JPH0773842A

JPH0773842A - イオン注入装置

Info

Publication number: JPH0773842A
Application number: JP5218825A
Authority: JP
Inventors: Hironori Kumazaki; 裕教熊崎
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1993-09-02
Filing date: 1993-09-02
Publication date: 1995-03-17
Anticipated expiration: 2018-06-16
Also published as: JP3416998B2

Abstract

(57)【要約】【構成】イオン注入装置は、Ｈ２電極３・３を通過し
たイオンビーム１が平行に走査されるように、Ｈ１電極
２・２およびＨ２電極３・３に走査電圧を印加する波形
発生器６と、イオンビームの入射位置における電位を変
化させて偏向角度を調整するバイアス電圧をＨ１電極２
・２およびＨ２電極３・３に印加するバイアス電圧発生
器１０とを有している。【効果】Ｈ１電極２・２およびＨ２電極３・３をバイ
アス電圧により任意の電位に変化させることによって、
イオンビーム１のエネルギーの増減量を調整することが
可能である。従って、イオンビーム１が所望の軌道を進
行するように、バイアス電圧を設定することによって、
例えばイオンビーム１の平行度を高める処理や、ウエー
ハの仕様に対応した照射角度でもってイオンビーム１を
ウエーハに照射させる処理が容易に行なえる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームを静電的
に走査してウエーハに照射するイオン注入装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ハイブリッドスキャン方式のイオ
ン注入装置は、一対の電極板からなるＨ１電極、Ｖ電
極、およびＨ２電極を有しており、Ｖ電極に偏向電圧を
印加すると共に、図３に示すように、Ｈ１電極およびＨ
２電極に相互に逆位相となる三角波状の走査電圧を印加
することによって、イオンビームをＶ電極により垂直方
向に偏向させながら、Ｈ１電極およびＨ２電極により水
平方向に平行走査させるようになっている。

【０００３】ところで、イオンビームがＨ１電極および
Ｈ２電極を通過する際の偏向角θは、理想的には tanθ
＝（Ｖ_S／２Ｅ）・（Ｌ／Ｄ）の関係式により求められ
るようになっている。ここで、Ｖ_Sは走査電圧、Ｅはイ
オンビームのエネルギー、Ｌは電極長、Ｄは電極間距離
である。

【０００４】これにより、従来のイオン注入装置は、Ｈ
１電極およびＨ２電極の電極長をＬ₁およびＬ₂とし、
電極間距離をＤ₁およびＤ₂とした場合、一般的にはＬ
₁／Ｄ₁＝Ｌ₂／Ｄ₂の関係式を満足するように、電極
長Ｌ₁・Ｌ₂および電極間距離Ｄ₁・Ｄ₂を設定するこ
とによって、Ｈ１電極の走査電圧に対応した偏向角θで
走査されたイオンビームをＨ２電極により平行化させる
ようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、イオン
ビームの偏向角θは、上述の関係式に加えて電極間の電
界強度は一定としても、ビームエネルギー、およびそれ
に関連してイオンビームの電極間の通過時間も変動要因
として有しており、従来のイオン注入装置では、このビ
ームエネルギー、およびそれに関連する電極内のイオン
ビームの通過時間の影響によりイオンビームの平行度が
ウエーハ面上で全て一定とならないという問題がある。

【０００６】基本的には、Ｌ₁／Ｄ₁＝Ｌ₂／Ｄ₂とす
ることによって、Ｈ１電極でイオンビームが偏向される
角度とＨ２電極で逆方向に偏向される角度とが一致し、
平行ビームが得られるが、厳密にはイオンビームの位置
（スイープ方向＝Ｈ方向）によって受ける偏向の力の強
さが異なる。これは、ビームの軌道の違いによって受け
る実効的な偏向の力（ビームエネルギー、ビーム所
在位置の電界強度、電界を受ける時間の組み合わせに
よる）が異なるためであると考えられる。この結果、ビ
ームの位置（スイープ方向＝Ｈ方向）によってウエーハ
面上でのビームの入射角度が異なることになる。

【０００７】これにより、イオンビームの平行度がウエ
ーハ面上で全て一定にならないと、例えばウエーハがト
レンチ構造の表面を有していると、シャドウ効果によっ
て特性にバラツキを生じさせる場合がある。

【０００８】そこで、イオンビームの平行度を高めるよ
うに、Ｈ１電極およびＨ２電極の電極長や電極間隔を調
整する方法が考えられるが、この場合には、イオンビー
ムのウエーハへの照射角度が固定されたものになる。ウ
エーハの種類によっては、イオンビームを所定の照射角
度でもって照射させてイオン注入する仕様も考えられる
ため、上記のＨ１電極およびＨ２電極の電極長や電極間
隔を調整する方法では、このような各種のウエーハの仕
様に容易に対応することができないという問題がある。

【０００９】従って、本発明においては、イオンビーム
の平行度を高めることができると共に、ウエーハへのイ
オンビームの照射角度を容易に変更可能なイオン注入装
置を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、上記課題を解決するために、複数段の電極対に電圧
を印加することによりイオンビームを走査するものであ
り、下記の特徴を有している。

【００１１】即ち、イオン注入装置は、最終段の電極対
を通過したイオンビームが平行に走査されるように、上
記電極対に走査電圧を印加する走査電圧印加手段と、電
極対へのイオンビームの入射位置における電位を変化さ
せて偏向角度を調整するバイアス電圧を少なくとも一つ
の電極対に印加するバイアス電圧印加手段とを有してい
ることを特徴としている。

【００１２】尚、このバイアス電圧は、電極対の両方に
同様に印加するものであり、結果として両極間電圧（電
極間電圧差＝電極間内電界強度）は、バイアス電圧を印
加するしないでは変わらない。

【００１３】

【作用】上記の構成によれば、少なくとも一つの電極対
をバイアス電圧により任意の電位に変化させることによ
って、電極対を通過する際のイオンビームのエネルギー
の増減量を調整することが可能である。従って、例えば
イオンビームが電極対に入射する際に、入射位置におけ
る走査電圧による電位がイオンビームのエネルギーを減
少させてイオンビームの偏向角度に誤差を生じさせる場
合でも、バイアス電圧によりイオンビームのエネルギー
の減少量または増加量を調整することによって、偏向の
受け具合を調整することが可能になる。これにより、例
えばイオンビームの平行度を高める処理や、ウエーハの
仕様に対応した照射角度でもってイオンビームをウエー
ハに照射させる処理が、バイアス電圧を設定することに
より容易に行なえることになる。

【００１４】

【実施例】本発明の一実施例を図１および図２に基づい
て説明すれば、以下の通りである。

【００１５】本実施例に係るイオン注入装置は、図１に
示すように、イオンビーム１を水平方向に平行走査する
と共に図示しないウエーハをプラテンにより垂直方向に
往復移動させることによって、ウエーハの全面にイオン
ビーム１を均一に照射させるようになっている。イオン
ビーム１の走査は、垂直方向に対して平行な電極面を有
した一対の電極板からなるＨ１電極２・２（電極対）お
よびＨ２電極３・３（電極対）により行なわれるように
なっており、Ｈ１電極２・２とＨ２電極３・３とは、電
極長Ｌ₁・Ｌ₂および電極間距離Ｄ₁・Ｄ₂がＬ₁／Ｄ
₁＝Ｌ₂／Ｄ₂の関係式を満足するように設定されてい
る。

【００１６】上記のＨ１電極２・２およびＨ２電極３・
３には、図２のバイアス電圧が重畳された三角波状の走
査電圧を出力する水平走査用電源５が接続されている。
この水平走査用電源５は、三角波発生部６ａとオフセッ
ト発生部６ｂと加算器６ｃとを有した波形発生器６（走
査電圧印加手段）を有しており、ウエーハのセンターを
中心としてイオンビーム１を走査する場合は、オフセッ
ト発生部６ｂのオフセットが略ゼロになる。波形発生器
６は、三角波信号Ｈ_scanに任意のオフセット信号Ｈ
_offsetを加算した走査基本信号を形成し、これにビーム
エネルギーに相当する信号（通常、オートトラッキング
信号と称している）を掛け合わせたうえ出力するように
なっている。尚、三角波信号Ｈ_scanとオフセット信号Ｈ
_offsetとを加算した走査基本信号は、基本波形のスキャ
ンおよびオフセットを決定するＨ_scanダイヤル値および
Ｈ_offsetダイヤル値によって制御されるものである。そ
して、波形発生器６は、走査電源インターフェースユニ
ット７（走査電圧印加手段）に接続されており、この走
査電源インターフェースユニット７に走査信号を出力す
るようになっている。

【００１７】上記の走査電源インターフェースユニット
７は、増幅率が１倍に設定された反転増幅器７ａと非反
転増幅器７ｂとを有しており、両増幅器７ａ・７ｂに
は、波形発生器６からの走査信号が入力されるようにな
っている。そして、これらの両増幅器７ａ・７ｂは、図
２に示すように、位相の１８０度ずれた三角波状の走査
電圧となる走査信号をそれぞれ出力するようになってい
る。

【００１８】上記の走査電源インターフェースユニット
７は、図１に示すように、走査信号加算器８（バイアス
電圧印加手段、走査電圧印加手段）に接続されている。
走査信号加算器８は、２入力の第１加算器８ａと第２加
算器８ｂとを有しており、第１加算器８ａおよび第２加
算器８ｂの一方の入力部には、走査電源インターフェー
スユニット７の反転増幅器７ａおよび非反転増幅器７ｂ
の出力部がそれぞれ接続されている。一方、第１加算器
８ａおよび第２加算器８ｂの他方の入力部には、バイア
ス信号を出力するバイアス電圧発生器１０（バイアス電
圧印加手段）が接続されており、バイアス電圧発生器１
０には、ビームエネルギー信号と波形発生器６からのＨ
_scanのダイヤル値とが入力されるようになっている。

【００１９】上記のバイアス電圧発生器１０は、下記の
（１）式を実行する演算部と、（１）式中の変数ｙ（Ｈ
_scan）を格納した変数格納部とを有しており、三角波信
号Ｈ_scanに対応した変数ｙ（Ｈ_scan）とビームエネルギ
ー信号と走査信号加算器８の増幅率Ｂとを（１）式に代
入して得られるＨ_BIAS特性を示すバイアス信号を出力す
ることによって、イオンビーム１の平行度を調整するよ
うになっている。

【００２０】ｆ（Ｈ_scan）＝ビームエネルギー信号×ｙ（Ｈ_scan）／Ｂ … （１）上記のバイアス電圧発生器１０からのバイアス信号が入
力される走査信号加算器８は、バイアス信号を上述の走
査電源インターフェースユニット７からの走査信号にそ
れぞれ加算するようになっている。この走査信号加算器
８は、増幅部９ａ・９ｂを有した走査電源アンプ９（バ
イアス電圧印加手段、バイアス電圧印加手段）に接続さ
れており、走査電源アンプ９は、バイアス信号が加算さ
れた走査信号を所定の増幅率Ｂでもって増幅し、Ｈ１電
極２・２およびＨ２電極３・３に出力するようになって
いる。

【００２１】上記のＨ１電極２・２とＨ２電極３・３と
の間には、垂直方向に対して平行な電極面を有した一対
の電極板からなるＶ電極４・４が設けられている。この
Ｖ電極４・４には、例えば２段階の偏向電圧が印加され
るようになっている。これにより、Ｖ電極４・４は、イ
オンビーム１を偏向させずに直進させる直進軌道と、直
進軌道から垂直方向に第１偏向角度でもってイオンビー
ム１を偏向させる第１軌道と、直進軌道から垂直方向に
第２偏向角度でもってイオンビーム１を偏向させる第２
軌道とを形成するようになっている。

【００２２】上記の直進軌道上には、ダンプファラデー
が配設されている。また、第１軌道上には、複数のファ
ラデーからなる例えば１６点の多点フロントファラデー
が配設されている。尚、この多点フロントファラデー
は、後述の多点バックファラデーと共に、イオンビーム
１の平行度等を求める際に使用されるようになってい
る。

【００２３】さらに、第２軌道上には、ドーズファラデ
ーと反対側のオーバースキャンを確認するためのビーム
ファラデー、不要なイオンビーム１を遮断するマスクス
リット、イオン注入中のウエーハの移動速度等の制御お
よび注入量のモニターに使用されるドーズファラデー、
および複数のファラデーからなる例えば１１点の多点バ
ックファラデーが配設されている。上記のマスクスリッ
トと多点バックファラデーとの間には、メカニカルスキ
ャン機構のプラテンが配設されており、このプラテン
は、ウエーハを垂直方向に往復移動させるようになって
いる。

【００２４】上記の構成において、イオン注入装置の動
作について説明する。

【００２５】先ず、イオンビーム１の平行度を高めた
り、イオンビーム１のウエーハへの照射角度を所定の角
度に設定するため、（１）式中の変数ｙ（Ｈ_scan）が求
められることになる。即ち、任意のイオンビーム１のビ
ーム位置（スイープ方向＝Ｈ_sc _an）に対応した任意の変
数ｙ（Ｈ_scan）が乗算されたときに、イオンビーム１が
所望の走査状態となるように、変数ｙ（Ｈ_scan）がシミ
ュレーションや実験により決定されることになる。そし
て、決定された変数ｙ（Ｈ_scan）は、走査電源アンプ９
の変数格納部に登録されることになる。

【００２６】次に、イオン注入装置が立ち上げられる場
合、イオンビーム１が生成された後、波形発生器６の三
角波発生部６ａから三角波信号Ｈ_scanが加算器６ｃに出
力されることになる。加算器６ｃには、オフセット発生
部６ｂからの一定のオフセット信号Ｈ_offsetが入力され
ており、三角波信号Ｈ_scanは、加算器６ｃにおいてオフ
セット信号Ｈ_offsetが加算された後、ビームエネルギー
信号（オートトラッキング信号）を乗算のうえ走査信号
として出力されることになる。走査信号は、走査電源イ
ンターフェースユニット７の反転増幅器７ａおよび非反
転増幅器７ｂに入力されることになり、両増幅器７ａ・
７ｂは、１８０度位相のずれた三角波状の走査信号をそ
れぞれ出力することになる。そして、これらの走査信号
は、走査信号加算器８の第１加算器８ａおよび第２加算
器８ｂにそれぞれ入力されることになる。

【００２７】一方、波形発生器６の三角波発生部６ａか
ら出力された三角波信号Ｈ_scanのダイヤル値は、走査電
源アンプ９に出力されている。走査電源アンプ９は、三
角波信号Ｈ_scanのダイヤル値に対応する変数ｙ
（Ｈ_scan）を変数格納部から読み出し、この変数ｙ（Ｈ
_scan）とビームエネルギー信号と走査信号加算器８の増
幅率Ｂとを（１）式に代入してＨ_BIAS特性を示すバイア
ス信号を出力することになる。

【００２８】上記のバイアス信号は、走査信号加算器８
の第１加算器８ａおよび第２加算器８ｂにそれぞれ出力
されることになり、上述の走査電源インターフェースユ
ニット７からの走査信号にそれぞれ加算されることにな
る。そして、バイアス信号が加算された走査信号は、走
査信号加算器８の増幅部９ａ・９ｂにそれぞれ出力さ
れ、所定の増幅率Ｂでもって増幅された後、Ｈ１電極２
・２およびＨ２電極３・３に走査電圧として出力される
ことになる。

【００２９】上記の走査電圧がＨ１電極２・２およびＨ
２電極３・３に印加されると、イオンビーム１がＨ１電
極２・２により偏向されることによって水平方向に走査
された後、Ｖ電極４・４を介してＨ２電極３・３を通過
することになる。そして、Ｈ１電極２・２により走査さ
れたイオンビーム１がＨ２電極３・３の正電位側の電極
近傍に位置する高電位部を進行するとき、イオンビーム
１のエネルギーがＨ２電極３・３の電位により低下する
ため、一旦減速されてから再び加速されて元の速度に復
帰することになる。

【００３０】尚、上記の動作を厳密に説明すると、電極
内でビームエネルギーが一時的に変化するのは、Ｈ２電
極３・３内だけではなくＨ１電極２・２内においても起
こるものである。但し、Ｈ１電極２・２とＨ２電極３・
３とでは、イオンビーム１の通過する側の電位の極性が
逆であるので、Ｈ１電極２・２については、電極内で一
時的にビームエネルギーが増大する一方、Ｈ２電極３・
３については、電極内で一時的にビームエネルギーが減
少する方向にある。従って、本来は、Ｈ１電極２・２お
よびＨ２電極３・３の両者による影響を総合してシミュ
レーション或いは実験によって必要な変数ｆ（Ｈ_scan）
を求めることが重要である。また、この変数ｆ
（Ｈ_scan）は、バイアス電圧を両電極２・２・３・３・
３に印加するか、Ｈ１電極２・２およびＨ２電極３・３
の何れか一方に印加するかによって異なるものとなる。

【００３１】今、走査電圧がバイアス信号を含んでいな
い場合に、Ｈ２電極３・３の中心位置からＨ２電極３・
３に近づけば近づく程、イオンビーム１が内側により強
く偏向されているとする。つまり、走査電圧がバイアス
信号を含んでいない場合には、電位差が０であるＨ２電
極３・３の中間位置からＨ２電極３・３に近づく程、電
極内でのビームエネルギーの低下と電極内のビーム通過
時間の増大とによりイオンビーム１が過度に偏向して内
側方向に進行することになるからである。これに対し、
本実施例の走査電圧のように、バイアス信号を加えるこ
とによって、イオンビーム１を全てウエーハに垂直に平
行度良く走査させるには、以下のように動作することに
なる。尚、以下の動作は、Ｈ２電極３・３に着目して説
明するものである。

【００３２】即ち、図２に示すように、第１時間ｔ₀に
おいては、走査電圧が上限および下限の状態になってお
り、バイアス電圧がＧＮＤ電位よりも低下した下限の状
態になっている。これらの電圧が印加されたＨ１電極２
・２は、イオンビーム１を最も偏向させてＨ２電極３・
３方向に進行させることになる。従って、イオンビーム
１のＨ２電極３・３への入射位置は、Ｈ２電極３・３の
電極板に最も近い位置となり、イオンビーム１は、Ｈ２
電極３・３の高電位の影響を受けてエネルギーを低下さ
せることになる。

【００３３】この際、走査電圧と共にバイアス電圧が印
加されたＨ２電極３・３の電位は、走査電圧のみが印加
されたときと比較して、バイアス電圧分低下したものに
なっている。従って、イオンビーム１のエネルギーの低
下量は、走査電圧のみが印加されたときの低下量よりも
少ないものとなり、結果として、Ｈ２電極３・３におけ
るイオンビーム１の通過速度は、走査電圧のみの印加時
よりも増大することになる。これにより、Ｈ２電極３・
３におけるイオンビーム１の偏向角度は、バイアス電圧
により減少することになり、イオンビーム１は、バイア
ス電圧により調整された偏向角度でもってウエーハ方向
に進行することになる。

【００３４】上記の第１時間ｔ₀と同様の動作は、第１
時間ｔ₀から第２時間ｔ₁にかけて、走査電圧およびバ
イアス電圧によるイオンビーム１の偏向量および偏向角
の調整量を減少させながら行なわれることになる。そし
て、第２時間ｔ₁においては、バイアス電圧がＧＮＤ電
位に一致した状態になっているため、走査電圧のみがＨ
１電極２・２およびＨ２電極３・３に印加されることに
なり、イオンビーム１は、走査電圧のみに応じた偏向角
度でもってＨ１電極２・２およびＨ２電極３・３を通過
し、ウエーハ方向に進行することになる。

【００３５】次に、第２時間ｔ₁から第３時間ｔ₂にお
いては、第１時間ｔ₀から第２時間ｔ₁までと類似の動
作となる。但し、第２時間ｔ₁から第３時間ｔ₂にかけ
て走査電圧およびバイアス電圧によるイオンビーム１の
偏向量および偏向角の調整量を増加させながら行なわれ
ることになる。

【００３６】尚、本実施例においては、Ｈ１電極２・２
およびＨ２電極３・３にバイアス電圧を印加するように
なっているが、Ｈ１電極２・２およびＨ２電極３・３の
少なくとも一方にバイアス電圧を印加するようになって
いても良い。但し、この場合には、Ｈ１電極２・２およ
びＨ２電極３・３の何れに印加するかによって印加する
バイアス特性が異なることに注意する必要がある。

【００３７】このように、本実施例のイオン注入装置
は、イオンビーム１のＨ２電極３・３への入射位置にお
ける電位がイオンビーム１のエネルギーを減少させ、こ
のエネルギーの減少がイオンビーム１の偏向角度に誤差
を生じさせることに着目し、入射位置における電位を変
化させて偏向角度を調整するバイアス電圧を走査電圧と
共にＨ１電極２・２およびＨ２電極３・３の少なくとも
一方に印加するようになっている。

【００３８】即ち、イオン注入装置は、最終段の電極対
となるＨ２電極３・３を通過したイオンビームが平行に
走査されるように、Ｈ１電極２・２およびＨ２電極３・
３に走査電圧を印加するバイアス電圧印加手段である波
形発生器６等と、電極対へのイオンビーム１の入射位置
における電位を変化させて偏向角度を調整するバイアス
電圧を少なくとも一つの電極対に印加するバイアス電圧
印加手段であるバイアス電圧発生器１０とを有した構成
になっている。

【００３９】上記の構成によれば、Ｈ１電極２・２およ
びＨ２電極３・３の少なくとも一方をバイアス電圧によ
り任意の電位に変化させることによって、イオンビーム
１のエネルギーの増減量を調整することが可能である。
従って、イオンビーム１のＨ２電極３・３への入射位置
における電位がイオンビーム１のエネルギーを減少或い
は増大させ、このエネルギーの減少或いは増大がイオン
ビーム１の偏向角度に誤差を生じさせる場合でも、この
偏向角度の誤差をバイアス電圧によるイオンビーム１の
エネルギーの減少量或いは増加量の調整により解消させ
ることが可能である。これにより、イオンビーム１が所
望の軌道を進行するように、バイアス電圧を設定するこ
とによって、例えばイオンビーム１の平行度を高める処
理や、ウエーハの仕様に対応した照射角度でもってイオ
ンビーム１をウエーハに照射させる処理が容易に行なえ
ることになる。

【００４０】尚、本実施例におけるイオン注入装置は、
Ｈ１電極２・２およびＨ２電極３・３の二つの電極対に
よりイオンビーム１を走査するようになっているが、こ
れに限定されることはなく、三つ以上の電極対によりイ
オンビーム１を走査するようになっていても良い。

【００４１】

【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、以上のよう
に、複数段の電極対に電圧を印加することによりイオン
ビームを走査するものであり、最終段の電極対を通過し
たイオンビームが平行に走査されるように、上記電極対
に走査電圧を印加する走査電圧印加手段と、電極対への
イオンビームの入射位置における電位を変化させて偏向
角度を調整するバイアス電圧を少なくとも一つの電極対
に印加するバイアス電圧印加手段とを有している構成で
ある。

【００４２】これにより、少なくとも一つの電極対をバ
イアス電圧により任意の電位に変化させることによっ
て、電極対を通過する際のイオンビームのエネルギーの
増減量を調整することが可能であるため、例えばイオン
ビームの平行度を高める処理や、ウエーハの仕様に対応
した照射角度でもってイオンビームをウエーハに照射さ
せる処理が、バイアス電圧を設定することにより容易に
行なえることになるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のイオン注入装置における水平走査用電
源のブロック図である。

【図２】走査電圧とバイアス電圧との関係を示すグラフ
である。

【図３】従来例を示すものであり、走査電圧を示すグラ
フである。

【符号の説明】

１イオンビーム２Ｈ１電極（電極対）３Ｈ２電極（電極対）４Ｖ電極５水平走査用電源６波形発生器（走査電圧印加手段）７走査電源インターフェースユニット（走査電圧印
加手段）８走査信号加算器（バイアス電圧印加手段、走査電
圧印加手段）９走査電源アンプ（バイアス電圧印加手段、走査電
圧印加手段）１０バイアス電圧発生器（バイアス電圧印加手段）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数段の電極対に電圧を印加することによ
りイオンビームを走査するイオン注入装置において、最終段の電極対を通過したイオンビームが平行に走査さ
れるように、上記電極対に走査電圧を印加する走査電圧
印加手段と、電極対へのイオンビームの入射位置における電位を変化
させて偏向角度を調整するバイアス電圧を少なくとも一
つの電極対に印加するバイアス電圧印加手段とを有して
いることを特徴とするイオン注入装置。