JPH0777241B2 - 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 - Google Patents
半導体用窓付パツケ−ジの製造方法Info
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- JPH0777241B2 JPH0777241B2 JP17394086A JP17394086A JPH0777241B2 JP H0777241 B2 JPH0777241 B2 JP H0777241B2 JP 17394086 A JP17394086 A JP 17394086A JP 17394086 A JP17394086 A JP 17394086A JP H0777241 B2 JPH0777241 B2 JP H0777241B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体用窓付パッケージの製造方法に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体レーザ等の発光素子や感熱センサのような
受光素子は、可視光線から赤外線に及ぶ光を透過する窓
を設けた所謂半導体用窓付パッケージ内に実装されてい
る。このような半導体用窓付パッケージは、第２図及び
第３図に示す如く、金属部品である金属キャップ１の窓
２の周辺部分に低融点ガラス３を介して窓材４を装着す
ることにより窓２を封止し、次いで、金属キャップ１等
にめっきを施して所定の窓付半導体装置を構成すべく製
造されている。
受光素子は、可視光線から赤外線に及ぶ光を透過する窓
を設けた所謂半導体用窓付パッケージ内に実装されてい
る。このような半導体用窓付パッケージは、第２図及び
第３図に示す如く、金属部品である金属キャップ１の窓
２の周辺部分に低融点ガラス３を介して窓材４を装着す
ることにより窓２を封止し、次いで、金属キャップ１等
にめっきを施して所定の窓付半導体装置を構成すべく製
造されている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら上述の方法によって半導体用窓付パッケー
ジを得るものでは、最終工程で薬品処理を行うため低融
点ガラス３を浸さない薬品を使用する必要がある。この
ため薬品の種類が制限され、酸化膜除去法に最適なもの
を選択できなかった。その結果、窓材４に傷や汚れが発
生する問題があった。
ジを得るものでは、最終工程で薬品処理を行うため低融
点ガラス３を浸さない薬品を使用する必要がある。この
ため薬品の種類が制限され、酸化膜除去法に最適なもの
を選択できなかった。その結果、窓材４に傷や汚れが発
生する問題があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、最終
工程でのめっき処理を不要にして、窓材に傷や汚れが発
生するのを防止することができる半導体用窓付パッケー
ジの製造方法を提供するものである。
工程でのめっき処理を不要にして、窓材に傷や汚れが発
生するのを防止することができる半導体用窓付パッケー
ジの製造方法を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、窓を有する金属部品にめっき層を形成する工
程と、前記窓を封止するように該めっきされた金属部品
に酸化雰囲気中で低融点ガラスを介して窓材を装着する
工程と、前記酸化雰囲気中で窓材を装着する時に金属部
品に付着した酸化膜を、還元雰囲気中で除去する工程と
を具備することを特徴とする半導体用窓付パッケージの
製造方法である。
程と、前記窓を封止するように該めっきされた金属部品
に酸化雰囲気中で低融点ガラスを介して窓材を装着する
工程と、前記酸化雰囲気中で窓材を装着する時に金属部
品に付着した酸化膜を、還元雰囲気中で除去する工程と
を具備することを特徴とする半導体用窓付パッケージの
製造方法である。
ここで、低融点ガラスとしては、酸化鉛系ガラス、酸化
ホウ素−酸化亜鉛系ガラスを使用することができる。
ホウ素−酸化亜鉛系ガラスを使用することができる。
また、窓材としては、硼硅酸系ガラスまたはシリコン材
を使用することができる。
を使用することができる。
また、金属部品としては、Fe-Ni-Co系合金（コバール）
を使用することができる。
を使用することができる。
［作用］ 本発明に係る半導体用窓付パッケージの製造方法によれ
ば、窓材を装着する前に金属部品にめっき処理を行う。
このため窓を封止した後に金属部品に装着した酸化膜を
還元雰囲気中で除去することができる。その結果、窓材
に傷や汚れが発生するのを防止することができる。
ば、窓材を装着する前に金属部品にめっき処理を行う。
このため窓を封止した後に金属部品に装着した酸化膜を
還元雰囲気中で除去することができる。その結果、窓材
に傷や汚れが発生するのを防止することができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は、本発明方法による工程の流れを示す説明
図である。先ず、Fe-Ni-Co系合金からなる金属部品であ
る金属キャップにNi電解めっきを施した。次いで、予備
酸化をせずに前述のめっき処理を行った金属キャップの
窓の近傍に酸化雰囲気中で低融点ガラスを介して窓材を
装着し、窓を封止した。低融点ガラスとしては、酸化鉛
系ガラスまたは酸化ホウ素−酸化亜鉛系ガラスを使用
し、窓材としては、硼硅酸系ガラスまたはシリコン材を
使用した。窓の封止後に形成された薄い酸化膜を取り除
くために、低融点ガラスの軟化点位の約430℃の温度で
金属キャップに還元処理を施し、半導体用窓付パッケー
ジを得た。なお、還元ガスとしては窒素ガス：水素ガス
＝8:1のものを使用した。また、還元雰囲気の温度を更
に高めると、低融点ガラスの組成物が析出する問題があ
る。
る。第１図は、本発明方法による工程の流れを示す説明
図である。先ず、Fe-Ni-Co系合金からなる金属部品であ
る金属キャップにNi電解めっきを施した。次いで、予備
酸化をせずに前述のめっき処理を行った金属キャップの
窓の近傍に酸化雰囲気中で低融点ガラスを介して窓材を
装着し、窓を封止した。低融点ガラスとしては、酸化鉛
系ガラスまたは酸化ホウ素−酸化亜鉛系ガラスを使用
し、窓材としては、硼硅酸系ガラスまたはシリコン材を
使用した。窓の封止後に形成された薄い酸化膜を取り除
くために、低融点ガラスの軟化点位の約430℃の温度で
金属キャップに還元処理を施し、半導体用窓付パッケー
ジを得た。なお、還元ガスとしては窒素ガス：水素ガス
＝8:1のものを使用した。また、還元雰囲気の温度を更
に高めると、低融点ガラスの組成物が析出する問題があ
る。
このように窓の封止前に金属キャップにめっき処理を施
して封止後の酸化膜を還元雰囲気で除去した。その結
果、窓材に傷や汚れが発生するのを防止して、高品質の
半導体用窓付パッケージを容易に得ることができた。
して封止後の酸化膜を還元雰囲気で除去した。その結
果、窓材に傷や汚れが発生するのを防止して、高品質の
半導体用窓付パッケージを容易に得ることができた。
［発明の効果］ 以上説明した如く、本発明に係る半導体用窓付パッケー
ジの製造方法によれば、最終工程での薬品処理を不要に
して、窓材に傷や汚れが発生するのを防止することがで
きるものである。
ジの製造方法によれば、最終工程での薬品処理を不要に
して、窓材に傷や汚れが発生するのを防止することがで
きるものである。
第１図は、本発明方法の工程の流れを示す説明図、第２
図は、従来の方法による組立状態を示す説明図、第３図
は、同従来の方法の工程の流れを示す説明図である。 １……金属キャップ、２……窓、３……低融点ガラス、
４……窓材。
図は、従来の方法による組立状態を示す説明図、第３図
は、同従来の方法の工程の流れを示す説明図である。 １……金属キャップ、２……窓、３……低融点ガラス、
４……窓材。
Claims (1)
- 【請求項１】窓を有する金属部品にめっき層を形成する
工程と、前記窓を封止するように該めっきされた金属部
品に酸化雰囲気中で低融点ガラスを介して窓材を装着す
る工程と、前記酸化雰囲気中で窓材を装着する時に金属
部品に付着した酸化膜を、還元雰囲気中で除去する工程
とを具備することを特徴とする半導体用窓付パッケージ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17394086A JPH0777241B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17394086A JPH0777241B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331139A JPS6331139A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH0777241B2 true JPH0777241B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=15969883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17394086A Expired - Lifetime JPH0777241B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777241B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58173940A (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | デ−タ伝送制御装置 |
| JPS6142936A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光透過用窓付構体の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17394086A patent/JPH0777241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331139A (ja) | 1988-02-09 |
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Legal Events
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