JPH0777011B2

JPH0777011B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH0777011B2
Application number: JP29453987A
Authority: JP
Inventors: 知己山本; 直人的野; 哲太田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1987-11-20
Filing date: 1987-11-20
Publication date: 1995-08-16
Anticipated expiration: 2010-08-16
Also published as: JPH01137418A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、磁気記録再生装置に適用される薄膜磁気ヘ
ツドを製造する薄膜磁気ヘツドの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

通常、磁気記録再生装置に適用される磁性ヘツドとして
磁気コアと巻線とからなるバルクタイプのものが一般的
であるが、最近では、たとえば特開昭62−46416号公報
（G11B 5/31）に記載のような薄膜磁気ヘツドが、小型
化，高密度化を容易に図れるという利点から、注目さ
れ，盛んに開発が進められている。

そして、この種の薄膜磁気ヘツドは、たとえば第３図に
示すように構成されており、ガラスなどの非磁性基板
（１）上に下部磁性コア（２）が形成されたのち、下部
磁性コア（２）の上面の一部に絶縁層を介して渦巻状の
導体コイル層（３）が形成され、下部磁性コア（２）の
前部の上面にギヤツプスペーサ層（４）が形成され、ギ
ヤツプスペーサ層（４）上から，絶縁層（５）を介した
導体コイル層（３）前部上，下部磁性コア（２）の後部
上にわたつて上部磁性コア（６）が形成され、その後低
融点ガラス材（７）により上部磁性コア（６）上に保護
板（８）が接合され、薄膜磁気ヘツドの製造が行なわれ
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、その種従来の薄膜磁気ヘツドの場合、下部磁
性コア（２）および上部磁性コア（６）が、ともに厚さ
５〜20μｍの単層構造であり、センダスト合金やパーマ
ロイ,Co系アモルフアス合金などの高透磁率金属材料を
蒸着あるいはスパツタリングにより形成されており、こ
れらの高透磁率金属の透磁率が高周波に対して低下する
傾向があるため、このように高透磁率金属材料を下部，
上部磁性コア（２），（６）に使用した従来の薄膜磁気
ヘツドでは、高周波領域において記録再生効率が低下す
るという問題点がある。

また、第３図に示す薄膜磁気ヘツドの場合、導体コイル
層（３）および絶縁層（５）の層厚によつて生じる上部
磁性コア（６）の傾斜部の厚みが他の平坦部に比べて薄
くなるため、この傾斜部での漏れ磁束が多くなり、記録
再生効率の低下を増長するという問題点がある。

そこで、この発明では、薄膜磁気ヘツドの高周波領域に
おける磁気特性を改善し、記録再生効率の向上を図るこ
とを技術的課題とする。

〔問題点を解決するための手段〕

そして、前記した従来技術の問題点を解決するための手
段を、実施例に対応する第１図および第２図を用いて説
明する。

すなわち、基板（９）上に、下部磁性コア（12），導体
コイル層（13），上部磁性コア（22）を積層して薄膜磁
気ヘツドを製造する薄膜磁気ヘツドの製造方法におい
て、この発明では、フロントギヤツプ部およびバツクギヤツプ部の前記下部
磁性コア（12）上に、磁気異方性磁性膜（17）を，該磁
性膜（17）の磁化困難軸が磁気記録媒体の摺接する前記
基板（９）の前面に垂直になるように積層して第１コア
（18）を形成し、前記第１コア（18）上に該第１のコア（18）のフロント
ギャップ上の部分とバックギャップ上の部分とが連結す
るように磁性膜（19）を積層して第２コア（21）形成
し、前記第1,第２コア（18），（21）の積層により前記上部
磁性コア（22）を形成している。

〔作用〕

したがつて、この発明によると、磁気異方性を有する磁
性体の高周波領域（10KHz以上）における透磁率が、磁
化困難軸方向で最大となり，磁化容易軸方向で最小とな
るため、第１コア（18）の材料として磁気異方性を有す
る磁性材料を用い、その磁化困難軸が磁気記録媒体の摺
接する基板（９）の前面に垂直になるように第１コア
（18）を形成することにより、高周波領域における透磁
率の最も高い磁化困難軸の方向と記録，再生時の磁束の
伝搬方向とが平行となり、高周波領域における磁気ヘツ
ドの記録再生効率の向上が図れ、しかも上部磁性コア
（22）を第１コア（18）および第２コア（21）の積層に
より形成することにより、従来のように導体コイル層
（13）の層厚による傾斜部が上部磁性コア（22）に生じ
ることがなく、上部磁性コア（22）における漏れ磁束の
発生が防止され、磁気ヘツドの記録再生効率のいつそう
の向上が図れることになる。

〔実施例〕

つぎに、この発明を、その１実施例を示した第１図およ
び第２図とともに詳細に説明する。なお、第１図は完成
した薄膜磁気ヘツドの切断右側面図であり、第２図
（ａ）〜（ｉ）は製造工程を示す斜視図である。

まず、第２図（ａ）に示すようなガラス等からなる四角
形の非磁性基板（９）の前半部上に、同図（ｂ）に示す
ように、２層のセンダスト膜（10）の間に,SiO₂やAl₂O₃
等の絶縁膜（11）を介在させた多層構造の下部磁性コア
（12）を、蒸着あるいはスパツタリングにより形成す
る。このとき、第２図（ｂ）に示すように、絶縁膜（1
1）のフロントギヤツプ部およびバツクギヤツプ部に相
当する部分を除去しておく。

つぎに、第２図（ｃ）に示すように、フオトリゾグラフ
イ技術により、下部磁性コア（12）上に銅等の導電性材
料からなる矩形の渦巻状の導体コイル層（13）を形成す
るとともに、フロントギヤツプ部である前部の下部磁性
コア（12）上に所定厚さのギヤプスペーサ層（14）を形
成したのち、同図（ｄ）に示すように、前部を除く下部
磁性コア（12）上および導体コイル層（13）上に絶縁層
（15）を形成する。

このとき、絶縁層（15）のバツクギヤツプ部に相当する
部分をエツチング等により除去して開口（16）を形成
し、開口（16）に下部磁性コア（12）が露出するように
しておく。なお、（13）は基板（９）上の後半部に形成
された導体コイル層（13）の接続リード部である。

そして、第２図（ｅ）に示すように、ギヤツプスペーサ
層（14）上から、絶縁層（15）の前部上，開口（16）内
の下部磁性コア（12）上にわたり、Co系アモルフアス材
等からなる磁気異方性磁性膜（17）を，該磁性膜（17）
の磁化困難軸が磁気テープなどの磁気記録媒体の摺接す
る基板（９）の前面に垂直になるように磁界をかけなが
ら、蒸着あるいはスパツタリング等により形成したの
ち、同図（ｆ）に示すように、エツチングにより、磁性
膜（17）のフロントギヤツプ部およびバツクギヤツプ部
のみを残して他の部分を除去し、第１コア（18）を形成
し、同図（ｇ）に示すように、第１コア（18）上に該第
１コア（18）のフロントギャップ上の部分とバックギャ
ップ上の部分とが連結するように、等方性磁性膜である
多層の等方性センダスト膜（19）に絶縁膜（20）を介在
させてなる第２コア（21）を蒸着あるいはスパツタリン
グにより積層し、同図（ｈ）に示すように、第1,第２コ
ア（18），（21）からなる上部磁性コア（22）を形成す
る。

つぎに、第２図（ｉ）に示すように、上部磁性コア（2
2）上および絶縁膜（15）上に、低融点ガラス（23）に
よりチタン酸バリウム等のセラミツク材料からなる保護
板（24）を接合し、薄膜磁気ヘツドが完成する。

このとき、磁気異方性を有する磁性体の高周波領域（10
KHz以上）における透磁率が、磁化困難軸方向で最大と
なり，磁化容易軸方向で最小となるため、第１コア（1
8）の材料として磁気異方性を有する磁性材料を用い、
しかもその磁化困難軸が磁気記録媒体の摺接する基板
（９）の前面に垂直になるように第１コア（18）を形成
することにより、高周波領域における透磁率の最も高い
磁化困難軸の方向と記録，再生時の磁束の伝搬方向とが
平行になり、高周波領域における磁気ヘツドの記録再生
効率の向上が図れる。

また、上部磁性コア（22）を第１コア（18）および第２
コア（21）の積層により形成することにより、従来のよ
うに導体コイル層（13）の層厚による傾斜部が上部磁性
コア（22）に生じることがなく、上部磁性コア（22）に
生じることがなく、上部磁性コア（22）における漏れ磁
束の発生が防止され、磁気ヘツドの記録再生効率のいつ
そうの向上が図れる。

さらに、下部磁性コア（12）および上部磁性コア（18）
の第２コア（21）を、多層の磁性膜に絶縁膜を介在させ
た構造としたため、従来に比べ、うず電流損が抑制さ
れ、結晶異方性に伴う透磁率の減少が抑えられ、磁気ヘ
ツドの特性の向上が図れる。

したがつて、前記実施例によると、上部磁性コア（22）
の第１コア（18）の材料として磁気異方性を有する磁性
材料を用い、その磁化困難軸が磁気記録媒体の摺接する
基板（９）の前面に垂直になるように第１コア（18）を
形成したため、高周波領域における透磁率の最も高い磁
化困難軸の方向と記録，再生時の磁束の伝搬方向とを平
行にすることができ、高周波領域における磁気ヘツドの
記録再生効率の向上を図ることができる。

また、上部磁性コア（22）を第１コア（18）および第２
コア（21）の積層により形成したため、従来のように導
体コイル層（13）の層厚による傾斜部が上部磁性コア
（22）に生じることがなく、上部磁性コア（22）におけ
る漏れ磁束の発生を防止でき、磁気ヘツドの記録再生効
率のいつそうの向上を図ることができ、しかも下部磁性
コア（12）および第２コア（21）の多層構造化により、
うず電流損の抑制および透磁率の低下の抑制を図ること
ができ、特性の優れた薄膜磁気ヘツドを提供することが
できる。

なお、前記実施例では、第１コア（18）を形成する場
合、蒸着あるいはスパツタリングの際に磁界をかけなが
ら磁気異方性磁性膜（17）を形成することにより、該磁
性膜（17）の磁化困難軸が磁気記録媒体の摺接する基板
（９）の前面に垂直になるようにしたが、磁性膜（17）
の成膜時には磁界をかけず、成膜後の熱処理時に磁界を
かけることにより、磁性膜（17）の磁化困難軸が基板
（９）の前面に垂直になるようにしてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明の薄膜磁気ヘツドの製造方法に
よると、上部磁性コアの第１コアの材料として、磁気異
方性を有する磁性材料を用い、その磁化困難軸が磁気記
録媒体の摺接する基板の前面に垂直になるように第１コ
アを形成したため、高周波領域における透磁率の最も高
い磁化困難軸の方向と記録，再生時の磁束の伝搬方向と
を平行にすることができ、高周波領域における磁気ヘツ
ドの記録再生効率の向上を図ることができ、しかも上部
磁性コアを第１コアおよび第２コアの積層により形成し
たため、従来のように導体コイル層の層厚による傾斜部
が上部磁性コアに生じることがなく、上部磁性コアにお
ける漏れ磁束の発生を防止でき、磁気ヘツドの記録再生
効率のいつそうの向上を図ることが可能となり、特性の
優れた薄膜磁気ヘツドを提供することができ、その効果
は極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明の薄膜磁気ヘツドの製造
方法の１実施例を示し、第１図は製造された薄膜磁気ヘ
ツドの切断右側面図、第２図（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ
製造工程を示す前方からの斜視図、第３図は従来の薄膜
磁気ヘツドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘツド
の切断右側面図である。（９）……基板、（12）……下部磁性コア、（13）……
導体コイル層、（17）……磁気異方性磁性膜、（18）…
…第１コア、（19）……等方性センダスト膜、（21）…
…第２コア、（22）……上部磁性コア。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、下部磁性コア、導体コイル層、
上部磁性コアを積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、フロントギャップ部およびバックギャップ部の前記下部
磁性コア上に、磁気異方性磁性膜を、該磁性膜の磁気困
難軸が磁気記録媒体の摺接する前記基板の前面に垂直に
なるように積層して第１コアを形成し、前記第１コア上に該第１のコアのフロントギャップ上の
部分とバックギャップ上の部分とが連結するように磁性
膜を積層して第２コアを形成し、前記第１、第２コアの積層により前記上部磁性コアを形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。