JPH0778844A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0778844A JPH0778844A JP5222981A JP22298193A JPH0778844A JP H0778844 A JPH0778844 A JP H0778844A JP 5222981 A JP5222981 A JP 5222981A JP 22298193 A JP22298193 A JP 22298193A JP H0778844 A JPH0778844 A JP H0778844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- pad portion
- pad
- thickness
- film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置におけるボンディング
パッド部の構造に関するもので、その部分が凸状になっ
ているため、その上に形成する絶縁膜が前記パッド部の
端部の上で厚くなり、前記パッド部の上の前記絶縁膜を
開口をする際、その時間がその厚さ分かかり、同時に行
う他の部分のエッチングが過剰になるといった問題点を
解消することを目的とする。 【構成】 本発明は、前記パッド部７の構造を凹凸形状
（中抜き状の開口部１３を設ける）にすることにより、
その上の開口部２を設けた絶縁膜４の厚さ（ハ）、
（ニ）をできるだけ均一化するようにしたものである。
パッド部の構造に関するもので、その部分が凸状になっ
ているため、その上に形成する絶縁膜が前記パッド部の
端部の上で厚くなり、前記パッド部の上の前記絶縁膜を
開口をする際、その時間がその厚さ分かかり、同時に行
う他の部分のエッチングが過剰になるといった問題点を
解消することを目的とする。 【構成】 本発明は、前記パッド部７の構造を凹凸形状
（中抜き状の開口部１３を設ける）にすることにより、
その上の開口部２を設けた絶縁膜４の厚さ（ハ）、
（ニ）をできるだけ均一化するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置における
ボンディングパッド電極部の構造に関するものである。
ボンディングパッド電極部の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置におけるボンディングパッド
電極（以下、単にパッドと称す）部の構造を図２に示
し、以下に説明する。図２の（ａ）は上面図、（ｂ）は
そのＡ−Ａ断面図である。
電極（以下、単にパッドと称す）部の構造を図２に示
し、以下に説明する。図２の（ａ）は上面図、（ｂ）は
そのＡ−Ａ断面図である。
【０００３】図２において、６は半導体基板（以下、単
に基板と称す）であり、その上に絶縁膜（例えば酸化
膜）５が形成されている。そして、その上の所定部分に
電極配線（例えばＡｌあるいはその合金や高融点金属な
ど。以下、単に配線と称す）３が形成されており、その
配線３の一部が外部と電気的接続（一般に金線によるボ
ンディング）をするボンディングパッド電極（パッド）
部１になっている。その上に、該パッド部１の上部に開
口部２を有する絶縁膜４が設けられている。
に基板と称す）であり、その上に絶縁膜（例えば酸化
膜）５が形成されている。そして、その上の所定部分に
電極配線（例えばＡｌあるいはその合金や高融点金属な
ど。以下、単に配線と称す）３が形成されており、その
配線３の一部が外部と電気的接続（一般に金線によるボ
ンディング）をするボンディングパッド電極（パッド）
部１になっている。その上に、該パッド部１の上部に開
口部２を有する絶縁膜４が設けられている。
【０００４】このような構造の製法は改めて説明するま
でもないが、以下に簡単に述べておく。
でもないが、以下に簡単に述べておく。
【０００５】まず、基板６上に絶縁膜５として例えば熱
酸化法で酸化膜を形成し、その上に配線４として例えば
Ａｌあるいはその合金または高融点金属（Ｗあるいはそ
の合金など）を公知の真空蒸着法やスパッタ法などで形
成し、ホトリソ（ホトリソグラフィ）・エッチング技術
で、フォトレジストパターンをマスクにして所定形状
（図２に示すようにパッド部１を有する配線３の形状）
にパターニングする。次いで、前記フォトレジストを除
去して、配線３上に絶縁膜４として、例えば、プラズマ
ＣＶＤ窒化膜あるいは該窒化膜とＣＶＤ酸化膜との積層
膜などをＣＶＤ法（化学気相成長法、プラズマＣＶＤ法
も含む）により形成し、パッド部１の上をホトリソ・エ
ッチング技術で開口してパッド部の開口部２を形成す
る。
酸化法で酸化膜を形成し、その上に配線４として例えば
Ａｌあるいはその合金または高融点金属（Ｗあるいはそ
の合金など）を公知の真空蒸着法やスパッタ法などで形
成し、ホトリソ（ホトリソグラフィ）・エッチング技術
で、フォトレジストパターンをマスクにして所定形状
（図２に示すようにパッド部１を有する配線３の形状）
にパターニングする。次いで、前記フォトレジストを除
去して、配線３上に絶縁膜４として、例えば、プラズマ
ＣＶＤ窒化膜あるいは該窒化膜とＣＶＤ酸化膜との積層
膜などをＣＶＤ法（化学気相成長法、プラズマＣＶＤ法
も含む）により形成し、パッド部１の上をホトリソ・エ
ッチング技術で開口してパッド部の開口部２を形成す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の構造ではパッド部において、その上の絶縁膜の
膜厚が均一でないという問題があった。つまり、図２で
示すように、一般に平面的に見て四角形のパッド部１の
各辺端部上でその他の部分（ロ）より高く（イ）なって
いた。これは、絶縁膜、例えばプラズマ窒化膜生成のと
き、膜生成レートが下地の凹凸の度合いにより異なるこ
とに起因する。例えば、プラズマＣＶＤ装置にてパッド
部１の各辺端部上に生成されるプラズマ窒化膜４は、パ
ッド部１に続く配線部３の平坦な部分の上に生成される
窒化膜４の厚さ（ロ）の１．５倍の厚さ（イ）となる。
これは前述したように、パッド部１まで配線３の続きと
して平坦な構造をしていて、パッド部１の各辺端部のみ
角のある形状になっていることに起因している。つま
り、凹凸の度合いが前記パッド部の辺のみでいわば疎で
あるからである。
た従来の構造ではパッド部において、その上の絶縁膜の
膜厚が均一でないという問題があった。つまり、図２で
示すように、一般に平面的に見て四角形のパッド部１の
各辺端部上でその他の部分（ロ）より高く（イ）なって
いた。これは、絶縁膜、例えばプラズマ窒化膜生成のと
き、膜生成レートが下地の凹凸の度合いにより異なるこ
とに起因する。例えば、プラズマＣＶＤ装置にてパッド
部１の各辺端部上に生成されるプラズマ窒化膜４は、パ
ッド部１に続く配線部３の平坦な部分の上に生成される
窒化膜４の厚さ（ロ）の１．５倍の厚さ（イ）となる。
これは前述したように、パッド部１まで配線３の続きと
して平坦な構造をしていて、パッド部１の各辺端部のみ
角のある形状になっていることに起因している。つま
り、凹凸の度合いが前記パッド部の辺のみでいわば疎で
あるからである。
【０００７】このため、前記絶縁膜生成後の工程である
パッド部上の開口におけるエッチングでは、前述した厚
さの分の時間がかかる。従って、その部分以外の前記絶
縁膜のエッチングを同時にする場合、その部分のエッチ
ングは過剰となり、技術的に満足できなかった。
パッド部上の開口におけるエッチングでは、前述した厚
さの分の時間がかかる。従って、その部分以外の前記絶
縁膜のエッチングを同時にする場合、その部分のエッチ
ングは過剰となり、技術的に満足できなかった。
【０００８】本発明は、以上述べた不満足な点を除去す
るため、パッド部の構造を密な凹凸形状にすることによ
り、その上の絶縁膜の厚さをより平坦に均一化すること
を目的とする。
るため、パッド部の構造を密な凹凸形状にすることによ
り、その上の絶縁膜の厚さをより平坦に均一化すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的達成のために本
発明は、半導体装置におけるボンディングパッド部の構
造を凹凸形状（パッド部に複数の開口部（削除部）を設
ける）にして、平坦な部分の面積を少なくした、つま
り、凹凸の度合いを密にしたものである。
発明は、半導体装置におけるボンディングパッド部の構
造を凹凸形状（パッド部に複数の開口部（削除部）を設
ける）にして、平坦な部分の面積を少なくした、つま
り、凹凸の度合いを密にしたものである。
【００１０】
【作用】前述したように、本発明はパッド部の構造を凹
凸状にしたので、その部分において平坦な部分の面積が
少なくなり、つまり凹凸の度合いが密になり、その上に
生成される絶縁膜の膜厚は凹凸が少なくなり均一化され
る。従って、パッド部上の絶縁膜に開口部を形成するた
めのエッチングの時間が短くなり、前述した他の部分に
対する過剰なエッチングを行なわずにすむ。
凸状にしたので、その部分において平坦な部分の面積が
少なくなり、つまり凹凸の度合いが密になり、その上に
生成される絶縁膜の膜厚は凹凸が少なくなり均一化され
る。従って、パッド部上の絶縁膜に開口部を形成するた
めのエッチングの時間が短くなり、前述した他の部分に
対する過剰なエッチングを行なわずにすむ。
【００１１】ただ、以上述べたような凹凸が疎である場
合、そこの部分で前記絶縁膜（窒化膜）がなぜ盛り上が
るかは完全に解明されていない。おそらく窒化膜形成時
のＳｉＨ4 ラジカルとＮＨ3 ラジカルの発生量に起因す
るものと考えられている。
合、そこの部分で前記絶縁膜（窒化膜）がなぜ盛り上が
るかは完全に解明されていない。おそらく窒化膜形成時
のＳｉＨ4 ラジカルとＮＨ3 ラジカルの発生量に起因す
るものと考えられている。
【００１２】
【実施例】図１に本発明の実施例の構造を、従来例と同
様図１（ａ）に上面図、（ｂ）にそのＢ−Ｂ断面図で示
し、以下に説明する。なお、従来例と同じ部分には同じ
符号を付してある。
様図１（ａ）に上面図、（ｂ）にそのＢ−Ｂ断面図で示
し、以下に説明する。なお、従来例と同じ部分には同じ
符号を付してある。
【００１３】図１において、６は半導体基板（以下、単
に基板と称す）であり、従来同様その上に絶縁膜（例え
ば酸化膜）５が形成されている。そして、その上の所定
部分に電極配線（例えばＡｌあるいはその合金や高融点
金属など）３が従来同様形成されており、その配線３の
一部が後述する形状のボンディングパッド電極（パッ
ド）部７になっている。その上に、該パッド部７の上部
に開口部２を有する絶縁膜（従来同様窒化膜など）４が
従来同様設けられている。
に基板と称す）であり、従来同様その上に絶縁膜（例え
ば酸化膜）５が形成されている。そして、その上の所定
部分に電極配線（例えばＡｌあるいはその合金や高融点
金属など）３が従来同様形成されており、その配線３の
一部が後述する形状のボンディングパッド電極（パッ
ド）部７になっている。その上に、該パッド部７の上部
に開口部２を有する絶縁膜（従来同様窒化膜など）４が
従来同様設けられている。
【００１４】本実施例では、前記パッド部７の形状を凹
凸状、つまり、図１に示すようにパッド部に複数の削除
部（いわばパッド部の複数箇所を開口削除して中抜き状
にした開口部分）１３が所定の間隔をおいて縦、横に並
べた形状としてある。なお、この削除部１３の平面的に
見た形は本実施例では図１（ａ）に示すように四角形に
しているが円形でもよい。言い換えれば、このパッド部
７は前記削除部１３が格子状に複数設けられているの
で、全体として凹凸形状となっている。このように凹凸
を特に規則正しく格子状にする必要もないが、その上に
形成する絶縁膜４の厚さをできるだけ均一化するにはこ
のようにバランスをとった形状がよい。
凸状、つまり、図１に示すようにパッド部に複数の削除
部（いわばパッド部の複数箇所を開口削除して中抜き状
にした開口部分）１３が所定の間隔をおいて縦、横に並
べた形状としてある。なお、この削除部１３の平面的に
見た形は本実施例では図１（ａ）に示すように四角形に
しているが円形でもよい。言い換えれば、このパッド部
７は前記削除部１３が格子状に複数設けられているの
で、全体として凹凸形状となっている。このように凹凸
を特に規則正しく格子状にする必要もないが、その上に
形成する絶縁膜４の厚さをできるだけ均一化するにはこ
のようにバランスをとった形状がよい。
【００１５】このようなパッド部７の削除部１３の形成
は、公知のホトリソ・エッチング技術でパターニングす
れば容易にできることは説明するまでもない。
は、公知のホトリソ・エッチング技術でパターニングす
れば容易にできることは説明するまでもない。
【００１６】以上のようにパッド部７を密な凹凸状にす
ると、その上に形成する絶縁膜４はパッド部７の前記削
除部１３に落ち込むように形成されるので、従来例のよ
うにパッド部７の外辺端部で極端に厚く盛り上がるよう
なことはなくなり、絶縁膜４は平坦な配線部３上の厚さ
（ニ）とパッド部７上の厚さ（ハ）とはほぼ等しくな
る。つまり均一化される。従って、パッド部７上に絶縁
膜４の開口部２を形成する際のエッチングも、同時にエ
ッチングする他の部分の絶縁膜４に必要なエッチング時
間とほぼ同じでよく、前記他の部分が過剰エッチングに
なるようなことはない。
ると、その上に形成する絶縁膜４はパッド部７の前記削
除部１３に落ち込むように形成されるので、従来例のよ
うにパッド部７の外辺端部で極端に厚く盛り上がるよう
なことはなくなり、絶縁膜４は平坦な配線部３上の厚さ
（ニ）とパッド部７上の厚さ（ハ）とはほぼ等しくな
る。つまり均一化される。従って、パッド部７上に絶縁
膜４の開口部２を形成する際のエッチングも、同時にエ
ッチングする他の部分の絶縁膜４に必要なエッチング時
間とほぼ同じでよく、前記他の部分が過剰エッチングに
なるようなことはない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ボンディングパッド電極部の形状を凹凸状にしたので、
その上に形成する絶縁膜の厚さが前述したように均一化
され、従来例のように他の部分が過剰エッチングされる
不具合が解消される。
ボンディングパッド電極部の形状を凹凸状にしたので、
その上に形成する絶縁膜の厚さが前述したように均一化
され、従来例のように他の部分が過剰エッチングされる
不具合が解消される。
【００１８】また、従来例のようにパッド部上の絶縁膜
が異常に厚く形成されているために引き起こされる絶縁
膜ストレスによる悪影響も防止できる。
が異常に厚く形成されているために引き起こされる絶縁
膜ストレスによる悪影響も防止できる。
【図１】本発明の実施例によるボンディングパッド部構
造図
造図
【図２】従来例のボンディングパッド部構造図
２ ボンディングパッド部開口部 ３ 配線 ４、５ 絶縁膜 ６ 半導体基板 ７ ボンディングパッド部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に設けられているボンディ
ングパッド電極部を凹凸形状にしたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 前記ボンディングパッド電極部の凹凸形
状として、該ボンディングパッド電極部の複数箇所に開
口部（削除部）を設けてあることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222981A JPH0778844A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222981A JPH0778844A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778844A true JPH0778844A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16790932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5222981A Pending JPH0778844A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778844A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010507022A (ja) * | 2006-10-20 | 2010-03-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 易洗浄基材のための方法及びそれによる物品 |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP5222981A patent/JPH0778844A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010507022A (ja) * | 2006-10-20 | 2010-03-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 易洗浄基材のための方法及びそれによる物品 |
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