JPS5968735A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
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- JPS5968735A JPS5968735A JP17932682A JP17932682A JPS5968735A JP S5968735 A JPS5968735 A JP S5968735A JP 17932682 A JP17932682 A JP 17932682A JP 17932682 A JP17932682 A JP 17932682A JP S5968735 A JPS5968735 A JP S5968735A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は感光性組成物に関し、さらに詳しくは、半導体
基板上に微細パターンを形成するに際し、コンタクト露
光方式においても、マスクに損傷を与えることがなく、
かつスティッキング現象を起さない歩留りの良好な感光
性組成物に関するものである。
基板上に微細パターンを形成するに際し、コンタクト露
光方式においても、マスクに損傷を与えることがなく、
かつスティッキング現象を起さない歩留りの良好な感光
性組成物に関するものである。
近年、電子工業の発展に伴ない半導体素子であるＩＣや
ＬＳＩなどかはなげなしく脚光をあびている。この工０
’ＰＬＳＩは現在ホトリソグラフィーによって製造され
ている。該ホトリソグラフィーにおいては、ホトレジス
ト ばマスクと、ホトレジスｌ− ｆ塗布したウニノー−を
密着して露光するコンタクト露光方式、マスクとウェハ
ーを密着せず離して露光するプロジェクション方式、縮
少投影方式、プロキシミテイ方式などが採用されている
。これらの方式の中でコンタクト露光方式は、マスクと
ウニ・・−が直接に接触するため、マスクに損傷を与え
たり、あるいはマスクとウェハー」二のレジストがコン
タク１−後、離れなくなってしまう現象、いわゆるステ
ィッキング現象を起して歩留りを低下させるなどの欠点
を有しているにもかかわらず、解像力が比較的けいこと
や、コンタクト方式のマスクアライナ−が他の方式のマ
スクアライナ−よりも早く開発され、かつ経済性に優れ
ていることなどから、現在の製造ラインの大半に用いら
れている。したがってこのコンタクト露光方式において
、前記の欠点を軽減又は除去できればそのメ１）ットは
極めて大きなものとなる。
ＬＳＩなどかはなげなしく脚光をあびている。この工０
’ＰＬＳＩは現在ホトリソグラフィーによって製造され
ている。該ホトリソグラフィーにおいては、ホトレジス
ト ばマスクと、ホトレジスｌ− ｆ塗布したウニノー−を
密着して露光するコンタクト露光方式、マスクとウェハ
ーを密着せず離して露光するプロジェクション方式、縮
少投影方式、プロキシミテイ方式などが採用されている
。これらの方式の中でコンタクト露光方式は、マスクと
ウニ・・−が直接に接触するため、マスクに損傷を与え
たり、あるいはマスクとウェハー」二のレジストがコン
タク１−後、離れなくなってしまう現象、いわゆるステ
ィッキング現象を起して歩留りを低下させるなどの欠点
を有しているにもかかわらず、解像力が比較的けいこと
や、コンタクト方式のマスクアライナ−が他の方式のマ
スクアライナ−よりも早く開発され、かつ経済性に優れ
ていることなどから、現在の製造ラインの大半に用いら
れている。したがってこのコンタクト露光方式において
、前記の欠点を軽減又は除去できればそのメ１）ットは
極めて大きなものとなる。
不発明者らは、このような事情に鑑み、ホ） ｌ］ソゲ
ラフイーにおいて、コンタクト露光方式を用いても、マ
スクに損傷を与えることがなく、かつスティッキング現
象を起さずに歩留りが良好であるホトレジスト材料を提
供すべく鋭意研究を重ねた結果、有機高分系ホトレジス
トにオルガノシロキサンポリマーを組合わせた感光性組
成物がその目的を達成しうろことを見出し、この知見に
基づいて不発明を完成するに至った。
ラフイーにおいて、コンタクト露光方式を用いても、マ
スクに損傷を与えることがなく、かつスティッキング現
象を起さずに歩留りが良好であるホトレジスト材料を提
供すべく鋭意研究を重ねた結果、有機高分系ホトレジス
トにオルガノシロキサンポリマーを組合わせた感光性組
成物がその目的を達成しうろことを見出し、この知見に
基づいて不発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、有機高分子系ホトレジスト及びオ
ルガノシロキサンポリマーを含有することを特徴とする
感光性組成物を提供するものである。
ルガノシロキサンポリマーを含有することを特徴とする
感光性組成物を提供するものである。
本発明の組成物に用いる有機高分子系ホトレジストとし
ては、紫外線又は遠紫外線ホトリソグラフィーにより微
細パターンの形成が可能な従来から公知のすべてのホト
レジストヲ挙げることができるが、特Ｋｉ化ゴムービス
アジド系レジスト、ポリ（メチルメタクリレ−１・）、
ポリ（メチルイソプロペニルケトン）、メチルメタクリ
レートとグリシジルメタクリレートとの共重合体が有効
である。
ては、紫外線又は遠紫外線ホトリソグラフィーにより微
細パターンの形成が可能な従来から公知のすべてのホト
レジストヲ挙げることができるが、特Ｋｉ化ゴムービス
アジド系レジスト、ポリ（メチルメタクリレ−１・）、
ポリ（メチルイソプロペニルケトン）、メチルメタクリ
レートとグリシジルメタクリレートとの共重合体が有効
である。
一部、不発明の組成物に用いるオルガノシロキサンポリ
マーとして、例えばジメチルシロキサンポリマー、ジメ
チルシロキサンポリマーのメチル基の一部又は全部をフ
ェニル基に置換したもの、ジメチルシロキサンポリマー
のメチル基の一部ヲ他のアルキル基、水酸基又は水素原
子などで置換したものなど、市販されている各種のシリ
コーン化合物を利用しうるが、不発明においては特にジ
メチルシロキサンポリマーが最適である。このジメチル
シロキサンポリマーは、微細パターン全形成するホトリ
ソグラフィーにおいて、ホトレジストが保有しなければ
ならない解像力、感度、耐熱性、基板との密着性、耐エ
ツチング性、剥離性などの諸特性に悪影響を及ぼすこと
はない。
マーとして、例えばジメチルシロキサンポリマー、ジメ
チルシロキサンポリマーのメチル基の一部又は全部をフ
ェニル基に置換したもの、ジメチルシロキサンポリマー
のメチル基の一部ヲ他のアルキル基、水酸基又は水素原
子などで置換したものなど、市販されている各種のシリ
コーン化合物を利用しうるが、不発明においては特にジ
メチルシロキサンポリマーが最適である。このジメチル
シロキサンポリマーは、微細パターン全形成するホトリ
ソグラフィーにおいて、ホトレジストが保有しなければ
ならない解像力、感度、耐熱性、基板との密着性、耐エ
ツチング性、剥離性などの諸特性に悪影響を及ぼすこと
はない。
本発明の組成物におけるオルガノシロキサンポ１）マー
の万機高分子系ホトレジストに対する使用割合は、該有
機高分子系ホトレジストの固形分に対してｌｏ ｐｐｍ
〜５重量係の範貴重あることが望ましく、さらに好まし
くは５００１）Ｉ）ｍ−１重量％の範囲である。この使
用割合が１０９９ｍ未満では本発明の効果が少なく、ま
た５重量％を超えると密着性や解像度が落ちるなどの悪
影響を及ぼす。
の万機高分子系ホトレジストに対する使用割合は、該有
機高分子系ホトレジストの固形分に対してｌｏ ｐｐｍ
〜５重量係の範貴重あることが望ましく、さらに好まし
くは５００１）Ｉ）ｍ−１重量％の範囲である。この使
用割合が１０９９ｍ未満では本発明の効果が少なく、ま
た５重量％を超えると密着性や解像度が落ちるなどの悪
影響を及ぼす。
不発明の感光性組成物を用いると、ホトリソグラフィー
におけるコンタクト露光方式においても、マスクにキズ
が付くことがなく、かつスティッキング現象も起らず、
経済性の良い微細加工が可能であり、その上本発明の組
成物は解像力、感度、耐熱性、基板との密着性、耐エツ
チング性、剥離性などの諸特性に関して従来のホトレジ
スト材料と変らない性能含有している。
におけるコンタクト露光方式においても、マスクにキズ
が付くことがなく、かつスティッキング現象も起らず、
経済性の良い微細加工が可能であり、その上本発明の組
成物は解像力、感度、耐熱性、基板との密着性、耐エツ
チング性、剥離性などの諸特性に関して従来のホトレジ
スト材料と変らない性能含有している。
次に実施例によって不発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
環化ゴム−ビスアジド系レジスト溶液に、その固形分重
量に対して、第１表に示されている５種類のオルガノシ
ロキサンポリマー（いずれも信越シリコーン（株）製）
をそれぞれｉ、ｏｏｏｐｐｍ添加して溶解した。
量に対して、第１表に示されている５種類のオルガノシ
ロキサンポリマー（いずれも信越シリコーン（株）製）
をそれぞれｉ、ｏｏｏｐｐｍ添加して溶解した。
これらの溶液をそれぞれスピンナーを用いてシリコンウ
ェハー各１００枚に塗布したのち、プレベイクして溶剤
を除去し、膜厚１μｍのレジスト層を形成した。次にコ
ンタクト方式マスクアライナ−ＰＬＡ−５００Ｆ （キ
ャノン（株）製）を使用して、これらのウェハーとマス
クをそれぞれ３０秒間密着させたのち、密りｋ解除し、
マスクと離れなかった、すなわちスティッキングしたウ
ェハーの枚数全測定した。その結果を第１表に示す。
ェハー各１００枚に塗布したのち、プレベイクして溶剤
を除去し、膜厚１μｍのレジスト層を形成した。次にコ
ンタクト方式マスクアライナ−ＰＬＡ−５００Ｆ （キ
ャノン（株）製）を使用して、これらのウェハーとマス
クをそれぞれ３０秒間密着させたのち、密りｋ解除し、
マスクと離れなかった、すなわちスティッキングしたウ
ェハーの枚数全測定した。その結果を第１表に示す。
第 １ 表
実施例２
オルガノシロキサンポリマーとしてＫＦ９６（商品名、
信越シリコーン（株）製）を使用し、その添加量を５０
ｐｐｍから５重貴重まで段階的に変化させた以外は、
実施例１と同様の方法でスティッキング性を検討した。
信越シリコーン（株）製）を使用し、その添加量を５０
ｐｐｍから５重貴重まで段階的に変化させた以外は、
実施例１と同様の方法でスティッキング性を検討した。
その結果を第２表に示す。
第 ２ 表
実施例３
環化ゴム−ビス了シト系ホトレジストＯＭＲＢ３及びｏ
ＭＲ８５（いずれも商品名、東京応化工業（株）製）に
、その固形分に対し、オルガノシロキサンポリマーとし
てＫＦ９６（商品名、信越シリコーン（株）製） ’２
ｏ、ｓ重貴重添加し、スピンナーでウェハー上に塗布
したのち、プレペイクして膜厚１μｍのレジスト層を形
成した。このウエノ＼−に露光機８− ＰＬＡ−５００Ｆ（キャノン（株）製）を用いてテスト
パターンを焼付け、ＯＭＲ用現像現像液ＯＭＲ用リンス
液（いずれも東京応化工業（株）製）で現像及びリンス
処理したところ、感度、解像力及び残膜率ともに、ＫＦ
９６を雄刃日したものと熱部刃口のものとの間に有意差
は認められなかった。
ＭＲ８５（いずれも商品名、東京応化工業（株）製）に
、その固形分に対し、オルガノシロキサンポリマーとし
てＫＦ９６（商品名、信越シリコーン（株）製） ’２
ｏ、ｓ重貴重添加し、スピンナーでウェハー上に塗布
したのち、プレペイクして膜厚１μｍのレジスト層を形
成した。このウエノ＼−に露光機８− ＰＬＡ−５００Ｆ（キャノン（株）製）を用いてテスト
パターンを焼付け、ＯＭＲ用現像現像液ＯＭＲ用リンス
液（いずれも東京応化工業（株）製）で現像及びリンス
処理したところ、感度、解像力及び残膜率ともに、ＫＦ
９６を雄刃日したものと熱部刃口のものとの間に有意差
は認められなかった。
次いで、このウェハーｆ：１５０℃で２０分間ポストベ
ークしたのち、ＨＦ： ＮＨ４Ｆ＝１ ： ６のエツチ
ング液でＳｉＯ２’ｉ６分間エツチングした結果、耐エ
ツチング性及び密着性ともにＫＦ９６の添加有無による
有意差は認められなかった。
ークしたのち、ＨＦ： ＮＨ４Ｆ＝１ ： ６のエツチ
ング液でＳｉＯ２’ｉ６分間エツチングした結果、耐エ
ツチング性及び密着性ともにＫＦ９６の添加有無による
有意差は認められなかった。
さらに、それらのレジストヲ剥離液５０２（商品名、東
京応化工業（株）ｆｆ）を用いて１１０℃で１０分間レ
ジストを剥離したが、両者とも完全に剥離しており、有
意差は認められなかった。
京応化工業（株）ｆｆ）を用いて１１０℃で１０分間レ
ジストを剥離したが、両者とも完全に剥離しており、有
意差は認められなかった。
実施例４
ポリ（メチルイソプロペニルケトン）［増感剤を含有さ
せた遠紫外線リンス）ＯＤＵＲ−１０１３（商品名、東
京応化工業（株）製）、ポリ（メチルメタクリレ−）
）（ＰＭＭＡ）及びメチルメタクリレート ９ − とグリシジルメタクリレ・−１・との共重合体（ＭＭＡ
−）−ＧＭＡ）に、その固形分に対し、それぞれＫＦ９
６（商品名、信越シリコーン（株）製）を０．５重量係
添別して溶解した。これをスピンナーを用いてシＩＪコ
ンウェハーに塗布したのち、プレベイクして膜厚１μｍ
のレジスト層を形成した。このウエノ１−を１０枚づつ
用意し、コンタクト方式のマスクアライナ−ＰＬＡ−５
００Ｆ （キャノン（株）製）を使用して、これらのウ
ェハーとマスクを３０秒間密着させたのち、コンタクト
を解除して、ウエノ１−がマスクから離れなかった枚数
を測定した。その結果を第３表に示す。
せた遠紫外線リンス）ＯＤＵＲ−１０１３（商品名、東
京応化工業（株）製）、ポリ（メチルメタクリレ−）
）（ＰＭＭＡ）及びメチルメタクリレート ９ − とグリシジルメタクリレ・−１・との共重合体（ＭＭＡ
−）−ＧＭＡ）に、その固形分に対し、それぞれＫＦ９
６（商品名、信越シリコーン（株）製）を０．５重量係
添別して溶解した。これをスピンナーを用いてシＩＪコ
ンウェハーに塗布したのち、プレベイクして膜厚１μｍ
のレジスト層を形成した。このウエノ１−を１０枚づつ
用意し、コンタクト方式のマスクアライナ−ＰＬＡ−５
００Ｆ （キャノン（株）製）を使用して、これらのウ
ェハーとマスクを３０秒間密着させたのち、コンタクト
を解除して、ウエノ１−がマスクから離れなかった枚数
を測定した。その結果を第３表に示す。
また、比較のため、ＫＦ９６無添加の場合についても、
その結果を第３表に示す。
その結果を第３表に示す。
第 ３ 表
特許出願人 東京応化工業株式会社
代理人 阿 形 明
１１−
−２６４＝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機高分子系ホトレジスト及びオルガノシロキサン
ポリマーを含有することを特徴とする感光性組成物。 ２ 有機高分子系ホトレジストが環化ゴム−ビスアジド
系レジスト、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（メ
チルイソプロペニルケトン）又はメチルメタクリレート
とグリシジルメタクリレートとの共重合体である特許請
求の範囲第１項記載の組成物。 ３ オルガノシロキサンポリマーがジメチルシロキサン
ポリマーである特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ４ オルガノシロキサンポリマーの有機高分子系ホトレ
ジストに対する使用割合が、該有機高分子系ホトレジス
トの固形分に対してｌ Ｏ１）１）ｍ〜５重量係貴重る
特許請求の範囲第１項記載の組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17932682A JPS5968735A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 感光性組成物 |
| DE19833337303 DE3337303C2 (de) | 1982-10-13 | 1983-10-13 | Verfahren zur photolithographischen Erzeugung von feinen Resistmustern und hierfür verwendbare lichtempfindliche Gemische |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17932682A JPS5968735A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968735A true JPS5968735A (ja) | 1984-04-18 |
| JPH0544665B2 JPH0544665B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=16063877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17932682A Granted JPS5968735A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 感光性組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968735A (ja) |
| DE (1) | DE3337303C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289345A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | リソグラフイ用レジスト |
| JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US5378585A (en) * | 1990-06-25 | 1995-01-03 | Matsushita Electronics Corporation | Resist composition having a siloxane-bond structure |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0211161B1 (en) * | 1985-05-31 | 1990-02-28 | International Business Machines Corporation | Lithographic resists and method of using the same |
| JPH0772799B2 (ja) * | 1986-08-13 | 1995-08-02 | ソニー株式会社 | レジスト材料 |
| US5268256A (en) * | 1990-08-02 | 1993-12-07 | Ppg Industries, Inc. | Photoimageable electrodepositable photoresist composition for producing non-tacky films |
| DE4228790C1 (de) | 1992-08-29 | 1993-11-25 | Du Pont Deutschland | Tonbares strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Mehrfarbenbildern mittels solch eines Gemischs |
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0544665B2 (ja) | 1993-07-07 |
| DE3337303C2 (de) | 1987-03-26 |
| DE3337303A1 (de) | 1984-04-19 |
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