JPH0772799B2 - レジスト材料 - Google Patents
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- JPH0772799B2 JPH0772799B2 JP61189821A JP18982186A JPH0772799B2 JP H0772799 B2 JPH0772799 B2 JP H0772799B2 JP 61189821 A JP61189821 A JP 61189821A JP 18982186 A JP18982186 A JP 18982186A JP H0772799 B2 JPH0772799 B2 JP H0772799B2
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- resist
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- monomer
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- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
- C08G77/52—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages containing aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
- C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路、磁気バブルメモリ素子等の製
造に適用される微細なパターンの形成に適するレジスト
材料に関し、更に詳細には、酸素を用いたプラズマエッ
チングに対して高いエッチング耐性を有するレジスト材
料に関する。
造に適用される微細なパターンの形成に適するレジスト
材料に関し、更に詳細には、酸素を用いたプラズマエッ
チングに対して高いエッチング耐性を有するレジスト材
料に関する。
本発明は半導体集積回路、磁気バブルメモリ素子等の製
造に用いられるレジスト材料において、レジスト材料が
新規な材料からなることにより、従来のエッチング材料
と比較して高いエッチング耐性を有し、高解像度を得る
ことができるようにしたものである。
造に用いられるレジスト材料において、レジスト材料が
新規な材料からなることにより、従来のエッチング材料
と比較して高いエッチング耐性を有し、高解像度を得る
ことができるようにしたものである。
集積回路、バブルメモリ素子等の製造において、近年、
パターンの微細化に伴いレジストパターンを精度よく基
板に転写するため、従来のウェットエッチングに代わっ
てガスプラズマ、イオンシャワー等を用いたドライエッ
チングが行われるようになった。このためドライエッチ
ングに対して耐性の強いレジスト材料が求められてい
る。
パターンの微細化に伴いレジストパターンを精度よく基
板に転写するため、従来のウェットエッチングに代わっ
てガスプラズマ、イオンシャワー等を用いたドライエッ
チングが行われるようになった。このためドライエッチ
ングに対して耐性の強いレジスト材料が求められてい
る。
このようなレジスト材料として高解像度を得る目的で、
厚い有機膜からなる下層、シリコン膜又は酸化シリコン
膜からなる中間層、及び薄い有機膜からなる上層からそ
れぞれなる３層構造のレジストが提案されている（J.M.
Moran et al.,J.Vac.Sci.Technol.,16,1620,1979）。し
かし、このレジストはエッチング工程が複雑で長くなる
欠点を有する。
厚い有機膜からなる下層、シリコン膜又は酸化シリコン
膜からなる中間層、及び薄い有機膜からなる上層からそ
れぞれなる３層構造のレジストが提案されている（J.M.
Moran et al.,J.Vac.Sci.Technol.,16,1620,1979）。し
かし、このレジストはエッチング工程が複雑で長くなる
欠点を有する。
例えば酸素を用いるドライエッチングに対して耐性を有
するレジスト材料が存在すれば、このような材料は上記
３層構造の中間層と上層とを兼ね備えることができるた
め、エッチング工程は、はるかに簡略化される。
するレジスト材料が存在すれば、このような材料は上記
３層構造の中間層と上層とを兼ね備えることができるた
め、エッチング工程は、はるかに簡略化される。
このような材料として、ケイ素原子を有するレジスト材
料が現在までいくつか知られている（特開昭60−196750
号、特開昭60−119550号、特開昭59−208542号各公
報）。
料が現在までいくつか知られている（特開昭60−196750
号、特開昭60−119550号、特開昭59−208542号各公
報）。
しかし、これらのレジスト材料は電子線対応型であり、
現在露光装置の主流となっているｇ線ステッパー（波長
436nm）では使えないという欠点を有する。
現在露光装置の主流となっているｇ線ステッパー（波長
436nm）では使えないという欠点を有する。
また、ポリジメチルシロキサンは酸素プラズマに対して
著しく優れた耐性を示し、エッチングレートはほぼ20Å
/minであることは公知であるが、このポリマーは常温で
液状であり、流動性があるため高解像性が得にくいなど
の欠点があり、レジスト材料としては適さない。
著しく優れた耐性を示し、エッチングレートはほぼ20Å
/minであることは公知であるが、このポリマーは常温で
液状であり、流動性があるため高解像性が得にくいなど
の欠点があり、レジスト材料としては適さない。
ｇ線に吸収をもったシリコン系レジストとしてポリアセ
チレン系の光分解型のポジ型レジスト材料（例えば三洋
化成社製品）が提案されている。しかし、このレジスト
材料では有機溶媒による現像を行うため解像度が不充分
で感度も低く（スループットが低い）実用的とは言えな
い。
チレン系の光分解型のポジ型レジスト材料（例えば三洋
化成社製品）が提案されている。しかし、このレジスト
材料では有機溶媒による現像を行うため解像度が不充分
で感度も低く（スループットが低い）実用的とは言えな
い。
本発明者らは上記の問題点に鑑み、鋭意検討の結果、本
発明に到達した。
発明に到達した。
本発明は、一般式（１） 及び一般式（２） （両式中、R1とR9は低級アルキレン基、R2、R3、R4、R
10、R11及びR12はＨ、OH、CH3又はCH2OH、R5〜R8は低級
アルキル基、R13はCH2又はCH2OCH2、Ａはフェノール、
１〜３の置換基を有するフェノール誘導体又は （R14は低級アルキレン基、R15、R16及びR17は低級アル
キル基を表わす）を表わし、Ｘは０より大きくかつ１以
下の数、Ｙは０又は１−Ｘを表わす）で示される単位の
少なくとも一方を有する重合体及びキノンジアジド化合
物からなるレジスト材料に係る。
10、R11及びR12はＨ、OH、CH3又はCH2OH、R5〜R8は低級
アルキル基、R13はCH2又はCH2OCH2、Ａはフェノール、
１〜３の置換基を有するフェノール誘導体又は （R14は低級アルキレン基、R15、R16及びR17は低級アル
キル基を表わす）を表わし、Ｘは０より大きくかつ１以
下の数、Ｙは０又は１−Ｘを表わす）で示される単位の
少なくとも一方を有する重合体及びキノンジアジド化合
物からなるレジスト材料に係る。
本発明のレジスト材料を構成するフェノール誘導体とし
ては、例えば、ｏ−、ｍ−及びｐ−クレゾール、キシレ
ノール、レゾルシノール等が挙げられる。また、上記各
式において、ＸとＹとの比率は任意であるが、モノマー
Ａとして を用いた場合、有機アルカリ水溶液への現像性を考慮す
るとＹは0.7以下が好ましい。
ては、例えば、ｏ−、ｍ−及びｐ−クレゾール、キシレ
ノール、レゾルシノール等が挙げられる。また、上記各
式において、ＸとＹとの比率は任意であるが、モノマー
Ａとして を用いた場合、有機アルカリ水溶液への現像性を考慮す
るとＹは0.7以下が好ましい。
以下、本発明をその製造方法と共に実施例につき更に詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例１ まず式（３） で示される単量体を次の方法で合成した。
還流冷却器を取り付けた500ml容量の三つ口フラスコ内
で、３−ヒドロキシベンジルアルコール50g（0.4mo
l）、塩化ベンジル51g（0.4mol）、無水炭酸カリウム11
0g（0.8mol）、及び無水アセトン200mlからなる混合物
を６時間還流して反応させた。生成したベンジルエーテ
ル化合物をエーテル抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た（収率90％）。次に、この化合物30g（0.14mol）を四
塩化炭素に溶解し、氷冷下で三臭化リン16.7g（0.062mo
l）を２時間かけて滴下して反応させてから、この溶液
を氷水中に投入して未反応物を分解させた。生成した臭
化物は、ｎ−ヘキサンを展開溶媒としたシリカゲルクロ
マトグラフィーにより精製した（収率60％）。次に窒素
吹き込み管、還流冷却器、及び滴下ロートをそれぞれ取
り付けた500ml容量の三つ口フラスコにマグネシウム1.9
3g（0.079グラム原子）及び無水エーテル40mlを入れ、
氷冷下、上記臭化物20g（0.07mol）を無水エーテル100m
lに溶解し、約２時間かけて滴下した。この後更に２時
間反応させてからジメチルクロルシラン6.6g（0.07mo
l）を滴下し、室温で一昼夜放置後、減圧下で蒸留精製
（0.6mmHg、沸点140℃）した（収率60％）。
で、３−ヒドロキシベンジルアルコール50g（0.4mo
l）、塩化ベンジル51g（0.4mol）、無水炭酸カリウム11
0g（0.8mol）、及び無水アセトン200mlからなる混合物
を６時間還流して反応させた。生成したベンジルエーテ
ル化合物をエーテル抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た（収率90％）。次に、この化合物30g（0.14mol）を四
塩化炭素に溶解し、氷冷下で三臭化リン16.7g（0.062mo
l）を２時間かけて滴下して反応させてから、この溶液
を氷水中に投入して未反応物を分解させた。生成した臭
化物は、ｎ−ヘキサンを展開溶媒としたシリカゲルクロ
マトグラフィーにより精製した（収率60％）。次に窒素
吹き込み管、還流冷却器、及び滴下ロートをそれぞれ取
り付けた500ml容量の三つ口フラスコにマグネシウム1.9
3g（0.079グラム原子）及び無水エーテル40mlを入れ、
氷冷下、上記臭化物20g（0.07mol）を無水エーテル100m
lに溶解し、約２時間かけて滴下した。この後更に２時
間反応させてからジメチルクロルシラン6.6g（0.07mo
l）を滴下し、室温で一昼夜放置後、減圧下で蒸留精製
（0.6mmHg、沸点140℃）した（収率60％）。
次にこの蒸留生成物5g（0.019mol）を５％パラジウム−
カーボン触媒100mgを分散させたエタノール中に滴下し
た。滴下終了後、更に、５％パラジウム−カーボン触媒
200mg及び濃塩酸を数滴加えて水素添加を行った。得ら
れた生成物を、ｎ−ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲ
ルクロマトグラフィーにより精製し、上記式（３）で表
わされる単量体を得た（収率100％）。
カーボン触媒100mgを分散させたエタノール中に滴下し
た。滴下終了後、更に、５％パラジウム−カーボン触媒
200mg及び濃塩酸を数滴加えて水素添加を行った。得ら
れた生成物を、ｎ−ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲ
ルクロマトグラフィーにより精製し、上記式（３）で表
わされる単量体を得た（収率100％）。
この単量体の分析値は次の通りであった。
赤外線吸収スペクトル（cm-1）:3350（−OH）、2950
（−CH2−）、1250、850、（Si−（CH3）３）、1050（S
i−Ｏ−Si）、1 H−NMRスペクトル（δ）ppm:0.04（12H、Ｓ、−（C
H3 ）2Si−）、2.08（4H、Ｓ、−CH2 −）、5.16（2H、
Ｓ、−OH）、6.4〜7.4（8H、ｍ、ベンゼン核）（第１図
参照のこと）。13 C−NMRスペクトル（第２図参照のこと）。
（−CH2−）、1250、850、（Si−（CH3）３）、1050（S
i−Ｏ−Si）、1 H−NMRスペクトル（δ）ppm:0.04（12H、Ｓ、−（C
H3 ）2Si−）、2.08（4H、Ｓ、−CH2 −）、5.16（2H、
Ｓ、−OH）、6.4〜7.4（8H、ｍ、ベンゼン核）（第１図
参照のこと）。13 C−NMRスペクトル（第２図参照のこと）。
精密分子量：計算値346.1447、実測値346.1474。
なお、上記単量体の合成において、３−ヒドロキシベン
ジルアルコールの代わりに３−ヒドロキシベンジルアル
コールのベンゼン核に置換基を導入した化合物を用いれ
ば、この化合物に対応した単量体が得られる。
ジルアルコールの代わりに３−ヒドロキシベンジルアル
コールのベンゼン核に置換基を導入した化合物を用いれ
ば、この化合物に対応した単量体が得られる。
次にシロキサン系フェノールである上記式（３）の単量
体5.4g（0.0156mol）、ホルマリン（37％水溶液）1.14
g、エチルセロソルブアセテート6g及びシュウ酸二水和
物27mgを100ml容量のナス型フラスコに入れ、110℃で８
時間加熱撹拌して反応させてから反応生成物を水洗し減
圧精製して、主として式（４） で示される重合体からなる本実施例のレジスト材料を得
た。
体5.4g（0.0156mol）、ホルマリン（37％水溶液）1.14
g、エチルセロソルブアセテート6g及びシュウ酸二水和
物27mgを100ml容量のナス型フラスコに入れ、110℃で８
時間加熱撹拌して反応させてから反応生成物を水洗し減
圧精製して、主として式（４） で示される重合体からなる本実施例のレジスト材料を得
た。
単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーション
クロマト法により求めたこのレジスト材料の分子量は
ｗ＝5,200、ｎ＝1,100であり、w/ｎ＝4.75であっ
た。
クロマト法により求めたこのレジスト材料の分子量は
ｗ＝5,200、ｎ＝1,100であり、w/ｎ＝4.75であっ
た。
実施例２ 加熱撹拌を８時間でなく14時間行った以外は実施例１と
同様にしてレジスト材料を得た。実施例１と同様の方法
で求めたこのレジスト材料の分子量はｗ＝28,300、
ｎ＝2,200であり、w/ｎ＝12.9であった。
同様にしてレジスト材料を得た。実施例１と同様の方法
で求めたこのレジスト材料の分子量はｗ＝28,300、
ｎ＝2,200であり、w/ｎ＝12.9であった。
実施例２で得られた重合体の分析値は次の通りであっ
た。
た。
赤外線吸収スペクトル（cm-1）:3300（−OH）、2950
（−CH2−）、1250、850、（−Si（CH3）２−）、1050
（−Si−Ｏ−Si−）、1 H−NMRスペクトル（δ）ppm:0.04〜0.2（br、Si−C
H3 ）、 6.2〜6.8（br、ベンゼン核）。
（−CH2−）、1250、850、（−Si（CH3）２−）、1050
（−Si−Ｏ−Si−）、1 H−NMRスペクトル（δ）ppm:0.04〜0.2（br、Si−C
H3 ）、 6.2〜6.8（br、ベンゼン核）。
なお、実施例１及び２において、上記式（４）の重合体
のベンゼン核にメチロール基が導入された繰り返し単位
を有する重合体も若干生成された。
のベンゼン核にメチロール基が導入された繰り返し単位
を有する重合体も若干生成された。
なお、実施例１及び２において、重合反応をアルカリ性
媒体中で行うと、上記式（４）の重合体の代わりに式 の重合体が主として生成される。
媒体中で行うと、上記式（４）の重合体の代わりに式 の重合体が主として生成される。
実施例３ ｍ−トリメチルシリルメチルフェノール6g（0.033mo
l）、実施例１で得られた単量体である上記式（３）の
シロキサン系フェノール5.71g（0.0165mol）、ホルマリ
ン3.61g（37％水溶液）、エチルセロソルブアセテート1
3g及びシュウ酸二水和物87mgを100ml容量のナス型フラ
スコに入れ、110℃で13時間加熱撹拌し反応させて式
（５） で示される共重合体からなる本実施例のレジスト材料を
得た。
l）、実施例１で得られた単量体である上記式（３）の
シロキサン系フェノール5.71g（0.0165mol）、ホルマリ
ン3.61g（37％水溶液）、エチルセロソルブアセテート1
3g及びシュウ酸二水和物87mgを100ml容量のナス型フラ
スコに入れ、110℃で13時間加熱撹拌し反応させて式
（５） で示される共重合体からなる本実施例のレジスト材料を
得た。
実施例１と同様の方法により求めたこのレジスト材料の
分子量はｗ＝5,000、ｎ＝2,000であり、w/ｎ＝
2.5であった。
分子量はｗ＝5,000、ｎ＝2,000であり、w/ｎ＝
2.5であった。
また、この共重合体の分析値は実施例１の場合と同様で
あった。
あった。
各実施例で得られた重合体の、酸素を用いた反応性エッ
チングに対する耐性を普通よく用いられる市販品である
マイクロポジット1400（シップレー社の商品名）と比較
したところ、以下の様な結果が得られた。
チングに対する耐性を普通よく用いられる市販品である
マイクロポジット1400（シップレー社の商品名）と比較
したところ、以下の様な結果が得られた。
エッチングレート（Å/min） 実施例１の重合体 78 実施例３の重合体 66 市販品 1,250 但し、エッチング条件は、酸素分圧10mmHg、酸素流量50
SCCM及びRF出力0.1W/cm2であった。
SCCM及びRF出力0.1W/cm2であった。
以上の結果から、各実施例の重合体は酸素を用いたエッ
チングに対して強い耐性を有することが確認された。
チングに対して強い耐性を有することが確認された。
次にシリコン基板にマイクロポジット1400を２μｍの厚
さにスピン塗布し、200℃で20分間ホットプレートによ
るハードベーキングを行った。次に、実施例１で得た重
合体に増感剤（キノンジアジド化合物）を15重量％添加
したもののセロソルブアセテート−キシレン溶液をさら
にスピン塗布し、80℃で20分間乾燥させて２層レジスト
を形成した。この２層レジストを4:1縮小投影露光装置
（キャノン社製）で感光処理した後、５％の水酸化テト
ラメチルアンモニウム水溶液で１分間現象を行い、次い
で、この基板を反応性スパッタエッチング装置により上
記エッチング条件でエッチングした。この結果、0.6μ
ｍのパターンが形成され、このパターンは矩形性に優
れ、厚い有機層にパターン転写を行う際のパターン変換
差は観測されなかった。
さにスピン塗布し、200℃で20分間ホットプレートによ
るハードベーキングを行った。次に、実施例１で得た重
合体に増感剤（キノンジアジド化合物）を15重量％添加
したもののセロソルブアセテート−キシレン溶液をさら
にスピン塗布し、80℃で20分間乾燥させて２層レジスト
を形成した。この２層レジストを4:1縮小投影露光装置
（キャノン社製）で感光処理した後、５％の水酸化テト
ラメチルアンモニウム水溶液で１分間現象を行い、次い
で、この基板を反応性スパッタエッチング装置により上
記エッチング条件でエッチングした。この結果、0.6μ
ｍのパターンが形成され、このパターンは矩形性に優
れ、厚い有機層にパターン転写を行う際のパターン変換
差は観測されなかった。
本発明はレジスト材料が上述のような構成のレジスト材
料であるようにしている。
料であるようにしている。
このため、ｇ線、ｉ線等のUV光源に感度を有し、現在レ
ジストの主流となっているノボラック樹脂−キノンジア
ジド化合物からなるポジ型レジストと同様に現像時に膨
潤力の低い有機アルカリ水溶液で現像でき高解像度を実
現することができる。また、酸素を用いたドライエッチ
ングに対して、従来のノボラック樹脂からなるポジ型レ
ジストに較べて高い耐性を有する新規なシリコン原子導
入フェノール系樹脂−キノンジアジド化合物からなるポ
ジ型レジストを提供することができる。
ジストの主流となっているノボラック樹脂−キノンジア
ジド化合物からなるポジ型レジストと同様に現像時に膨
潤力の低い有機アルカリ水溶液で現像でき高解像度を実
現することができる。また、酸素を用いたドライエッチ
ングに対して、従来のノボラック樹脂からなるポジ型レ
ジストに較べて高い耐性を有する新規なシリコン原子導
入フェノール系樹脂−キノンジアジド化合物からなるポ
ジ型レジストを提供することができる。
第１図は実施例１及び実施例２の単量体の1H−NMRスペ
クトル、第２図は同じく13C−NMRスペクトルである。
クトル、第２図は同じく13C−NMRスペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−80245（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−191245（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−71945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−3139（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 （両式中、R1とR9は低級アルキレン基、R2、R3、R4、R
10、R11及びR12はＨ、OH、CH3又はCH2OH、R5〜R8は低級
アルキル基、R13はCH2又はCH2OCH2、Ａはフェノール、
１〜３の置換基を有するフェノール誘導体又は （R14は低級アルキレン基、R15、R16及びR17は低級アル
キル基を表わす）を表わし、Ｘは０より大きくかつ１以
下の数、Ｙは０又は１−Ｘを表わす）で示される単位の
少なくとも一方を有する重合体及びキノンジアジド化合
物からなるレジスト材料。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61189821A JPH0772799B2 (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | レジスト材料 |
| GB8718598A GB2196975B (en) | 1986-08-13 | 1987-08-06 | Photoresist materials |
| US07/083,640 US4865945A (en) | 1986-08-13 | 1987-08-10 | Positive photoresist material with o-quinone diazide and polymer containing silicon atoms |
| KR1019870008812A KR960001853B1 (ko) | 1986-08-13 | 1987-08-12 | 레지스트 재료 |
| DE3726858A DE3726858C2 (de) | 1986-08-13 | 1987-08-12 | Lichtempflindliches Gemisch mit einem Organosiliziumpolymeren |
Applications Claiming Priority (1)
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