JPH0777162B2 - 積層型チツプバリスタの製造方法 - Google Patents
積層型チツプバリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH0777162B2 JPH0777162B2 JP61257256A JP25725686A JPH0777162B2 JP H0777162 B2 JPH0777162 B2 JP H0777162B2 JP 61257256 A JP61257256 A JP 61257256A JP 25725686 A JP25725686 A JP 25725686A JP H0777162 B2 JPH0777162 B2 JP H0777162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip varistor
- internal electrode
- varistor
- electrode
- zinc oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は酸化亜鉛を主成分とする積層型チップバリスタ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来の技術 酸化亜鉛系バリスタは電圧非直線性抵抗特性を有し、現
在の半導体素子を主軸とする電子機器において、その半
導体素子を保護するためのサージアブソーバとして、重
要な役割を果たしている。しかし、最近の機器では軽薄
短小化および低電圧化が進み低バリスタ電圧、高サージ
耐量の特性を有するサージアブソーバが必要とされてい
る。これに対応するものとして、酸化亜鉛系の積層型チ
ップバリスタが実用化されてきた。
在の半導体素子を主軸とする電子機器において、その半
導体素子を保護するためのサージアブソーバとして、重
要な役割を果たしている。しかし、最近の機器では軽薄
短小化および低電圧化が進み低バリスタ電圧、高サージ
耐量の特性を有するサージアブソーバが必要とされてい
る。これに対応するものとして、酸化亜鉛系の積層型チ
ップバリスタが実用化されてきた。
上記チップバリスタの製造方法は、酸化亜鉛系粉末と有
機溶剤からなるスラリーをシート状に成形、乾燥後、白
金、パラジウムなどの高温で安定な貴金属ペーストを上
記グリーンシートに交互に印刷積層することによって作
る。これを焼成し、焼結体の両端に銀−パラジウムの合
金の外部電極を形成する。
機溶剤からなるスラリーをシート状に成形、乾燥後、白
金、パラジウムなどの高温で安定な貴金属ペーストを上
記グリーンシートに交互に印刷積層することによって作
る。これを焼成し、焼結体の両端に銀−パラジウムの合
金の外部電極を形成する。
第2図は積層型チップバリスタの内部構成を説明したも
のである。
のである。
1は酸化亜鉛系セラミックス、2は白金の内部電極、3
は銀の外部電極である。
は銀の外部電極である。
発明が解決しようとする問題点 上記製造方法に従って製造された素子は、内部電極2に
貴金属を使用しており、印刷スクリーンによって一定厚
みに形成されている。しかし一定以上の電流を素子に流
すと、第2図の斜線部で示す内部電極2の一端4部に電
流が集中し、その部分を中心として内部電極2間で破壊
がおき、ショートしてしまう。
貴金属を使用しており、印刷スクリーンによって一定厚
みに形成されている。しかし一定以上の電流を素子に流
すと、第2図の斜線部で示す内部電極2の一端4部に電
流が集中し、その部分を中心として内部電極2間で破壊
がおき、ショートしてしまう。
本発明はこのような問題点を解決するもので、内部電極
の破壊を防ぐことを目的とするものである。
の破壊を防ぐことを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するために、内部電極を印
刷するときに、セラミック内に挿入した内部電極の一端
部にのみ高抵抗材料を印刷形成するものである。
刷するときに、セラミック内に挿入した内部電極の一端
部にのみ高抵抗材料を印刷形成するものである。
作用 この構成により、素子に電流を流した場合、内部電極の
一端部分の電流集中を防ぐこととなり、内部電極端部の
破壊をおさえることができる。
一端部分の電流集中を防ぐこととなり、内部電極端部の
破壊をおさえることができる。
実施例 以下に、本発明の積層型チップバリスタの製造方法を説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例による積層型チップバリスタ
を示す図であり、第1図において、5は酸化亜鉛系セラ
ミックス、6は内部電極として用いた白金電極、7は高
抵抗材料である。先ずセラミック5の製造方法は、酸化
亜鉛を主成分とするバリスタ粉末に対し、バインダー、
可塑剤、分散剤、有機溶剤を加えスラリー化し、ドクタ
ーブレード法により、任意の厚みのグリーン・シートを
形成することにより行う。これを所定の大きさに切断
し、これに白金ペーストを印刷して乾燥して白金電極6
を形成する。次に400メッシュのスクリーンを用いてBi2
O3 8mol%,Sb2O3 20mol%,SiO2 72mol%とエチルセル
ロースとからなるペーストを内部電極である白金電極6
の一端上に塗布する。その後グリーン・シートを積層、
白金ペーストを印刷と繰り返す。積層したものを圧着
し、所定の大きさに切断する。素子はバインダーアウト
後、1100〜1300℃で焼成する。素子の面取りを行った
後、銀の外部電極を塗布し、700〜800℃で焼付けを行
う。
を示す図であり、第1図において、5は酸化亜鉛系セラ
ミックス、6は内部電極として用いた白金電極、7は高
抵抗材料である。先ずセラミック5の製造方法は、酸化
亜鉛を主成分とするバリスタ粉末に対し、バインダー、
可塑剤、分散剤、有機溶剤を加えスラリー化し、ドクタ
ーブレード法により、任意の厚みのグリーン・シートを
形成することにより行う。これを所定の大きさに切断
し、これに白金ペーストを印刷して乾燥して白金電極6
を形成する。次に400メッシュのスクリーンを用いてBi2
O3 8mol%,Sb2O3 20mol%,SiO2 72mol%とエチルセル
ロースとからなるペーストを内部電極である白金電極6
の一端上に塗布する。その後グリーン・シートを積層、
白金ペーストを印刷と繰り返す。積層したものを圧着
し、所定の大きさに切断する。素子はバインダーアウト
後、1100〜1300℃で焼成する。素子の面取りを行った
後、銀の外部電極を塗布し、700〜800℃で焼付けを行
う。
以上の工程に従って作製された素子のサージ耐量を測定
し、結果を第1表に示す。
し、結果を第1表に示す。
第1表からもわかるように、内部電極である白金電極6
の一端に高抵抗材料7を印刷形成することにより、サー
ジ耐量が向上する。しかし塗着量が多すぎると、上下の
槽にも影響を及ぼし、サージ耐量の低下をまねくことと
なる。
の一端に高抵抗材料7を印刷形成することにより、サー
ジ耐量が向上する。しかし塗着量が多すぎると、上下の
槽にも影響を及ぼし、サージ耐量の低下をまねくことと
なる。
但し、サージ耐量は8×20μsの標準電流波形を用い、
この波形の衝撃電流を5分間隔で2回印加し、バリスタ
電圧の劣化率が±10%である電流値のことを意味する。
この波形の衝撃電流を5分間隔で2回印加し、バリスタ
電圧の劣化率が±10%である電流値のことを意味する。
発明の効果 以上のように本発明は、積層型チップバリスタにおいて
セラミックの内部に挿入された内部電極の一端部にのみ
高抵抗材料を印刷形成するものであるので、この内部電
極の一端部における電流集中を防ぎ素子の破壊を防ぐこ
とができ、しかも高抵抗材料の印刷は内部電極の一端部
にのみ形成しているので、電極抵抗を大きくしてバリス
タ特性を悪化させることもない。
セラミックの内部に挿入された内部電極の一端部にのみ
高抵抗材料を印刷形成するものであるので、この内部電
極の一端部における電流集中を防ぎ素子の破壊を防ぐこ
とができ、しかも高抵抗材料の印刷は内部電極の一端部
にのみ形成しているので、電極抵抗を大きくしてバリス
タ特性を悪化させることもない。
第1図a,bは、本発明の一実施例による積層型チップバ
リスタの高抵抗材料を印刷したグリーン・シートを示す
平面図および断面図、第2図は従来の積層型チップバリ
スタを示す断面図である。 5……酸化亜鉛系セラミックス、6……白金電極、7…
…高抵抗材料。
リスタの高抵抗材料を印刷したグリーン・シートを示す
平面図および断面図、第2図は従来の積層型チップバリ
スタを示す断面図である。 5……酸化亜鉛系セラミックス、6……白金電極、7…
…高抵抗材料。
Claims (1)
- 【請求項1】酸化亜鉛系セラミックの内部に内部電極の
一端を挿入するとともに、この内部電極の一端にのみ高
抵抗材料を印刷形成してなる積層型チップバリスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257256A JPH0777162B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257256A JPH0777162B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110703A JPS63110703A (ja) | 1988-05-16 |
| JPH0777162B2 true JPH0777162B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17303853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61257256A Expired - Lifetime JPH0777162B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777162B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02276203A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型サーミスタの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060702A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-08 | マルコン電子株式会社 | 積層型電圧非直線抵抗器 |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61257256A patent/JPH0777162B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63110703A (ja) | 1988-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2556151B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP3636075B2 (ja) | 積層ptcサーミスタ | |
| JP3822798B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体及び磁器組成物 | |
| JPS61170005A (ja) | バリスタ | |
| JP2004022976A (ja) | 積層型電圧非直線抵抗体、及びその製造方法 | |
| JP5830715B2 (ja) | 積層バリスタ及びその製造方法 | |
| JP3506056B2 (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子、および正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子の製造方法 | |
| JP3878929B2 (ja) | バリスタ及びバリスタの製造方法 | |
| JPH0777162B2 (ja) | 積層型チツプバリスタの製造方法 | |
| JPH10229004A (ja) | チップ型バリスタ | |
| JP3498211B2 (ja) | 積層型半導体セラミック電子部品 | |
| JPH05226116A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JP2976250B2 (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
| JP2830322B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JP3286855B2 (ja) | チップ型ptcサーミスタの製造方法 | |
| JPH0714702A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
| JPH05283209A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPS62122103A (ja) | 積層型チツプバリスタの製造方法 | |
| JPS62282411A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗器 | |
| JP4235487B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体 | |
| JP7570060B2 (ja) | 積層バリスタ | |
| JP3289354B2 (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
| JPH0430732B2 (ja) | ||
| JP2644731B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗器の製造方法 | |
| JPH0547508A (ja) | 積層型半導体磁器及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |