JPH077064B2 - 二次電子検出器 - Google Patents
二次電子検出器Info
- Publication number
- JPH077064B2 JPH077064B2 JP61143937A JP14393786A JPH077064B2 JP H077064 B2 JPH077064 B2 JP H077064B2 JP 61143937 A JP61143937 A JP 61143937A JP 14393786 A JP14393786 A JP 14393786A JP H077064 B2 JPH077064 B2 JP H077064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- secondary electron
- amount
- secondary electrons
- inspected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 被検査試料に入射した一次ビームにより放出された二次
電子量をマイクロチャネルプレート（以下本明細書にお
いてMCPと略記する）により増倍して検出する二次電子
検出器において、MCPの一次ビーム透過孔の存在するこ
とによる検出量の誤差を補正する手段を具備した二次電
子検出器である。
電子量をマイクロチャネルプレート（以下本明細書にお
いてMCPと略記する）により増倍して検出する二次電子
検出器において、MCPの一次ビーム透過孔の存在するこ
とによる検出量の誤差を補正する手段を具備した二次電
子検出器である。
［産業上の利用分野］ 本発明は被検査試料に入射した電子ビームにより放出さ
れた二次電子量を測定し、被検査試料の状態を知る二次
電子検出器に関する。
れた二次電子量を測定し、被検査試料の状態を知る二次
電子検出器に関する。
被検査試料に電子ビームを照射して放出された二次電子
ビームにより試料の状態を求めるとき、二次電子ビーム
を増倍するMCPが使用されるようになったが、このとき
検出した二次電子ビームの量について誤差の生じること
が判り、誤差のない検出器を得ることが要望された。
ビームにより試料の状態を求めるとき、二次電子ビーム
を増倍するMCPが使用されるようになったが、このとき
検出した二次電子ビームの量について誤差の生じること
が判り、誤差のない検出器を得ることが要望された。
［従来の技術］ 半導体集積回路について内部配線をチェックする場合の
ように被検査試料に一次電子を照射し、放出した二次電
子を検出してデータを求めている。第４図に示すように
一次電子ビーム源１からの電子ビーム２がポールピース
３の中心孔を透過し、被検査集積回路４に照射される。
放出した二次電子５の検出は当初二次電子増倍管（フォ
トマルチプライヤ）を電子ビーム２に対し斜め方向に近
接させて行っていたが、第４図においては二次電子増倍
管の代わりにアノード６とMCP7とを使用している。MCP7
は被検査集積回路４の側からの二次電子を極く微細な孔
（例えば直径数十ミクロン）から取り込み、より多数の
電子を集積回路４の反対側へ放出させている。増倍され
た二次電子はアノード６により捕集し、図示しない検出
回路へ導いている。今集積回路４の基板上の配線パター
ンに交流信号を印加しているときは、その同一配線パタ
ーン上に一次電子ビームが当たっているときでも、二次
電子検出量が交流信号の時間的変化のため、変動する。
この変動を検出して、予めシミュレーションで得ていた
結果と比較することにより、集積回路の動作が所定のも
のであるか否か判断できる。このとき空間的配置として
はポールピース３の直下にアノード６とMCP7が存在する
から、一次電子ビーム２に対する空間的な対称性が良く
なる。またポールピース３と集積回路４との間隔（ワー
キングディスタンス）が小となるため、二次電子検出器
による検出像が鮮明となる。
ように被検査試料に一次電子を照射し、放出した二次電
子を検出してデータを求めている。第４図に示すように
一次電子ビーム源１からの電子ビーム２がポールピース
３の中心孔を透過し、被検査集積回路４に照射される。
放出した二次電子５の検出は当初二次電子増倍管（フォ
トマルチプライヤ）を電子ビーム２に対し斜め方向に近
接させて行っていたが、第４図においては二次電子増倍
管の代わりにアノード６とMCP7とを使用している。MCP7
は被検査集積回路４の側からの二次電子を極く微細な孔
（例えば直径数十ミクロン）から取り込み、より多数の
電子を集積回路４の反対側へ放出させている。増倍され
た二次電子はアノード６により捕集し、図示しない検出
回路へ導いている。今集積回路４の基板上の配線パター
ンに交流信号を印加しているときは、その同一配線パタ
ーン上に一次電子ビームが当たっているときでも、二次
電子検出量が交流信号の時間的変化のため、変動する。
この変動を検出して、予めシミュレーションで得ていた
結果と比較することにより、集積回路の動作が所定のも
のであるか否か判断できる。このとき空間的配置として
はポールピース３の直下にアノード６とMCP7が存在する
から、一次電子ビーム２に対する空間的な対称性が良く
なる。またポールピース３と集積回路４との間隔（ワー
キングディスタンス）が小となるため、二次電子検出器
による検出像が鮮明となる。
［発明が解決しようとする問題点］ 一次電子ビーム２を被検査集積回路４に照射するため、
アノード6,MCP7には共に一次電子ビーム２の透過孔（例
えば直径数ミリの孔）が存在する。集積回路４から飛び
出した二次電子５はアノード６に捕集されるが、その一
部は前記透過孔にも逆流してアノード６に捕集されない
こととなる。集積回路４から放出した二次電子の全量と
捕集された量との比を「アクセプタンス」と称するが、
第４図の構成ではアクセプタンスが低下する欠点が発生
した。
アノード6,MCP7には共に一次電子ビーム２の透過孔（例
えば直径数ミリの孔）が存在する。集積回路４から飛び
出した二次電子５はアノード６に捕集されるが、その一
部は前記透過孔にも逆流してアノード６に捕集されない
こととなる。集積回路４から放出した二次電子の全量と
捕集された量との比を「アクセプタンス」と称するが、
第４図の構成ではアクセプタンスが低下する欠点が発生
した。
本発明の目的は前述の欠点を改善し、アノード・MCPを
使用する二次電子検出器において、二次電子検出を効率
良く行うようにした検出器を提供することにある。
使用する二次電子検出器において、二次電子検出を効率
良く行うようにした検出器を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 第１図は本発明の原理構成を示す図である。第１図にお
いて、１は一次電子ビーム源、２は電子ビーム、３はポ
ールピース、４は被検査集積回路、５は二次電子で電子
ビーム２が集積回路に当たって放出されたもの、６はア
ノード、７はMCP、８は二次電子検出回路を示す。以上
の構成の二次電子検出器において本発明は、60と示すよ
うにアノード６に対しMCP7により増倍されない二次電子
量を推定する手段を有し、二次電子検出回路８において
アノード６の出力に対し補正することを特徴とする。
いて、１は一次電子ビーム源、２は電子ビーム、３はポ
ールピース、４は被検査集積回路、５は二次電子で電子
ビーム２が集積回路に当たって放出されたもの、６はア
ノード、７はMCP、８は二次電子検出回路を示す。以上
の構成の二次電子検出器において本発明は、60と示すよ
うにアノード６に対しMCP7により増倍されない二次電子
量を推定する手段を有し、二次電子検出回路８において
アノード６の出力に対し補正することを特徴とする。
［作用］ 第１図におけるアノード６はMCP7の中央孔のため増倍さ
れない二次電子量の推定手段（60）を有し例えばアノー
ドを同心円状に複数に分割している。そのため二次電子
検出回路（８）では、アノードの出力に対し推定手段
（60）の構成により定まる量の補正を加えることによ
り、検出回路８の出力としてMCP7の中央孔を透過した二
次電子量を正確に推定することができる。したがって被
検査試料４から放出された二次電子についてその総量を
求めることもでき、試料の状態についてより正確な信号
を得ることができる。
れない二次電子量の推定手段（60）を有し例えばアノー
ドを同心円状に複数に分割している。そのため二次電子
検出回路（８）では、アノードの出力に対し推定手段
（60）の構成により定まる量の補正を加えることによ
り、検出回路８の出力としてMCP7の中央孔を透過した二
次電子量を正確に推定することができる。したがって被
検査試料４から放出された二次電子についてその総量を
求めることもでき、試料の状態についてより正確な信号
を得ることができる。
［実施例］ 第２図は本発明の実施例としてアノード６と、信号検出
回路とを具体的に示す図である。今アノード６を複数の
アノード61,62…6nに分割し、各分割アノードからの出
力を二次電子検出回路における増幅段に印加する。第２
図において81,82…8nは各増幅回路を示している。
回路とを具体的に示す図である。今アノード６を複数の
アノード61,62…6nに分割し、各分割アノードからの出
力を二次電子検出回路における増幅段に印加する。第２
図において81,82…8nは各増幅回路を示している。
アノード61,62…は隣接する部分とミロクンオーダで離
隔した構造とする。更に第３図（Ａ）に示すように分割
アノード各点の座標を半径r,角度θで指定した場合、角
度θ方向における二次電子検出量Ｓについて、アノード
の中心（ビームの通る孔のため仮想点となる）からの半
径ｒとの関係を考えると、第３図（Ｂ）に示すように三
次式で近似することができる。即ち Ｓ（r,θ）＝C3（θ）r3＋C2（θ）r2＋C1（θ）ｒ＋C0（θ） ここでC3（θ）〜C2（θ）は角度依存性を持つ。各アノ
ード上で角度Δθの範囲の第ｎアノードから検出される
信号量Sn（θ）Δθは ここでSn（θ）とCn（θ）との比例定数はアノードの構
造にのみ関係し、角度θに依存しない事が判る。
隔した構造とする。更に第３図（Ａ）に示すように分割
アノード各点の座標を半径r,角度θで指定した場合、角
度θ方向における二次電子検出量Ｓについて、アノード
の中心（ビームの通る孔のため仮想点となる）からの半
径ｒとの関係を考えると、第３図（Ｂ）に示すように三
次式で近似することができる。即ち Ｓ（r,θ）＝C3（θ）r3＋C2（θ）r2＋C1（θ）ｒ＋C0（θ） ここでC3（θ）〜C2（θ）は角度依存性を持つ。各アノ
ード上で角度Δθの範囲の第ｎアノードから検出される
信号量Sn（θ）Δθは ここでSn（θ）とCn（θ）との比例定数はアノードの構
造にのみ関係し、角度θに依存しない事が判る。
一方、角度（θ〜（θ＋Δθ）の間の一次ビーム孔を逆
に透過する二次電子の量S0（θ）Δθは となる。例えばアノードを４枚の同心円状に分割した場
合は、比例定数a1〜a4は次のように表される。
に透過する二次電子の量S0（θ）Δθは となる。例えばアノードを４枚の同心円状に分割した場
合は、比例定数a1〜a4は次のように表される。
ここでbijは下に示すaij行列要素とする行列の逆行列で
ある。
ある。
aijはアノードの構造にのみ関係するため、bijもまた同
様である。
様である。
とすると、 S0=a1S1+a2S2+a3S3+a4S4 となる。したがって一次ビーム孔を逆に透過する二次電
子の総量S0は、各分割アノードにより検出される信号量
の総量S1〜S4にアノードの構造から決まる定数a1〜a4を
掛けることにより推定できる。
子の総量S0は、各分割アノードにより検出される信号量
の総量S1〜S4にアノードの構造から決まる定数a1〜a4を
掛けることにより推定できる。
回路を具体的に組むためには、増幅回路81,82…の各増
幅度としてa1〜a4を係数に設定する。そして各アノード
61,62…を対応する増幅回路81,82…と接続し、各増幅回
路の出力を合成すれば、一次ビーム孔を透過した二次電
子量S0を推定して求めることができる。更に必要に応じ
S0,S1,S2…の総和を求めれば二次電子総量を求めること
ができる。
幅度としてa1〜a4を係数に設定する。そして各アノード
61,62…を対応する増幅回路81,82…と接続し、各増幅回
路の出力を合成すれば、一次ビーム孔を透過した二次電
子量S0を推定して求めることができる。更に必要に応じ
S0,S1,S2…の総和を求めれば二次電子総量を求めること
ができる。
［発明の効果］ このようにして本発明によると、発生した二次電子のう
ちMCPの孔を一次ビームとは逆方向に透過するものの量
について、推定する手段をアノードに設けるという簡易
な構成で推定することができる。したがって被検査試料
について鮮明な像を得ることができる上に、二次電子の
総量も明らかになるため、なお像の判断に正確さを増す
ことができる。
ちMCPの孔を一次ビームとは逆方向に透過するものの量
について、推定する手段をアノードに設けるという簡易
な構成で推定することができる。したがって被検査試料
について鮮明な像を得ることができる上に、二次電子の
総量も明らかになるため、なお像の判断に正確さを増す
ことができる。
第１図は本発明の原理構成を示す図、 第２図は本発明の実施例としてアノードと二次電子検出
回路の具体的構成を示す図、 第３図は第２図についての動作説明図、 第４図は従来の構成を示す図である。 １……一次電子ビーム源 ２……電子ビーム ３……ポールピース ４……被検査集積回路 ５……二次電子 6,61,62……アノード ７……MCP 60……推定手段
回路の具体的構成を示す図、 第３図は第２図についての動作説明図、 第４図は従来の構成を示す図である。 １……一次電子ビーム源 ２……電子ビーム ３……ポールピース ４……被検査集積回路 ５……二次電子 6,61,62……アノード ７……MCP 60……推定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石塚 俊弘 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 尾崎 一幸 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】中央部に一次ビーム（２）の入射孔を有す
るアノード（６）と、同じく中央部に一次ビーム（２）
の入射孔を有するマイクロチャネルプレート（７）を介
して被検査試料（４）に一次ビーム（２）を照射し、放
出される二次電子（５）を前記マイクロチャネルプレー
ト（７）により増幅後、アノード（６）を介して二次電
子検出回路で検出する二次電子検出器において、 前記アノード（６）と二次電子検出回路（８）との間
に、前記マイクロチャネルプレート（７）により増倍さ
れない二次電子の量を推定する手段（60）を挿入したこ
とを特徴とする二次電子検出器。 - 【請求項２】前記アノード（６）は複数の同心円状に分
割されたアノード（61,62,…）であり、前記マイクロチ
ャネルプレート（７）により増倍されない二次電子の量
を推定する手段（60）は、該分割アノード（61,62,…）
からの各出力端子と二次電子検出回路との間に設けられ
た、前記分割アノードからの出力について演算・補正す
る回路（81,82,…）を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の二次電子検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143937A JPH077064B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 二次電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143937A JPH077064B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 二次電子検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299784A JPS62299784A (ja) | 1987-12-26 |
| JPH077064B2 true JPH077064B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=15350534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143937A Expired - Lifetime JPH077064B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 二次電子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077064B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109174698B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-11-24 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种微通道板测试方法及系统 |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61143937A patent/JPH077064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62299784A (ja) | 1987-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6127899B2 (ja) | ||
| JPH077064B2 (ja) | 二次電子検出器 | |
| JP2678059B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
| US4475042A (en) | Dynamic threshold for scintillation camera | |
| JP2899359B2 (ja) | 流体中の粒子計測方法及びその装置 | |
| JPS62195504A (ja) | 面位置検出装置 | |
| JPS5871541A (ja) | イオンマイクロアナライザ | |
| JP2701764B2 (ja) | 荷電粒子ビームの寸法測定装置および測定方法 | |
| JPH0734366Y2 (ja) | 反射高速電子回折装置 | |
| US20080215267A1 (en) | Processing of a Signal Representing Radiation | |
| JP2943343B2 (ja) | 微粒子測定装置 | |
| JPH0423419B2 (ja) | ||
| JPH0586616B2 (ja) | ||
| JPH0282186A (ja) | ２次電子検出装置 | |
| JPH08226904A (ja) | 分析電子顕微鏡及び分析方法 | |
| JPS62273746A (ja) | 相互に噛み合つた導体パタ−ンを有するテストデバイスを用いた電子ビ−ムプロ−ブシステムおよび該デバイスの使用法 | |
| JPH0242246B2 (ja) | ||
| JPH0921630A (ja) | 寸法測定装置 | |
| JP2528906B2 (ja) | 電圧測定装置 | |
| JPH03160391A (ja) | エネルギー線入射角の測定方法および装置と、荷電粒子レンズ特性の測定方法および装置 | |
| JPH07122221A (ja) | 分割型検出器 | |
| JPH07234195A (ja) | 結晶表面分析装置 | |
| JPS63245850A (ja) | メタステ−ブルイオンエネルギ−分析装置 | |
| JPH046741A (ja) | 質量分析計のイオン検出器 | |
| JPS6135367A (ja) | 電子ビ−ムを用いた電圧測定装置 |