JPH077305A - 誘電体フィルタ及びその実装方法 - Google Patents
誘電体フィルタ及びその実装方法Info
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- JPH077305A JPH077305A JP16870093A JP16870093A JPH077305A JP H077305 A JPH077305 A JP H077305A JP 16870093 A JP16870093 A JP 16870093A JP 16870093 A JP16870093 A JP 16870093A JP H077305 A JPH077305 A JP H077305A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- conductor film
- conductor
- dielectric filter
- resonator
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 周波数特性において通過帯域の近くに容易に
減衰極を形成でき、しかも小型化が可能な誘電体フィル
タを提供する。 【構成】 誘電体ブロック2に貫通孔4を形成し該貫通
孔内面に内導体6を形成し前記誘電体ブロック2の外面
に外導体8を形成してなる誘電体共振器10a,10b
を配列した誘電体フィルタであって、前記誘電体共振器
10a,10bの外導体8は基板12の両面に形成され
た導体膜パターン14,18により形成されるコンデン
サを介して接地されている。基板12の表面の導体膜パ
ターン16a,16b間で共振器10a,10b間の段
間結合容量がとられており、導体膜パターン16a,1
6c間で入力結合容量がとられており、導体膜パターン
16b,16d間で出力結合容量がとられている。
減衰極を形成でき、しかも小型化が可能な誘電体フィル
タを提供する。 【構成】 誘電体ブロック2に貫通孔4を形成し該貫通
孔内面に内導体6を形成し前記誘電体ブロック2の外面
に外導体8を形成してなる誘電体共振器10a,10b
を配列した誘電体フィルタであって、前記誘電体共振器
10a,10bの外導体8は基板12の両面に形成され
た導体膜パターン14,18により形成されるコンデン
サを介して接地されている。基板12の表面の導体膜パ
ターン16a,16b間で共振器10a,10b間の段
間結合容量がとられており、導体膜パターン16a,1
6c間で入力結合容量がとられており、導体膜パターン
16b,16d間で出力結合容量がとられている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、同軸型誘電体共振器を
複数個組合わせてなる誘電体フィルタに関し、特に簡単
な構成で容易に優れた周波数特性を得ることのできる高
周波誘電体フィルタに関する。
複数個組合わせてなる誘電体フィルタに関し、特に簡単
な構成で容易に優れた周波数特性を得ることのできる高
周波誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】λ/4
同軸型誘電体共振器やλ/2同軸型誘電体共振器を複数
用いて構成される高周波誘電体フィルタでは、従来、各
共振器の内導体を介して適宜の手段で段間結合及び入出
力結合をとり、各共振器の外導体を金属ケースなどを介
して接地していた。
同軸型誘電体共振器やλ/2同軸型誘電体共振器を複数
用いて構成される高周波誘電体フィルタでは、従来、各
共振器の内導体を介して適宜の手段で段間結合及び入出
力結合をとり、各共振器の外導体を金属ケースなどを介
して接地していた。
【0003】近年、以上の様な誘電体フィルタを使用す
る通信技術が進歩するにつれて、該フィルタの周波数特
性の更なる向上が要求される様になっている。特性向上
のためには、通過帯域のできるだけ近くに減衰極を形成
する。この様な例としては、例えば、特開昭61−17
2402号公報に記載されている様に減衰極形成用の共
振器を付属させたり、あるいは結合部に帰還回路を付属
させたりしている。
る通信技術が進歩するにつれて、該フィルタの周波数特
性の更なる向上が要求される様になっている。特性向上
のためには、通過帯域のできるだけ近くに減衰極を形成
する。この様な例としては、例えば、特開昭61−17
2402号公報に記載されている様に減衰極形成用の共
振器を付属させたり、あるいは結合部に帰還回路を付属
させたりしている。
【0004】しかしながら、上記公報に記載の誘電体フ
ィルタでは共振器を余分に用いているので寸法が大きく
なり小型化の要求を満たすことができないし、結合部に
帰還回路を付属させるものでは結合部の構造が複雑化し
且つ互いの素子の干渉を避けるためにある程度寸法を大
きくせざるを得ず小型化の要求を満たすことができな
い。
ィルタでは共振器を余分に用いているので寸法が大きく
なり小型化の要求を満たすことができないし、結合部に
帰還回路を付属させるものでは結合部の構造が複雑化し
且つ互いの素子の干渉を避けるためにある程度寸法を大
きくせざるを得ず小型化の要求を満たすことができな
い。
【0005】そこで、本発明は、周波数特性において通
過帯域の近くに容易に減衰極を形成でき、しかも小型化
が可能な誘電体フィルタを提供することを目的とするも
のである。
過帯域の近くに容易に減衰極を形成でき、しかも小型化
が可能な誘電体フィルタを提供することを目的とするも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するものとして、誘電体共振器を複数配列して
なる誘電体フィルタであって、前記誘電体共振器がリア
クタンス素子を介して接地されていることを特徴とす
る、誘電体フィルタ、が提供される。
的を達成するものとして、誘電体共振器を複数配列して
なる誘電体フィルタであって、前記誘電体共振器がリア
クタンス素子を介して接地されていることを特徴とす
る、誘電体フィルタ、が提供される。
【0007】また、本発明によれば、誘電体共振器を複
数配列してなる誘電体フィルタを実装するに際し、前記
誘電体共振器をリアクタンス素子を介して接地すること
を特徴とする、誘電体フィルタの実装方法、が提供され
る。
数配列してなる誘電体フィルタを実装するに際し、前記
誘電体共振器をリアクタンス素子を介して接地すること
を特徴とする、誘電体フィルタの実装方法、が提供され
る。
【0008】以上の様な本発明では、前記リアクタンス
素子としてコンデンサやコイルやこれらの組合わせを用
いることができる。また、前記誘電体共振器として誘電
体ブロックに貫通孔を形成し該貫通孔内面に内導体を形
成し前記誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる
ものを用い、前記外導体で前記リアクタンス素子を介し
ての接地をなすことができる。
素子としてコンデンサやコイルやこれらの組合わせを用
いることができる。また、前記誘電体共振器として誘電
体ブロックに貫通孔を形成し該貫通孔内面に内導体を形
成し前記誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる
ものを用い、前記外導体で前記リアクタンス素子を介し
ての接地をなすことができる。
【0009】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。
施例を説明する。
【0010】図1は、本発明による誘電体フィルタの第
1の実施例を示す一部切欠斜視図である。
1の実施例を示す一部切欠斜視図である。
【0011】図1において、2は直方体形状の誘電体ブ
ロックであり、該ブロック2としては例えばBaTiO
3 系のセラミック材料を使用することができる。該ブロ
ック2には円形貫通孔4が形成されている。該貫通孔4
の内面には導体膜が付されており、該導体膜により内導
体6が形成されている。また、誘電体ブロック2の貫通
孔4に沿った4つの側部外面には導体膜が付されてお
り、該導体膜により外導体8が形成されている。また、
ブロック2の貫通孔4が開口せる一方の外面にも導体膜
が付されており、これにより内導体6と外導体8とが短
絡されている。かくして、λ/4同軸型誘電体共振器1
0aが形成されている。
ロックであり、該ブロック2としては例えばBaTiO
3 系のセラミック材料を使用することができる。該ブロ
ック2には円形貫通孔4が形成されている。該貫通孔4
の内面には導体膜が付されており、該導体膜により内導
体6が形成されている。また、誘電体ブロック2の貫通
孔4に沿った4つの側部外面には導体膜が付されてお
り、該導体膜により外導体8が形成されている。また、
ブロック2の貫通孔4が開口せる一方の外面にも導体膜
が付されており、これにより内導体6と外導体8とが短
絡されている。かくして、λ/4同軸型誘電体共振器1
0aが形成されている。
【0012】本実施例では、上記誘電体共振器10aと
同等の誘電体共振器10bが誘電体共振器10aと並列
配置されており、2段の誘電体フィルタが構成されてい
る。10aが入力端の共振器であり、10bが出力端の
共振器である。
同等の誘電体共振器10bが誘電体共振器10aと並列
配置されており、2段の誘電体フィルタが構成されてい
る。10aが入力端の共振器であり、10bが出力端の
共振器である。
【0013】図1において、12は誘電体基板であり、
該基板12の表面には導体膜パターン14、導体膜パタ
ーン16a,16b,16c,16dが形成されてい
る。図2に、基板12の裏面図が示されている。基板1
2の裏面には表面の導体膜パターン14に対応して導体
膜パターン18が形成されている。また、上記導体膜パ
ターン16c,16dはそれぞれ基板12の側面を経て
裏面まで延びている。
該基板12の表面には導体膜パターン14、導体膜パタ
ーン16a,16b,16c,16dが形成されてい
る。図2に、基板12の裏面図が示されている。基板1
2の裏面には表面の導体膜パターン14に対応して導体
膜パターン18が形成されている。また、上記導体膜パ
ターン16c,16dはそれぞれ基板12の側面を経て
裏面まで延びている。
【0014】図1に示されている様に、共振器10a,
10bは導体膜パターン14上に取付けられており、こ
れら共振器の外導体8が導体膜パターン14と接続され
ている。また、共振器10a,10bの内導体6は、そ
れぞれ導線20a,20bにより導体膜パターン16
a,16bと接続されている。かくして、導体膜パター
ン16a,16bは段間結合容量を形成しており、ま
た、導体膜パターン16a,16cは入力結合容量を形
成しており導体膜パターン16b,16dは出力結合容
量を形成している。導体膜パターン16cは入力回路に
接続され、導体膜パターン16dは出力回路に接続され
ている。一方、基板表面上の導体膜パターン14と基板
裏面上の導体膜パターン18とは容量を形成しており、
導体膜パターン18は接地されている。
10bは導体膜パターン14上に取付けられており、こ
れら共振器の外導体8が導体膜パターン14と接続され
ている。また、共振器10a,10bの内導体6は、そ
れぞれ導線20a,20bにより導体膜パターン16
a,16bと接続されている。かくして、導体膜パター
ン16a,16bは段間結合容量を形成しており、ま
た、導体膜パターン16a,16cは入力結合容量を形
成しており導体膜パターン16b,16dは出力結合容
量を形成している。導体膜パターン16cは入力回路に
接続され、導体膜パターン16dは出力回路に接続され
ている。一方、基板表面上の導体膜パターン14と基板
裏面上の導体膜パターン18とは容量を形成しており、
導体膜パターン18は接地されている。
【0015】図3は、以上の様な誘電体フィルタの等価
回路図である。図3において、C1は上記入力結合容量
であり、C2 は上記段間結合容量であり、C3 は上記出
力結合容量である。また、CC は上記導体膜パターン1
4,18間に形成される接地経路の容量である。
回路図である。図3において、C1は上記入力結合容量
であり、C2 は上記段間結合容量であり、C3 は上記出
力結合容量である。また、CC は上記導体膜パターン1
4,18間に形成される接地経路の容量である。
【0016】図4は、本発明による誘電体フィルタの第
2の実施例の等価回路図である。本図において、上記図
1〜3におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。本実施例では、上記図1〜3の実施
例の接地経路の容量CC の代わりにインダクタンスLC
を用いている。この様なインダクタンスは、上記基板1
2上に導体膜コイルパターンを形成することにより、得
ることができる。
2の実施例の等価回路図である。本図において、上記図
1〜3におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。本実施例では、上記図1〜3の実施
例の接地経路の容量CC の代わりにインダクタンスLC
を用いている。この様なインダクタンスは、上記基板1
2上に導体膜コイルパターンを形成することにより、得
ることができる。
【0017】図5は、本発明による誘電体フィルタの第
3の実施例を示す斜視図であり、図6は、そのX−X断
面図である。これらの図において、上記図1〜4におけ
ると同様の機能を有する部材には同一の符号が付されて
いる。
3の実施例を示す斜視図であり、図6は、そのX−X断
面図である。これらの図において、上記図1〜4におけ
ると同様の機能を有する部材には同一の符号が付されて
いる。
【0018】本実施例では、1つの誘電体ブロックに外
導体8を共通化して形成し2つの誘電体共振器を一体的
に構成してなるものを用いている。本図において、上記
図1〜4におけると同様の機能を有する部材には同一の
符号が付されている。一体化された共振器10a,10
bは、両側面を誘電体板22a,22bを介して金属ケ
ース24により挟持されている。従って、共振器外導体
と金属ケース24との間に容量が形成されている。尚、
誘電体板22a,22bは、片面または両面に全体的に
導体膜を形成したものでもよい。
導体8を共通化して形成し2つの誘電体共振器を一体的
に構成してなるものを用いている。本図において、上記
図1〜4におけると同様の機能を有する部材には同一の
符号が付されている。一体化された共振器10a,10
bは、両側面を誘電体板22a,22bを介して金属ケ
ース24により挟持されている。従って、共振器外導体
と金属ケース24との間に容量が形成されている。尚、
誘電体板22a,22bは、片面または両面に全体的に
導体膜を形成したものでもよい。
【0019】図6に示されている様に、合成樹脂ピン2
6が貫通孔4内に挿入されており、該樹脂ピン26を貫
通して導電性ピン28が取付けられている。該導電性ピ
ン28は、樹脂ピン26への挿入部28aと端子部28
bとを有する。かくして、導電性ピン28と内導体6と
の間で入出力結合容量が形成されている。尚、各共振器
10a,10bにおいて、貫通孔4の内面の内導体6が
誘電体ブロック2の外面へと延出して延出部7を形成し
ており、これら延出部7どうしの間で段間結合容量が形
成されている。
6が貫通孔4内に挿入されており、該樹脂ピン26を貫
通して導電性ピン28が取付けられている。該導電性ピ
ン28は、樹脂ピン26への挿入部28aと端子部28
bとを有する。かくして、導電性ピン28と内導体6と
の間で入出力結合容量が形成されている。尚、各共振器
10a,10bにおいて、貫通孔4の内面の内導体6が
誘電体ブロック2の外面へと延出して延出部7を形成し
ており、これら延出部7どうしの間で段間結合容量が形
成されている。
【0020】本実施例では、共振器10aの導電性ピン
28bが入力回路に接続され、共振器10bの導電性ピ
ンが出力回路に接続されている。一方、金属ケース24
は接地されている。
28bが入力回路に接続され、共振器10bの導電性ピ
ンが出力回路に接続されている。一方、金属ケース24
は接地されている。
【0021】図7は、本発明による誘電体フィルタの第
4の実施例を示す斜視図である。本図において、上記図
1〜6におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。
4の実施例を示す斜視図である。本図において、上記図
1〜6におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。
【0022】本実施例では、上記図5の実施例と同様な
共振器10a,10bが使用されている。但し、誘電体
ブロック2には入出力用の導体膜パターン17a,17
bが形成されており、これらと内導体延出部7との間で
入出力結合容量が形成されている。32は配線基板であ
り、該基板32の表面には導体膜パターン34及び導体
膜パターン36a,36bが形成されており、基板32
の裏面には表面の導体膜パターン34に対応して導体膜
パターン38が形成されている。導体膜パターン34に
外導体8を接続させ、更に導体膜パターン36a,36
bにそれぞれ上記入出力用導体膜パターン17a,17
bを接続させて、共振器10a,10bが取付けられて
いる。上記導体膜パターン36a,36bは入出力のた
めの配線であり、上記導体膜パターン34,38間に容
量が形成されており、該導体膜パターン38は接地され
ている。
共振器10a,10bが使用されている。但し、誘電体
ブロック2には入出力用の導体膜パターン17a,17
bが形成されており、これらと内導体延出部7との間で
入出力結合容量が形成されている。32は配線基板であ
り、該基板32の表面には導体膜パターン34及び導体
膜パターン36a,36bが形成されており、基板32
の裏面には表面の導体膜パターン34に対応して導体膜
パターン38が形成されている。導体膜パターン34に
外導体8を接続させ、更に導体膜パターン36a,36
bにそれぞれ上記入出力用導体膜パターン17a,17
bを接続させて、共振器10a,10bが取付けられて
いる。上記導体膜パターン36a,36bは入出力のた
めの配線であり、上記導体膜パターン34,38間に容
量が形成されており、該導体膜パターン38は接地され
ている。
【0023】図8は、本発明による誘電体フィルタの第
5の実施例を示す斜視図である。本図において、上記図
1〜7におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。
5の実施例を示す斜視図である。本図において、上記図
1〜7におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。
【0024】本実施例では、共振器10a,10bの段
間結合及び入出力結合をとるために、誘電体ブロック2
と同様の誘電体からなる結合用ブロック42が使用され
ている。そして、各共振器の貫通孔にそれぞれ導電性ロ
ッド44a,44bを挿入し、該ロッドの先端を結合用
ブロック42に形成した導体膜付きの貫通孔に挿入し、
該貫通孔に隣接する結合用ブロック42の導体膜付きの
側面部を入出力のための導体膜パターン36a,36b
と接続させている。即ち、結合用ブロック42を介し
て、導電性ロッド44a,44b間に段間結合容量が形
成され、且つ導電性ロッド44a,44bと導体膜パタ
ーン36a,36bとの間にそれぞれ入出力結合容量が
形成されている。
間結合及び入出力結合をとるために、誘電体ブロック2
と同様の誘電体からなる結合用ブロック42が使用され
ている。そして、各共振器の貫通孔にそれぞれ導電性ロ
ッド44a,44bを挿入し、該ロッドの先端を結合用
ブロック42に形成した導体膜付きの貫通孔に挿入し、
該貫通孔に隣接する結合用ブロック42の導体膜付きの
側面部を入出力のための導体膜パターン36a,36b
と接続させている。即ち、結合用ブロック42を介し
て、導電性ロッド44a,44b間に段間結合容量が形
成され、且つ導電性ロッド44a,44bと導体膜パタ
ーン36a,36bとの間にそれぞれ入出力結合容量が
形成されている。
【0025】図9は、本発明による誘電体フィルタの第
6の実施例を示す斜視図である。本図において、上記図
1〜8におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。
6の実施例を示す斜視図である。本図において、上記図
1〜8におけると同様の機能を有する部材には同一の符
号が付されている。
【0026】本実施例は、接地経路の構成を除き、上記
図7の実施例と同一である。本実施例では、配線基板3
2に導体膜パターン34に接続せる導体膜コイルパター
ン35が形成されている。該コイルパターンは接地され
ている。本実施例は、上記図4に対応するものである。
図7の実施例と同一である。本実施例では、配線基板3
2に導体膜パターン34に接続せる導体膜コイルパター
ン35が形成されている。該コイルパターンは接地され
ている。本実施例は、上記図4に対応するものである。
【0027】図10〜12は、上記実施例のうちのいく
つかの周波数特性の例を示すグラフである。図10は上
記図1の実施例のものであり、通過帯域の両側近傍にお
いて減衰極が形成されている。図11のAは上記図7の
実施例のものであり、通過帯域の両側近傍において減衰
極が形成されている。図11のBは上記図7の実施例に
おいて共振器外導体を直接接地した場合(本発明外の参
考例)のものであり、通過帯域の片側近傍にしか減衰極
が形成されていない。図12のAは上記図8の実施例の
ものであり、通過帯域の両側近傍において減衰極が形成
されている。図12のBは上記図8の実施例において共
振器外導体を直接接地した場合(本発明外の参考例)の
ものであり、通過帯域の近傍には減衰極が形成されてい
ない。
つかの周波数特性の例を示すグラフである。図10は上
記図1の実施例のものであり、通過帯域の両側近傍にお
いて減衰極が形成されている。図11のAは上記図7の
実施例のものであり、通過帯域の両側近傍において減衰
極が形成されている。図11のBは上記図7の実施例に
おいて共振器外導体を直接接地した場合(本発明外の参
考例)のものであり、通過帯域の片側近傍にしか減衰極
が形成されていない。図12のAは上記図8の実施例の
ものであり、通過帯域の両側近傍において減衰極が形成
されている。図12のBは上記図8の実施例において共
振器外導体を直接接地した場合(本発明外の参考例)の
ものであり、通過帯域の近傍には減衰極が形成されてい
ない。
【0028】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、リ
アクタンス素子を介して誘電体共振器を接地するという
簡単な構成で、周波数特性において通過帯域の近くに容
易に減衰極を形成でき、しかも小型化が可能である。
アクタンス素子を介して誘電体共振器を接地するという
簡単な構成で、周波数特性において通過帯域の近くに容
易に減衰極を形成でき、しかも小型化が可能である。
【図1】本発明による誘電体フィルタの第1の実施例を
示す一部切欠斜視図である。
示す一部切欠斜視図である。
【図2】図1の誘電体フィルタの基板の裏面図である。
【図3】本発明による誘電体フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図4】本発明による誘電体フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図5】本発明による誘電体フィルタの第3の実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図6】図5のX−X断面図である。
【図7】本発明による誘電体フィルタの第4の実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図8】本発明による誘電体フィルタの第5の実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図9】本発明による誘電体フィルタの第6の実施例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図10】本発明による誘電体フィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図11】本発明による誘電体フィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図12】本発明による誘電体フィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
2 誘電体ブロック 4 貫通孔 6 内導体 7 延出部 8 外導体 10a,10b 誘電体共振器 12 誘電体基板 14,16a〜16d,18 導体膜パターン 20a,20b 導線 22a,22b 誘電体板 24 金属ケース 26 樹脂ピン 28 導電性ピン 32 配線基板 34,35,36a,36b,38 導体膜パターン 42 結合用誘電体ブロック 44a,44b 導電性ロッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 祥太郎 山口県宇部市大字小串1978番地の5 宇部 興産株式会社無機材料研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 誘電体共振器を複数配列してなる誘電体
フィルタであって、前記誘電体共振器がリアクタンス素
子を介して接地されていることを特徴とする、誘電体フ
ィルタ。 - 【請求項2】 前記誘電体共振器が誘電体ブロックに貫
通孔を形成し該貫通孔内面に内導体を形成し前記誘電体
ブロックの外面に外導体を形成してなるものであり、前
記リアクタンス素子を介しての接地が前記外導体でなさ
れている、請求項1に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項3】 誘電体共振器を複数配列してなる誘電体
フィルタを実装するに際し、前記誘電体共振器をリアク
タンス素子を介して接地することを特徴とする、誘電体
フィルタの実装方法。 - 【請求項4】 前記誘電体共振器として誘電体ブロック
に貫通孔を形成し該貫通孔内面に内導体を形成し前記誘
電体ブロックの外面に外導体を形成してなるものを用
い、前記リアクタンス素子を介しての接地を前記外導体
でなす、請求項3に記載の誘電体フィルタの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16870093A JPH077305A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 誘電体フィルタ及びその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16870093A JPH077305A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 誘電体フィルタ及びその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077305A true JPH077305A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15872842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16870093A Pending JPH077305A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 誘電体フィルタ及びその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077305A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217668A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型lcフィルタ |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP16870093A patent/JPH077305A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217668A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型lcフィルタ |
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