JPS6226834A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6226834A
JPS6226834A JP60166504A JP16650485A JPS6226834A JP S6226834 A JPS6226834 A JP S6226834A JP 60166504 A JP60166504 A JP 60166504A JP 16650485 A JP16650485 A JP 16650485A JP S6226834 A JPS6226834 A JP S6226834A
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繁 原田
Takeshi Noguchi
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Reiji Tamaki
礼二 玉城
Mitsuyoshi Nakamura
充善 中村
Hiroshi Takagi
洋 高木
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は劣化防止を施こした半導体装置の製造方法に
関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の半導体装置を示す断面図であり、（１）
は半導体チップ、（２）は半導体チップの素子形成部分
、（３）は素子形成部分（２）上に設けられた内部配線
であって、こ＼ではアルミニウム配線、（４）は素子形
成部分（２）と内部配線（３）の上に形成され後者を湿
気等から守る保護用絶縁膜、（４Ａ）は保護用絶縁膜（
４）のボンディングのまめの開口部、（３Ａ）は内部配
線（３）の一部で開口部（４Ａ）の下にあるボンディン
グパッド、（５Ａ）はチップ（１）を固定するリードフ
レームのダイ部分、（５Ｂ）は半導体装置のリードとな
るリードフレームのリード部分、（６）は金属細線であ
って、と＼では金線、（７）はパッケージでありこ＼で
はプラスチックパッケージのプラスチック充填部分、（
ＳＸ）Ｖｉ内部配線（３）のチップ（１）の外部に露出
している露光部分である。
従来の半導体装置は上記の如く構成されていたので、内
部配線の露出部分（３ｘ）はプラスチック充填部分（７
）で保護され、短時間酸につかる程度では劣化しないよ
うになっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の半導体装置では、長時ｉＪをかけて
リード部分（５Ｂ）とプラスチック充填部分のすき間か
ら侵入して来る湿気等による劣化に露出部分（３Ｘ）は
無力であり、導通不良を起すといっな問題点が有った。
この発明はパッケージが湿気等の腐蝕の原因になるもの
の侵入を食い止められない場合でも、劣化を生じない半
導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、チップの内部
配線の表面層を不活性元素を含むガスでスパッタリング
する工程と前記内部配線の一部であるポンディンパッド
に金属細線をボンディングする工程との後に前記内部配
線の表面層を酸化するようにした方法である。
〔作用〕
この発明においては、スパッタリングする工程とボンデ
ィングする工程の後に、酸化する工程を施こすことによ
り、内部配線の露出部分にその酸化被膜の成長する部分
を限定すると共に、その成長を容易にする。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、（８
）は内部配線（３）の金属等の材料の酸化膜、その他の
符号は第２図のものと同一のものである。
この酸化膜〈８月よりイヤボンディングの前にアルゴン
ガスによるスパッタリングを第１図において露出部分（
３ｘ）と、金属細線（６）でかくれた部分に施こし、後
に約８０℃の温水に数分ないし数１０分間浸すことによ
り、露出部分（３ｘ）の表面上に化学式にして、Ａｌ２
Ｏ３・Ｈ２Ｏなる成分の絶縁膜（８）として形成される
。
この実施例は上記のようにして形成した絶縁膜（８）が
安定なため酸化膜（８）が長時間の内にパッケージ内に
浸入して来る湿気等による残りのボンデインパッド（３
Ａ）等の内部配線（３）ヲ腐触から保護することは明ら
かである。
なお上記実施例ではアルゴンガスでスパッタリングする
例について述べたが他の不活性元素ガスであってもよく
、さらにこれらのガスに他のガスが含まれていてもよい
。
また、上記実施例ではスパッタリングする工程の後にボ
ンディング工程を施こしたが逆になってもよい。
また、上記実施例では約８０°Ｃの熱水で酸化する場合
について述べたがこれは最適条件であってこれより低温
でもまた高温でも同様の効果が期待できることは云うま
でもない。
また、上記実施例は熱水で酸化する場合であったが他の
方法で酸化してもよく例えば過酸化水素水に浸したり、
＠極醇化したり、高温の水蒸気にさらしたり、酸化性プ
ラズマにさらしたりしてもよい０ また、上記実施例では内部配線の材料がアルミニウムで
ある場合について述べたが、その酸化膜が安定な絶縁膜
となるものなら他の材料でもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来の半導体装置を示す断面図である。 図において、（１）はチップ、（３）は内部配線、（３
Ａ）はボンディングパッド、（３Ｘ）は内部配線の露出
部分、（６）は金属細線、（８）は酸化膜である。 なお、各図中、同一符号は同一ま念は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）チップの内部配線の表面層を不活性元素を含むガ
    スでスパッタリングする工程と 前記内部配線の一部であるボンディングパッドに金属細
    線をボンディングする工程と 前記両工程完了後に前記内部配線の表面層を酸化する工
    程とを 備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0529379A (ja) * 1991-07-25 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびそれの製造方法
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