JPH0775292B2 - バイアス回路 - Google Patents

バイアス回路

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JPH0775292B2
JPH0775292B2 JP61054761A JP5476186A JPH0775292B2 JP H0775292 B2 JPH0775292 B2 JP H0775292B2 JP 61054761 A JP61054761 A JP 61054761A JP 5476186 A JP5476186 A JP 5476186A JP H0775292 B2 JPH0775292 B2 JP H0775292B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はバイアス回路、特に半導体基体上に生成した演
算増幅器のバイアス電流を供給するのに好適なバイアス
回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の演算増幅器のバイアス回路は、第2図に示すよう
なゲートとドレインを接続したダイオード接続MOSトラ
ンジスタにより電源電圧を分圧し、そのトランジスタを
流れる電流をカレントミラー回路によつて取り出しバイ
アス電流を得ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、電源電圧およびMOSトランジスタの閾値電圧が
ばらついた場合カレントミラー回路に流れる電流が大き
く変動するので特に演算増幅器のような安定なバイアス
電流を必要とする装置には適していなかつた。
本発明の目的は、電源電圧およびMOSトランジスタの閾
値電圧のばらつきに対して安定なバイアス電流を供給す
ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記のようなバイアス電流を得るため、MOSトランジス
タの閾値電圧によつてのみ変化し、電源電圧に対しては
安定な電位を発生し、その電位をカレントミラー回路の
定電流MOSトランジスタに供給し、閾値電圧のばらつき
に対して安定なバイアス電流を発生させるように構成し
た。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。本バ
イアス回路は、ダイオード接続MOSトランジスタ1〜
3、MOSトランジスタ1とカレントミラーとなるMOSトラ
ンジスタ4,フイードバツクを施した電流源回路のMOSト
ランジスタ5〜8、MOSトランジスタ4,5のドレイン接続
点をゲート信号とするMOSトランジスタ11−1、およびM
OSトランジスタ11−1を電流源として演算増幅器に必要
な電位を発生するMOSトランジスタ9,10,12〜14で構成さ
れる。バイアス回路の出力25,26は、第3図に示す演算
増幅器のMOSトランジスタ15,21および20に供給される。
次に動作説明を行う。MOSトランジスタ5〜8はフイー
ドバツクループを持つた電流源回路であるので、MOSト
ランジスタ6〜8に流れる電流Iの変動はMOSトランジ
スタ4,5で構成される増幅器の利得によつて抑えること
ができる。
A点の電位は (IDはドレイン電流、βはMOS形状に依存するパラメー
タ)と表わすことができる。したがつてVAの電位は端子
24に加えられる電源電圧に対してほとんど依存しない。
このVAをMOSトランジスタ11−1のゲートに供給する。M
OSトランジスタ9,10はダイオード接続であるため、トラ
ンジスタの電流値はMOSトランジスタ11−1のゲート電
圧によつてのみ決定される。VAの電位はVthによつて変
化するのでMOSトランジスタ11−1に流れる電流はMOSト
ランジスタの閾値電圧の影響が相殺され、ほぼ一定とな
る。またMOSトランジスタ11−1と11−2をひとつのト
ランジスタにし、実効ゲート長を長くすることによつて
も同様の動作を行うことができる。すなわち、本発明の
バイアス回路は第2図のような一般に知られているMOS
トランジスタで構成されたバイアス回路において、その
閾値による変動を、電源電圧によつて変動せず、閾値に
よつて変動する電圧で可変インピーダンスを制御するこ
とによつて、安定したバイアス電流を発生することがで
きる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、演算増幅器などのバイアス電流の電源
電圧およびMOSトランジスタの閾値電圧に対する変動を
約1/2に抑えることができるので特に消費電力の低減に
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるバイアス回路の一実施例の回路
図、第2図は従来構成のバイアス回路の回路図、第3図
は本発明のバイアス回路がバイアス電位を供給する演算
増幅回路の回路図である。 1〜10,11−1,11−2,12−22…MOSトランジスタ、23…キ
ヤパシタ、24…電源、25…バイアス電圧(1)、26…バ
イアス電圧(2)、27…演算増幅器の正入力端子、28…
演算増幅器の負入力端子。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ドレイン電極とゲート電極が接続された第
    1,第2のMOSトランジスタ(9,10)と、可変インピーダ
    ンス素子(11−1)とドレイン電極とゲート電極が接続
    された第3のMOSトランジスタ(11−2)とが直列に接
    続された第1の回路と、 ゲート電極が上記第1のMOSトランジスタのゲートに接
    続された第4のMOSトランジスタ(12)とドレイン電極
    とゲート電極が接続された第5および第6のMOSトラン
    ジスタ(13,14)とが直列に接続された第2の回路と、 上記第1および第2の回路に共通に電圧を供給する電圧
    源と、 上記電圧源に接続され、上記電圧源の電圧によって変化
    せず、構成要素であるMOSトランジスタの閾値電圧によ
    って変動する電圧を発生する第3の回路、 上記第3の回路で上記可変インピーダンスを可変し、少
    なくとも、第1のMOSトランジスタのゲート電圧をバイ
    アス電圧として出力することを具備してなることを特徴
    とするバイアス回路。
  2. 【請求項2】第1項記載のバイアス回路において、上記
    第3の回路は、ダイオード接続され、かつ直列接続され
    た第7,第8,第9のMOSトランジスタ(1,2,3)と、上記第
    7のMOSトランジスタと共にカレントミラー回路を構成
    する第10のMOSトランジスタ(4)と、上記第10のMOSト
    ランジスタの接続されたフイードバツク回路を持つ電流
    源回路と、上記第10のMOSトランジスタのドレイン電極
    の電位を上記可変インピーダンス素子に加える回路とを
    有して構成されたことを特徴とするバイアス回路。
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