JPH0773108B2 - 光素子用基板の製造装置 - Google Patents

光素子用基板の製造装置

Info

Publication number
JPH0773108B2
JPH0773108B2 JP4311844A JP31184492A JPH0773108B2 JP H0773108 B2 JPH0773108 B2 JP H0773108B2 JP 4311844 A JP4311844 A JP 4311844A JP 31184492 A JP31184492 A JP 31184492A JP H0773108 B2 JPH0773108 B2 JP H0773108B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
minute
punch
die
substrate
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4311844A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06163555A (ja
Inventor
宏 本望
正隆 伊藤
純一 佐々木
義信 金山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4311844A priority Critical patent/JPH0773108B2/ja
Publication of JPH06163555A publication Critical patent/JPH06163555A/ja
Publication of JPH0773108B2 publication Critical patent/JPH0773108B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/251—Materials

Landscapes

  • Punching Or Piercing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用光モジュール
などに用いられる光素子を固定する基板の製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は、半導体レーザ（ＬＤ）、発光
ダイオード（ＬＥＤ）、ファトダイオード（ＰＤ）、光
変調器を始めとして、光ファイバ、光スイッチ、光アイ
ソレータ、光導波路等の能動、受動素子の高性能、高機
能化により応用範囲が拡大されつつある。近年、この応
用範囲の一つとして一般加入者系への適用が考えられて
おり、これに伴い、光素子を搭載したモジュールの低価
格化が要求されている。モジュール低価格化の有効な手
段として、複数個の微小接合バンプを介して光素子を無
調整で基板上に実装する無調整光実装が注目されてい
る。
【０００３】微小接合バンプを形成する方法は、微小ポ
ンチとダイスとを用いてリボン状の接合金属を打ち抜
き、基板上に微小接合バンプを転写するもので、微小接
合バンプとして信頼性の高いＡｕＳｎバンプを用いたも
のが特開平４−１５２６８２号公報、「アレイ状光素子
用サブ基板の作製方法」に詳細に記されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】微小ポンチとダイスと
を用いてリボン状の接合金属を打ち抜く際、微少ポンチ
の中心軸とダイス穴の中心軸は、装置の組立精度上の問
題から必ずしも一致していない。このため、打ち抜きご
との微少ＡｕＳｎバンプの形状、重量は異なる。これに
より、複数個の微少接合バンプを介して接合された光素
子は、傾き、接合不良などの欠陥を生じ、実装歩留まり
が低下するという大きな問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光素子用基板の
製造装置は、微小ポインチとダイスを用いてリボン状の
接合金属を打ち抜き、基板上に微小接合バンプを形成す
る光素子用基板の製造装置において、前記ダイス穴形状
が入口で広く出口で狭くなっていることを特徴とる。
【０００６】
【作用】微小ポンチをリボン状の接合金属に打付け、微
少接合バンプを基板上のパット表面に打ち抜く際に、ポ
ンチの中心軸がダイスの穴中心から多少ずれていても、
ダイスの穴形状が入口で広く出口で狭くなっているた
め、微少ポンチがダイスの穴の内側に押し込まれるに従
い微少ポンチの中心軸は、強制的にダイスの穴中心に一
致する。これにより、形状、重量ともに同等な微少接合
バンプを再現性良く形成することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明について、図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例を示す概要図であ
る。本構成では、厚さ５０μｍのリボン状のＡｕＳｎ箔
３が、外径５０μｍの超鋼製微小ポンチ１と大穴径１０
０μｍ、小穴直径６０μｍの厚さ１ｍｍのステンレス製
ダイ２の間に挿入されている（図１（ａ））。ここで、
微少ポンチ１の中心軸とダイス２の穴の中心軸がズレて
いても、微少ポンチ１をＡｕＳｎ箔３に打付け、微少Ａ
ｕＳｎバンプ６を打ち抜く際、ダイス２の穴形状が入口
で広く出口で狭くなっているため、微少ポンチ１がダイ
ス２の穴の内側に押し込まれるに従い、微少ポンチの中
心軸は強制的にダイス２の穴の中心軸に一致し、Ｓｉ基
板４上の直径６０μｍのＡｕパット５表面に打ち抜かれ
る（図１（ｂ））。これにより、形状、重量ともに同等
な微少接合バンプを再現性良く形成することができる。
従って、打ち抜きごとの微少接合バンプの形状、重量は
一定となる。複数個の微少ＡｕＳｎバンプを介して接合
された光素子の接合状態は良好で、実装歩留まりが向上
する。
【０００８】以上、本実施例では微少ンチの数を１つと
したが、これに限定されず、多数個の微少ポンチを用い
ても良い。さらに微少ポンチは丸形のポンチを用いた
が、これに限らず四角形や多角のポンチを用いても良
く、その場合、穴の内形はポンチの外形に相似となる。
【０００９】また、接合金属材料としてＡｕＳｎを用い
たがこれに限定されず、例えばＰｂＳｎ、ＡｕＳｉ等で
も良い。
【００１０】
【発明の効果】以上述べた通り、形状、重量ともに同等
な微少接合バンプを再現性良く形成することができるた
め、実装歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図である。
【符号の説明】
１ 微小ポンチ ２ ダイス ３ ＡｕＳｎ箔 ４ シリコン基板 ５ Ａｕパット ６ 微少ＡｕＳｎバンプ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 微小ポンチとダイスとを用いてリボン状
    の接合金属を打ち抜き、基板状に微小接合バンプを形成
    する光素子用基板の製造方法において、前記ダイスの穴
    形状が穴入口で広く出口で狭くなっていることを特徴と
    する光素子用基板の製造装置。
JP4311844A 1992-11-20 1992-11-20 光素子用基板の製造装置 Expired - Lifetime JPH0773108B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4311844A JPH0773108B2 (ja) 1992-11-20 1992-11-20 光素子用基板の製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4311844A JPH0773108B2 (ja) 1992-11-20 1992-11-20 光素子用基板の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06163555A JPH06163555A (ja) 1994-06-10
JPH0773108B2 true JPH0773108B2 (ja) 1995-08-02

Family

ID=18022089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4311844A Expired - Lifetime JPH0773108B2 (ja) 1992-11-20 1992-11-20 光素子用基板の製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0773108B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06163555A (ja) 1994-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7703993B1 (en) Wafer level optoelectronic package with fiber side insertion
KR100441810B1 (ko) 광전달구조물을정렬하기위한전자장치
JP2629435B2 (ja) アレイ状光素子用サブ基板の作製方法
US4501637A (en) LED having self-aligned lens
JPH08204288A (ja) 光半導体装置
US6393171B2 (en) Optical module for optical transmission and manufacturing process therefor
JP4969775B2 (ja) 反射鏡及び位置合わせポストを有する光デバイスパッケージ
KR100957338B1 (ko) 광섬유 엔진 제조 방법
Itoh et al. Use of AuSn solder bumps in three-dimensional passive aligned packaging of LD/PD arrays on Si optical benches
US4793688A (en) Photo electro device, method for manufacture of same, and lens support frame for use in such photo electro device
US5360761A (en) Method of fabricating closely spaced dual diode lasers
CA2365498A1 (en) Alignment of optical assemblies
JPH06163554A (ja) 光素子用基板の製造方法
JPH0773108B2 (ja) 光素子用基板の製造装置
US6403948B1 (en) Photo-detecting module having a fiber optic groove on rear surface of integrated circuit device
JPH11326662A (ja) 光平面回路
JPH02154208A (ja) 並列伝送光モジュール
JPH03184384A (ja) 光モジュール用サブマウント及びその製造方法
JPH04221912A (ja) 並列伝送光モジュール
JP2616550B2 (ja) 光モジュール
JPH0758149A (ja) チップ部品の実装方法
JPH06283536A (ja) 半田バンプ実装基板
JPH10223690A (ja) 光素子の実装方法
JPH07174941A (ja) 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法
JPH05152605A (ja) アレイ状光素子及びその実装基板

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19960123

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070802

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100802

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120802

Year of fee payment: 17

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130802

Year of fee payment: 18

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130802

Year of fee payment: 18