JPH0774506A - 分布定数型フィルタ - Google Patents
分布定数型フィルタInfo
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- JPH0774506A JPH0774506A JP21852893A JP21852893A JPH0774506A JP H0774506 A JPH0774506 A JP H0774506A JP 21852893 A JP21852893 A JP 21852893A JP 21852893 A JP21852893 A JP 21852893A JP H0774506 A JPH0774506 A JP H0774506A
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- distributed constant
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単純な配線パターンで構成することができ、
かつ、入出力端でのインピーダンス不整合による特性劣
化のない、小形で良好な特性を有する分布定数型フィル
タを提供するこ。 【構成】 絶縁基板上に分布定数回路を構成する配線パ
ターンを形成した分布定数型フィルタにおいて、比誘電
率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板を、前記
絶縁基板として用いるか、または、前記誘電体セラミッ
ク基板を前記配線パターン上に装荷した分布定数型フィ
ルタ。
かつ、入出力端でのインピーダンス不整合による特性劣
化のない、小形で良好な特性を有する分布定数型フィル
タを提供するこ。 【構成】 絶縁基板上に分布定数回路を構成する配線パ
ターンを形成した分布定数型フィルタにおいて、比誘電
率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板を、前記
絶縁基板として用いるか、または、前記誘電体セラミッ
ク基板を前記配線パターン上に装荷した分布定数型フィ
ルタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分布定数型フィルタに
関し、特に、誘電体セラミック基板を用いた分布定数型
フィルタに関する。
関し、特に、誘電体セラミック基板を用いた分布定数型
フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】分布定数型フィルタを作製する場合、絶
縁基板上に、配線パターンを形成し、該配線パターンの
特性インピーダンスの高い部分と低い部分を交互に連続
して組み合わせた構成のものが知られている。例えば、
従来の分布定数型フィルタは、図５に示すように、比誘
電率が一定な絶縁基板１１上に、線幅が交互に断続的に
変化する配線パターン１２を形成した構成となってい
る。そして、絶縁基板１１としては、例えば、アルミナ
やフッ素樹脂などの比誘電率が２〜１０程度の誘電体基
板を用いている。ここで、配線パターン１２の線幅の細
い部分は、特性インピーダンスの高い部分となり、線幅
の広い部分は、特性インピーダンスの低い部分となる。
縁基板上に、配線パターンを形成し、該配線パターンの
特性インピーダンスの高い部分と低い部分を交互に連続
して組み合わせた構成のものが知られている。例えば、
従来の分布定数型フィルタは、図５に示すように、比誘
電率が一定な絶縁基板１１上に、線幅が交互に断続的に
変化する配線パターン１２を形成した構成となってい
る。そして、絶縁基板１１としては、例えば、アルミナ
やフッ素樹脂などの比誘電率が２〜１０程度の誘電体基
板を用いている。ここで、配線パターン１２の線幅の細
い部分は、特性インピーダンスの高い部分となり、線幅
の広い部分は、特性インピーダンスの低い部分となる。
【０００３】ところで、この場合は、比誘電率が小さ
く、所望の特性インピーダンスを有する配線パターンを
得るためにある程度の線幅を必要とする。したがって、
配線パターン１２端部の入出力端での線幅を変化させる
ことなく、外部回路と接続できるので、この接続部での
特性インピーダンスの不連続による信号の反射がなく、
広帯域にわたって良好な特性のバンドパスフィルタが得
られるが、一方、形状が大きいという問題がある。
く、所望の特性インピーダンスを有する配線パターンを
得るためにある程度の線幅を必要とする。したがって、
配線パターン１２端部の入出力端での線幅を変化させる
ことなく、外部回路と接続できるので、この接続部での
特性インピーダンスの不連続による信号の反射がなく、
広帯域にわたって良好な特性のバンドパスフィルタが得
られるが、一方、形状が大きいという問題がある。
【０００４】そこで、使用する誘電体基板の比誘電率を
大きくすることによって、配線パターンの縮小化、つま
り分布定数型フィルタの小形化が図られている。
大きくすることによって、配線パターンの縮小化、つま
り分布定数型フィルタの小形化が図られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、比誘電率を
大きくすると、特性インピーダンスの規格を満足させる
ために、配線パターンの線幅も小さくしなければならな
い。従来の誘電体基板で小形化を図る場合、例えば、基
板厚み１ｍｍ、特性インピーダンス５０Ωの条件で、比
誘電率１０の基板では必要な線幅が１．０ｍｍであるの
に対し、比誘電率３０の基板では必要な線幅が０．２ｍ
ｍとなる。したがって、基板の比誘電率を大きくするこ
とによって小形化しようとした場合、線幅が小さくなり
すぎて、入出力端での外部回路とのコンタクトがとれな
い。つまり、外部接続端子との接続、またはボンディン
グ接続等に必要な充分な線幅がとれないという問題があ
る。
大きくすると、特性インピーダンスの規格を満足させる
ために、配線パターンの線幅も小さくしなければならな
い。従来の誘電体基板で小形化を図る場合、例えば、基
板厚み１ｍｍ、特性インピーダンス５０Ωの条件で、比
誘電率１０の基板では必要な線幅が１．０ｍｍであるの
に対し、比誘電率３０の基板では必要な線幅が０．２ｍ
ｍとなる。したがって、基板の比誘電率を大きくするこ
とによって小形化しようとした場合、線幅が小さくなり
すぎて、入出力端での外部回路とのコンタクトがとれな
い。つまり、外部接続端子との接続、またはボンディン
グ接続等に必要な充分な線幅がとれないという問題があ
る。
【０００６】そこで、比誘電率を大きくすることで、小
形化を図る場合、図６に示すように、配線パターン１２
の入出力端１２ａの線幅を大きくし、外部回路との接続
を行っている。
形化を図る場合、図６に示すように、配線パターン１２
の入出力端１２ａの線幅を大きくし、外部回路との接続
を行っている。
【０００７】ところが、この場合は、配線パターン１２
の入出力端１２ａにおいて、特性インピーダンスの不連
続（インピーダンス不整合）による信号の反射が起こ
り、特に周波数の高い領域（２ＧＨｚ以上）では、良好
な特性のバンドパスフィルタが得られないという問題が
あった。
の入出力端１２ａにおいて、特性インピーダンスの不連
続（インピーダンス不整合）による信号の反射が起こ
り、特に周波数の高い領域（２ＧＨｚ以上）では、良好
な特性のバンドパスフィルタが得られないという問題が
あった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、以上のような従
来の分布定数型フィルタが持つ問題点を解消し、単純な
配線パターンで構成することができ、かつ、入出力端で
のインピーダンス不整合による特性劣化のない、小形で
良好な特性を有する分布定数型フィルタを提供すること
にある。
来の分布定数型フィルタが持つ問題点を解消し、単純な
配線パターンで構成することができ、かつ、入出力端で
のインピーダンス不整合による特性劣化のない、小形で
良好な特性を有する分布定数型フィルタを提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、絶縁基板上に分布定数回路を構成する配線パターン
を形成した分布定数型フィルタにおいて、比誘電率を部
分的に変化させた誘電体セラミック基板を、前記絶縁基
板として用いたことを特徴とするものである。または、
比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板
を、前記絶縁基板上に形成された配線パターン上に装荷
したことを特徴とするものである。
に、絶縁基板上に分布定数回路を構成する配線パターン
を形成した分布定数型フィルタにおいて、比誘電率を部
分的に変化させた誘電体セラミック基板を、前記絶縁基
板として用いたことを特徴とするものである。または、
比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板
を、前記絶縁基板上に形成された配線パターン上に装荷
したことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、分布定数型フィルタの入
出力端では比誘電率の小さな材料で構成することができ
ので、線幅の大きな配線パターンを形成することができ
る。また、比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミ
ック基板を用いるか、または、該誘電体セラミック基板
を配線パターン上に装荷しているので、配線パターン全
体の縮小化ができ、かつ単純な配線パターンで分布定数
回路を構成することができる。
出力端では比誘電率の小さな材料で構成することができ
ので、線幅の大きな配線パターンを形成することができ
る。また、比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミ
ック基板を用いるか、または、該誘電体セラミック基板
を配線パターン上に装荷しているので、配線パターン全
体の縮小化ができ、かつ単純な配線パターンで分布定数
回路を構成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る分布定数型フィルタの実
施例を図面を用いて説明する。
施例を図面を用いて説明する。
【００１２】図１に本発明の第１実施例を示す。図１に
示す分布定数型フィルタは、同図（ｃ）に示すように比
誘電率が交互に断続的に変化する誘電体セラミック基板
１の一方主面上に一定線幅の配線パターン２を形成した
構成となっている。つまり、同図（ａ）及び（ｂ）に破
線で示すように、誘電体セラミック基板１は、比誘電率
が小さな部分１ａと比誘電率が大きな部分１ｂとで形成
されている。
示す分布定数型フィルタは、同図（ｃ）に示すように比
誘電率が交互に断続的に変化する誘電体セラミック基板
１の一方主面上に一定線幅の配線パターン２を形成した
構成となっている。つまり、同図（ａ）及び（ｂ）に破
線で示すように、誘電体セラミック基板１は、比誘電率
が小さな部分１ａと比誘電率が大きな部分１ｂとで形成
されている。
【００１３】具体的には、誘電体セラミック基板１の厚
みは０．４ｍｍ、比誘電率の小さな部分１ａの比誘電率
を１０、その幅を０．６ｍｍ、比誘電率の大きな部分１
ｂの比誘電率を４０、その幅を０．６ｍｍ、配線パター
ンの線幅を０．４ｍｍとして作製した。
みは０．４ｍｍ、比誘電率の小さな部分１ａの比誘電率
を１０、その幅を０．６ｍｍ、比誘電率の大きな部分１
ｂの比誘電率を４０、その幅を０．６ｍｍ、配線パター
ンの線幅を０．４ｍｍとして作製した。
【００１４】また、誘電体セラミック基板１は、ＭｇＣ
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＳｉＯ2 等
の素原料を２種以上混合した所望の比誘電率が得られる
グリーンシートを、交互に順次積層し、熱圧着したの
ち、積層面と垂直な方向に切断、焼成して作製したもの
である。
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＢａＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＳｉＯ2 等
の素原料を２種以上混合した所望の比誘電率が得られる
グリーンシートを、交互に順次積層し、熱圧着したの
ち、積層面と垂直な方向に切断、焼成して作製したもの
である。
【００１５】この結果、図２に示すような良好な特性の
バンドパスフィルタを得ることができた。また、同特性
の図５に示した従来例のバンドパスフィルタと比較し
て、面積比で約１／４に小形化することができた。
バンドパスフィルタを得ることができた。また、同特性
の図５に示した従来例のバンドパスフィルタと比較し
て、面積比で約１／４に小形化することができた。
【００１６】図３に本発明の第２実施例を示す。図３に
示す分布定数型フィルタはテフロングラス等の絶縁基板
３上に一定線幅の配線パターン２を形成した後、この配
線パターン２上に上記第１実施例で使用した誘電体セラ
ミック基板１（配線パターンを形成していないもの）
を、図１（ａ）のＸ−Ｘ線方向が配線パターン２と平行
になるように装荷した構成となっている。この構成にお
いても、第１実施例と同様の特性のバンドパスフィルタ
を得ることができた。
示す分布定数型フィルタはテフロングラス等の絶縁基板
３上に一定線幅の配線パターン２を形成した後、この配
線パターン２上に上記第１実施例で使用した誘電体セラ
ミック基板１（配線パターンを形成していないもの）
を、図１（ａ）のＸ−Ｘ線方向が配線パターン２と平行
になるように装荷した構成となっている。この構成にお
いても、第１実施例と同様の特性のバンドパスフィルタ
を得ることができた。
【００１７】また、さらに小形化を実現するために、図
４（ｂ）に示すように、基板の端部近傍の比誘電率が連
続的に小さくなる誘電体セラミック基板１を用いて、図
４（ａ）に示すように、配線パターン２の入出力端の端
部で線幅が大きくなる配線パターン２を形成することも
できる。
４（ｂ）に示すように、基板の端部近傍の比誘電率が連
続的に小さくなる誘電体セラミック基板１を用いて、図
４（ａ）に示すように、配線パターン２の入出力端の端
部で線幅が大きくなる配線パターン２を形成することも
できる。
【００１８】上記図１及び図４に示すような分布定数型
フィルタを半導体セラミックパッケージの配線パターン
部に適用することにより、フィルタ内蔵の半導体セラミ
ックパッケージを容易に実現することができる。
フィルタを半導体セラミックパッケージの配線パターン
部に適用することにより、フィルタ内蔵の半導体セラミ
ックパッケージを容易に実現することができる。
【００１９】上記実施例では、分布定数回路を構成する
部分には２種類の比誘電率からなる誘電体セラミック基
板を用いたが、これに限ることはなく、２種類以上の比
誘電率からなる誘電体セラミック基板を用いてもよい。
また、配線パターンの線幅も一定線幅でなくてもよく、
使用する誘電体セラミック基板及び目的とする特性に応
じて、任意なパターンとすることができる。
部分には２種類の比誘電率からなる誘電体セラミック基
板を用いたが、これに限ることはなく、２種類以上の比
誘電率からなる誘電体セラミック基板を用いてもよい。
また、配線パターンの線幅も一定線幅でなくてもよく、
使用する誘電体セラミック基板及び目的とする特性に応
じて、任意なパターンとすることができる。
【００２０】なお、従来例及び実施例では、図示及び説
明は省略したが、誘電体（セラミック）基板の配線パタ
ーン形成面の反対面には、ほぼ全面にアース電極が形成
されている。
明は省略したが、誘電体（セラミック）基板の配線パタ
ーン形成面の反対面には、ほぼ全面にアース電極が形成
されている。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板を
使用することにより、単純な配線パターンで分布定数型
フィルタを形成することができる。さらに、分布定数型
フィルタの入出力端での特性インピーダンスの不連続を
防止し、かつ外部回路との接続に充分な線幅を得ること
ができる。したがって、入出力端でのインピーダンス不
整合による特性劣化のない、小形で良好な特性の分布定
数型フィルタを容易に得ることができる。
比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板を
使用することにより、単純な配線パターンで分布定数型
フィルタを形成することができる。さらに、分布定数型
フィルタの入出力端での特性インピーダンスの不連続を
防止し、かつ外部回路との接続に充分な線幅を得ること
ができる。したがって、入出力端でのインピーダンス不
整合による特性劣化のない、小形で良好な特性の分布定
数型フィルタを容易に得ることができる。
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施例を示す平面図、
（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）は、誘電体
セラミック基板断面の比誘電率を示す図である。
（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）は、誘電体
セラミック基板断面の比誘電率を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例のバンドパスフィルタの周
波数特性である。
波数特性である。
【図３】本発明の第２実施例の配線パターン上に誘電体
セラミック基板を装荷した分布定数型フィルタの斜視図
である。
セラミック基板を装荷した分布定数型フィルタの斜視図
である。
【図４】（ａ）は、本発明の第３実施例を示す平面図、
（ｂ）は、（ａ）の誘電体セラミック基板断面の比誘電
率を示す図である。
（ｂ）は、（ａ）の誘電体セラミック基板断面の比誘電
率を示す図である。
【図５】従来の分布定数型フィルタの平面図である。
【図６】従来の分布定数型フィルタを小形化した場合を
示す平面図である。
示す平面図である。
１ 誘電体セラミック基板 ２ 配線パターン ３ 絶縁基板
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板上に分布定数回路を構成する配
線パターンを形成した分布定数型フィルタにおいて、 比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板
を、前記絶縁基板として用いたことを特徴とする分布定
数型フィルタ。 - 【請求項２】 絶縁基板上に分布定数回路を構成する配
線パターンを形成した分布定数型フィルタにおいて、 比誘電率を部分的に変化させた誘電体セラミック基板
を、前記絶縁基板上に形成された配線パターン上に装荷
したことを特徴とする分布定数型フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21852893A JPH0774506A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 分布定数型フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21852893A JPH0774506A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 分布定数型フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774506A true JPH0774506A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16721343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21852893A Pending JPH0774506A (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 分布定数型フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774506A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7262673B2 (en) | 2001-05-15 | 2007-08-28 | Hesselbom Innovation & Development Hb | Transmission line |
| US8508318B2 (en) | 2007-03-16 | 2013-08-13 | Nec Corporation | Transmission line filter |
| WO2019171769A1 (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 国立大学法人大阪大学 | バンドパスフィルタ |
| WO2024228247A1 (ja) * | 2023-05-02 | 2024-11-07 | 住友電気工業株式会社 | ワイヤハーネス、ハーネス識別システム、および、車載装置 |
-
1993
- 1993-09-02 JP JP21852893A patent/JPH0774506A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7262673B2 (en) | 2001-05-15 | 2007-08-28 | Hesselbom Innovation & Development Hb | Transmission line |
| EP1410461B1 (en) * | 2001-05-15 | 2011-08-31 | Hesselbom Innovation & Development HB | Transmission line |
| US8508318B2 (en) | 2007-03-16 | 2013-08-13 | Nec Corporation | Transmission line filter |
| JP5429630B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2014-02-26 | 日本電気株式会社 | 伝送線路フィルタ |
| WO2019171769A1 (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 国立大学法人大阪大学 | バンドパスフィルタ |
| WO2024228247A1 (ja) * | 2023-05-02 | 2024-11-07 | 住友電気工業株式会社 | ワイヤハーネス、ハーネス識別システム、および、車載装置 |
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