JPH0778913B2 - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPH0778913B2 JPH0778913B2 JP60132147A JP13214785A JPH0778913B2 JP H0778913 B2 JPH0778913 B2 JP H0778913B2 JP 60132147 A JP60132147 A JP 60132147A JP 13214785 A JP13214785 A JP 13214785A JP H0778913 B2 JPH0778913 B2 JP H0778913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical disk
- inorganic glass
- thin film
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザー光を用いて記録層の記録・再生を行う
高密度情報記録担体に関するものであり、特にプラスチ
ック基板を用いた光ディスク、特に光磁気ディスクに関
するものである。
高密度情報記録担体に関するものであり、特にプラスチ
ック基板を用いた光ディスク、特に光磁気ディスクに関
するものである。
（従来技術） 光ディスクにおいて、現在技術的に最も重要な点は、プ
ラスチック基板を用いた場合の耐久性、すなわち信頼性
の向上をいかにして上げるかということである。すなわ
ち、ガラス基板に比較して種々の利点を有するプラスチ
ック基板上に形成した記録層はプラスチック基板中に残
留する水分やモノマー、あるいはプラスチック基板を通
して侵入する水分等によって劣化を受け、あるいは変質
してしまうという欠点があった。
ラスチック基板を用いた場合の耐久性、すなわち信頼性
の向上をいかにして上げるかということである。すなわ
ち、ガラス基板に比較して種々の利点を有するプラスチ
ック基板上に形成した記録層はプラスチック基板中に残
留する水分やモノマー、あるいはプラスチック基板を通
して侵入する水分等によって劣化を受け、あるいは変質
してしまうという欠点があった。
本発明者は、昭和59年２月22日提出の「光学式情報記録
担体」と題する特願昭59-32230号に於いて上記欠点を解
決する方法としてプラスチック基板と記録層との間に無
アルカリガラスの薄膜を設けることを提案した。この方
法は光ディスクの耐久性を驚異的にのばし、完全に満足
のいくものであるが、本発明者に上記発明をさらに発展
させ、耐久性をさらに向上させる実験を行い、耐久性を
維持したまま成膜速度を増加させる方法を見い出して本
発明を完成した。
担体」と題する特願昭59-32230号に於いて上記欠点を解
決する方法としてプラスチック基板と記録層との間に無
アルカリガラスの薄膜を設けることを提案した。この方
法は光ディスクの耐久性を驚異的にのばし、完全に満足
のいくものであるが、本発明者に上記発明をさらに発展
させ、耐久性をさらに向上させる実験を行い、耐久性を
維持したまま成膜速度を増加させる方法を見い出して本
発明を完成した。
（発明の目的） 本発明の目的は上述した従来の問題を解決するために、
プラスチック基板をガラス様とし、平滑性、硬度、吸湿
変形性、耐湿性を改良して基板に基づく機能膜の劣化を
防止すると同時に製膜速度が向上した長期的に安定な光
学式情報記録担体を提供することにある。
プラスチック基板をガラス様とし、平滑性、硬度、吸湿
変形性、耐湿性を改良して基板に基づく機能膜の劣化を
防止すると同時に製膜速度が向上した長期的に安定な光
学式情報記録担体を提供することにある。
本発明の他の目的は上記機能膜として希土類−遷移金属
アモルファス合金を用いた光磁気記録担体において光磁
気特性が大巾に向上した光学式情報記録担体を提供する
ことにある。
アモルファス合金を用いた光磁気記録担体において光磁
気特性が大巾に向上した光学式情報記録担体を提供する
ことにある。
（発明の構成） 本発明は、透明プラスチック基板上に無機ガラス薄膜を
介して高密度情報記録層が形成されている高密度情報記
録担体において、上記無機ガラス薄膜がアルカリ土類金
属酸化物換算で20重量％〜35重量％の範囲で含む無機ガ
ラスで構成されていることを特徴とする高密度情報記録
担体にある。
介して高密度情報記録層が形成されている高密度情報記
録担体において、上記無機ガラス薄膜がアルカリ土類金
属酸化物換算で20重量％〜35重量％の範囲で含む無機ガ
ラスで構成されていることを特徴とする高密度情報記録
担体にある。
上記アルカリ土類金属酸化物とは、BaO,CaO,MgO,SrO,Be
Oで構成される群の中から選ばれる少なくとも一つ以上
の化合物であり、特に、CaO,BaOを主とするのが好まし
く、特にBaOが好ましい。
Oで構成される群の中から選ばれる少なくとも一つ以上
の化合物であり、特に、CaO,BaOを主とするのが好まし
く、特にBaOが好ましい。
上記無機ガラスを構成する他の成分は上記アルカリ土類
金属と一緒に用いられてガラスとなる材料であればよい
が、通常はケイ素、アルミニウム、ホウ素、鉛の酸化
物、SiO2、Al2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、PbO等である。
金属と一緒に用いられてガラスとなる材料であればよい
が、通常はケイ素、アルミニウム、ホウ素、鉛の酸化
物、SiO2、Al2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、PbO等である。
アルカリ土類金属酸化物の量が20重量％未満では溶融温
度が高くなり、ガラス化しにくく、スパッター速度も低
下する。逆にこの量が35重量％を超えると耐水性、耐酸
化性が低下する。
度が高くなり、ガラス化しにくく、スパッター速度も低
下する。逆にこの量が35重量％を超えると耐水性、耐酸
化性が低下する。
その結果、これより作成した無機ガラス薄膜の耐湿性が
低下し、ディスクとしての特性が低下する。すなわち、
本発明によりアルカリ土類金属の量を上記の範囲にする
ことによってディスクの耐久性を向上させると同時に製
膜速度を増加させることができる。アルカリ土類金属の
量を上記範囲にすることにより耐久性が向上する理由は
不明であるが、スパッタリングレートが向上することか
ら無機ガラス層の形成に何らかの関係があるものと思わ
れる。
低下し、ディスクとしての特性が低下する。すなわち、
本発明によりアルカリ土類金属の量を上記の範囲にする
ことによってディスクの耐久性を向上させると同時に製
膜速度を増加させることができる。アルカリ土類金属の
量を上記範囲にすることにより耐久性が向上する理由は
不明であるが、スパッタリングレートが向上することか
ら無機ガラス層の形成に何らかの関係があるものと思わ
れる。
本発明の他の特徴は上記無機ガラスがさらにアルカリ金
属をアルカリ金属酸化物換算で１重量％以下、好ましく
は0.8重量％以下しか含まない点にある。すなわち、ア
ルカリ土類金属の量を前記の範囲にすることによりディ
スクの耐久性、防湿性を向上させることができるが、こ
れら特性をさらに向上させるためには、さらに上記無機
ガラス中のアルカリ金属の量をアルカリ金属酸化物換算
で１重量％以下、さらに好ましくは0.8重量％以下にす
るのが好ましい。
属をアルカリ金属酸化物換算で１重量％以下、好ましく
は0.8重量％以下しか含まない点にある。すなわち、ア
ルカリ土類金属の量を前記の範囲にすることによりディ
スクの耐久性、防湿性を向上させることができるが、こ
れら特性をさらに向上させるためには、さらに上記無機
ガラス中のアルカリ金属の量をアルカリ金属酸化物換算
で１重量％以下、さらに好ましくは0.8重量％以下にす
るのが好ましい。
アルカリ金属の量がアルカリ金属酸化物換算で１重量％
を超えると、記録層に亀裂が生じ、記録が破壊される。
この理由は明らかではないが、アルカリ金属がプラスチ
ック基板を通って来る水分やモノマーあるいは外気中の
水分と反応して記録層を劣化するのではないかと考えら
れる。このアルカリ金属の量はアルカリ金属酸化物換算
で0.8重量％以下であることがさらに好ましく、ガラス
として性質を損わない限り、少ない方が好ましい。しか
し、工業的にはアルカリ金属をゼロにするのは困難であ
り、１重量％以下であれば実用上問題はない。
を超えると、記録層に亀裂が生じ、記録が破壊される。
この理由は明らかではないが、アルカリ金属がプラスチ
ック基板を通って来る水分やモノマーあるいは外気中の
水分と反応して記録層を劣化するのではないかと考えら
れる。このアルカリ金属の量はアルカリ金属酸化物換算
で0.8重量％以下であることがさらに好ましく、ガラス
として性質を損わない限り、少ない方が好ましい。しか
し、工業的にはアルカリ金属をゼロにするのは困難であ
り、１重量％以下であれば実用上問題はない。
なお、本発明の無アルカリガラスにはSiO2のみから成
る、いわゆるケイ酸ガラスは含まれない。すなわち、耐
湿用保護層として従来からSiO2を単独で蒸着することは
周知であるが、このケイ酸ガラス薄膜では耐湿性はほと
んど無い。
る、いわゆるケイ酸ガラスは含まれない。すなわち、耐
湿用保護層として従来からSiO2を単独で蒸着することは
周知であるが、このケイ酸ガラス薄膜では耐湿性はほと
んど無い。
本発明の無アルカリガラス薄膜の厚さは100〜2,000Åが
好ましく、100Å未満では保護の役目が不足し、2,000Å
を超えるとレーザーの吸収等の問題が生じ、また経済的
でもない。
好ましく、100Å未満では保護の役目が不足し、2,000Å
を超えるとレーザーの吸収等の問題が生じ、また経済的
でもない。
本発明は高密度情報記録層としては、例えば、TbFeCoの
ような希土類−遷移金属のアモルファス合金よりなる光
磁気記録材を用いた光ディスクに適用するのが特に好ま
しいが、プラスチック中のモノマーや水分および／また
は外部からの水分等によって劣化を受ける記録材を用い
た他の高密度記録担体全てに適用可能であることは明ら
かである。
ような希土類−遷移金属のアモルファス合金よりなる光
磁気記録材を用いた光ディスクに適用するのが特に好ま
しいが、プラスチック中のモノマーや水分および／また
は外部からの水分等によって劣化を受ける記録材を用い
た他の高密度記録担体全てに適用可能であることは明ら
かである。
なお、本発明の無アルカリガラス薄膜の保護層を記録層
の外側、すなわち基板と反対側にも形成して記録層を外
気から遮断することもできるのは当然である。
の外側、すなわち基板と反対側にも形成して記録層を外
気から遮断することもできるのは当然である。
本発明の無アルカリガラス薄膜は任意の物理蒸着法、例
えばスパッタリング、蒸着、イオンプレーティングによ
り容易に形成することができる。理論的にはアルカリ土
類金属および／またはアルカリ金属の量が前記定義内に
入るような任意の方法、例えば無機ガラスを構成する２
以上の蒸着源から各成分を同時に蒸着させてプラスチッ
ク基板上で上記無機ガラス層を形成させてもよいが、工
業的には前記組成を有する無アルカリガラスの蒸着源を
用意し、それを物理蒸着させればよい。
えばスパッタリング、蒸着、イオンプレーティングによ
り容易に形成することができる。理論的にはアルカリ土
類金属および／またはアルカリ金属の量が前記定義内に
入るような任意の方法、例えば無機ガラスを構成する２
以上の蒸着源から各成分を同時に蒸着させてプラスチッ
ク基板上で上記無機ガラス層を形成させてもよいが、工
業的には前記組成を有する無アルカリガラスの蒸着源を
用意し、それを物理蒸着させればよい。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
（実施例） プラスチック基板として厚さが1.2mmのアクリル基板（P
MMA）とポリカーボネート基板（PC）とを用意した。こ
れらの基板上にスパッタリング装置（日本真空従来の技
術（株）製RFマグネトロンスパッタリング装置）を用い
て表１に示す各組成の無機ガラスをスパッタリングで膜
厚500Åの薄膜に形成した後、その上にGd0.12、Tb0.1
2、Fe0.76の記録層を上記スパッタリング装置を用いて
薄膜1000Åに形成し、さらにその上に上記と同じ方法で
同じ各無機ガラスをスパッタリングして膜厚1,000Åの
薄膜層を形成した。
MMA）とポリカーボネート基板（PC）とを用意した。こ
れらの基板上にスパッタリング装置（日本真空従来の技
術（株）製RFマグネトロンスパッタリング装置）を用い
て表１に示す各組成の無機ガラスをスパッタリングで膜
厚500Åの薄膜に形成した後、その上にGd0.12、Tb0.1
2、Fe0.76の記録層を上記スパッタリング装置を用いて
薄膜1000Åに形成し、さらにその上に上記と同じ方法で
同じ各無機ガラスをスパッタリングして膜厚1,000Åの
薄膜層を形成した。
得られた光磁気ディスクの評価は各ディスクを45℃、90
RH％に30日間維持した後のC/N変化率、BER（初期値を１
とする）および製膜速度としてスパッタリング速度で行
い、表１に示した。
RH％に30日間維持した後のC/N変化率、BER（初期値を１
とする）および製膜速度としてスパッタリング速度で行
い、表１に示した。
表１からわかるように本発明によるアルカリ土類金属お
よび／またはアルカリ金属の組成比を限定した無アルカ
リガラスを用いた場合に耐久性および生産性に優れた光
ディスクが得られる。
よび／またはアルカリ金属の組成比を限定した無アルカ
リガラスを用いた場合に耐久性および生産性に優れた光
ディスクが得られる。
Claims (3)
- 【請求項１】透明プラスチック基板と、この透明プラス
チック基板上に無機ガラスの薄膜層を介して形成された
光磁気情報記録層とによって構成される光磁気ディスク
において、 無機ガラスの薄膜層がBaOまたはCaOを酸化物換算で20〜
35重量％の範囲で含む無機ガラスで構成されていること
を特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項２】無機ガラスがアルカリ金属をアルカリ金属
酸化物換算で１重量％以下しか含まない特許請求の範囲
第１項に記載の光磁気ディスク。 - 【請求項３】光磁気記録層が稀土類−遷移金属アモルフ
ァス膜である特許請求の範囲第１または２項に記載の光
磁気ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132147A JPH0778913B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 光磁気デイスク |
| DE8686108255T DE3686530T2 (de) | 1985-06-18 | 1986-06-18 | Aufzeichnungstraeger, versehen mit hochdichter information. |
| EP86108255A EP0210405B1 (en) | 1985-06-18 | 1986-06-18 | High-density information recording carrier |
| US07/259,495 US4943957A (en) | 1985-06-18 | 1988-10-17 | High-density information recording carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132147A JPH0778913B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289559A JPS61289559A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0778913B2 true JPH0778913B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=15074453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132147A Expired - Lifetime JPH0778913B2 (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778913B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2918889B2 (ja) * | 1988-07-22 | 1999-07-12 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| JPH0233745A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4555098A (en) * | 1983-11-25 | 1985-11-26 | Imperial Clevite Inc. | Self-stabilizing dry viscous spring damper |
| JPS60132148A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Matsushita Seiko Co Ltd | 動吸振器 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132147A patent/JPH0778913B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61289559A (ja) | 1986-12-19 |
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