JPH077246A - 電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法 - Google Patents
電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法Info
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- JPH077246A JPH077246A JP14637693A JP14637693A JPH077246A JP H077246 A JPH077246 A JP H077246A JP 14637693 A JP14637693 A JP 14637693A JP 14637693 A JP14637693 A JP 14637693A JP H077246 A JPH077246 A JP H077246A
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 繊維強化樹脂プリプレグ４を電子部品構成物
２，３の周囲に積層した後、加熱すると共に加圧する電
子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法において、
前記加熱及び加圧前にプリプレグを予熱する方法等によ
り、前記加圧の間にプリプレグから流れ出る樹脂の量
を、該樹脂量の加圧前プリプレグ重量に対する比率（樹
脂フロー率）で３〜35wt％に調整する。 【効果】 熱硬化性樹脂の配合を変えて電子部品構成物
内蔵インモールド品を製造するに際し、表面ボイド、内
部ボイド及び電子部品破壊の発生が生じ難く、良好なイ
ンモールド品が得られ、しかも、かかる不具合発生の防
止を、多数の実験を要することなく、比較的簡単に図る
ことができるようになる。
２，３の周囲に積層した後、加熱すると共に加圧する電
子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法において、
前記加熱及び加圧前にプリプレグを予熱する方法等によ
り、前記加圧の間にプリプレグから流れ出る樹脂の量
を、該樹脂量の加圧前プリプレグ重量に対する比率（樹
脂フロー率）で３〜35wt％に調整する。 【効果】 熱硬化性樹脂の配合を変えて電子部品構成物
内蔵インモールド品を製造するに際し、表面ボイド、内
部ボイド及び電子部品破壊の発生が生じ難く、良好なイ
ンモールド品が得られ、しかも、かかる不具合発生の防
止を、多数の実験を要することなく、比較的簡単に図る
ことができるようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品構成物内蔵イ
ンモールド品の製造方法に関し、詳細にはIC等の電子部
品を組合せ、発振、受信、演算、記憶等の１つ以上の機
能を発現する構造物（以降、電子部品構造物という）を
長繊維強化樹脂中にインモールド（埋め込み）してなる
電子部品構造物内蔵インモールド品の製造に用いて好適
な製造方法に関する。
ンモールド品の製造方法に関し、詳細にはIC等の電子部
品を組合せ、発振、受信、演算、記憶等の１つ以上の機
能を発現する構造物（以降、電子部品構造物という）を
長繊維強化樹脂中にインモールド（埋め込み）してなる
電子部品構造物内蔵インモールド品の製造に用いて好適
な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気・電子機器においてIC等電子部品を
機器内に固定する方法として、IC等を実装したプリント
配線基板を機器のハウジングの内面に予め形成されたボ
ス内のナットにボルトを用いて固定する方法（以降、ボ
ルト固定法という）、ICモジュールを接着剤により機器
のハウジング内面に接着する方法（以降、接着固定法と
いう）、予め機器のハウジング内面にくぼみを形成し、
接着剤を塗布したICモジュールを上記くぼみ内に装着
し、熱溶着する方法（以降、熱溶着固定法という）等が
用いられている。又、上記機器のハウジング材料として
は、 ABS樹脂、塩化ビニール樹脂等の樹脂や、これらの
樹脂にガラス繊維を複合してなるガラス繊維強化樹脂(F
RP) が一般的に用いられている。
機器内に固定する方法として、IC等を実装したプリント
配線基板を機器のハウジングの内面に予め形成されたボ
ス内のナットにボルトを用いて固定する方法（以降、ボ
ルト固定法という）、ICモジュールを接着剤により機器
のハウジング内面に接着する方法（以降、接着固定法と
いう）、予め機器のハウジング内面にくぼみを形成し、
接着剤を塗布したICモジュールを上記くぼみ内に装着
し、熱溶着する方法（以降、熱溶着固定法という）等が
用いられている。又、上記機器のハウジング材料として
は、 ABS樹脂、塩化ビニール樹脂等の樹脂や、これらの
樹脂にガラス繊維を複合してなるガラス繊維強化樹脂(F
RP) が一般的に用いられている。
【０００３】ところが、上記固定方法には下記の如き問
題点がある。即ち、ボルト固定法では、少なくともプリ
ント配線基板の固定に必要なスペースを該基板とハウジ
ングとの間に設ける必要があるので、機器のコンパクト
化を図り難い。これに対し、接着固定法及び熱溶着固定
法では、固定に必要なスペースは少なくてよいので機器
のコンパクト化が図り易いが、ハウジングが撓んだ際に
IC等の部品とハウジング材の弾性率の相違に起因して固
着部（接着部又は熱溶着部）近傍に応力が働き、部品の
剥離やICリード線の切断等が生じ易いという問題点があ
る。更には、上記いづれの固定方法も、ICやICリード線
を水分等の湿気、腐食性ガス、薬品などから保護するた
めにモジュール表面を封止樹脂により被覆する必要があ
る。又、少なくともハウジング成型工程と実装基板等の
固定工程とが必要であって製造工程が多く、その低減が
要望される。
題点がある。即ち、ボルト固定法では、少なくともプリ
ント配線基板の固定に必要なスペースを該基板とハウジ
ングとの間に設ける必要があるので、機器のコンパクト
化を図り難い。これに対し、接着固定法及び熱溶着固定
法では、固定に必要なスペースは少なくてよいので機器
のコンパクト化が図り易いが、ハウジングが撓んだ際に
IC等の部品とハウジング材の弾性率の相違に起因して固
着部（接着部又は熱溶着部）近傍に応力が働き、部品の
剥離やICリード線の切断等が生じ易いという問題点があ
る。更には、上記いづれの固定方法も、ICやICリード線
を水分等の湿気、腐食性ガス、薬品などから保護するた
めにモジュール表面を封止樹脂により被覆する必要があ
る。又、少なくともハウジング成型工程と実装基板等の
固定工程とが必要であって製造工程が多く、その低減が
要望される。
【０００４】そこで、上記問題点を解消すべく検討が重
ねられ、その結果、電子部品構成物を長繊維強化樹脂層
中にインモールド一体成形して内蔵させてなる電子部品
構成物内蔵インモールド品が提案されている（特願平3-
345181号）。かかるインモールド品は、強化長繊維に熱
硬化性樹脂を含浸させてなる繊維強化樹脂プリプレグを
電子部品構成物の両側又は片側に（周囲に）積層し、加
熱された金型により加熱すると共に該金型により加圧す
る（圧縮成形する）方法により、製造される。このと
き、繊維強化樹脂プリプレグは電子部品構成物を内蔵し
ながら圧縮されると共に硬化し、長繊維強化樹脂層とな
る。この長繊維強化樹脂層は強化長繊維及び樹脂を含ん
でいる。
ねられ、その結果、電子部品構成物を長繊維強化樹脂層
中にインモールド一体成形して内蔵させてなる電子部品
構成物内蔵インモールド品が提案されている（特願平3-
345181号）。かかるインモールド品は、強化長繊維に熱
硬化性樹脂を含浸させてなる繊維強化樹脂プリプレグを
電子部品構成物の両側又は片側に（周囲に）積層し、加
熱された金型により加熱すると共に該金型により加圧す
る（圧縮成形する）方法により、製造される。このと
き、繊維強化樹脂プリプレグは電子部品構成物を内蔵し
ながら圧縮されると共に硬化し、長繊維強化樹脂層とな
る。この長繊維強化樹脂層は強化長繊維及び樹脂を含ん
でいる。
【０００５】上記インモールド品の製造状況の一例を図
１に示し、上記インモールド品の一例を図２に示す。図
１及び２において、２はプリント配線基板、３は該基板
２に実装されたIC等の電子部品を示し、この両者により
電子部品構成物が構成されている。２，４は長繊維強化
樹脂プリプレグ、５は上金型、６は下金型を示し、１は
長繊維強化樹脂層を示すものである。
１に示し、上記インモールド品の一例を図２に示す。図
１及び２において、２はプリント配線基板、３は該基板
２に実装されたIC等の電子部品を示し、この両者により
電子部品構成物が構成されている。２，４は長繊維強化
樹脂プリプレグ、５は上金型、６は下金型を示し、１は
長繊維強化樹脂層を示すものである。
【０００６】上記電子部品構成物内蔵インモールド品に
よれば、ハウジングを小さくできるので機器のコンパク
ト化が図り易く、又、撓み難く且つ強度に優れて強固で
あるので部品の剥離やICリード線の切断などが生じ難
く、更には、電子部品構成物を長繊維強化樹脂層中にイ
ンモールドすると共にハウジング形状に一体成形するこ
とにより製造し得るので、基本的に製造工程が大幅に低
減される。
よれば、ハウジングを小さくできるので機器のコンパク
ト化が図り易く、又、撓み難く且つ強度に優れて強固で
あるので部品の剥離やICリード線の切断などが生じ難
く、更には、電子部品構成物を長繊維強化樹脂層中にイ
ンモールドすると共にハウジング形状に一体成形するこ
とにより製造し得るので、基本的に製造工程が大幅に低
減される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法において
は、多様の要求に応じて熱硬化性樹脂（モールド材）の
配合を変える場合、それに最適なインモールド一体成形
条件をその都度探索しなければならないという問題点が
ある。
電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法において
は、多様の要求に応じて熱硬化性樹脂（モールド材）の
配合を変える場合、それに最適なインモールド一体成形
条件をその都度探索しなければならないという問題点が
ある。
【０００８】即ち、電子部品構成物内蔵インモールド品
には多様の要求があり、この要求に対しては熱硬化性樹
脂（モールド材）の配合により対応し、それら要求を満
足させる場合が多い。しかし、このような場合、熱硬化
性樹脂の配合を変えるだけでは、配合を変える度に成形
品（インモールド品）の表面ボイド等の発生状況が変化
して表面性状悪化という不具合が生じたり、内蔵される
電子部品の破壊の難易度が変化して電子部品の損傷とい
う不具合が生じたりする。そこで、かかる不具合を防止
するには、熱硬化性樹脂の配合を変える度に、その配合
樹脂に最適なインモールド一体成形条件を適用すればよ
いが、そのためには樹脂配合を変える毎に種々の成形条
件（金型での加熱温度、加圧速度、加圧力等）をパラメ
ータとして多数の実験を行い、最適成形条件を探索しな
ければならず、従って、その探索に多大な時間、材料を
要すると共に多大な実験成形コストがかかるという問題
点がある。
には多様の要求があり、この要求に対しては熱硬化性樹
脂（モールド材）の配合により対応し、それら要求を満
足させる場合が多い。しかし、このような場合、熱硬化
性樹脂の配合を変えるだけでは、配合を変える度に成形
品（インモールド品）の表面ボイド等の発生状況が変化
して表面性状悪化という不具合が生じたり、内蔵される
電子部品の破壊の難易度が変化して電子部品の損傷とい
う不具合が生じたりする。そこで、かかる不具合を防止
するには、熱硬化性樹脂の配合を変える度に、その配合
樹脂に最適なインモールド一体成形条件を適用すればよ
いが、そのためには樹脂配合を変える毎に種々の成形条
件（金型での加熱温度、加圧速度、加圧力等）をパラメ
ータとして多数の実験を行い、最適成形条件を探索しな
ければならず、従って、その探索に多大な時間、材料を
要すると共に多大な実験成形コストがかかるという問題
点がある。
【０００９】本発明はこの様な事情に着目してなされた
ものであって、その目的は、前記従来技術の有する問題
点を解消し、熱硬化性樹脂の配合を変えて電子部品構成
物内蔵インモールド品を製造するに際し、表面ボイドの
発生による表面性状悪化及び電子部品の破壊という不具
合の発生が生じ難く、かかる不具合を有さない電子部品
構成物内蔵インモールド品が得られ、しかも、かかる不
具合発生の防止を、前記従来技術の場合の如き多数の実
験を必要とすることなく、比較的簡単に図ることができ
る電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法を提供
しようとするものである。
ものであって、その目的は、前記従来技術の有する問題
点を解消し、熱硬化性樹脂の配合を変えて電子部品構成
物内蔵インモールド品を製造するに際し、表面ボイドの
発生による表面性状悪化及び電子部品の破壊という不具
合の発生が生じ難く、かかる不具合を有さない電子部品
構成物内蔵インモールド品が得られ、しかも、かかる不
具合発生の防止を、前記従来技術の場合の如き多数の実
験を必要とすることなく、比較的簡単に図ることができ
る電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法を提供
しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る電子部品構成物内蔵インモールド品
の製造方法は次のような構成としている。即ち、請求項
１記載の製造方法は、熱硬化性樹脂を強化用長繊維に含
浸させた繊維強化樹脂プリプレグを電子部品構成物の片
面又は両面に積層した後、加熱すると共に加圧する電子
部品構成物内蔵インモールド品の製造方法において、前
記加圧の間にプリプレグから流れ出る樹脂の重量を、該
樹脂重量の加圧前プリプレグ重量に対する比率（以降、
樹脂フロー率という）で３〜35wt％に調整することを特
徴とする電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法
である。
めに、本発明に係る電子部品構成物内蔵インモールド品
の製造方法は次のような構成としている。即ち、請求項
１記載の製造方法は、熱硬化性樹脂を強化用長繊維に含
浸させた繊維強化樹脂プリプレグを電子部品構成物の片
面又は両面に積層した後、加熱すると共に加圧する電子
部品構成物内蔵インモールド品の製造方法において、前
記加圧の間にプリプレグから流れ出る樹脂の重量を、該
樹脂重量の加圧前プリプレグ重量に対する比率（以降、
樹脂フロー率という）で３〜35wt％に調整することを特
徴とする電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法
である。
【００１１】請求項２記載の製造方法は、前記プリプレ
グ中の樹脂の流動性を調整することにより、前記プリプ
レグから流れ出る樹脂重量の調整を行う請求項１記載の
電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法である。
請求項３記載の製造方法は、前記加熱及び加圧前にプリ
プレグを予熱してプリプレグ中の樹脂の流動性を調整す
ることにより、前記プリプレグから流れ出る樹脂重量の
調整を行う請求項１記載の電子部品構成物内蔵インモー
ルド品の製造方法である。
グ中の樹脂の流動性を調整することにより、前記プリプ
レグから流れ出る樹脂重量の調整を行う請求項１記載の
電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法である。
請求項３記載の製造方法は、前記加熱及び加圧前にプリ
プレグを予熱してプリプレグ中の樹脂の流動性を調整す
ることにより、前記プリプレグから流れ出る樹脂重量の
調整を行う請求項１記載の電子部品構成物内蔵インモー
ルド品の製造方法である。
【００１２】
【作用】本発明に係る電子部品構成物内蔵インモールド
品の製造方法は、前記の如く、繊維強化樹脂プリプレグ
積層後の加圧の間にプリプレグから流れ出る樹脂の重量
を樹脂フロー率で３〜35wt％に調整するようにしている
ので、この樹脂フロー率の調整に起因して、熱硬化性樹
脂の配合を変えた場合でも、表面ボイドの発生、内部ボ
イドの発生、電子部品の破壊の如き不具合が生じ難く、
かかる不具合を有さない電子部品構成物内蔵インモール
ド品が得られ、しかも、かかる不具合発生の防止を多数
の実験を必要とすることなく、比較的簡単に図ることが
できる。
品の製造方法は、前記の如く、繊維強化樹脂プリプレグ
積層後の加圧の間にプリプレグから流れ出る樹脂の重量
を樹脂フロー率で３〜35wt％に調整するようにしている
ので、この樹脂フロー率の調整に起因して、熱硬化性樹
脂の配合を変えた場合でも、表面ボイドの発生、内部ボ
イドの発生、電子部品の破壊の如き不具合が生じ難く、
かかる不具合を有さない電子部品構成物内蔵インモール
ド品が得られ、しかも、かかる不具合発生の防止を多数
の実験を必要とすることなく、比較的簡単に図ることが
できる。
【００１３】即ち、種々の条件下で電子部品構成物内蔵
インモールド品の製造実験を行い、その結果、プリプレ
グ積層後の加圧の間の樹脂フロー率を３〜35wt％に調整
すると、熱硬化性樹脂の配合によらず、表面ボイドの発
生、内部ボイドの発生、電子部品の破壊が生じ難く、こ
れら不具合がなくて良好な電子部品構成物内蔵インモー
ルド品を製造し得るという知見が得られた。本発明はか
かる知見に基づき完成されたものであり、従って、本発
明によれば、熱硬化性樹脂の配合を変えた場合でも、表
面ボイドの発生、内部ボイドの発生、電子部品の破壊の
如き不具合が生じ難く、かかる不具合を有さない電子部
品構成物内蔵インモールド品が得られるようになる。
インモールド品の製造実験を行い、その結果、プリプレ
グ積層後の加圧の間の樹脂フロー率を３〜35wt％に調整
すると、熱硬化性樹脂の配合によらず、表面ボイドの発
生、内部ボイドの発生、電子部品の破壊が生じ難く、こ
れら不具合がなくて良好な電子部品構成物内蔵インモー
ルド品を製造し得るという知見が得られた。本発明はか
かる知見に基づき完成されたものであり、従って、本発
明によれば、熱硬化性樹脂の配合を変えた場合でも、表
面ボイドの発生、内部ボイドの発生、電子部品の破壊の
如き不具合が生じ難く、かかる不具合を有さない電子部
品構成物内蔵インモールド品が得られるようになる。
【００１４】又、上記樹脂フロー率の調整は、簡単に測
定できるので、インモールド品製造の際に加圧温度等の
条件を変化させることにより実現できる。或いは、イン
モールド品製造の前に簡単な予備実験により樹脂フロー
率が３〜35wt％となる加圧温度等の条件を求めておき、
その条件をインモールド品製造の際に適用することによ
り実現できる。従って、多数の実験を必要とすることな
く、比較的簡単に、上記樹脂フロー率の調整、引いては
前記不具合の発生の防止を行い得る。
定できるので、インモールド品製造の際に加圧温度等の
条件を変化させることにより実現できる。或いは、イン
モールド品製造の前に簡単な予備実験により樹脂フロー
率が３〜35wt％となる加圧温度等の条件を求めておき、
その条件をインモールド品製造の際に適用することによ
り実現できる。従って、多数の実験を必要とすることな
く、比較的簡単に、上記樹脂フロー率の調整、引いては
前記不具合の発生の防止を行い得る。
【００１５】本発明に係るインモールド品の製造方法に
おいて、前記の如く調整する樹脂フロー率を３〜35wt％
にしているのは、３wt％未満では熱硬化性樹脂の配合に
よって表面ボイドの発生や電子部品の破壊が生じること
があり、35wt％超では熱硬化性樹脂の配合によって内部
ボイドの発生が起こることがあるからである。
おいて、前記の如く調整する樹脂フロー率を３〜35wt％
にしているのは、３wt％未満では熱硬化性樹脂の配合に
よって表面ボイドの発生や電子部品の破壊が生じること
があり、35wt％超では熱硬化性樹脂の配合によって内部
ボイドの発生が起こることがあるからである。
【００１６】このように、樹脂フロー率が３wt％未満と
少ない場合、或いは35wt％超と多い場合に不具合が生じ
る傾向にある理由を以下説明する。樹脂フロー率が少な
い場合、即ち溶融樹脂の流動性が低いと、成形品表面ま
で樹脂が流動せず、表面にボイドを生じる。又、このよ
うに溶融樹脂の流動性が低いと、溶融樹脂が電子部品の
周りに流動することができず、圧力を負荷している方向
にのみ圧力がかかり、部品の応力が集中し、電子部品の
破壊が起こることがある。一方、樹脂フロー率が多い場
合、即ち溶融樹脂の流動性が高いと、溶融樹脂部分にか
かる圧力が高まらないため、気泡がキャビ型とコア型の
クリアランスから型外に抜けず、ボイドが成形物内部に
残存する。或いは溶融樹脂部分にかかる圧力が高まらな
いために気泡を成長させ、光散乱が増すことも理由と考
えられる。
少ない場合、或いは35wt％超と多い場合に不具合が生じ
る傾向にある理由を以下説明する。樹脂フロー率が少な
い場合、即ち溶融樹脂の流動性が低いと、成形品表面ま
で樹脂が流動せず、表面にボイドを生じる。又、このよ
うに溶融樹脂の流動性が低いと、溶融樹脂が電子部品の
周りに流動することができず、圧力を負荷している方向
にのみ圧力がかかり、部品の応力が集中し、電子部品の
破壊が起こることがある。一方、樹脂フロー率が多い場
合、即ち溶融樹脂の流動性が高いと、溶融樹脂部分にか
かる圧力が高まらないため、気泡がキャビ型とコア型の
クリアランスから型外に抜けず、ボイドが成形物内部に
残存する。或いは溶融樹脂部分にかかる圧力が高まらな
いために気泡を成長させ、光散乱が増すことも理由と考
えられる。
【００１７】前記樹脂フロー率の調整は、前記プリプレ
グ中の樹脂の流動性を調整することにより、或いは、前
記加熱及び加圧前にプリプレグを予熱してプリプレグ中
の樹脂の流動性を調整することにより、行うことができ
る。
グ中の樹脂の流動性を調整することにより、或いは、前
記加熱及び加圧前にプリプレグを予熱してプリプレグ中
の樹脂の流動性を調整することにより、行うことができ
る。
【００１８】かかる樹脂フロー率、プリプレグ中の樹脂
の流動性は、繊維強化樹脂プリプレグ中の樹脂量（即ち
強化繊維に対する樹脂の含浸率）やインモールド品製造
の際の加圧力等を変化させることにより、自由に変化さ
せ得る。尚、インモールド品製造の際の加圧力（成形圧
力）に関し、これを高くし過ぎると電子部品の破壊が生
じる懸念があるので、かかる点から成形圧力は10kg/cm2
以下にすることが望ましい。
の流動性は、繊維強化樹脂プリプレグ中の樹脂量（即ち
強化繊維に対する樹脂の含浸率）やインモールド品製造
の際の加圧力等を変化させることにより、自由に変化さ
せ得る。尚、インモールド品製造の際の加圧力（成形圧
力）に関し、これを高くし過ぎると電子部品の破壊が生
じる懸念があるので、かかる点から成形圧力は10kg/cm2
以下にすることが望ましい。
【００１９】
【実施例】熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂、強化用長
繊維としてガラス繊維の不織布を用い、このエポキシ樹
脂をガラス繊維の不織布に含浸させた繊維強化樹脂プリ
プレグを準備し、これを90℃で予熱し、電子部品構成物
の両側に積層し、次いで、金型温度160 ℃の金型により
加熱すると共に該金型により５kgf/cm2 の面圧力で加圧
して電子部品構成物内蔵インモールド品を製作すると共
に、前記加圧の間の樹脂フロー率を測定した。ここで、
プリプレグの予熱時間をパラメータとして変化させた。
それは、予熱時間により樹脂フロー率を変化させるため
である。
繊維としてガラス繊維の不織布を用い、このエポキシ樹
脂をガラス繊維の不織布に含浸させた繊維強化樹脂プリ
プレグを準備し、これを90℃で予熱し、電子部品構成物
の両側に積層し、次いで、金型温度160 ℃の金型により
加熱すると共に該金型により５kgf/cm2 の面圧力で加圧
して電子部品構成物内蔵インモールド品を製作すると共
に、前記加圧の間の樹脂フロー率を測定した。ここで、
プリプレグの予熱時間をパラメータとして変化させた。
それは、予熱時間により樹脂フロー率を変化させるため
である。
【００２０】このようにして得られた電子部品構成物内
蔵インモールド品について、光学顕微鏡によって表面ボ
イド及び内部ボイドの発生の有無を調べ、又、軟Ｘ線に
よって電子部品の破壊の有無を調べた。その結果を表１
に示す。プリプレグの予熱時間により樹脂フロー率が異
なり、この樹脂フロー率が２wt％の場合には表面ボイド
の発生及び電子部品の破壊が認められ、又、樹脂フロー
率が40wt％の場合には内部ボイドの発生が認められる。
これに対し、樹脂フロー率が５wt％の場合及び30wt％の
場合、表面ボイド及び内部ボイドの発生並びに電子部品
の破壊が認められなかった。
蔵インモールド品について、光学顕微鏡によって表面ボ
イド及び内部ボイドの発生の有無を調べ、又、軟Ｘ線に
よって電子部品の破壊の有無を調べた。その結果を表１
に示す。プリプレグの予熱時間により樹脂フロー率が異
なり、この樹脂フロー率が２wt％の場合には表面ボイド
の発生及び電子部品の破壊が認められ、又、樹脂フロー
率が40wt％の場合には内部ボイドの発生が認められる。
これに対し、樹脂フロー率が５wt％の場合及び30wt％の
場合、表面ボイド及び内部ボイドの発生並びに電子部品
の破壊が認められなかった。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】本発明に係る電子部品構成物内蔵インモ
ールド品の製造方法は、熱硬化性樹脂の配合を変えて電
子部品構成物内蔵インモールド品を製造するに際し、表
面ボイドの発生による表面性状悪化、内部ボイドの発
生、及び、電子部品の破壊という不具合の発生が生じ難
く、かかる不具合を有さない電子部品構成物内蔵インモ
ールド品が得られ、しかも、かかる不具合発生の防止
を、従来の電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方
法の場合の如き多数の実験を必要とすることなく、比較
的簡単に図ることができるようになるという効果を奏す
る。又、従来提案の電子部品構成物内蔵インモールド品
と同様に、従来の電子部品固定方法に比し、コンパクト
化が図り易く、撓み難く且つ強度に優れて強固であり、
更には、製造工程の大幅な低減が可能となるという効果
も同時に有している。
ールド品の製造方法は、熱硬化性樹脂の配合を変えて電
子部品構成物内蔵インモールド品を製造するに際し、表
面ボイドの発生による表面性状悪化、内部ボイドの発
生、及び、電子部品の破壊という不具合の発生が生じ難
く、かかる不具合を有さない電子部品構成物内蔵インモ
ールド品が得られ、しかも、かかる不具合発生の防止
を、従来の電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方
法の場合の如き多数の実験を必要とすることなく、比較
的簡単に図ることができるようになるという効果を奏す
る。又、従来提案の電子部品構成物内蔵インモールド品
と同様に、従来の電子部品固定方法に比し、コンパクト
化が図り易く、撓み難く且つ強度に優れて強固であり、
更には、製造工程の大幅な低減が可能となるという効果
も同時に有している。
【図１】電子部品構成物内蔵インモールド品の製造状況
の一例を示す側断面図である。
の一例を示す側断面図である。
【図２】電子部品構成物内蔵インモールド品の一例を示
す側断面図である。
す側断面図である。
１--長繊維強化樹脂層、２--プリント配線基板、３--電
子部品、４--長繊維強化樹脂プリプレグシート、５--上
金型、６--下金型。
子部品、４--長繊維強化樹脂プリプレグシート、５--上
金型、６--下金型。
Claims (3)
- 【請求項１】 熱硬化性樹脂を強化用長繊維に含浸させ
た繊維強化樹脂プリプレグを電子部品構成物の片面又は
両面に積層した後、加熱すると共に加圧する電子部品構
成物内蔵インモールド品の製造方法において、前記加圧
の間にプリプレグから流れ出る樹脂の重量を、該樹脂重
量の加圧前プリプレグ重量に対する比率で３〜35wt％に
調整することを特徴とする電子部品構成物内蔵インモー
ルド品の製造方法。 - 【請求項２】 前記プリプレグ中の樹脂の流動性を調整
することにより、前記プリプレグから流れ出る樹脂重量
の調整を行う請求項１記載の電子部品構成物内蔵インモ
ールド品の製造方法。 - 【請求項３】 前記加熱及び加圧前にプリプレグを予熱
してプリプレグ中の樹脂の流動性を調整することによ
り、前記プリプレグから流れ出る樹脂重量の調整を行う
請求項１記載の電子部品構成物内蔵インモールド品の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14637693A JPH077246A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14637693A JPH077246A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077246A true JPH077246A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15406319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14637693A Withdrawn JPH077246A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 電子部品構成物内蔵インモールド品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077246A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1534054A3 (en) * | 2003-11-20 | 2008-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated circuit board and its manufacturing method, and manufacturing method for module using the laminated circuit board and its manufacturing apparatus |
| EP1589797A3 (en) * | 2004-04-19 | 2008-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of laminated substrate, and manufacturing apparatus of semiconductor device for module and laminated substrate for use therein |
| EP1970952A3 (en) * | 2007-03-13 | 2009-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP1976000A3 (en) * | 2007-03-26 | 2009-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7883939B2 (en) | 2008-11-11 | 2011-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN101996904A (zh) * | 2009-08-07 | 2011-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法 |
| EP1976001A3 (en) * | 2007-03-26 | 2012-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8555497B2 (en) | 2008-06-20 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a wiring substrate |
| US8563397B2 (en) | 2008-07-09 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8642899B2 (en) | 2009-10-21 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Terminal structure, electronic device, and manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP14637693A patent/JPH077246A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP2372756A1 (en) * | 2007-03-13 | 2011-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| TWI475748B (zh) * | 2007-03-13 | 2015-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US7808098B2 (en) * | 2007-03-13 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8558370B2 (en) | 2007-03-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with antenna |
| US7785933B2 (en) | 2007-03-26 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| EP1976001A3 (en) * | 2007-03-26 | 2012-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8338931B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and product tracing system utilizing the semiconductor device having top and bottom fibrous sealing layers |
| EP1976000A3 (en) * | 2007-03-26 | 2009-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8555497B2 (en) | 2008-06-20 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a wiring substrate |
| US8563397B2 (en) | 2008-07-09 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| CN101996904A (zh) * | 2009-08-07 | 2011-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法 |
| US8642899B2 (en) | 2009-10-21 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Terminal structure, electronic device, and manufacturing method thereof |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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