JPH0779403B2 - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0779403B2 JPH0779403B2 JP3257407A JP25740791A JPH0779403B2 JP H0779403 B2 JPH0779403 B2 JP H0779403B2 JP 3257407 A JP3257407 A JP 3257407A JP 25740791 A JP25740791 A JP 25740791A JP H0779403 B2 JPH0779403 B2 JP H0779403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- pitch
- receiving element
- image sensor
- connection portion
- Prior art date
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- Expired - Fee Related
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は原稿情報を光学的に読み
取るイメ−ジセンサに関するものである。
取るイメ−ジセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、原稿読み取り用イメ−ジセンサは
ファクシミリ、事務機器、デジタル複写機等画像入力用
として開発が進められている。以下図面を参照しなが
ら、上記した従来のイメ−ジセンサの一例について説明
する。
ファクシミリ、事務機器、デジタル複写機等画像入力用
として開発が進められている。以下図面を参照しなが
ら、上記した従来のイメ−ジセンサの一例について説明
する。
【０００３】図４は従来のイメ−ジセンサの基本的な受
光素子配列を示すものである。図４において、１００は
半導体チップ、１０１は受光素子で、１０１ａはチップ
端に位置する受光素子で、１０１ｂ〜１０１ｅチップは
内部の受光素子である。１０２は走査回路である。以上
のように構成されたイメ−ジセンサについて、以下その
動作について説明する。
光素子配列を示すものである。図４において、１００は
半導体チップ、１０１は受光素子で、１０１ａはチップ
端に位置する受光素子で、１０１ｂ〜１０１ｅチップは
内部の受光素子である。１０２は走査回路である。以上
のように構成されたイメ−ジセンサについて、以下その
動作について説明する。
【０００４】まず、解像度４００本／インチ（以下ＤＰ
Ｉと呼ぶ）の場合、受光素子ピッチ、Ｐは６３．５μｍ
である。このように受光素子を配置した半導体チップを
複数個配列した際の接続部を図５に示す。図５におい
て、１００、１０３は隣接する半導体チップで、１０１
ａ、１０４ａは接続部に隣接する受光素子、１０６は接
続部の隙間であり、Ｇで示す。このように半導体チップ
を複数個接続したイメ−ジセンサにおいて受光素子ピッ
チは接続部以外では正規のピッチ６３．５μｍを確保で
きるが接続部の受光素子ピッチは隙間Ｇが加わり（６
３．５＋Ｇ）μｍとなる。Ｇは限りなく０に近い方が接
続部での隣接する受光素子言い替えれば半導体チップを
近くまで持っていくのが理想であるが、受光素子製造段
階で制約を受ける、従って近隣の受光素子のピッチには
制約があった。
Ｉと呼ぶ）の場合、受光素子ピッチ、Ｐは６３．５μｍ
である。このように受光素子を配置した半導体チップを
複数個配列した際の接続部を図５に示す。図５におい
て、１００、１０３は隣接する半導体チップで、１０１
ａ、１０４ａは接続部に隣接する受光素子、１０６は接
続部の隙間であり、Ｇで示す。このように半導体チップ
を複数個接続したイメ−ジセンサにおいて受光素子ピッ
チは接続部以外では正規のピッチ６３．５μｍを確保で
きるが接続部の受光素子ピッチは隙間Ｇが加わり（６
３．５＋Ｇ）μｍとなる。Ｇは限りなく０に近い方が接
続部での隣接する受光素子言い替えれば半導体チップを
近くまで持っていくのが理想であるが、受光素子製造段
階で制約を受ける、従って近隣の受光素子のピッチには
制約があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、受光素子ピッチが接続部で急激に広がり
連続性を欠くため、接続部における読み取り画像に縮み
が生じ、画像に段差や濃度ムラ発生するという問題点を
有していた。
うな構成では、受光素子ピッチが接続部で急激に広がり
連続性を欠くため、接続部における読み取り画像に縮み
が生じ、画像に段差や濃度ムラ発生するという問題点を
有していた。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、受光素子ピッ
チが接続部で急激に広がり連続性を欠く場合でも影響の
少ない読み取りが可能なイメ−ジセンサを提供するもの
である。
チが接続部で急激に広がり連続性を欠く場合でも影響の
少ない読み取りが可能なイメ−ジセンサを提供するもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のイメ−ジセンサは、半導体チップの両端の
受光素子配列ピッチが正規の配列ピッチよりも広くする
という構成を備えたものである。
めに本発明のイメ−ジセンサは、半導体チップの両端の
受光素子配列ピッチが正規の配列ピッチよりも広くする
という構成を備えたものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成によって、接続部に隙間
が生じても受光素子ピッチの急激な不連続性を生じず、
読み取り画像に段差や濃度ムラの発生を緩和することが
できる。
が生じても受光素子ピッチの急激な不連続性を生じず、
読み取り画像に段差や濃度ムラの発生を緩和することが
できる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例のイメ−ジセンサにつ
いて、図面を参照しながら解像度４００ＤＰＩ場合で説
明する。
いて、図面を参照しながら解像度４００ＤＰＩ場合で説
明する。
【００１０】図１は本発明の実施例におけるイメ−ジセ
ンサの基本的な受光素子配列を示すものである。図１に
おいて、１は半導体チップ、２は受光素子で、２ａはチ
ップ端に位置する受光素子で、２ｂ〜２ｅチップは内部
の受光素子である。受光素子２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの
ピッチ（Ｐ１，Ｐ２，‐‐‐）は６３．５μｍと正規の
値であるのに対し受光素子２ａのピッチＰ１（受光素子
２ａ，２ｂの間隔）は６３．５μｍより大きい値であ
る。３は走査回路である。以上のように構成されたイメ
−ジセンサについて、以下、図１及び図２を用いてその
動作を説明する。
ンサの基本的な受光素子配列を示すものである。図１に
おいて、１は半導体チップ、２は受光素子で、２ａはチ
ップ端に位置する受光素子で、２ｂ〜２ｅチップは内部
の受光素子である。受光素子２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅの
ピッチ（Ｐ１，Ｐ２，‐‐‐）は６３．５μｍと正規の
値であるのに対し受光素子２ａのピッチＰ１（受光素子
２ａ，２ｂの間隔）は６３．５μｍより大きい値であ
る。３は走査回路である。以上のように構成されたイメ
−ジセンサについて、以下、図１及び図２を用いてその
動作を説明する。
【００１１】まず図２は半導体チップの接続部を示すも
のであって、図１で構成した半導体チップを複数個接続
した接続部であり、１または４は隣接する半導体チップ
で、２ａ、５ａは接続部に隣接する受光素子、７は接続
部の隙間であり、隙間Ｇでは、今、正規ピッチ６３．５
μｍに対し、隙間Ｇを１／２ピッチの３１．７５μｍ、
端面受光素子ピッチＰ１を１．２５ピッチの７９．３７
５μｍ、内部受光素子ピッチＰ２、Ｐ３、‐‐‐を６
３．５μｍとすると接続部ピッチは９５．２５μｍとな
る。図３に接続部近傍のピッチムラを示すグラフであ
る。横軸に接続部近傍の受光素子位置、縦軸に正規ピッ
チに対するピッチ差ΔＰ、８は従来の場合、９は本発明
の場合である。図３から明らかなように、同じ接続部隙
間でも本発明の場合ではピッチ差が０．５ピッチから
０．２５ピッチと半減する。すなわち受光素子ピッチが
接続部で急激に広がり連続性を欠く場合でもピッチムラ
の影響の少ない読み取りが可能となる。
のであって、図１で構成した半導体チップを複数個接続
した接続部であり、１または４は隣接する半導体チップ
で、２ａ、５ａは接続部に隣接する受光素子、７は接続
部の隙間であり、隙間Ｇでは、今、正規ピッチ６３．５
μｍに対し、隙間Ｇを１／２ピッチの３１．７５μｍ、
端面受光素子ピッチＰ１を１．２５ピッチの７９．３７
５μｍ、内部受光素子ピッチＰ２、Ｐ３、‐‐‐を６
３．５μｍとすると接続部ピッチは９５．２５μｍとな
る。図３に接続部近傍のピッチムラを示すグラフであ
る。横軸に接続部近傍の受光素子位置、縦軸に正規ピッ
チに対するピッチ差ΔＰ、８は従来の場合、９は本発明
の場合である。図３から明らかなように、同じ接続部隙
間でも本発明の場合ではピッチ差が０．５ピッチから
０．２５ピッチと半減する。すなわち受光素子ピッチが
接続部で急激に広がり連続性を欠く場合でもピッチムラ
の影響の少ない読み取りが可能となる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体チップの
両端の受光素子配列ピッチが正規の配列ピッチよりも広
くするという構成を設けることにより、接続部に隙間が
生じても受光素子ピッチの急激な不連続性を生じず、読
み取り画像に段差や濃度ムラの発生を緩和することがで
きる。
両端の受光素子配列ピッチが正規の配列ピッチよりも広
くするという構成を設けることにより、接続部に隙間が
生じても受光素子ピッチの急激な不連続性を生じず、読
み取り画像に段差や濃度ムラの発生を緩和することがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるイメ−ジセンサ
の基本的な受光素子配列図
の基本的な受光素子配列図
【図２】同実施例における半導体チップの接続部を示す
平面図
平面図
【図３】同実施例における接続部近傍のピッチムラを示
す特性図
す特性図
【図４】従来のイメ−ジセンサの基本的な受光素子配列
図
図
【図５】従来のイメ−ジセンサの半導体チップの接続部
を示す平面図
を示す平面図
１ 半導体チップ ２ 受光素子 ３ 走査回路 ７ 隙間 Ｐ１ 端部受光素子ピッチ Ｐ２ 内部受光素子ピッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ
Claims (1)
- 【請求項１】複数個の受光素子を略直線状に配置した半
導体チップを、複数個略直線状に並べたイメ−ジセンサ
において、前記半導体チップの両端の受光素子配列ピッ
チが正規の配列ピッチよりも広くしたことを特徴とする
イメ−ジセンサ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257407A JPH0779403B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257407A JPH0779403B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05103152A JPH05103152A (ja) | 1993-04-23 |
| JPH0779403B2 true JPH0779403B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=17305950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3257407A Expired - Fee Related JPH0779403B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779403B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4179329B2 (ja) | 2006-03-17 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | ラインセンサチップ、ラインセンサ、画像情報読取装置、ファクシミリ、スキャナ及び複写機 |
| JP4613980B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2011-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | ラインセンサチップ、ラインセンサ、画像情報読取装置、ファクシミリ、スキャナ及び複写機 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3257407A patent/JPH0779403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05103152A (ja) | 1993-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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