JPH0778896A - 半導体モジュールのハーメチックシール方法 - Google Patents
半導体モジュールのハーメチックシール方法Info
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- JPH0778896A JPH0778896A JP27652493A JP27652493A JPH0778896A JP H0778896 A JPH0778896 A JP H0778896A JP 27652493 A JP27652493 A JP 27652493A JP 27652493 A JP27652493 A JP 27652493A JP H0778896 A JPH0778896 A JP H0778896A
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Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路（ＩＣ）や電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）等を含む半導体モジュールのハーメチックシ
ール方法に関する。 【構成】 半導体モジュール１を内蔵するパッケージ２
とキャップ３との接合面に共晶合金４を間挿し、これを
加圧しながら共晶合金４の融点以上の温度に加熱して接
着するに際し、パッケージ２あるいはキャップ３をスク
ラブさせる方法である。
（ＦＥＴ）等を含む半導体モジュールのハーメチックシ
ール方法に関する。 【構成】 半導体モジュール１を内蔵するパッケージ２
とキャップ３との接合面に共晶合金４を間挿し、これを
加圧しながら共晶合金４の融点以上の温度に加熱して接
着するに際し、パッケージ２あるいはキャップ３をスク
ラブさせる方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路（ＩＣ）や電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）等を含む半導体モジュール
のハーメチックシール方法に関する。
効果トランジスタ（ＦＥＴ）等を含む半導体モジュール
のハーメチックシール方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の大規模化、高速化が求められ
るにつれてその対策として基板上に小型の部品を多数搭
載すること及び高速性を有する回路は機能ごとにシール
ドパッケージする方式が採られている。図２は上記の半
導体モジュールをハーメチックシールする従来法を示す
側面図である。半導体モジュール１を内蔵する金属ある
いはセラミック製のパッケージ２とそのキャップ３との
接合面にＡｕ−ＳｎあるいはＡｕ−Ｓｉ等の共晶合金４
を間挿して治具５の上に配置し、パッケージ２の上には
錘９をのせて加圧する。これを炉に入れて共晶合金４を
溶融させるかあるいは治具５には図示していないヒータ
に電流を流して加熱しパッケージ２とキャップ３を接着
させハーメチックシール方法が行なわれている。
るにつれてその対策として基板上に小型の部品を多数搭
載すること及び高速性を有する回路は機能ごとにシール
ドパッケージする方式が採られている。図２は上記の半
導体モジュールをハーメチックシールする従来法を示す
側面図である。半導体モジュール１を内蔵する金属ある
いはセラミック製のパッケージ２とそのキャップ３との
接合面にＡｕ−ＳｎあるいはＡｕ−Ｓｉ等の共晶合金４
を間挿して治具５の上に配置し、パッケージ２の上には
錘９をのせて加圧する。これを炉に入れて共晶合金４を
溶融させるかあるいは治具５には図示していないヒータ
に電流を流して加熱しパッケージ２とキャップ３を接着
させハーメチックシール方法が行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
では、パッケージ２とキャップ３との接合面が平面に仕
上がっていない場合には共晶合金４が接合面となじみが
悪くなり、部分的に酸化皮膜が生じて接着はしているが
気密が確保されないという問題があった。また、パッケ
ージを小型化するという要請に対してパッケージの壁厚
を薄くすることを検討したが気密が不完全になりやす
く、気密を確保するために加熱時間を長くすると半導体
モジュールが劣化するために限界があった。そこで本発
明は、かかる問題点を解決した半導体モジュールのハー
メチックシール方法を提供することを目的とする。
では、パッケージ２とキャップ３との接合面が平面に仕
上がっていない場合には共晶合金４が接合面となじみが
悪くなり、部分的に酸化皮膜が生じて接着はしているが
気密が確保されないという問題があった。また、パッケ
ージを小型化するという要請に対してパッケージの壁厚
を薄くすることを検討したが気密が不完全になりやす
く、気密を確保するために加熱時間を長くすると半導体
モジュールが劣化するために限界があった。そこで本発
明は、かかる問題点を解決した半導体モジュールのハー
メチックシール方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体モ
ジュールのハーメチックシール方法は、半導体モジュー
ルを内蔵するパッケージとキャップとの接合面に共晶合
金を間挿し、これを加圧しながら共晶合金の融点以上の
温度に加熱して接着するに際し、パッケージあるいはキ
ャップをスクラブさせることを特徴とする。上記の方法
において、超音波振動装置によってスクラブさせるこ
と、また、加熱条件として３００℃以下、１０秒以内で
行なうことが好ましい。
ジュールのハーメチックシール方法は、半導体モジュー
ルを内蔵するパッケージとキャップとの接合面に共晶合
金を間挿し、これを加圧しながら共晶合金の融点以上の
温度に加熱して接着するに際し、パッケージあるいはキ
ャップをスクラブさせることを特徴とする。上記の方法
において、超音波振動装置によってスクラブさせるこ
と、また、加熱条件として３００℃以下、１０秒以内で
行なうことが好ましい。
【０００５】
【作用】上記の方法によれば、本発明に係わる半導体モ
ジュールのハーメチックシール方法はパッケージとキャ
ップとを接着させるに際し、パッケージあるいはキャッ
プをスクラブさせるので接合面の不完全性により生ずる
共晶合金の酸化皮膜（ＳｎＯ2等）その他の不純物を除
去し、共晶合金の濡れ性を向上させるので気密性を確保
することができる。また、パッケ−ジの壁厚を薄くして
も気密性を確保できるのでパッケージを小型化できる。
さらに、短時間でシールすることができるので半導体モ
ジュールの熱劣化を抑えることができ、信頼性が向上す
る。
ジュールのハーメチックシール方法はパッケージとキャ
ップとを接着させるに際し、パッケージあるいはキャッ
プをスクラブさせるので接合面の不完全性により生ずる
共晶合金の酸化皮膜（ＳｎＯ2等）その他の不純物を除
去し、共晶合金の濡れ性を向上させるので気密性を確保
することができる。また、パッケ−ジの壁厚を薄くして
も気密性を確保できるのでパッケージを小型化できる。
さらに、短時間でシールすることができるので半導体モ
ジュールの熱劣化を抑えることができ、信頼性が向上す
る。
【０００６】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本実施例
の構成を示す側面図であり、ヒータ７の上に設置された
治具５の中にはキャップが搬送され、次いでキャップ３
の上にリング状に形成されたＡｕ−Ｓｎからなる共晶合
金４を、さらに共晶合金４の上には内部に半導体モジュ
ール１を内蔵したパッケージ２が搬送される。これらの
パーツは中心に貫通孔６−１を有するコレット６によっ
て吸着して運ばれる。
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図１は本実施例
の構成を示す側面図であり、ヒータ７の上に設置された
治具５の中にはキャップが搬送され、次いでキャップ３
の上にリング状に形成されたＡｕ−Ｓｎからなる共晶合
金４を、さらに共晶合金４の上には内部に半導体モジュ
ール１を内蔵したパッケージ２が搬送される。これらの
パーツは中心に貫通孔６−１を有するコレット６によっ
て吸着して運ばれる。
【０００７】次いで、コレット６はパッケージ２を加圧
すると同時にヒータ７を３００℃に加熱し、またコレッ
ト６に取り付けた超音波振動装置８によって振動を与え
１０秒間で接着することができた。従来はシールが不完
全の場合は接着を繰り返したり加熱に長時間をようした
ため半導体モジュールが劣化することもあったが、本発
明の方法によれば短時間でシールできるのでモジュール
の信頼性が向上した。スクラブは偏心して取り付けた円
盤の軸を小型モータで回転して振動を与えることもでき
る。スクラブを与えるために治具５の凹とパッケージ２
の間には間隙を設けておく。上記の方法によりシールさ
れたパッケージについて顕微鏡及び軟Ｘ線透過装置によ
って接合部を検査したところ気泡は存在せず、完全にシ
ールされていることが確認された。
すると同時にヒータ７を３００℃に加熱し、またコレッ
ト６に取り付けた超音波振動装置８によって振動を与え
１０秒間で接着することができた。従来はシールが不完
全の場合は接着を繰り返したり加熱に長時間をようした
ため半導体モジュールが劣化することもあったが、本発
明の方法によれば短時間でシールできるのでモジュール
の信頼性が向上した。スクラブは偏心して取り付けた円
盤の軸を小型モータで回転して振動を与えることもでき
る。スクラブを与えるために治具５の凹とパッケージ２
の間には間隙を設けておく。上記の方法によりシールさ
れたパッケージについて顕微鏡及び軟Ｘ線透過装置によ
って接合部を検査したところ気泡は存在せず、完全にシ
ールされていることが確認された。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる半
導体モジュールのハーメチックシール方法はパッケージ
とキャップとを接着させるに際し、パッケージあるいは
キャップをスクラブさせるので接合面の不完全性により
生ずる共晶合金の酸化皮膜（ＳｎＯ2等）その他の不純
物を除去し、共晶合金の濡れ性を向上させるので気密性
を確保することができる。また、パッケ−ジの壁厚を薄
くしても気密性を確保できるのでパッケージを小型化で
きる。さらに、短時間でシールすることができるので半
導体モジュールの熱劣化を抑えることができ、信頼性が
向上する。
導体モジュールのハーメチックシール方法はパッケージ
とキャップとを接着させるに際し、パッケージあるいは
キャップをスクラブさせるので接合面の不完全性により
生ずる共晶合金の酸化皮膜（ＳｎＯ2等）その他の不純
物を除去し、共晶合金の濡れ性を向上させるので気密性
を確保することができる。また、パッケ−ジの壁厚を薄
くしても気密性を確保できるのでパッケージを小型化で
きる。さらに、短時間でシールすることができるので半
導体モジュールの熱劣化を抑えることができ、信頼性が
向上する。
【図１】本発明に係わる実施例の構成を示す側面図であ
る。
る。
【図２】従来の構成を示す側面図である。
１：半導体モジュール ２：パッケージ ３：キャップ ４：共晶合金 ５：治具 ６：コレット ６−１：貫通孔 ７：ヒータ ８：超音波振動装置 ９：錘
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体モジュールを内蔵するパッケージ
とキャップとの接合面に共晶合金を間挿し、これを加圧
しながら共晶合金の融点以上の温度に加熱して接着する
に際し、パッケージあるいはキャップをスクラブさせる
ことを特徴とする半導体モジュールのハーメチックシー
ル方法。 - 【請求項２】 超音波振動装置によってスクラブさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの
ハーメチックシール方法。 - 【請求項３】 加熱条件が３００℃以下、１０秒以内で
あることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュー
ルのハーメチックシール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27652493A JPH0778896A (ja) | 1993-07-12 | 1993-11-05 | 半導体モジュールのハーメチックシール方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17138093 | 1993-07-12 | ||
| JP5-171380 | 1993-07-12 | ||
| JP27652493A JPH0778896A (ja) | 1993-07-12 | 1993-11-05 | 半導体モジュールのハーメチックシール方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778896A true JPH0778896A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=26494125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27652493A Pending JPH0778896A (ja) | 1993-07-12 | 1993-11-05 | 半導体モジュールのハーメチックシール方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778896A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009088057A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| JP2016082201A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | Ｃｒｏｓｓ大阪株式会社 | 封止装置及び封止方法 |
| CN109192672A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-11 | 济南市半导体元件实验所 | 一种硅芯片的烧结方法 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP27652493A patent/JPH0778896A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009088057A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| JP2016082201A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | Ｃｒｏｓｓ大阪株式会社 | 封止装置及び封止方法 |
| CN109192672A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-11 | 济南市半导体元件实验所 | 一种硅芯片的烧结方法 |
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