JPH0773107B2 - 光素子用基板の製造方法 - Google Patents
光素子用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0773107B2 JPH0773107B2 JP4311843A JP31184392A JPH0773107B2 JP H0773107 B2 JPH0773107 B2 JP H0773107B2 JP 4311843 A JP4311843 A JP 4311843A JP 31184392 A JP31184392 A JP 31184392A JP H0773107 B2 JPH0773107 B2 JP H0773107B2
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- JP
- Japan
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- optical element
- ausn
- micro
- substrate
- foil
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
Landscapes
- Mounting, Exchange, And Manufacturing Of Dies (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Punching Or Piercing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用光モジュール
などに用いられる光素子を固定する基板の製造方法に関
する。
などに用いられる光素子を固定する基板の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は、半導体レーザ（ＬＤ）、発光
ダイオード（ＬＥＤ）、ファトダイオード（ＰＤ）、光
変調器を始めとして、光ファイバ、光スイッチ、光アイ
ソレータ、光導波路等の能動、受動素子の高性能、高機
能化により応用範囲が拡大さるつつある。近年、この応
用範囲の一つとして一般加入者系への適用が考えられて
おり、これに伴い、光素子を搭載したモジュールの低価
格化が要求されている。モジュール低価格化の有効な手
段として、複数個の微小接合バンプを介して光素子を無
調整で基板上に実装する無調整光実装が注目されてい
る。微小接合バンプを形成する方法は、微小ポンチとダ
イスとを用いてリボン状の接合金属箔を打ち抜き、基板
上に微小接合バンプを形成するもので、微小接合バンプ
として信頼性の高いＡｕＳｎバンプを用いたものが特開
平４−１５２６８２号公報、「アレイ状光素子用サブ基
板の作製方法」に詳細に記されている。
ダイオード（ＬＥＤ）、ファトダイオード（ＰＤ）、光
変調器を始めとして、光ファイバ、光スイッチ、光アイ
ソレータ、光導波路等の能動、受動素子の高性能、高機
能化により応用範囲が拡大さるつつある。近年、この応
用範囲の一つとして一般加入者系への適用が考えられて
おり、これに伴い、光素子を搭載したモジュールの低価
格化が要求されている。モジュール低価格化の有効な手
段として、複数個の微小接合バンプを介して光素子を無
調整で基板上に実装する無調整光実装が注目されてい
る。微小接合バンプを形成する方法は、微小ポンチとダ
イスとを用いてリボン状の接合金属箔を打ち抜き、基板
上に微小接合バンプを形成するもので、微小接合バンプ
として信頼性の高いＡｕＳｎバンプを用いたものが特開
平４−１５２６８２号公報、「アレイ状光素子用サブ基
板の作製方法」に詳細に記されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】微小ポンチとダイスと
を用いてリボン状のＡｕＳｎ箔を打ち抜く場合、ＡｕＳ
ｎ材料が硬く脆いために、打ち抜き後の微小ＡｕＳｎバ
ンプにカケが生じ易い。このため、打ち抜きごとの微小
接合バンプの形状、重量が異なりバンプ高さが不均一と
なる。これにより、複数個の微小接合バンプを介して接
合された光素子は、傾き、接合不良などの欠陥を生じ、
実装歩留まりが低下するという大きな問題があった。
を用いてリボン状のＡｕＳｎ箔を打ち抜く場合、ＡｕＳ
ｎ材料が硬く脆いために、打ち抜き後の微小ＡｕＳｎバ
ンプにカケが生じ易い。このため、打ち抜きごとの微小
接合バンプの形状、重量が異なりバンプ高さが不均一と
なる。これにより、複数個の微小接合バンプを介して接
合された光素子は、傾き、接合不良などの欠陥を生じ、
実装歩留まりが低下するという大きな問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の光素子用基板の
製造方法は、微小ポインチとダイスとを用いてリボン状
の接合金属を打ち抜き、基板上に微小接合バンプを形成
する光素子用基板の製造方法において、リボン状の接合
金属を加熱しながら打ち抜くことを特徴とする。
製造方法は、微小ポインチとダイスとを用いてリボン状
の接合金属を打ち抜き、基板上に微小接合バンプを形成
する光素子用基板の製造方法において、リボン状の接合
金属を加熱しながら打ち抜くことを特徴とする。
【０００５】
【作用】ＡｕＳｎ箔を加熱することにより、ＡｕＳｎ材
料は軟化する。これにより、打ち抜き後の微小ＡｕＳｎ
バンプにはカケが生じにくく、このため、形状、重量と
もに同等な微小接合バンプを再現性良く形成することが
できる。
料は軟化する。これにより、打ち抜き後の微小ＡｕＳｎ
バンプにはカケが生じにくく、このため、形状、重量と
もに同等な微小接合バンプを再現性良く形成することが
できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明について、図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例を示す概要図であ
る。本構成では、まず、厚さ５０μｍのリボン状のＡｕ
Ｓｎ箔３を外径５０μｍの超鋼製微小ポンチ１と穴径６
０μｍのステンレス製ダイス２の間に挿入する（図１
（ａ））。次に、ＡｕＳｎ箔３を１８０℃程度に加熱し
ながら微小ポンチ１をＡｕＳｎ箔３に打付け、微小Ａｕ
Ｓｎバンプ６をＳｉ基板４上に直径６０μｍのＡｕパッ
ト５表面に打ち抜く（図１（ｂ））。加熱温度は、接合
金属の融点より１００℃程度低い温度に設定するのが適
当と考えるので、ＡｕＳｎの場合、融点２８０℃より１
００℃程度低い１８０ど程度に設定してある。
する。図１は、本発明の第１の実施例を示す概要図であ
る。本構成では、まず、厚さ５０μｍのリボン状のＡｕ
Ｓｎ箔３を外径５０μｍの超鋼製微小ポンチ１と穴径６
０μｍのステンレス製ダイス２の間に挿入する（図１
（ａ））。次に、ＡｕＳｎ箔３を１８０℃程度に加熱し
ながら微小ポンチ１をＡｕＳｎ箔３に打付け、微小Ａｕ
Ｓｎバンプ６をＳｉ基板４上に直径６０μｍのＡｕパッ
ト５表面に打ち抜く（図１（ｂ））。加熱温度は、接合
金属の融点より１００℃程度低い温度に設定するのが適
当と考えるので、ＡｕＳｎの場合、融点２８０℃より１
００℃程度低い１８０ど程度に設定してある。
【０００７】加熱温度の許容範囲は、接合金属の厚さよ
り異なるが設定温度に対して±５０℃程度が適当であ
る。また、加熱方法は、ダイス２を保持している支持台
にヒータが内蔵されており、ダイス２を伝達してＡｕＳ
ｎ箔３は加熱されている。このように、ＡｕＳｎ箔３は
加熱により軟化しているため、打ち抜き後の微小ＡｕＳ
ｎバンプ６にはカケが生じにくくなる。このため、形
状、質量ともに同等な微小接合バンプを再現良く形成す
ることができる。従って、打ち抜きごとの微小接合バン
プの高さは均一となり、複数個の微小ＡｕＳｎバンプを
介して接合された光素子の接合状態は良好で、実装歩留
まりが向上する。
り異なるが設定温度に対して±５０℃程度が適当であ
る。また、加熱方法は、ダイス２を保持している支持台
にヒータが内蔵されており、ダイス２を伝達してＡｕＳ
ｎ箔３は加熱されている。このように、ＡｕＳｎ箔３は
加熱により軟化しているため、打ち抜き後の微小ＡｕＳ
ｎバンプ６にはカケが生じにくくなる。このため、形
状、質量ともに同等な微小接合バンプを再現良く形成す
ることができる。従って、打ち抜きごとの微小接合バン
プの高さは均一となり、複数個の微小ＡｕＳｎバンプを
介して接合された光素子の接合状態は良好で、実装歩留
まりが向上する。
【０００８】以上、本実施例では微小ポンチの数を１つ
としたが、これに限定されず、多数個の微小ポンチを用
いても良い。
としたが、これに限定されず、多数個の微小ポンチを用
いても良い。
【０００９】また、本実施例ではＡｕＳｎ箔を加熱した
が、ＡｕＳｎ箔に接続した微小ポンチによる放熱を防ぐ
ために、微小ポンチも加熱しても良い。更に、打ち抜き
後の微小ＡｕＳｎバンプをＡｕパット表面に良好に付着
させるためにＡｕにパットを加熱しても良い。
が、ＡｕＳｎ箔に接続した微小ポンチによる放熱を防ぐ
ために、微小ポンチも加熱しても良い。更に、打ち抜き
後の微小ＡｕＳｎバンプをＡｕパット表面に良好に付着
させるためにＡｕにパットを加熱しても良い。
【００１０】また、本実施例では加熱する手段としてヒ
ータを用いたがこれに限定されず、例えばレーザ光、白
熱光、高周波等でも良い。
ータを用いたがこれに限定されず、例えばレーザ光、白
熱光、高周波等でも良い。
【００１１】また、接合金属材料としてＡｕＳｎを用い
たがこれに限定されず、例えば硬くて脆い材料であるＡ
ｕＳｉ等でも良い。
たがこれに限定されず、例えば硬くて脆い材料であるＡ
ｕＳｉ等でも良い。
【００１２】
【発明の効果】以上述べた通り、形状、重量ともに同等
な微小接合バンプを再現性良く形成することができるた
め、実装歩留まりを向上できる。
な微小接合バンプを再現性良く形成することができるた
め、実装歩留まりを向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図である。
１ 微小ポンチ ２ ダイス ３ ＡｕＳｎ箔 ４ シリコン基板 ５ Ａｕパット ６ 微小ＡｕＳｎバンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/18
Claims (1)
- 【請求項１】 微小ポンチとダイスとを用いてリボン状
の接合金属を打ち抜き、基板上に微小接合バンプを形成
する光素子用基板の製造方法において、リボン状の接合
金属を加熱しながら打ち抜くことを特徴とする光素子用
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311843A JPH0773107B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光素子用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311843A JPH0773107B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光素子用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163554A JPH06163554A (ja) | 1994-06-10 |
| JPH0773107B2 true JPH0773107B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=18022076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311843A Expired - Lifetime JPH0773107B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光素子用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773107B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5299403B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2013-09-25 | 株式会社デンソー | 孔加工装置および孔加工方法 |
| KR20140019447A (ko) * | 2011-05-26 | 2014-02-14 | 존슨 컨트롤스 게엠베하 | 스탬핑 방법 및 이에 의해 제조된 구성요소 |
| CN102886422B (zh) * | 2012-10-22 | 2015-02-25 | 安徽工业大学 | 一种提高板材翻边能力的冲孔方法 |
| WO2014097661A1 (ja) * | 2012-12-22 | 2014-06-26 | 株式会社小松精機工作所 | 金属粉末の製造方法及び金属粉末 |
| JP6233137B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-11-22 | 日本電気株式会社 | バンプ形成装置、およびバンプ付部品の製造方法 |
| CN105642765B (zh) * | 2015-12-29 | 2018-03-16 | 哈尔滨工业大学 | 一种钛合金板材热冲孔装置及利用该装置进行冲孔的方法 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4311843A patent/JPH0773107B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163554A (ja) | 1994-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960123 |
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