浄し、その後更に
エタノール100cm3中で再び泥状化し、再び濾過
し、洗浄し、50℃で乾燥し、トリ(4−メトキシフェ
ニルアミノ)ドデカ(4−メチルフェニルチオ)銅フタ
ロシアニン(2.0部、83%)が得られた(λmax
(CH2Cl2)828cm~1)。
ルフェニルチオ)ノナ(スルホン酸ナトリウム塩)銅フ
タロシアニン (上記の)例1で製造した物質(4.6部)を0℃〜
0.5℃で10%発煙硫酸(10.4部)に加え、この
温度で15分後に反応が室温に達し、撹拌しながらこの
温度に更に3時間維持し、引き続き氷(100部)に注
入した。
蒸発乾燥し、トリ(4−メトキシフェニルアミノ)ドデ
カ(4−メチルフェニルチオ)ノナ(スルホン酸ナトリ
ウム塩)銅フタロシアニン(6.3部、91%)が得ら
れた(融点>250℃、λmax(H2O)800cm
~1)。
Claims (7)
- 【請求項1】 式(1): 【化1】 で示され、上記式中、 MkPcが式(2): 【化2】 で示されるフタロシアニン核であり、 Mが金属原子、クロロ−金属基およびオキシ−金属基ま
たは水素原子であり、 kがMの1/2原子価の逆数であり、 RおよびR1が互いに無関係に有機基であり、 R2がHまたは置換または非置換のアルキル基であり、 aが平均値15〜8であり、 bが平均値1〜8であり、かつa+bが15〜16であ
るフタロシアニンおよびそのスルホン化された誘導体。 - 【請求項2】 Mが銅、マンガン、鉄、亜鉛およびコバ
ルトから選択される請求項1記載のフタロシアニン。 - 【請求項3】 Mが銅である請求項1または2記載のフ
タロシアニン。 - 【請求項4】 Mが銅であり、Rが4−メチルフェニル
であり、R1がフェニル、4−メチルフェニル、4−メ
トキシフェニルまたは4−アミノフェニルであり、R2
がHであり、aが10〜15であり、かつbが1〜6で
ある請求項1から3までのいずれか1項記載のフタロシ
アニン。 - 【請求項5】 モノ(フェニルアミノ)テトラデカ(4
−メチルフェニルチオ)銅フタロシアニン、ペンタ(4
−アミノフェニルアミノ)デカ(4−メチルフェニルチ
オ)銅フタロシアニン、ペンタ(4−メトキシフェニル
アミノ)デカ(4−メチルフェニルチオ)銅フタロシア
ニン、ジ(4−メチルフェニルアミノ)トリデカ(4−
メチルフェニルチオ)銅フタロシアニン、トリ(4−メ
トキシフェニルアミノ)ドデカ(4−メチルフェニルチ
オ)銅フタロシアニンおよびトリ(4−メトキシフェニ
ルアミノ)ドデカ(4−メチルフェニルチオ)ノナ(ス
ルホン酸ナトリウム塩)銅フタロシアニンである請求項
1記載のフタロシアニン。 - 【請求項6】 式(3): 【化3】 で示され、上記式中、 MkPcが式(2): 【化4】 で示されるフタロシアニン核であり、 Mが金属原子、クロロ−金属基およびオキシ−金属基ま
たは水素原子であり、 kがMの1/2原子価の逆数であり、 RおよびR1が互いに無関係に有機基であり、 R2がHまたは置換または非置換のアルキル基であり、 aが平均値15〜8であり、 bが平均値1〜8であり、 a+bが15〜16であり、 AがH、金属、アンモニウムまたは置換されたアンモニ
ウムであり、かつcが平均値0.1〜60である請求項
1記載のフタロシアニンおよびそのスルホン化された誘
導体。 - 【請求項7】 式(1): 【化5】 [式中、 MkPcが式(2): 【化6】 で示されるフタロシアニン核であり、 Mが金属原子、クロロ−金属基およびオキシ−金属基ま
たは水素原子であり、 kがMの1/2原子価の逆数であり、 RおよびR1が互いに無関係に有機基であり、 R2がHまたは置換または非置換のアルキル基であり、 aが平均値15〜8であり、 bが平均値1〜8であり、かつa+bが15〜16であ
る]で示されるフタロシアニンを製造する方法におい
て、式(4): MkPc(S−R)d (dは15〜16である)のフタロシアニンを式
(5): H−NR1R2 の化合物と反応させることを特徴とするフタロシアニン
の製造方法。
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