JPH0774452A - 回路の短絡と近似短絡の自己誘導修復装置及び方法 - Google Patents
回路の短絡と近似短絡の自己誘導修復装置及び方法Info
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- JPH0774452A JPH0774452A JP3035334A JP3533491A JPH0774452A JP H0774452 A JPH0774452 A JP H0774452A JP 3035334 A JP3035334 A JP 3035334A JP 3533491 A JP3533491 A JP 3533491A JP H0774452 A JPH0774452 A JP H0774452A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H9/00—Machining specially adapted for treating particular metal objects or for obtaining special effects or results on metal objects
- B23H9/06—Marking or engraving
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H3/00—Electrochemical machining, i.e. removing metal by passing current between an electrode and a workpiece in the presence of an electrolyte
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2203/1115—Resistance heating, e.g. by current through the PCB conductors or through a metallic mask
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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Abstract
(57)【要約】
【目的】回路の短絡や近似短絡を人手作業によらず自動
的に修復する。 【構成】橋絡や橋絡残存物といつた欠陥による短絡や近
似短絡のある回路の導線対に、電圧を印加することによ
り、気相又は液相中でこれら欠陥部分に局部的なエツチ
ングを生じさせて、これら欠陥を自己誘導的に除去す
る。また、導線が多数配された回路では、導線を隣接す
るもの同士が同一グループに属さないように４つのグル
ープに分類し、各グループ間で相違する位相の電圧を各
グループに属する全ての導線に供給して、回路上の全て
の欠陥を修復する。
的に修復する。 【構成】橋絡や橋絡残存物といつた欠陥による短絡や近
似短絡のある回路の導線対に、電圧を印加することによ
り、気相又は液相中でこれら欠陥部分に局部的なエツチ
ングを生じさせて、これら欠陥を自己誘導的に除去す
る。また、導線が多数配された回路では、導線を隣接す
るもの同士が同一グループに属さないように４つのグル
ープに分類し、各グループ間で相違する位相の電圧を各
グループに属する全ての導線に供給して、回路上の全て
の欠陥を修復する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子回路の短絡(shor
t)や近似短絡(near-short)を自己誘導的に修復する装置
及び方法に関する。
t)や近似短絡(near-short)を自己誘導的に修復する装置
及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】公知のよ
うに、コンピユータや他の種々な電子システムの性能や
信頼性は今日ではパツケージング技術に大きく依存して
いる。チツプ速度の急激な進歩の結果として、チツプに
接続したワイヤを伝達する信号の時間遅れはコンピユー
タ全体の速度向上への大きな障害となつている。信号の
伝達速度は媒質中における光速を超えることはできない
ので、コンピユータの大きさをできるだけ縮小すること
が必要である。そのため、ワイヤリングの幅や間隔がよ
り更に小さくなり、リソグラフイツク工程における分解
能限界が絶え間なくおし進められている。従つて、回路
の欠陥を除去することはコンピユータや他の種々な電子
システムの性能や信頼性に直接関連する。
うに、コンピユータや他の種々な電子システムの性能や
信頼性は今日ではパツケージング技術に大きく依存して
いる。チツプ速度の急激な進歩の結果として、チツプに
接続したワイヤを伝達する信号の時間遅れはコンピユー
タ全体の速度向上への大きな障害となつている。信号の
伝達速度は媒質中における光速を超えることはできない
ので、コンピユータの大きさをできるだけ縮小すること
が必要である。そのため、ワイヤリングの幅や間隔がよ
り更に小さくなり、リソグラフイツク工程における分解
能限界が絶え間なくおし進められている。従つて、回路
の欠陥を除去することはコンピユータや他の種々な電子
システムの性能や信頼性に直接関連する。
【０００３】本発明の２つの実施例に関する背景を用意
するために、ボードやカードやモジユールに見出される
４種類の欠陥の記述は有用である。これら欠陥は次のも
のから成る。 １．回路の開放(open)、広い間隙又は空所を有する導線
は連続性の検査によつて容易に検出できる。しかしなが
ら、通常、顕微鏡による視覚的観察でその位置の物理的
位置を突き止めることは時間を浪費し経費のかかる作業
である。 ２．近似開放(near-open)、もし、導線の一部分が残り
の部分より細く又は薄くなるようにくびれた場合、破壊
を生じさせるような過大な電流又は機械的疲労によつて
完全に開放される（図１０参照）。部分的に欠陥のある
導線を修復する、１つの方法が米国特許第４９１９９７
１号に開示されている。回路の欠陥位置は比較的大きな
電流によつて熱せられる細いくびれや薄い部分やひびか
ら成つている。電気メツキ工程や電気を用いない焼付け
工程や焼付け付着工程の電熱原理を用いて、導伝材料が
欠陥位置に付着され、それによつて導線の部分的欠陥が
修復される。導線の間隙や回路開放を修復する方法もそ
の出願に開示されている。 ３．回路短絡、この欠陥は導線の全ての組の間の抵抗を
検査することによつて検出できる。修繕するために、導
線対の間の橋絡が視覚的に突き止められて、手作業によ
つて切離又はレーザでの除去がなされる（図１１参
照）。 ４．近似短絡、２本の導線の間の間隙が狭すぎる、すな
わち、不完全な橋絡が存在する場合、これはコンピユー
タの長期間信頼性に影響を及ぼす潜在的な欠陥である。
現在、近似短絡は回路の全範囲を視覚観察することによ
り処置され、集束されたレーザによつて突起を手作業で
取去つている（図１２参照）。
するために、ボードやカードやモジユールに見出される
４種類の欠陥の記述は有用である。これら欠陥は次のも
のから成る。 １．回路の開放(open)、広い間隙又は空所を有する導線
は連続性の検査によつて容易に検出できる。しかしなが
ら、通常、顕微鏡による視覚的観察でその位置の物理的
位置を突き止めることは時間を浪費し経費のかかる作業
である。 ２．近似開放(near-open)、もし、導線の一部分が残り
の部分より細く又は薄くなるようにくびれた場合、破壊
を生じさせるような過大な電流又は機械的疲労によつて
完全に開放される（図１０参照）。部分的に欠陥のある
導線を修復する、１つの方法が米国特許第４９１９９７
１号に開示されている。回路の欠陥位置は比較的大きな
電流によつて熱せられる細いくびれや薄い部分やひびか
ら成つている。電気メツキ工程や電気を用いない焼付け
工程や焼付け付着工程の電熱原理を用いて、導伝材料が
欠陥位置に付着され、それによつて導線の部分的欠陥が
修復される。導線の間隙や回路開放を修復する方法もそ
の出願に開示されている。 ３．回路短絡、この欠陥は導線の全ての組の間の抵抗を
検査することによつて検出できる。修繕するために、導
線対の間の橋絡が視覚的に突き止められて、手作業によ
つて切離又はレーザでの除去がなされる（図１１参
照）。 ４．近似短絡、２本の導線の間の間隙が狭すぎる、すな
わち、不完全な橋絡が存在する場合、これはコンピユー
タの長期間信頼性に影響を及ぼす潜在的な欠陥である。
現在、近似短絡は回路の全範囲を視覚観察することによ
り処置され、集束されたレーザによつて突起を手作業で
取去つている（図１２参照）。
【０００４】本発明は上述したような短絡と近似短絡に
関する。観察や修復のための視覚や手作業の工程、レー
ザ工程は非常に重労働にして退屈で経費のかかるもので
あることは上記した全ての欠陥について明らかである。
欠陥の２つのグループ、すなわち、一方では開放と近似
開放（図１と図２参照）、他方では短絡と近似短絡（図
１１と図１２参照）の間には著しい類似がある。回路短
絡（図１１）は一方の導線から他方の導線へ走る導伝繊
条（橋絡となる）によつて形成され、これは近似開放
（図１０）に類似している。回路短絡の修復工程は短絡
を発生させる繊条又は橋絡を拡張するよりむしろ取去る
ことである。近似短絡（図１２）は連続した導線の間隙
から成る回路開放（図９）と類似している。近似短絡の
修復工程は橋絡残存物の間の間隙を橋渡しするよりむし
ろ拡張することである。短絡や近似短絡で生ずる電気的
現象は開放や近似開放の場合と全く同じである。すなわ
ち、近似短絡の状態の導電繊条（橋絡残存物）には局部
的なジユール熱があり、開放状態の２つの金属片の間の
間隙には電気的な場の局部的な集中がある。それ故、短
絡や近似短絡を修復するための自己誘導修復工程は、後
述でより十分に開示されるように、本発明に従つて、局
部的ジユール効果又は局部的な電気的場の集中により誘
導されたエツチング工程を利用することができる。
関する。観察や修復のための視覚や手作業の工程、レー
ザ工程は非常に重労働にして退屈で経費のかかるもので
あることは上記した全ての欠陥について明らかである。
欠陥の２つのグループ、すなわち、一方では開放と近似
開放（図１と図２参照）、他方では短絡と近似短絡（図
１１と図１２参照）の間には著しい類似がある。回路短
絡（図１１）は一方の導線から他方の導線へ走る導伝繊
条（橋絡となる）によつて形成され、これは近似開放
（図１０）に類似している。回路短絡の修復工程は短絡
を発生させる繊条又は橋絡を拡張するよりむしろ取去る
ことである。近似短絡（図１２）は連続した導線の間隙
から成る回路開放（図９）と類似している。近似短絡の
修復工程は橋絡残存物の間の間隙を橋渡しするよりむし
ろ拡張することである。短絡や近似短絡で生ずる電気的
現象は開放や近似開放の場合と全く同じである。すなわ
ち、近似短絡の状態の導電繊条（橋絡残存物）には局部
的なジユール熱があり、開放状態の２つの金属片の間の
間隙には電気的な場の局部的な集中がある。それ故、短
絡や近似短絡を修復するための自己誘導修復工程は、後
述でより十分に開示されるように、本発明に従つて、局
部的ジユール効果又は局部的な電気的場の集中により誘
導されたエツチング工程を利用することができる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記した全ての欠陥は共
通して１つの事実を有している。すなわち、欠陥のある
導線又は欠陥のある導線間に適当な電流又は電圧を供給
することにより、局部的な電気的現象が正に欠陥位置に
生ずる。例えば、近似開放のある導線に電流を流すこと
により、欠陥位置は導線の正常な部分より熱くなる。こ
れは、細いくびれ部は、導線の他の部分に比較して、単
位長さ当りの高い抵抗と低い熱導伝性を有しているから
である。それで、消散することなく、より多くのジユー
ル熱が発生する。回路開放のある導線に電圧を供給する
ことによつて、もし間隙が狭ければ、電界の強度は間隙
領域に集中される。近似短絡のある２本の導線の間に電
圧を供給することによつて、橋絡残存物の間の最も狭い
間隙の領域は最も高い電界の強度を有する。短絡した導
線の組の間に電圧を供給することによつて、電流が橋絡
部を通して一方の導線から他方の導線へ流れる。ほとん
ど全ての場合において、橋絡は良好な導線に較べてかな
り薄いため、橋絡部は両導線の正常な部分より熱くな
る。
通して１つの事実を有している。すなわち、欠陥のある
導線又は欠陥のある導線間に適当な電流又は電圧を供給
することにより、局部的な電気的現象が正に欠陥位置に
生ずる。例えば、近似開放のある導線に電流を流すこと
により、欠陥位置は導線の正常な部分より熱くなる。こ
れは、細いくびれ部は、導線の他の部分に比較して、単
位長さ当りの高い抵抗と低い熱導伝性を有しているから
である。それで、消散することなく、より多くのジユー
ル熱が発生する。回路開放のある導線に電圧を供給する
ことによつて、もし間隙が狭ければ、電界の強度は間隙
領域に集中される。近似短絡のある２本の導線の間に電
圧を供給することによつて、橋絡残存物の間の最も狭い
間隙の領域は最も高い電界の強度を有する。短絡した導
線の組の間に電圧を供給することによつて、電流が橋絡
部を通して一方の導線から他方の導線へ流れる。ほとん
ど全ての場合において、橋絡は良好な導線に較べてかな
り薄いため、橋絡部は両導線の正常な部分より熱くな
る。
【０００６】本発明は近似短絡や回路短絡として上述し
た種類の欠陥を修復する方法に関する（図１１と図１２
参照）。短絡電流を生じさせるほとんどの橋絡が局部的
な欠陥によつて生ずること、そして、正常な導線よりか
なり小さな断面を有することは認められている。それ
で、互いの間に橋絡を有する一対の導線を通して電流を
流すと、その橋絡が優先的に加熱される。それぞれの導
線の両端を電源に接続すると、たとえ橋絡の断面が導線
自体のそれに匹敵するものであつても、橋絡の優先的な
加熱は生ずる。これらの種類の短絡は自己修復のできる
ものとして注目される。もし橋絡が導線自体より厚けれ
ば、これは自己修復できるものとは思えず、手作業で処
置されるべきものであることは明らかである。
た種類の欠陥を修復する方法に関する（図１１と図１２
参照）。短絡電流を生じさせるほとんどの橋絡が局部的
な欠陥によつて生ずること、そして、正常な導線よりか
なり小さな断面を有することは認められている。それ
で、互いの間に橋絡を有する一対の導線を通して電流を
流すと、その橋絡が優先的に加熱される。それぞれの導
線の両端を電源に接続すると、たとえ橋絡の断面が導線
自体のそれに匹敵するものであつても、橋絡の優先的な
加熱は生ずる。これらの種類の短絡は自己修復のできる
ものとして注目される。もし橋絡が導線自体より厚けれ
ば、これは自己修復できるものとは思えず、手作業で処
置されるべきものであることは明らかである。
【０００７】近似短絡の修復において、ガス雰囲気中に
置かれた一対の導線にわたつて高い交流電圧が供給され
ると、導線間の最も狭い間隙で白熱光を発する局部的な
放電が生ずる。結果として、近似短絡の両側でプラズマ
エツチングが生ずる。本発明は、ガス放電の破壊電圧は
電極間の圧力と間隔の積に依存する(Paschen's law)と
いう周知の科学的原理を利用している。例えば、所定の
圧力において、破壊電圧は間隙の幅に比例する。破壊電
圧は間隔のほぼ１次関数であるので、電圧の振幅を序々
に上げることによつて、ある点で、白熱光を発する放電
が最も悪い近似短絡の正にその個所で発生する。その電
圧値は最小の間隔の幅と取りまくガスの性質に依存す
る。近似短絡の両端の均整のとれたエツチングが促進さ
れるため、交流電圧が好ましい。
置かれた一対の導線にわたつて高い交流電圧が供給され
ると、導線間の最も狭い間隙で白熱光を発する局部的な
放電が生ずる。結果として、近似短絡の両側でプラズマ
エツチングが生ずる。本発明は、ガス放電の破壊電圧は
電極間の圧力と間隔の積に依存する(Paschen's law)と
いう周知の科学的原理を利用している。例えば、所定の
圧力において、破壊電圧は間隙の幅に比例する。破壊電
圧は間隔のほぼ１次関数であるので、電圧の振幅を序々
に上げることによつて、ある点で、白熱光を発する放電
が最も悪い近似短絡の正にその個所で発生する。その電
圧値は最小の間隔の幅と取りまくガスの性質に依存す
る。近似短絡の両端の均整のとれたエツチングが促進さ
れるため、交流電圧が好ましい。
【０００８】加えて、近似短絡はエツチング溶液を用い
て修復することができる。近似短絡のある一対の導線
（すなわち、これらの間に橋絡残存物を有している）に
わたつて電圧を供給することにより、これら２本の導線
の間の間隔の最も狭い点で電界が集中される。溶液を通
る電流はその領域で集中される。電気化学反応又は近似
短絡の端における熱効果のいずれによつても、エツチン
グ速度は他のどこよりもかなり高い。それ故、不要な金
属だけがこの自己誘導された優先的なエツチングによつ
て除去される。入り組んだ導線を除いては、欠陥の物理
的位置を確認する必要がないので、本発明の工程は自己
整合的である。それはまた、一度症状が除去されると、
工程は自身によつて終了するので、自己制限的である。
更に、本発明は基板上の導線間の橋絡に起因する電気回
路短絡の多数を同時に修復する方法を企図している。す
なわち、隣接した導線が同じグループに属さないように
導線を分類する工程を含み、それぞれのグループでそれ
ぞれの導線に電気的に接続する電気的接続手段をそれぞ
れのグループに供給し、そして、電気的接続手段の選択
された組の間に適当な電圧を、それぞれの組に行き渡る
まで、継続して供給する。電圧は、橋絡の温度を導線の
それより大きくし、そのため、橋絡が開くまで温度反応
するエツチング工程の手段で橋絡を局部的にエツチング
するに、十分なものである。
て修復することができる。近似短絡のある一対の導線
（すなわち、これらの間に橋絡残存物を有している）に
わたつて電圧を供給することにより、これら２本の導線
の間の間隔の最も狭い点で電界が集中される。溶液を通
る電流はその領域で集中される。電気化学反応又は近似
短絡の端における熱効果のいずれによつても、エツチン
グ速度は他のどこよりもかなり高い。それ故、不要な金
属だけがこの自己誘導された優先的なエツチングによつ
て除去される。入り組んだ導線を除いては、欠陥の物理
的位置を確認する必要がないので、本発明の工程は自己
整合的である。それはまた、一度症状が除去されると、
工程は自身によつて終了するので、自己制限的である。
更に、本発明は基板上の導線間の橋絡に起因する電気回
路短絡の多数を同時に修復する方法を企図している。す
なわち、隣接した導線が同じグループに属さないように
導線を分類する工程を含み、それぞれのグループでそれ
ぞれの導線に電気的に接続する電気的接続手段をそれぞ
れのグループに供給し、そして、電気的接続手段の選択
された組の間に適当な電圧を、それぞれの組に行き渡る
まで、継続して供給する。電圧は、橋絡の温度を導線の
それより大きくし、そのため、橋絡が開くまで温度反応
するエツチング工程の手段で橋絡を局部的にエツチング
するに、十分なものである。
【０００９】本発明によれば、基板上の導線間の橋絡に
起因する電気回路短絡の修復のための装置も提供され
る。この装置は導線のそれぞれに電気的接続させる手段
を含んでいる。分類手段は、隣接する導線が同じグルー
プに属さないように、導線を４つの別個のグループに分
別する。更に、分類手段はそれぞれのグループへ独立し
た電気的接続手段を供給する。電気的接続手段のそれぞ
れはそれぞれのグループのそれぞれの導線に延びてい
る。電気的エネルギ手段は電気的接続手段の選択された
組の間に、それぞれの組に少なくとも１回は電圧が供給
されるまで、適当な電圧を継続して供給する。その電圧
は、橋絡の温度を導線の温度より大きくし、そして、橋
絡が電気的に開放するまで温度反応するエツチング工程
の手段によつて橋絡を局部的にエツチングするに十分な
ものである。上記方法を上記装置に従つて、それぞれの
電気的接続手段は交流電源の４つの位相の内の１つの位
相に接続される。それぞれの位相は他の位相と異なる時
間に電圧パルスを供給する。分類手段はプログラム可能
なスイツチのアレイと接続ピンのアレイを含んでも良
い。それぞれのピンは導線の内の１つに接続するために
用いられ、そして、電気的接続手段の内の１つに電気的
に接続される。
起因する電気回路短絡の修復のための装置も提供され
る。この装置は導線のそれぞれに電気的接続させる手段
を含んでいる。分類手段は、隣接する導線が同じグルー
プに属さないように、導線を４つの別個のグループに分
別する。更に、分類手段はそれぞれのグループへ独立し
た電気的接続手段を供給する。電気的接続手段のそれぞ
れはそれぞれのグループのそれぞれの導線に延びてい
る。電気的エネルギ手段は電気的接続手段の選択された
組の間に、それぞれの組に少なくとも１回は電圧が供給
されるまで、適当な電圧を継続して供給する。その電圧
は、橋絡の温度を導線の温度より大きくし、そして、橋
絡が電気的に開放するまで温度反応するエツチング工程
の手段によつて橋絡を局部的にエツチングするに十分な
ものである。上記方法を上記装置に従つて、それぞれの
電気的接続手段は交流電源の４つの位相の内の１つの位
相に接続される。それぞれの位相は他の位相と異なる時
間に電圧パルスを供給する。分類手段はプログラム可能
なスイツチのアレイと接続ピンのアレイを含んでも良
い。それぞれのピンは導線の内の１つに接続するために
用いられ、そして、電気的接続手段の内の１つに電気的
に接続される。
【００１０】回路の短絡及び近似短絡を修復するための
自動的な方法に関する本発明は、回路導線間の細い橋絡
又は橋絡の残存物(remnant)に適用する。一対の導線に
わたつて電圧を供給すると、短絡又は近似短絡の領域に
或る電気的現象が起こる。このように発生した電気的現
象は、実施例に応じて気相又は液相の媒質中で局部的な
エツチングを誘導する。
自動的な方法に関する本発明は、回路導線間の細い橋絡
又は橋絡の残存物(remnant)に適用する。一対の導線に
わたつて電圧を供給すると、短絡又は近似短絡の領域に
或る電気的現象が起こる。このように発生した電気的現
象は、実施例に応じて気相又は液相の媒質中で局部的な
エツチングを誘導する。
【００１１】特に、本発明は２つの実施例を包含してい
る。第１の実施例は、２つの方法（Ａ）（Ｂ）を包含す
る回路の近似短絡の修復を説示している。（Ａ）ガスチ
ヤンバ内における乾式方法であり、チヤンバ内では、高
電圧（すなわち、１００−５００Ｖ）が、２本の導線の
間の間隙の最も狭い点で、不要な金属をエツチ除去して
間隙を広げる反応性イオンを発生させる局部的な放電
（マイクロプラズマ）を発生させる。（Ｂ）温度又は電
流あるいはこれら両方に敏感なエツチング速度を有する
エツチング溶液を用いた湿式方法であり、そして、不要
な金属をエツチ除去して間隙を広げる非常に高い電流集
中の領域が結果的に発生する２本の導線の間の間隙の最
も狭い点に、高い電界集中が生ずるように或る電圧をこ
れら２本の導線の間に供給する。
る。第１の実施例は、２つの方法（Ａ）（Ｂ）を包含す
る回路の近似短絡の修復を説示している。（Ａ）ガスチ
ヤンバ内における乾式方法であり、チヤンバ内では、高
電圧（すなわち、１００−５００Ｖ）が、２本の導線の
間の間隙の最も狭い点で、不要な金属をエツチ除去して
間隙を広げる反応性イオンを発生させる局部的な放電
（マイクロプラズマ）を発生させる。（Ｂ）温度又は電
流あるいはこれら両方に敏感なエツチング速度を有する
エツチング溶液を用いた湿式方法であり、そして、不要
な金属をエツチ除去して間隙を広げる非常に高い電流集
中の領域が結果的に発生する２本の導線の間の間隙の最
も狭い点に、高い電界集中が生ずるように或る電圧をこ
れら２本の導線の間に供給する。
【００１２】第２の実施例は回路短絡の修復を説示して
おり、これは次の２つの方法を包含している。（Ａ）化
学反応に従属する温度を利用した気相を用いる乾式方
法。（Ｂ）湿式エツチング反応に従属する温度を利用し
た液相を用いる湿式方法。短絡の修復は橋絡が壊れるま
で自動的に速度が早くなる自己増強工程であり、橋絡の
破壊の時に自動的に停止する。ここで、間隙は一般的に
あまりに狭い。それで、第１の実施例に記載されるよう
に近似短絡として扱われる。
おり、これは次の２つの方法を包含している。（Ａ）化
学反応に従属する温度を利用した気相を用いる乾式方
法。（Ｂ）湿式エツチング反応に従属する温度を利用し
た液相を用いる湿式方法。短絡の修復は橋絡が壊れるま
で自動的に速度が早くなる自己増強工程であり、橋絡の
破壊の時に自動的に停止する。ここで、間隙は一般的に
あまりに狭い。それで、第１の実施例に記載されるよう
に近似短絡として扱われる。
【００１３】
【実施例】詳しくは、本発明の自己誘導修復工程は一対
の導線を回路短絡させる薄い橋絡のエツチ除去のために
設計されている。一対の導線を通して橋絡に電流を流す
ことにより、薄い橋絡は選択的に加熱される。もし、橋
絡又は短絡のある導線を有する回路基板が、温度に敏感
なエツチング速度を有するエツチング環境（気相又は液
相）に置かれると、橋絡は選択的にエツチされる。工程
が進むに従つて、橋絡は細くなる。局部的な加熱は強化
される。結局、橋絡は破壊され、そして、回路短絡は除
去され、すなわち、橋絡は開放される。通常間隙は商業
的目的にとつて狭すぎるため、間隙は近似短絡として考
えられる。同様な自己誘導機構を用いた更なるエツチン
グは回路を信頼性あるものとするために要求される。局
部的に制限されたエツチングのために用いることができ
る２種類の工程は湿式と乾式エツチング工程である。湿
式工程はある溶液のエツチング速度の温度依存性を利用
している。本発明に関して、用いることができるエツチ
ヤントは、導線を構成する金属（通常は銅）を室温では
大へんゆつくりエツチするが、高い温度、例えば６０〜
７０℃では実質的により速くエツチする物質である。例
えば、室温（２０℃）において、希硫酸（１０〜２０wg
t％）は銅を大へんゆつくり浸食するが、７０℃におい
ては、エツチング速度は室温におけるよりも少なくとも
３００倍高い。
の導線を回路短絡させる薄い橋絡のエツチ除去のために
設計されている。一対の導線を通して橋絡に電流を流す
ことにより、薄い橋絡は選択的に加熱される。もし、橋
絡又は短絡のある導線を有する回路基板が、温度に敏感
なエツチング速度を有するエツチング環境（気相又は液
相）に置かれると、橋絡は選択的にエツチされる。工程
が進むに従つて、橋絡は細くなる。局部的な加熱は強化
される。結局、橋絡は破壊され、そして、回路短絡は除
去され、すなわち、橋絡は開放される。通常間隙は商業
的目的にとつて狭すぎるため、間隙は近似短絡として考
えられる。同様な自己誘導機構を用いた更なるエツチン
グは回路を信頼性あるものとするために要求される。局
部的に制限されたエツチングのために用いることができ
る２種類の工程は湿式と乾式エツチング工程である。湿
式工程はある溶液のエツチング速度の温度依存性を利用
している。本発明に関して、用いることができるエツチ
ヤントは、導線を構成する金属（通常は銅）を室温では
大へんゆつくりエツチするが、高い温度、例えば６０〜
７０℃では実質的により速くエツチする物質である。例
えば、室温（２０℃）において、希硫酸（１０〜２０wg
t％）は銅を大へんゆつくり浸食するが、７０℃におい
ては、エツチング速度は室温におけるよりも少なくとも
３００倍高い。
【００１４】本発明の実施例の内の１つを理解するため
に、短絡のある回路の溶液を用いた修復を示すシステム
の遠視図である図１を参照する。より詳しくは、図１は
エツチング溶液を入れた容器１を示している。導線５が
形成された基板３がエツチング溶液３の中に浸されてお
り、それぞれの導線５は２つの端子４を有している。こ
れら導線５は、この例では、短絡（橋絡）６である欠陥
によつて接続されている。プローブ１１がそれぞれの導
線５の端子４に接続されている。この２つのプローブは
電源７、交流電圧計８、交流電流計９を通してワイヤ１
０により相互に接続されている。導線５を通して電流を
流すと、橋絡６に熱が発生し、溶解が始まる。橋絡の最
も細い部分がエツチされるので、局部的な抵抗が増大
し、これによつて、局部的な加熱が強められて、局部的
なエツチング工程が加速される。この最も細い部分にお
けるエツチング工程は指数関数的に進行して結局は完全
な開放になる。このエツチングの程度によつて、工程が
終了するか、又は、近似短絡に関する後述する工程が始
まる。
に、短絡のある回路の溶液を用いた修復を示すシステム
の遠視図である図１を参照する。より詳しくは、図１は
エツチング溶液を入れた容器１を示している。導線５が
形成された基板３がエツチング溶液３の中に浸されてお
り、それぞれの導線５は２つの端子４を有している。こ
れら導線５は、この例では、短絡（橋絡）６である欠陥
によつて接続されている。プローブ１１がそれぞれの導
線５の端子４に接続されている。この２つのプローブは
電源７、交流電圧計８、交流電流計９を通してワイヤ１
０により相互に接続されている。導線５を通して電流を
流すと、橋絡６に熱が発生し、溶解が始まる。橋絡の最
も細い部分がエツチされるので、局部的な抵抗が増大
し、これによつて、局部的な加熱が強められて、局部的
なエツチング工程が加速される。この最も細い部分にお
けるエツチング工程は指数関数的に進行して結局は完全
な開放になる。このエツチングの程度によつて、工程が
終了するか、又は、近似短絡に関する後述する工程が始
まる。
【００１５】図２は回路短絡の乾式の自己誘導修復を示
している。図２は内部にエツチングガス２を収容してい
るチヤンバ１を示している。このチヤンバはまた、それ
ぞれ２つの端子４を有する導線５が設けられている基板
３を収容している。これら導線５は欠陥すなわち橋絡６
で接続されている。上記図１に示したシステムにおける
場合のように、このシステムは２つのプローブ１１を有
しており、これらプローブのそれぞれはそれぞれの導線
５の端子４に接線され、互いに電源７、交流電圧計８及
び交流電流計９を通してワイヤ１０で接続されている。
本発明の実施例に都合良く用いることができるエツチン
グガスの例として、熱を加えると橋絡６で活発なエツチ
ング反応を生ずる臭素ガスがある。
している。図２は内部にエツチングガス２を収容してい
るチヤンバ１を示している。このチヤンバはまた、それ
ぞれ２つの端子４を有する導線５が設けられている基板
３を収容している。これら導線５は欠陥すなわち橋絡６
で接続されている。上記図１に示したシステムにおける
場合のように、このシステムは２つのプローブ１１を有
しており、これらプローブのそれぞれはそれぞれの導線
５の端子４に接線され、互いに電源７、交流電圧計８及
び交流電流計９を通してワイヤ１０で接続されている。
本発明の実施例に都合良く用いることができるエツチン
グガスの例として、熱を加えると橋絡６で活発なエツチ
ング反応を生ずる臭素ガスがある。
【００１６】上記から判るように、多くの場合、短絡の
修復は近似短絡の性質を呈する処理の後に短絡欠陥の形
状に依存して終了する。従つて、回路を十分に修復する
ために、後述する近似短絡の修復のための処理が用いら
れるべきである。例えば、上記のように図１に基づいて
記載された湿式エツチング工程において、ジユール工程
は完全な開放が形成された時に終了する。しかしなが
ら、もし導線対にある電圧が供給されていれば、エツチ
ング工程は継続する。橋絡の残存物は高電界集中領域を
形成し、結果として、非常に高い電流集中領域を発生さ
せる。これは局部的な電解エツチング又は局部的な加熱
あるいはこれら両方を上記残存物の両方の端に誘導し、
間隙を大きくする。元来の近似短絡にとつて、この工程
は同じく効果的に作用する。
修復は近似短絡の性質を呈する処理の後に短絡欠陥の形
状に依存して終了する。従つて、回路を十分に修復する
ために、後述する近似短絡の修復のための処理が用いら
れるべきである。例えば、上記のように図１に基づいて
記載された湿式エツチング工程において、ジユール工程
は完全な開放が形成された時に終了する。しかしなが
ら、もし導線対にある電圧が供給されていれば、エツチ
ング工程は継続する。橋絡の残存物は高電界集中領域を
形成し、結果として、非常に高い電流集中領域を発生さ
せる。これは局部的な電解エツチング又は局部的な加熱
あるいはこれら両方を上記残存物の両方の端に誘導し、
間隙を大きくする。元来の近似短絡にとつて、この工程
は同じく効果的に作用する。
【００１７】近似短絡を修復するため、気相の自己誘導
エツチングは湿式の工程よりも有利な点がある。高圧の
ガス、例えば７６０Torrのアルゴン、が満されたチヤン
バに回路板を入れ、近似短絡のある一対の導線を電源に
接続し、電圧を序々に上げることによつて、最も狭い間
隙に局部的なプラズマが発生する。放電プロセスは極め
て非線形的であるので、このプラズマは極めて局部的に
制限される。エツチングは橋絡残存物を構成する金属の
２つの端で発生し、その間隙を広げる。チヤンバ内で反
応性イオンを発生する幾つかのガスを混ぜて上記のよう
に電圧を供給することにより、エツチングはより効果的
になり、生成物は揮発されることができる。例えばアル
ゴンにＣＦ３Ｂｒを混ぜることにより、銅と反応して揮
発性の臭化銅を生成する臭素原子（イオンと同じように
活性化された原子）が発生する。
エツチングは湿式の工程よりも有利な点がある。高圧の
ガス、例えば７６０Torrのアルゴン、が満されたチヤン
バに回路板を入れ、近似短絡のある一対の導線を電源に
接続し、電圧を序々に上げることによつて、最も狭い間
隙に局部的なプラズマが発生する。放電プロセスは極め
て非線形的であるので、このプラズマは極めて局部的に
制限される。エツチングは橋絡残存物を構成する金属の
２つの端で発生し、その間隙を広げる。チヤンバ内で反
応性イオンを発生する幾つかのガスを混ぜて上記のよう
に電圧を供給することにより、エツチングはより効果的
になり、生成物は揮発されることができる。例えばアル
ゴンにＣＦ３Ｂｒを混ぜることにより、銅と反応して揮
発性の臭化銅を生成する臭素原子（イオンと同じように
活性化された原子）が発生する。
【００１８】近似短絡を有する回路の修復に用いられる
システムが図３に示されている。図３は、システムの透
視図であり、内部にエツチング溶液２を収容する容器１
を示している。それぞれが２つの端子４を有する導線５
が形成されている基板３が容器１のエツチング溶液２に
浸されている。実質的に平行な導線５は、間隔妨害又は
一方の導線から他方の導線へ延びる橋絡残存物に起因す
る近似短絡を有している。図１で上記したようにプロー
ブ１１がそれぞれの導線５の１つの端子４に接続した状
態で溶液中に設置され、回路として交流電圧計８と交流
電流計９を有する電源７を通してワイヤ１０で互いに接
続されている。
システムが図３に示されている。図３は、システムの透
視図であり、内部にエツチング溶液２を収容する容器１
を示している。それぞれが２つの端子４を有する導線５
が形成されている基板３が容器１のエツチング溶液２に
浸されている。実質的に平行な導線５は、間隔妨害又は
一方の導線から他方の導線へ延びる橋絡残存物に起因す
る近似短絡を有している。図１で上記したようにプロー
ブ１１がそれぞれの導線５の１つの端子４に接続した状
態で溶液中に設置され、回路として交流電圧計８と交流
電流計９を有する電源７を通してワイヤ１０で互いに接
続されている。
【００１９】近似短絡を修復するための方法に従つて、
プローブ１１を通して一対の導線に電圧が印加される。
橋絡６の残存物は、結果的に非常に高い電流集中領域を
発生させる高い電界集中領域を形成する。これは橋絡残
存物６の両端で局部的な電解エツチングを誘導し、間隔
を大きくする。用いることができる溶液の一例としては
希硫酸である。近似短絡を修復する上記湿式方法におい
て用いられる溶液は、金属の表面を電解エツチする能力
又は高温すなわち６０〜７０℃でより高いエツチング速
度あるいは、これら両者を有する必要がある。
プローブ１１を通して一対の導線に電圧が印加される。
橋絡６の残存物は、結果的に非常に高い電流集中領域を
発生させる高い電界集中領域を形成する。これは橋絡残
存物６の両端で局部的な電解エツチングを誘導し、間隔
を大きくする。用いることができる溶液の一例としては
希硫酸である。近似短絡を修復する上記湿式方法におい
て用いられる溶液は、金属の表面を電解エツチする能力
又は高温すなわち６０〜７０℃でより高いエツチング速
度あるいは、これら両者を有する必要がある。
【００２０】近似短絡を修復する方法の他の実施例が図
４に示されている。図４には内部にエツチングガス２を
収容するチヤンバ１が示されている。用いることができ
るエツチングガスの一例として、Ａｒ(７６０torr)に任
意的に数torrのＣＦ３Ｂｒ又はＢｒ２を混ぜたものがあ
る。それぞれ端子４を有した導線５が設けられている基
板３がチヤンバ１の中にエツチングガス２と接触した状
態で設置されている。近似短絡又は橋絡残存物から成る
欠陥は導線５の間の位置６に位置している。回路はチヤ
ンバを通して導線５の端子４へ伸びるプローブ１１に接
線されており、これらプローブは電源７、交流電圧計８
及び交流電流計９を通してワイヤ１０により互いに接続
されている。このシステムは、上記した混合ガスを高
圧、例えば７６０torrでチヤンバに満すこと、近似短絡
のある導線５の対を電源７に接続すること、最も狭い間
隙で局部的なプラズマが発生するように電圧を序々に上
げることを包含する。放電工程は極めて非線形的である
ので、プラズマは極めて局部的に制限される。エツチン
グは近似短絡６の金属の２つの端で生ずる。
４に示されている。図４には内部にエツチングガス２を
収容するチヤンバ１が示されている。用いることができ
るエツチングガスの一例として、Ａｒ(７６０torr)に任
意的に数torrのＣＦ３Ｂｒ又はＢｒ２を混ぜたものがあ
る。それぞれ端子４を有した導線５が設けられている基
板３がチヤンバ１の中にエツチングガス２と接触した状
態で設置されている。近似短絡又は橋絡残存物から成る
欠陥は導線５の間の位置６に位置している。回路はチヤ
ンバを通して導線５の端子４へ伸びるプローブ１１に接
線されており、これらプローブは電源７、交流電圧計８
及び交流電流計９を通してワイヤ１０により互いに接続
されている。このシステムは、上記した混合ガスを高
圧、例えば７６０torrでチヤンバに満すこと、近似短絡
のある導線５の対を電源７に接続すること、最も狭い間
隙で局部的なプラズマが発生するように電圧を序々に上
げることを包含する。放電工程は極めて非線形的である
ので、プラズマは極めて局部的に制限される。エツチン
グは近似短絡６の金属の２つの端で生ずる。
【００２１】ガスチヤンバにおいて反応性イオンを発生
するある種類のガスを混ぜること、エツチングがより能
率的になされ、そして、反応生成物が揮発するように電
圧を加えることは好ましいことである。例えば、アルゴ
ンにＣＦ３Ｂｒを混ぜることによつて、銅と反応して揮
発性の臭化銅を生成する臭素原子（イオンと同じように
活性化された原子）が発生する。室温では臭素ガスは銅
と非常にゆつくり反応するが、８０℃では反応は活発に
なり、反応生成物が少し揮発的となるので、乾式の処置
は同じような温度依存を利用している。本発明は後述す
る例で例示される。
するある種類のガスを混ぜること、エツチングがより能
率的になされ、そして、反応生成物が揮発するように電
圧を加えることは好ましいことである。例えば、アルゴ
ンにＣＦ３Ｂｒを混ぜることによつて、銅と反応して揮
発性の臭化銅を生成する臭素原子（イオンと同じように
活性化された原子）が発生する。室温では臭素ガスは銅
と非常にゆつくり反応するが、８０℃では反応は活発に
なり、反応生成物が少し揮発的となるので、乾式の処置
は同じような温度依存を利用している。本発明は後述す
る例で例示される。
【００２２】本発明をより明確に理解するために、以下
の例が示されている。 例１ 互いの間に橋絡１３を有する平行な銅導線１１、１２が
図５に概要が示されるこの実験の目的のために配設され
ている。そして、電流（Ｉ）が導線１４、１５から導線
１１、橋絡１３、そして導線１２、導線１６、１７を通
つて流れている。橋絡１３は隣接する導線１１、１２よ
り熱があることが観察された。希硫酸は室温では銅と非
常にゆつくり反応するが、例えば、９０℃という高温で
は反応速度は極めて速くなるということを実行して、希
釈されたＨ２ＳＯ４が橋絡１３に対して用いられた。一
対の導線を通して電流を流した結果、橋絡１３の最も細
い部分が溶解し始める。首部の最も細い部分がエツチさ
れるに従つて、局部的な抵抗値が増加した。局部的な加
熱が強まり、これによつて局部的なエツチ工程が加速さ
れた。最も細い部分のエツチング工程は完全な開放とな
るように指数関数的に促進された。事実、付加的な湿式
工程テストで、近似開放が一例では完全な導線になり、
他の例では完全な開放になつた。結果は溶液の混合と電
流の強さに依存していた。橋絡が破壊された後にも溶液
は作用するので、エツチング工程は間隙の最も狭い領域
で続き、導線の縁を更に離した。
の例が示されている。 例１ 互いの間に橋絡１３を有する平行な銅導線１１、１２が
図５に概要が示されるこの実験の目的のために配設され
ている。そして、電流（Ｉ）が導線１４、１５から導線
１１、橋絡１３、そして導線１２、導線１６、１７を通
つて流れている。橋絡１３は隣接する導線１１、１２よ
り熱があることが観察された。希硫酸は室温では銅と非
常にゆつくり反応するが、例えば、９０℃という高温で
は反応速度は極めて速くなるということを実行して、希
釈されたＨ２ＳＯ４が橋絡１３に対して用いられた。一
対の導線を通して電流を流した結果、橋絡１３の最も細
い部分が溶解し始める。首部の最も細い部分がエツチさ
れるに従つて、局部的な抵抗値が増加した。局部的な加
熱が強まり、これによつて局部的なエツチ工程が加速さ
れた。最も細い部分のエツチング工程は完全な開放とな
るように指数関数的に促進された。事実、付加的な湿式
工程テストで、近似開放が一例では完全な導線になり、
他の例では完全な開放になつた。結果は溶液の混合と電
流の強さに依存していた。橋絡が破壊された後にも溶液
は作用するので、エツチング工程は間隙の最も狭い領域
で続き、導線の縁を更に離した。
【００２３】例２ 上記例１で記載した回路配置を用いて、そして、室温で
は臭素ガスは銅とゆつくり反応するが高温ではその反応
は活発になることを実行して、図５の例がＢｒ２を収容
するガスチヤンバ（図示せず）内に設置された。電流が
一対の導線１１、１２を通して流された。この例では、
欠陥のある位置は、溶液の沸点が温度が上昇できる範囲
を制限する例１の溶液中におけるよりも、かなり高温に
加熱された。効果的なエツチング工程が橋絡１３の最も
細い点で生じた。このエツチング工程はまた、完全な開
放で終了して自動的に停止するという点で、自己増強的
であつた。また、この乾式工程ではＣＦ３ＢｒとＣＦ３
Ｃ が効果的に用いられた。
は臭素ガスは銅とゆつくり反応するが高温ではその反応
は活発になることを実行して、図５の例がＢｒ２を収容
するガスチヤンバ（図示せず）内に設置された。電流が
一対の導線１１、１２を通して流された。この例では、
欠陥のある位置は、溶液の沸点が温度が上昇できる範囲
を制限する例１の溶液中におけるよりも、かなり高温に
加熱された。効果的なエツチング工程が橋絡１３の最も
細い点で生じた。このエツチング工程はまた、完全な開
放で終了して自動的に停止するという点で、自己増強的
であつた。また、この乾式工程ではＣＦ３ＢｒとＣＦ３
Ｃ が効果的に用いられた。
【００２４】例３ 上記例１と２で記載した処理により得られた導線の欠陥
の間に形成された間隙は、ある例では、たいへん狭くて
近似短絡（図１２参照）とみなされる。同様な液相の工
程（すなわち、ここに記載されるＳＩＲ近似短絡工程）
が間隙を必要とされる大きさに広げるために用いられ
た。Ａｒとこれに釣り合つて選ばれた混合ガスであるＣ
Ｆ３Ｂｒを用いて、全短絡が開放した後にガス交換する
ことにより、近似短絡と短絡の修復の全工程が単一の電
気的装置を用いた同じチヤンバ内で選択的に達成され
た。湿式の自己誘導修復すなわち上記のエツチング工程
において、加熱工程は完全な開放が生じた時に終了す
る。しかしながら、もし約１ボルト又はそれ以下の電圧
が導線対に供給されていれば、エツチング工程は継続す
る。橋絡残存物は高電界集中の領域を形成し、これは極
めて高い電流集中の領域を形成する。これはこれら残存
物の両方の端に局部的な電解エツチングを誘導し、間隙
をより大きくする。
の間に形成された間隙は、ある例では、たいへん狭くて
近似短絡（図１２参照）とみなされる。同様な液相の工
程（すなわち、ここに記載されるＳＩＲ近似短絡工程）
が間隙を必要とされる大きさに広げるために用いられ
た。Ａｒとこれに釣り合つて選ばれた混合ガスであるＣ
Ｆ３Ｂｒを用いて、全短絡が開放した後にガス交換する
ことにより、近似短絡と短絡の修復の全工程が単一の電
気的装置を用いた同じチヤンバ内で選択的に達成され
た。湿式の自己誘導修復すなわち上記のエツチング工程
において、加熱工程は完全な開放が生じた時に終了す
る。しかしながら、もし約１ボルト又はそれ以下の電圧
が導線対に供給されていれば、エツチング工程は継続す
る。橋絡残存物は高電界集中の領域を形成し、これは極
めて高い電流集中の領域を形成する。これはこれら残存
物の両方の端に局部的な電解エツチングを誘導し、間隙
をより大きくする。
【００２５】橋絡の位置に選択的に特別の加熱を行うこ
とに起因する本発明の利点は、周知の４色理論（Ｆour
−Ｃolor Ｔheorem）との組み合せで本発明の発見を用
いることにより、更に増強されることができる。前記組
み合せにより、短絡と近似短絡の検査と修復の費用を大
幅に引き下げることができる。上記４色理論は、２つの
隣接した国を同じ色でないように平面地図を彩色するの
に４色で十分であると述べている（Ｋ.Ａppelと、 Ｗ.Ｈ
aken、 ＳcientificＡmerican、 １９７７年９月、pp４２
９−４９０）。もし平面基板上の複数の導線のそれぞれ
を国と考えれば、４色理論は、基板上の間隙部分のそれ
ぞれが異なるグループに属する２つの導線によつて境界
づけられるように全ての導線を４つのグループに分類す
ることは常に可能であることを意味している。
とに起因する本発明の利点は、周知の４色理論（Ｆour
−Ｃolor Ｔheorem）との組み合せで本発明の発見を用
いることにより、更に増強されることができる。前記組
み合せにより、短絡と近似短絡の検査と修復の費用を大
幅に引き下げることができる。上記４色理論は、２つの
隣接した国を同じ色でないように平面地図を彩色するの
に４色で十分であると述べている（Ｋ.Ａppelと、 Ｗ.Ｈ
aken、 ＳcientificＡmerican、 １９７７年９月、pp４２
９−４９０）。もし平面基板上の複数の導線のそれぞれ
を国と考えれば、４色理論は、基板上の間隙部分のそれ
ぞれが異なるグループに属する２つの導線によつて境界
づけられるように全ての導線を４つのグループに分類す
ることは常に可能であることを意味している。
【００２６】４色理論の結果により、図６に描かれてい
る時間関係をもつたＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの位相のパル
ス出力を有する４位相電源によつて、検査と修復の全て
の仕事を行うことができる。それぞれの位相は電気的導
線に接続されて、１つのグループ内の全ての導線に接続
される。導線間の電圧の差が図７に示されている。示さ
れるように、パルスの交流的連鎖が導線のそれぞれの対
の間、すなわち行間のそれぞれの部分に加えられる。回
路短絡が存在する所のどこでも、電流は検出される。も
し、全ての短絡が本発明の方法によつて自己修復可能な
ものであれば、電流の適当な組を流すことによつて、全
ての短絡はガスチヤンバ又はエツチングタンク内で除去
される。そして、近似短絡の自己誘導修復工程が開始さ
れる。これは全ての近似短絡が除去されるまで続行す
る。
る時間関係をもつたＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの位相のパル
ス出力を有する４位相電源によつて、検査と修復の全て
の仕事を行うことができる。それぞれの位相は電気的導
線に接続されて、１つのグループ内の全ての導線に接続
される。導線間の電圧の差が図７に示されている。示さ
れるように、パルスの交流的連鎖が導線のそれぞれの対
の間、すなわち行間のそれぞれの部分に加えられる。回
路短絡が存在する所のどこでも、電流は検出される。も
し、全ての短絡が本発明の方法によつて自己修復可能な
ものであれば、電流の適当な組を流すことによつて、全
ての短絡はガスチヤンバ又はエツチングタンク内で除去
される。そして、近似短絡の自己誘導修復工程が開始さ
れる。これは全ての近似短絡が除去されるまで続行す
る。
【００２７】図８は電子回路に存在する全ての短絡と近
似短絡を修復するための装置を概略的に示している。但
し、この回路は非常に多くの欠陥を含んでいるので、電
流を流した時に欠陥の優先的な加熱が生じない。エツチ
ング液２Ａを内部に有している容器１Ａは基板３Ａを収
容しており、この基板は電気的絶縁材料から成る平面的
な表面１８上に多数の導線（図示せず）を有している。
それぞれの導線は、電気的絶縁材料から成るプローブキ
ヤリア２０から伸びている電気的接続プローブ１１Ａの
少なくとも１つに接続されている。プローブキヤリア２
０とプローブ１１Ａの組み合せは鋲床(bed of nails)と
して技術的に知られている。これは、修復されるべきそ
れぞれ異なる基板３Ａに対して、導線の独特な形に応じ
て作られる。
似短絡を修復するための装置を概略的に示している。但
し、この回路は非常に多くの欠陥を含んでいるので、電
流を流した時に欠陥の優先的な加熱が生じない。エツチ
ング液２Ａを内部に有している容器１Ａは基板３Ａを収
容しており、この基板は電気的絶縁材料から成る平面的
な表面１８上に多数の導線（図示せず）を有している。
それぞれの導線は、電気的絶縁材料から成るプローブキ
ヤリア２０から伸びている電気的接続プローブ１１Ａの
少なくとも１つに接続されている。プローブキヤリア２
０とプローブ１１Ａの組み合せは鋲床(bed of nails)と
して技術的に知られている。これは、修復されるべきそ
れぞれ異なる基板３Ａに対して、導線の独特な形に応じ
て作られる。
【００２８】それぞれのプローブ１１Ａはプログラム可
能なスイツチングマトリツクス２４に関連づけられた導
線２２Ａに接続されている。４つの導線１０Ａ、１０
Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄがそれぞれ交流電流計９Ａ、９Ｂ、
９Ｃ、９Ｄを通して交流電源７Ａの４つの位相に接続さ
れており、これら導線はプログラム可能なスイツチング
マトリツクス２４に関連づけられている。電源７Ａの１
つの位相にのみそれぞれのプローブ１１Ａが電気的に接
続するように、スイツチングマトリツクス２４に交叉接
合２６が形成されている。加えて、それぞれのプローブ
１１Ａが電気的に接続される位相は、基板３Ａ上の隣接
する導線が同一位相に接続されないように、選択され
る。この結果を達成するために、基板３Ａ上の導線は、
隣接する導線が同一グループに属さないという基準を満
して、４つのグループに分類される。マトリツクス２４
によつて、電源７Ａのそれぞれの位相はそれぞれのグル
ープにおいて基板３Ａ上の全ての導線に接続され、他の
グループにおける導線には接続されない。電流計９Ａ、
９Ｂ、９Ｃ、９Ｄはどのグループの間に短絡と近似短絡
が存在するか決定するためにモニタしてもよい。この情
報は、自己誘導修復がどのように進行しているかの示度
として電流をモニタするために重要である。この電流の
測定量は、時間の関数として電流の特定量を得る又は維
持するフイードバツクループを利用して、電源７Ａの電
圧を制御するために用いてもよい。また、ある応用で
は、電圧計が設けられ、ある意味で実験上から通常決定
されて能率的に修復を果すように位相の電圧を調整して
もよい。
能なスイツチングマトリツクス２４に関連づけられた導
線２２Ａに接続されている。４つの導線１０Ａ、１０
Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄがそれぞれ交流電流計９Ａ、９Ｂ、
９Ｃ、９Ｄを通して交流電源７Ａの４つの位相に接続さ
れており、これら導線はプログラム可能なスイツチング
マトリツクス２４に関連づけられている。電源７Ａの１
つの位相にのみそれぞれのプローブ１１Ａが電気的に接
続するように、スイツチングマトリツクス２４に交叉接
合２６が形成されている。加えて、それぞれのプローブ
１１Ａが電気的に接続される位相は、基板３Ａ上の隣接
する導線が同一位相に接続されないように、選択され
る。この結果を達成するために、基板３Ａ上の導線は、
隣接する導線が同一グループに属さないという基準を満
して、４つのグループに分類される。マトリツクス２４
によつて、電源７Ａのそれぞれの位相はそれぞれのグル
ープにおいて基板３Ａ上の全ての導線に接続され、他の
グループにおける導線には接続されない。電流計９Ａ、
９Ｂ、９Ｃ、９Ｄはどのグループの間に短絡と近似短絡
が存在するか決定するためにモニタしてもよい。この情
報は、自己誘導修復がどのように進行しているかの示度
として電流をモニタするために重要である。この電流の
測定量は、時間の関数として電流の特定量を得る又は維
持するフイードバツクループを利用して、電源７Ａの電
圧を制御するために用いてもよい。また、ある応用で
は、電圧計が設けられ、ある意味で実験上から通常決定
されて能率的に修復を果すように位相の電圧を調整して
もよい。
【００２９】図８のシステムを用いて導びかれる修復は
短絡と近似短絡の修復のために上記した種々な流体を利
用してもよい。しかしながら、非常に薄い橋絡の場合、
短絡を近似短絡へ変えるために非常に強い電流パルス
（例えば、それぞれの短絡へ５０アンペアを１０マイク
ロ秒）を供給する技術の利用が可能であろう。そして、
本発明はこの結果として得られた近似短絡を修復するた
めに用いることもできる。全ての短絡が位置を突き止め
られて個々に修復されることが要求されていないので、
図８に示した装置は有益である。本発明は好ましい実施
例について詳示し、詳述したが、本技術分野の当業者に
とつて、本発明の精神と見地から外れることなく、形式
や細目での発展や他の変更を成すことができると理解さ
れるであろう。
短絡と近似短絡の修復のために上記した種々な流体を利
用してもよい。しかしながら、非常に薄い橋絡の場合、
短絡を近似短絡へ変えるために非常に強い電流パルス
（例えば、それぞれの短絡へ５０アンペアを１０マイク
ロ秒）を供給する技術の利用が可能であろう。そして、
本発明はこの結果として得られた近似短絡を修復するた
めに用いることもできる。全ての短絡が位置を突き止め
られて個々に修復されることが要求されていないので、
図８に示した装置は有益である。本発明は好ましい実施
例について詳示し、詳述したが、本技術分野の当業者に
とつて、本発明の精神と見地から外れることなく、形式
や細目での発展や他の変更を成すことができると理解さ
れるであろう。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、回路の短絡や近似短絡
を自己誘導的に修復することができる。従つて、これら
欠陥の位置を視覚監察により突き止めて、手作業により
除去するという煩雑且つ経費のかかる作業を廃止して、
回路の性能や信頼性を維持することができる。
を自己誘導的に修復することができる。従つて、これら
欠陥の位置を視覚監察により突き止めて、手作業により
除去するという煩雑且つ経費のかかる作業を廃止して、
回路の性能や信頼性を維持することができる。
【図１】短絡又は間隔妨害のある回路の溶液を用いた修
復を示すシステムの透視図である。
復を示すシステムの透視図である。
【図２】短絡のある回路のエツチングガスを用いたチヤ
ンバでの修復を示すシステムの透視図である。
ンバでの修復を示すシステムの透視図である。
【図３】近似短絡のある回路の溶液を用いた修復を示す
システムの透視図である。
システムの透視図である。
【図４】近似短絡又は開放妨害のある回路のエツチング
ガスを用いたチヤンバにおける修復を示すシステムの透
視図である。
ガスを用いたチヤンバにおける修復を示すシステムの透
視図である。
【図５】本発明に従つて処置される回路短絡システムの
概略図である。
概略図である。
【図６】４つのグループの導線をそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄで表示して４つの位相の電力供給に関連した波形を示
す図である。
Ｄで表示して４つの位相の電力供給に関連した波形を示
す図である。
【図７】グループのそれぞれの組の間の波形を示す図で
ある。
ある。
【図８】回路の短絡と近似短絡を修復するための装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図９】従来技術に係る回路欠陥を示す図である。
【図１０】従来技術に係る回路欠陥を示す図である。
【図１１】従来技術に係る回路欠陥を示す図である。
【図１２】従来技術に係る回路欠陥を示す図である。
Claims (21)
- 【請求項１】それぞれ導線間の橋絡又は橋絡残存物から
成る電子回路の短絡又は近似短絡を修復するための装置
であつて、 隣接する導線が同一のグループに属さないように導線の
それぞれを４つの別個なグループに分類し、前記グルー
プのそれぞれにそれぞれのグループ内のそれぞれの導線
に伸びる別個な電気的接続手段を供給する分類手段と、 前記橋絡又は橋絡残存物の温度を導線の温度より高め、
前記橋絡又は橋絡残存物を除去するに十分な電圧を、前
記電気的接続手段の選択された対の間に、それぞれの対
に少なくとも１回は電圧が供給されるまで、継続して供
給する電気エネルギ手段と、 を有する自己誘導修復装置。 - 【請求項２】局部的に制限されたエツチングを行う流体
を、前記電気エネルギ手段が前記電圧を供給している
間、前記橋絡又は橋絡残存物に接触させる流体取扱手段
を有する請求項１の自己誘導修復装置。 - 【請求項３】前記電気エネルギ手段は４位相の交流電源
であり、それぞれの位相は前記電気的接続手段の異なる
ものに接続されている請求項１の自己誘導修復装置。 - 【請求項４】それぞれの位相は互いに異なる時間に電圧
パルスを供給する請求項３の自己誘導修復装置。 - 【請求項５】前記電気的接続手段は複数の電気的接続ピ
ンを有し、それぞれのピンは前記電気的接続手段の１つ
に接続される請求項１の自己誘導修復装置。 - 【請求項６】前記分類手段は、前記電気的接続手段の１
つに前記導線のそれぞれを接続させる複数のプログラム
可能な電子的スイツチを包含する請求項１の自己誘導修
復装置。 - 【請求項７】前記流体取扱手段はエツチング溶液の容器
を包含する請求項１の自己誘導修復装置。 - 【請求項８】前記流体取扱手段はエツチングガスの容器
を包含する請求項１の自己誘導修復装置。 - 【請求項９】前記電気的接続手段によつて導びかれた電
流をモニタするための電流モニタ手段を有する請求項１
の自己誘導修復装置。 - 【請求項１０】前記電気的エネルギ手段は十分な大きさ
の電流を橋絡が電気的に非導通となるに十分な時間供給
する請求項１の自己誘導修復装置。 - 【請求項１１】それぞれの短絡に対して電流はほぼ５０
アンペアである請求項１０の自己誘導修復装置。 - 【請求項１２】電流はほぼ１０マイクロ秒の間供給され
る請求項１０の自己誘導修復装置。 - 【請求項１３】導線間の橋絡又は橋絡残存物にそれぞれ
起因する電子回路の短絡又は近似短絡を修復する方法で
あつて、 隣接する導線が同一グループに属さないように導線を４
つのグループに分類し、 それぞれのグループにおけるそれぞれの導線に電気的に
接続する電気的接続手段を前記グループのそれぞれに供
給し、 前記橋絡又は橋絡残存物の温度を導線の温度より大きく
して前記橋絡又は残存物を除去するに十分な適当な電圧
を、前記電気的接続手段の選択された対の間に、 前記対のそれぞれに少なくとも１度は電圧が供給される
まで、継続して供給することを含む自己誘導修復方法。 - 【請求項１４】局部的に制限されたエツチング工程を維
持する流体に前記橋絡、又は橋絡残存物の位置を接触さ
せる請求項１３の自己誘導修復方法。 - 【請求項１５】前記電気的接続手段は、交流電源の４つ
の位相の内の１つの位相に接続されている請求項１３の
自己誘導修復方法。 - 【請求項１６】前記４つの位相のそれぞれは互いに異な
る時間で電圧パルスを供給する請求項１５の自己誘導修
復方法。 - 【請求項１７】電気的接続手段を供給する前記工程は、
それぞれの導線がただ１つの位相に接続されるようにす
るコネクタのプログラム可能なアレイを包含する請求項
１３の自己誘導修復方法。 - 【請求項１８】導線間の橋絡に起因する電気回路の短絡
を修復するための装置であつて、 前記導線の隣接する２本に選択的に電気的接続するため
の接続手段と、 前記橋絡を通つて流れて前記橋絡の除去を生じさせるに
十分な大きさの電流を生じさせる電圧を、前記電気的接
続手段へ供給する手段と、 を包含する自己誘導修復装置。 - 【請求項１９】前記隣接した導線のそれぞれの１つに沿
つた２つの点に前記接続手段が接続し、 これら点は前記橋絡の反対側で前記導線に沿つて設定さ
れている請求項１８の自己誘導修復装置。 - 【請求項２０】導線間の橋絡に起因する電気的回路の短
絡を修復するための方法であつて、 ２本の隣接した導線のそれぞれに電気的接続手段を供給
し、 前記橋絡を除去するに十分な大きさの電流が前記橋絡を
通つて流れるように、前記電気的接続手段へ電圧を供給
することを包含する自己誘導修復方法。 - 【請求項２１】前記電気的接続手段はそれぞれの導線に
対して２つのコネクタを有し、これらコネクタは、前記
橋絡が両方の導線の２つのコネクタの間となるようにそ
れぞれの導線に沿つて設置される請求項２０の自己誘導
修復方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/475,583 US5024725A (en) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | Method for self-inducted repair of circuit shorts and near-shorts |
| US475583 | 1990-11-21 | ||
| US617114 | 1990-11-21 | ||
| US07/617,114 US5022955A (en) | 1990-02-06 | 1990-11-21 | Apparatus and method for self-induced repair of circuit shorts and near-shorts |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774452A true JPH0774452A (ja) | 1995-03-17 |
| JP2505929B2 JP2505929B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=27044854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3035334A Expired - Lifetime JP2505929B2 (ja) | 1990-02-06 | 1991-02-05 | 回路の短絡と近似短絡の自己誘導修復装置及び方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5022955A (ja) |
| EP (1) | EP0441154A3 (ja) |
| JP (1) | JP2505929B2 (ja) |
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- 1990-11-21 US US07/617,114 patent/US5022955A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5022955A (en) | 1991-06-11 |
| JP2505929B2 (ja) | 1996-06-12 |
| EP0441154A2 (en) | 1991-08-14 |
| EP0441154A3 (en) | 1992-03-25 |
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