JPH0780355B2 - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な色素を含む記録層を有する光情報記録媒
体に関する。特に、レーザービームを用いて記録及び再
生を行なう光情報記録媒体に関する。
体に関する。特に、レーザービームを用いて記録及び再
生を行なう光情報記録媒体に関する。
従来、回転している円盤状の情報記録媒体にレーザービ
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。しかしこれらは保存性が悪い、分
離能が低い、記録密度が低い、製造コストが高いなどの
欠点があった。近年、比較的長波長の光で物性変化し得
る色素薄膜を記録層に用いることが提案され、また実施
されてはいるが、一般に長波長に吸収帯を有する色素は
熱および光に対する安定性が低いなどの問題点があり、
必ずしも長期にわたって安定して満足すべき記録特性を
有する記録層が開発されていないのが現状である。
ームを照射して情報の記録及び再生を行なう情報記録媒
体が知られている。このような記録媒体の記録層として
は低融点金属または低融点金属と誘電体を用いるものな
どが提案されている。しかしこれらは保存性が悪い、分
離能が低い、記録密度が低い、製造コストが高いなどの
欠点があった。近年、比較的長波長の光で物性変化し得
る色素薄膜を記録層に用いることが提案され、また実施
されてはいるが、一般に長波長に吸収帯を有する色素は
熱および光に対する安定性が低いなどの問題点があり、
必ずしも長期にわたって安定して満足すべき記録特性を
有する記録層が開発されていないのが現状である。
したがって本発明の目的は、十分な記録特性を長期にわ
たって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を有
する光学的情報記録媒体を提供することである。
たって維持し得るような安定性に優れた色素記録層を有
する光学的情報記録媒体を提供することである。
本発明者は、鋭意研究を行なった結果、下記一般式
(I)で表わされる色素が、安定な記録材料を作る上で
有用であることを見出し、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は下記一般式(I)で表わされる色素を基板
上に担持せしめたことを特徴とする光学的情報記録媒体
である。
(I)で表わされる色素が、安定な記録材料を作る上で
有用であることを見出し、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は下記一般式(I)で表わされる色素を基板
上に担持せしめたことを特徴とする光学的情報記録媒体
である。
一般式(I) 〔式中、R1は置換もしくは無置換の複素環基を表わし、
R2、R5及びR6は互いに同じでも異なっていても良く、水
素原子もしくはこれを置換可能な基を表わし、R3及びR4
は互いに同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、又は置
換もしくは無置換のアルキル基を表わし、R7及びR8は互
いに同じでも異なっていてもよく、置換もしくは無置換
のアリール基、アシル基、スルホニル基、又はR7とR8が
互いに連結して5員又は6員環を形成するのに必要な原
子団を表わす。R3とR5、R4とR6、R5とR7、R6とR8、R7と
R8は互いに連結して環を形成していてもよい。Zはベン
ゼン環、5員もしくは6員の複素環を形成するのに必要
な原子団を表わす。〕 R1で表わされる置換もしくは無置換の複素環は、単環も
しくは縮合複素環であって好ましくは複素芳香環であ
る。R1で表わされる複素環を構成するヘテロ原子として
好ましものは、B,N,O,S,P,Se,Teである。R1で表わされ
る複素環は好ましくは5員又は6員環であり、好ましく
はヘテロ原子に隣接する位置に存在する炭素原子上でCO
NH−基と結合し得るものである。
R2、R5及びR6は互いに同じでも異なっていても良く、水
素原子もしくはこれを置換可能な基を表わし、R3及びR4
は互いに同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、又は置
換もしくは無置換のアルキル基を表わし、R7及びR8は互
いに同じでも異なっていてもよく、置換もしくは無置換
のアリール基、アシル基、スルホニル基、又はR7とR8が
互いに連結して5員又は6員環を形成するのに必要な原
子団を表わす。R3とR5、R4とR6、R5とR7、R6とR8、R7と
R8は互いに連結して環を形成していてもよい。Zはベン
ゼン環、5員もしくは6員の複素環を形成するのに必要
な原子団を表わす。〕 R1で表わされる置換もしくは無置換の複素環は、単環も
しくは縮合複素環であって好ましくは複素芳香環であ
る。R1で表わされる複素環を構成するヘテロ原子として
好ましものは、B,N,O,S,P,Se,Teである。R1で表わされ
る複素環は好ましくは5員又は6員環であり、好ましく
はヘテロ原子に隣接する位置に存在する炭素原子上でCO
NH−基と結合し得るものである。
R1で表わされる複素環基のうち特に好ましいものは、1,
3−チアゾール環、1,3,4−トリアゾール環、ベンゾチア
ゾール環、テトラゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベ
ンゾオキサゾール環、1,3,4−チアジアゾール環、1,3,4
−オキサジアゾール環、イミダゾール環、インドール
環、ベンゾセレナゾール環、ピリジン環、ピリミジン
環、1,3,5−トリアジン環、キノリン環である。
3−チアゾール環、1,3,4−トリアゾール環、ベンゾチア
ゾール環、テトラゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベ
ンゾオキサゾール環、1,3,4−チアジアゾール環、1,3,4
−オキサジアゾール環、イミダゾール環、インドール
環、ベンゾセレナゾール環、ピリジン環、ピリミジン
環、1,3,5−トリアジン環、キノリン環である。
R1で表わされる複素環基上の置換基としては、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキ
ルチオ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置
換もしくは無置換のアリールチオ基、メルカプト基、水
酸基、置換もしくは無置換のアミノ基(置換基としては
アルキル基、アリール基、アシル基、アルキルスルホニ
ル基、アリールスルホニル基)、スルホン酸基、カルボ
キシル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、置
換もしくは無置換のウレイド基、置換もしくは無置換の
カルバモイル基、スルファモイル基ハロゲン原子(さら
に好ましくはF,Cl)、ニトロ基、又はシアノ基が好まし
い。
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキ
ルチオ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置
換もしくは無置換のアリールチオ基、メルカプト基、水
酸基、置換もしくは無置換のアミノ基(置換基としては
アルキル基、アリール基、アシル基、アルキルスルホニ
ル基、アリールスルホニル基)、スルホン酸基、カルボ
キシル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、置
換もしくは無置換のウレイド基、置換もしくは無置換の
カルバモイル基、スルファモイル基ハロゲン原子(さら
に好ましくはF,Cl)、ニトロ基、又はシアノ基が好まし
い。
一般式(I)で表わされる化合物は、R1、R2、R3、R4、
R5、R6、R7またはR8のうちのいずれかの基を介して2量
体を形成していても良い。
R5、R6、R7またはR8のうちのいずれかの基を介して2量
体を形成していても良い。
R7又はR8で表わされるアルキル基は互いに同じでも異な
っていても良く、炭素数1〜18のアルキル基(例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、i−ブチル基、n−オ
クチル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基など)
が好ましく、置換基(例えばシアノ基、水酸基、メトキ
シ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フエノキシ基な
どのアリーロキシ基、アセトアミド基、メタンスルホン
アミド基などのアミド基、塩素原子、フッ素原子などの
ハロゲン原子など)を有していても良い。
っていても良く、炭素数1〜18のアルキル基(例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、i−ブチル基、n−オ
クチル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基など)
が好ましく、置換基(例えばシアノ基、水酸基、メトキ
シ基、エトキシ基などのアルコキシ基、フエノキシ基な
どのアリーロキシ基、アセトアミド基、メタンスルホン
アミド基などのアミド基、塩素原子、フッ素原子などの
ハロゲン原子など)を有していても良い。
R7又はR8で表わされるアリール基は互いに同じでも異な
っていても良く、置換もしくは無置換のフェニル基{置
換基として例えば水酸基、シアノ基、ハロゲン原子(例
えば塩素原子、フッ素原子など)、炭素数2〜18のアシ
ル基(例えばアセチル基、プロピオニル基、ステアロイ
ル基など)、炭素数1〜18のスルホニル基(例えばメタ
ンスルホニル基、エタンスルホニル基、オクタンスルホ
ニル基など)、炭素数1〜18のカルバモイル基(例えば
無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、オク
チルカルバモイル基など)、炭素数1〜18のスルファモ
イル基(例えば無置換のスルファモイル基、メチルスル
ファモイル基、ブチルスルファモイル基など)、炭素数
2〜18のアルコキシカルボニル基(例えばメトキシカル
ボニル基、トリクロロエトキシカルボニル基、デシルオ
キシカルボニル基など)、炭素数1〜18のアルコキシ基
(例えばメトキシ基、ブトキシ基、ペンタデシルオキシ
基など)、アミノ基(例えばジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジヘキシルアミノ基など)など}又は置換
もしくは無置換のナフチル基(置換基としてはフェニル
基の場合と同じものが好ましい)が好ましい。
っていても良く、置換もしくは無置換のフェニル基{置
換基として例えば水酸基、シアノ基、ハロゲン原子(例
えば塩素原子、フッ素原子など)、炭素数2〜18のアシ
ル基(例えばアセチル基、プロピオニル基、ステアロイ
ル基など)、炭素数1〜18のスルホニル基(例えばメタ
ンスルホニル基、エタンスルホニル基、オクタンスルホ
ニル基など)、炭素数1〜18のカルバモイル基(例えば
無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、オク
チルカルバモイル基など)、炭素数1〜18のスルファモ
イル基(例えば無置換のスルファモイル基、メチルスル
ファモイル基、ブチルスルファモイル基など)、炭素数
2〜18のアルコキシカルボニル基(例えばメトキシカル
ボニル基、トリクロロエトキシカルボニル基、デシルオ
キシカルボニル基など)、炭素数1〜18のアルコキシ基
(例えばメトキシ基、ブトキシ基、ペンタデシルオキシ
基など)、アミノ基(例えばジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジヘキシルアミノ基など)など}又は置換
もしくは無置換のナフチル基(置換基としてはフェニル
基の場合と同じものが好ましい)が好ましい。
R3およびR4で表わされる置換基のうち好ましいものは水
素原子、塩素原子、フッ素原子;置換もしくは無置換の
炭素原子数1〜18のアルコキシ基(例えばメトキシ基、
エトキシ基、オクトキシ基など)、置換もしくは無置換
のアルキル基(例えばメチル基、イソプロピル基、2−
メトキシエチル基、ベンジル基など)を表わし、好まし
くはR3及びR4は炭素数1〜5のアルキル基を表わす。
素原子、塩素原子、フッ素原子;置換もしくは無置換の
炭素原子数1〜18のアルコキシ基(例えばメトキシ基、
エトキシ基、オクトキシ基など)、置換もしくは無置換
のアルキル基(例えばメチル基、イソプロピル基、2−
メトキシエチル基、ベンジル基など)を表わし、好まし
くはR3及びR4は炭素数1〜5のアルキル基を表わす。
R3とR5、R4とR6とが連結して形成される環として好まし
いものは5員又は6員環であり、とくにベンゼン環など
の芳香族環あるいはピリジン環、イミダゾール環、チア
ゾール環、ピリミジン環などの複素芳香族環が好まし
い。
いものは5員又は6員環であり、とくにベンゼン環など
の芳香族環あるいはピリジン環、イミダゾール環、チア
ゾール環、ピリミジン環などの複素芳香族環が好まし
い。
R5とR7、R6とR8とが連結して形成される環として好まし
いものは5員又は6員環である。
いものは5員又は6員環である。
R7とR8とが連結して形成される環として好ましいものは
5員又は6員環であり、とくにピロリジン環、ピペリジ
ン環、またはモルフォリン環が好ましい。
5員又は6員環であり、とくにピロリジン環、ピペリジ
ン環、またはモルフォリン環が好ましい。
R2、R5及びR6で表わされる水素原子を置換可能な基は、
ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子
など)、水酸基、シアノ基又は直接もしくは2価の連結
基を介してベンゼン環に結合した置換もしくは無置換の
炭素数1〜18のアルキル基(例えばメチル基、エチル
基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ステアリル基な
ど)、又は炭素原子数6〜24の置換もしくは無置換のフ
ェニル基もしくはナフチル基(例えばフェニル基、ナフ
チル基、3−スルファモイルフェニル基、5−メタンス
ルホンアミド−1−ナフチル基などを表わし、2価の連
結基は例えば−O−、−NHCO−、−NHSO2−、−NHCOO
−、−NHCONH−、−COO−、−CO−、−SO2−、−NR−
(Rは水素原子または置換もしくは無置換の炭素数1〜
18のアルキル基を表わす。)などを表わす。
ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子
など)、水酸基、シアノ基又は直接もしくは2価の連結
基を介してベンゼン環に結合した置換もしくは無置換の
炭素数1〜18のアルキル基(例えばメチル基、エチル
基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、ステアリル基な
ど)、又は炭素原子数6〜24の置換もしくは無置換のフ
ェニル基もしくはナフチル基(例えばフェニル基、ナフ
チル基、3−スルファモイルフェニル基、5−メタンス
ルホンアミド−1−ナフチル基などを表わし、2価の連
結基は例えば−O−、−NHCO−、−NHSO2−、−NHCOO
−、−NHCONH−、−COO−、−CO−、−SO2−、−NR−
(Rは水素原子または置換もしくは無置換の炭素数1〜
18のアルキル基を表わす。)などを表わす。
R2で表わされる基のうち特に好ましいものは、アルキル
もしくはアリールスルホンアミド基、アシルアミノ基、
アルキルもしくはアリール置換ウレイド基、アルコキシ
もしくはアリールオキシカルボニルアミノ基、フッ素原
子、塩素原子であり、好ましい置換位置は5位である。
もしくはアリールスルホンアミド基、アシルアミノ基、
アルキルもしくはアリール置換ウレイド基、アルコキシ
もしくはアリールオキシカルボニルアミノ基、フッ素原
子、塩素原子であり、好ましい置換位置は5位である。
Zで完成される環はベンゼン環、5員または6員の複素
環であり、好ましい複素原子としては窒素、酸素、硫黄
またはセレンがあげられる。特に好ましいものはベンゼ
ン環およびピリジン環であり、ベンゼン環が最も好まし
い。ピリジン環以外の好ましい複素環としては、ピリミ
ジン、トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、セレ
ナゾール、オキサゾール、などがあげられる。
環であり、好ましい複素原子としては窒素、酸素、硫黄
またはセレンがあげられる。特に好ましいものはベンゼ
ン環およびピリジン環であり、ベンゼン環が最も好まし
い。ピリジン環以外の好ましい複素環としては、ピリミ
ジン、トリアゾール、イミダゾール、チアゾール、セレ
ナゾール、オキサゾール、などがあげられる。
本発明に用いられる前記一般式(I)で表わされる化合
物の具体例を以下に示すが、本発明の範囲はこれらに限
定されるものではない。
物の具体例を以下に示すが、本発明の範囲はこれらに限
定されるものではない。
本発明の一般式(I)で表わされる化合物は、ジアルキ
ルアニリン類と4−ニトロソナフトール類を濃硫酸中で
縮合させる方法、α−ナフトール類とp−フェニレンジ
アミン類とを塩基と酸化剤の共存下で縮合させる方法、
4−アミノ−1−ナフトール類とジアルキルアニリン類
とを次亜塩素酸ソーダ溶液中で酸化縮合する方法、p−
ニトロソジアルキルアニリン類とα−ナフトール類を縮
合させる方法などによって合成することができ、例えば
特開昭50−100116号、特開昭60−32851号あるいはジャ
ーナル・オブ・オルガニック・ケミストリー誌(Journa
l of Organic Chemistry)第48巻、177〜183ページ(19
83年発行)にフジタによって記載された方法に準じて合
成することができる。
ルアニリン類と4−ニトロソナフトール類を濃硫酸中で
縮合させる方法、α−ナフトール類とp−フェニレンジ
アミン類とを塩基と酸化剤の共存下で縮合させる方法、
4−アミノ−1−ナフトール類とジアルキルアニリン類
とを次亜塩素酸ソーダ溶液中で酸化縮合する方法、p−
ニトロソジアルキルアニリン類とα−ナフトール類を縮
合させる方法などによって合成することができ、例えば
特開昭50−100116号、特開昭60−32851号あるいはジャ
ーナル・オブ・オルガニック・ケミストリー誌(Journa
l of Organic Chemistry)第48巻、177〜183ページ(19
83年発行)にフジタによって記載された方法に準じて合
成することができる。
以下に合成例を挙げて合成法を説明する。
合成例1<化合物31の合成> 1−ヒドロキシ−2−ナフタレンカルボン酸フェニルエ
ステルと2−アミノ−5−メチル−1,3,4−チアジアゾ
ールとを減圧下に加熱して得た2−(1−ヒドロキシ−
2−ナフタレンカルボンアミド)−5−メチル−1,3,4
−チアジアゾール4.3gにエタノール40ml、酢酸エチル80
ml、炭酸ナトリウム11gと110mlの水から調製した水溶
液、及び4−ジエチルアミノ−2,6−ジメチルアニリン
3.5gを加えて撹拌しつつ、過硫酸アンモニウム8.2gを70
mlの水に溶かして調製した溶液を30分間にわたって滴下
した。
ステルと2−アミノ−5−メチル−1,3,4−チアジアゾ
ールとを減圧下に加熱して得た2−(1−ヒドロキシ−
2−ナフタレンカルボンアミド)−5−メチル−1,3,4
−チアジアゾール4.3gにエタノール40ml、酢酸エチル80
ml、炭酸ナトリウム11gと110mlの水から調製した水溶
液、及び4−ジエチルアミノ−2,6−ジメチルアニリン
3.5gを加えて撹拌しつつ、過硫酸アンモニウム8.2gを70
mlの水に溶かして調製した溶液を30分間にわたって滴下
した。
次いで2時間撹拌した後、酢酸エチル層を取り出して水
洗し、酢酸エチルを留去した。残渣をクロロホルムに溶
かした後、冷却して化合物31の結晶を得た。
洗し、酢酸エチルを留去した。残渣をクロロホルムに溶
かした後、冷却して化合物31の結晶を得た。
収量1.2g、融点181〜182℃ α−ナフトール類とp−フェニレンジアミン類の構造を
変えた以外は上記合成例と同様にして表1に示す化合物
を得た。
変えた以外は上記合成例と同様にして表1に示す化合物
を得た。
本発明の光記録媒体において用いられるインドアニリン
系色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、あ
るいは本発明のインドアニリン系色素以外の色素と併用
して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため種々の
酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用することも
有効である。また、種々の樹脂を併用してもよい。
系色素は単独で用いても、2種以上併用してもよく、あ
るいは本発明のインドアニリン系色素以外の色素と併用
して用いてもよい。また読取り耐久性向上のため種々の
酸化防止剤や一重項酸素クエンチャーを併用することも
有効である。また、種々の樹脂を併用してもよい。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すこともできる。これは
とくに一般式(I)におけるZがピリジン環などの含窒
素複素環を形成するに必要な原子団を表わす場合に著し
い効果がある。
て用いることにより耐久性を増すこともできる。これは
とくに一般式(I)におけるZがピリジン環などの含窒
素複素環を形成するに必要な原子団を表わす場合に著し
い効果がある。
本発明の光記録媒体に使用されるクエンチャーとして
は、種々のものを用いることができる。このようなクエ
ンチャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶
性が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金
属として好ましいものは、Ni、Co、Cu、Pd、Ptなどであ
る。
は、種々のものを用いることができる。このようなクエ
ンチャーとしては、再生劣化を低下させ、色素との相溶
性が良好な遷移金属錯体が好ましい。この場合、中心金
属として好ましいものは、Ni、Co、Cu、Pd、Ptなどであ
る。
新規なクエンチャーの例としては次の一般式(II)また
は(III)で示されるものがあげられる。
は(III)で示されるものがあげられる。
(式中、〔Cat1〕および〔Cat2〕は錯体を中性ならしめ
るために必要な陽イオンを示し、M1およびM2はニッケ
ル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示す。nは
1または2を示す。) 前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物に
おいて、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わされる陽イオン
のうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえ
ば、Li、Na、Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、Ba
など)もしくはNH4 +をあげることができる。
るために必要な陽イオンを示し、M1およびM2はニッケ
ル、銅、コバルト、パラジウムまたは白金を示す。nは
1または2を示す。) 前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物に
おいて、〔Cat1〕または〔Cat2〕で表わされる陽イオン
のうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(たとえ
ば、Li、Na、Kなど)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、Ba
など)もしくはNH4 +をあげることができる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができ
る。
または第四級ホスホニウムイオンをあげることができ
る。
上記の陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の中で好ましい
のは下記の一般式(IV−a)、(IV−b)、(IV−
c)、(IV−d)もしくは(IV−e)で表わされるもの
である。
のは下記の一般式(IV−a)、(IV−b)、(IV−
c)、(IV−d)もしくは(IV−e)で表わされるもの
である。
式中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、
R19、R20、R21およびR22はそれぞれ炭素数1ないし20の
置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数6ない
し14の置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z1お
よびZ2は各式中の窒素またはリン原子と結合して5員ま
たは6員環を形成する非金属原子群を表わす。
R19、R20、R21およびR22はそれぞれ炭素数1ないし20の
置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数6ない
し14の置換もしくは無置換のアリール基を表わし、Z1お
よびZ2は各式中の窒素またはリン原子と結合して5員ま
たは6員環を形成する非金属原子群を表わす。
この炭素数1ないし20の置換もしくは無置換のアルキル
基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、iso−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデシ
ル基などをあげることができる。炭素数6ないし14のア
リール基としては、たとえばフエニル基、トリル基、α
−ナフチル基などをあげることができる。
基として、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル
基、iso−アミル基、n−ドデシル基、n−オクタデシ
ル基などをあげることができる。炭素数6ないし14のア
リール基としては、たとえばフエニル基、トリル基、α
−ナフチル基などをあげることができる。
これらのアルキル基またはアリール基はシアノ基、水酸
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フエニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾイ
ルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基な
ど)、アリーロキシ基(たとえば、フエノキシ基、トリ
ロキシ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジル
基、フエネチル基またはアニシル基など)、アルコキシ
カルボニル基(たとえば、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、
アリーロキシカルボニル基(たとえば、フエノキシカル
ボニル基、トリロキシカルボニル基など)、アシル基
(たとえば、アセチル基、ベンゾイル基など)、アシル
アミノ基(たとえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルア
ミノ基など)、カルバモイル基(たとえば、N−エチル
カルバモイル基、N−フエニルカルバモイル基など)、
アルキルスルホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホ
ニルアミノ基、フエニルスルホニルアミノ基など)、ス
ルフアモイル基(たとえば、N−エチルスルフアモイル
基、N−フエニルスルフアモイル基など)、スルホニル
基(たとえば、メシル基、トシル基など)などで置換さ
れていてもよい。
基、炭素数1ないし20のアルキル基(たとえばメチル
基、エチル基、n−ブチル基、n−オクチル基など)、
炭素数6ないし14のアリール基(たとえば、フエニル
基、トリル基、α−ナフチル基など)、炭素数2ないし
20のアシルオキシ基(たとえばアセトキシ基、ベンゾイ
ルオキシ基またはp−メトキシベンゾイルオキシ基な
ど)、炭素数1ないし6のアルコキシ基(たとえばメト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基な
ど)、アリーロキシ基(たとえば、フエノキシ基、トリ
ロキシ基など)、アラルキル基(たとえば、ベンジル
基、フエネチル基またはアニシル基など)、アルコキシ
カルボニル基(たとえば、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基など)、
アリーロキシカルボニル基(たとえば、フエノキシカル
ボニル基、トリロキシカルボニル基など)、アシル基
(たとえば、アセチル基、ベンゾイル基など)、アシル
アミノ基(たとえば、アセチルアミノ基、ベンゾイルア
ミノ基など)、カルバモイル基(たとえば、N−エチル
カルバモイル基、N−フエニルカルバモイル基など)、
アルキルスルホニルアミノ基(たとえば、メチルスルホ
ニルアミノ基、フエニルスルホニルアミノ基など)、ス
ルフアモイル基(たとえば、N−エチルスルフアモイル
基、N−フエニルスルフアモイル基など)、スルホニル
基(たとえば、メシル基、トシル基など)などで置換さ
れていてもよい。
またZ1およびZ2は前記のように5員環または6員環を形
成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの5員
環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾール
環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、ピペ
リジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダゾリン
環などをあげることができる。一般式(IV−b)で表わ
されるカチオンとしては、たとえばドデシルピリジニウ
ム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイミダゾ
リウム基などをあげることができる。一般式(IV−c)
で表わされるカチオンとしては、たとえば、N−エチル
−N−ヘキサデシルピペリジニウム基、N−エチル−N
−ドデシルピラゾリジニウム基などをあげることができ
る。
成するのに必要な非金属原子群を表わす。これらの5員
環もしくは6員環としては、ピリジン環、イミダゾール
環、ピロール環、2−ピロリン環、ピロリジン環、ピペ
リジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、イミダゾリン
環などをあげることができる。一般式(IV−b)で表わ
されるカチオンとしては、たとえばドデシルピリジニウ
ム基、ヘキサデシルピリジニウム基、ドデシルイミダゾ
リウム基などをあげることができる。一般式(IV−c)
で表わされるカチオンとしては、たとえば、N−エチル
−N−ヘキサデシルピペリジニウム基、N−エチル−N
−ドデシルピラゾリジニウム基などをあげることができ
る。
上記の一般式(IV−a)、(IV−b)、(IV−c)、
(IV−d)および(IV−e)で表わされる陽イオンの中
で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造原料
の入手し易さ、製造コストの点で、(IV−a)、(IV−
b)、(IV−d)および(IV−e)である。
(IV−d)および(IV−e)で表わされる陽イオンの中
で、本発明に特に好ましく用いられるものは、製造原料
の入手し易さ、製造コストの点で、(IV−a)、(IV−
b)、(IV−d)および(IV−e)である。
この陽イオン〔Cat1〕および〔Cat2〕の種類は、前記一
般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物の有機溶
媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物の有機溶
媒に対する溶解性に影響を及ぼす。
一般に、第四級ヘテロ原子に結合する置換基がアルキル
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホスホ
ニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチオ
ンが高い溶解性を与える。
基のとき、その鎖長が長くなるほど溶解度が高くなり、
特にテトラアルキル置換アンモニウムもしくはホスホニ
ウムの場合この傾向が著しく、アンモニウムカチオンの
場合は炭素数の合計が17以上のカチオンが、またホスホ
ニウムカチオンの場合は炭素数の合計が4以上のカチオ
ンが高い溶解性を与える。
前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物に
おいてM1またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル、コ
バルト、銅、パラジウム、白金の順である。
おいてM1またはM2を好ましい順に挙げるとニッケル、コ
バルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式〔II〕または〔III〕の金属錯体は平面四配位の
立体構造を有する。なお一般式〔III〕の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるか
は一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式〔II
I〕のように表わす。
立体構造を有する。なお一般式〔III〕の化合物ではチ
オケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるか
は一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式〔II
I〕のように表わす。
前記一般式〔II〕または〔III〕で表わされる化合物は
次のようにして合成することができる。
次のようにして合成することができる。
一般式〔II〕(n=2)の化合物は二硫化炭素とナトリ
ウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3−ジチオ
ール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜鉛錯
体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベンゾ
イルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、金属
塩を反応させて得られる。
ウムを反応させて得られるジソデイウム−1,3−ジチオ
ール−2−チオン−4,5−ジチオレートを先ず、亜鉛錯
体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベンゾ
イルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、金属
塩を反応させて得られる。
又、一般式〔II〕(n=1)の化合物は、上で得られた
錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔III〕(n=2)の化合物は、先ず、二硫化炭
素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−1,
3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを、約
130℃に加熱してジソデイウム−1,2−ジチオール−3−
チオン−4,5−ジチオレートに異性化させる。これを亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
素とナトリウムを反応させて得られるジソデイウム−1,
3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートを、約
130℃に加熱してジソデイウム−1,2−ジチオール−3−
チオン−4,5−ジチオレートに異性化させる。これを亜
鉛錯体とし、これに塩化ベンゾイルを反応させ、ビスベ
ンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した後、
金属塩を反応させて得られる。
又、一般式〔III〕(n=1)は上で得られた錯体(n
=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式〔II〕または〔III〕の化合物を得るための中間
体である1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレ
ートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の他に電気
化学的な還元によっても得られる。
体である1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレ
ートアニオンは、上記の如くNaによる還元法の他に電気
化学的な還元によっても得られる。
前記一般式〔II〕で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
一般式(II)で表わされる化合物の合成例を以下に示
す。
す。
合成例8<例示化合物(II−4)の合成> (1−1)ビス(テトラエチルアンモニウム)−ビス
(1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオラト)亜
鉛錯体の合成。
(1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオラト)亜
鉛錯体の合成。
反応操作はすべてアルゴン雰囲気下で行った。ナトリウ
ム23gを小片に切り、二硫化炭素180ml中に分散した後、
これに撹拌しつつジメチルホルムアミド200mlをゆっく
り滴下した。この時激しく発熱しないように注意する。
ジメチルホルムアミドを滴下終了後、注意しながら、お
だやかに加熱して24時間還流した。反応終了後未反応の
ナトリウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50mlを
加え、室温で2時間撹拌した。この溶液から二硫化炭素
を室温で減圧留去する。次いで水300mlをゆっくり滴下
して加えた後得られた溶液をろ過した。
ム23gを小片に切り、二硫化炭素180ml中に分散した後、
これに撹拌しつつジメチルホルムアミド200mlをゆっく
り滴下した。この時激しく発熱しないように注意する。
ジメチルホルムアミドを滴下終了後、注意しながら、お
だやかに加熱して24時間還流した。反応終了後未反応の
ナトリウムをろ別した。次いでろ液にエタノール50mlを
加え、室温で2時間撹拌した。この溶液から二硫化炭素
を室温で減圧留去する。次いで水300mlをゆっくり滴下
して加えた後得られた溶液をろ過した。
次いで、あらかじめ塩化亜鉛20gをメタノール500mlに溶
かし、これに濃アンモニウム水500mlを加えた溶液を調
製しておき、これを上記の反応溶液に加え(室温)5分
間撹拌した後、テトラエチルアンモニウムブロミド53g
を水250mlに溶かした水溶液を加えると、直ちに赤色の
沈殿が析出してくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体
を得た。
かし、これに濃アンモニウム水500mlを加えた溶液を調
製しておき、これを上記の反応溶液に加え(室温)5分
間撹拌した後、テトラエチルアンモニウムブロミド53g
を水250mlに溶かした水溶液を加えると、直ちに赤色の
沈殿が析出してくる。これをろ過し、風乾して亜鉛錯体
を得た。
(1−2)4,5−ビス(ベンゾイルチオ)−1,3−ジチオ
ール−2−チオンの合成。
ール−2−チオンの合成。
(1−1)で得た亜鉛錯体22gをアセトン500mlに溶かし
ろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベンゾイル15
0mlを加える。直ちに黄色の沈殿が析出する。ろ過、水
洗後風乾して標記化合物16gを得た。
ろ過する。ろ液を撹拌しつつ、これに塩化ベンゾイル15
0mlを加える。直ちに黄色の沈殿が析出する。ろ過、水
洗後風乾して標記化合物16gを得た。
(1−3)例示化合物(II−4)の合成 (1−2)で得たビス(ベンゾイルチオ)体9.2gをメタ
ノール50mlに溶かす。これにナトリウムメトキサイドの
28%メタノール溶液6.3gを加えて、10分間撹拌する。こ
の溶液に塩化ニッケル(六水和物)2.4gをメタノール50
mlに溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌する。この
溶液にテトラブチルホスホニウムブロミド8.5gをメタノ
ール100mlに溶かした溶液を加えると、直ちに黒色の沈
殿が析出する。さらに20分間撹拌してろ過し、アセトン
で洗って風乾し、アセトン−イソプロピルアルコールか
ら再結晶させて標記化合物を得た。収量3.8g合成例9<
例示化合物(II−2)の合成> (1−3)で得られたニッケル錯体1gをアセトン60mlに
溶かし、これに酢酸30mlを加え、3時間撹拌し溶媒を留
去したところ黒色の結晶が析出した。これをアセトン−
メタノールから再結晶させて、目的の例示化合物(II−
2)を得た。収量0.4g、m.p.185℃ λmax:1125nm、ε
max:2.51×104(CH2Cl2中) また既知のクエンチャーとしては、特開昭59−178295号
に記載されている。次の化合物が挙げられる。
ノール50mlに溶かす。これにナトリウムメトキサイドの
28%メタノール溶液6.3gを加えて、10分間撹拌する。こ
の溶液に塩化ニッケル(六水和物)2.4gをメタノール50
mlに溶かした溶液を加え、室温で30分間撹拌する。この
溶液にテトラブチルホスホニウムブロミド8.5gをメタノ
ール100mlに溶かした溶液を加えると、直ちに黒色の沈
殿が析出する。さらに20分間撹拌してろ過し、アセトン
で洗って風乾し、アセトン−イソプロピルアルコールか
ら再結晶させて標記化合物を得た。収量3.8g合成例9<
例示化合物(II−2)の合成> (1−3)で得られたニッケル錯体1gをアセトン60mlに
溶かし、これに酢酸30mlを加え、3時間撹拌し溶媒を留
去したところ黒色の結晶が析出した。これをアセトン−
メタノールから再結晶させて、目的の例示化合物(II−
2)を得た。収量0.4g、m.p.185℃ λmax:1125nm、ε
max:2.51×104(CH2Cl2中) また既知のクエンチャーとしては、特開昭59−178295号
に記載されている。次の化合物が挙げられる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系 R1〜R4はアルキル基またはアリール基を表わし、Mは2
価の遷移金属原子を表わす。
価の遷移金属原子を表わす。
(ii)ビスフェニルジチオール系 R5、R6はアルキル基またはハロゲン原子を表わし、Mは
2価の遷移金属子を表わす。
2価の遷移金属子を表わす。
(iii)アセチルアセトナートキレート系 (iv)ジチオカルバミン酸キレート系 (v)ビスフェニルチオール系 (vi)チオカテコールキレート系 (vii)サリチルアルデヒドオキシム系 (viii)チオビスフェノレートキレート系 (ix)亜ホスホン酸キレート系 (x)ベンゾエート系 (xi)ヒンダードアミン系 (xii)遷移金属塩 この他次式で表わされるアミニウム系もしくはジイモニ
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、IRG−003、IRG−022、IRG−033が挙げ
られる。
ウム系化合物が挙げられ、具体例としては日本化薬株式
会社製IRG−002、IRG−003、IRG−022、IRG−033が挙げ
られる。
(式中Rはアルキル基又はアリール基を表わす。) 本発明において、前記色素のカチオンと、クエンチャー
のアニオンとの結合体を使用することもできる。
のアニオンとの結合体を使用することもできる。
クエンチャーは前記色素1モルあたり、一般に0.05〜12
モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。
モル、好ましくは0.1〜1.2モル使用される。
クエンチャーは色素薄膜記録層に含有させることが好ま
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
しいが、記録層とは別の層に含有させてもよい。本発明
の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層を、また基板上もしくは記
録層上に反射層を設けることができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができ
る。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあ
り、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィ
ン、エポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。そ
の形状はディスク状、カード状、シート状、ロールフィ
ルム状など種々のものが可能である。
る。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあ
り、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリイミド、非晶質ポリオレフィ
ン、エポキシ樹脂、ポリエステルなどが用いられる。そ
の形状はディスク状、カード状、シート状、ロールフィ
ルム状など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、一般式(I)
で表わされる色素およびクエンチャーを有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素化
アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセ
トンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバインダー
(例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール、ポリカーボ
ネート、ニトロセルロース、ポリビニルホルマール、メ
チルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無水マレイン
酸共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、キシレン
系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばスピンコー
ト)することによって行なえるし、又は色素とクエンチ
ャーを共蒸着するかあるいは一般式(I)で表わされる
色素を真空蒸着したのち、クエンチャーを塗布すること
によって行なえる。バインダーを使用する場合には、バ
インダーの重量は色素重量の0.01〜2倍が好ましい。ま
た一般式(I)の色素をいわゆるラングミュアープロジ
ェット法により薄膜として用いることもできる。
で表わされる色素およびクエンチャーを有機溶剤(例え
ばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、
2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素化
アルコール類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、アセ
トンなど)に溶解し、必要に応じて適当なバインダー
(例えばPVA、PVP、ポリビニルブチラール、ポリカーボ
ネート、ニトロセルロース、ポリビニルホルマール、メ
チルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無水マレイン
酸共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、キシレン
系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばスピンコー
ト)することによって行なえるし、又は色素とクエンチ
ャーを共蒸着するかあるいは一般式(I)で表わされる
色素を真空蒸着したのち、クエンチャーを塗布すること
によって行なえる。バインダーを使用する場合には、バ
インダーの重量は色素重量の0.01〜2倍が好ましい。ま
た一般式(I)の色素をいわゆるラングミュアープロジ
ェット法により薄膜として用いることもできる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜厚は、通常0.01μm〜2μm、好ましくは0.
02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場合は特に好
ましくは読出しに使用するレーザ波長の1/4の奇数倍で
ある。
02〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場合は特に好
ましくは読出しに使用するレーザ波長の1/4の奇数倍で
ある。
半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射層を設ける
場合は、基板に反射層を設け次にこの反射層の上に前述
したような方式によって記録層を設けることによるか、
あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反射層を
設けるかのいずれかの方法がある。
場合は、基板に反射層を設け次にこの反射層の上に前述
したような方式によって記録層を設けることによるか、
あるいは基板に記録層を設け、次いでこの上に反射層を
設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
ング法などの他、次のような方法によって作ることがで
きる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩または、金
属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液を基板
に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜100℃で加熱乾
燥させることによって形成される。
属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液を基板
に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜100℃で加熱乾
燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.1
〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記録層の膜厚
は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmでありそして光吸収
層が0.01〜1μmの範囲が適当である。
〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記録層の膜厚
は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmでありそして光吸収
層が0.01〜1μmの範囲が適当である。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、洒石酸、洒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モルの範囲
で使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、洒石酸、洒石酸塩、還元剤、
次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ランなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩
1モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モルの範囲
で使用できる。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He−Neレーザなど)などのスポット
状の高エネルギービームを基板を通してあるいは基板と
反対側より記録層に照射することにより行われ、記録層
に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット(穴)
が形成される。
えば半導体レーザ、He−Neレーザなど)などのスポット
状の高エネルギービームを基板を通してあるいは基板と
反対側より記録層に照射することにより行われ、記録層
に吸収された光が熱に変換され、記録層にピット(穴)
が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
ギー以下の低出力で照射し、ピット部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化を検
出することにより行われる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1 表2に示す色素、クエンチャー、及び或る場合にはバイ
ンダをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエタ
ンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化し
たグルーブ付(1.6μピッチ、深さ750Å)ポリカーボネ
ート基板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで塗布
し、乾燥した。なお色素とクエンチャーとの重量比は3:
1、バインダを用いる場合には、バインダの重量は色素
の1/5とした。
ンダをメタノール−メチルエチルケトン−ジクロロエタ
ンからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化し
たグルーブ付(1.6μピッチ、深さ750Å)ポリカーボネ
ート基板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで塗布
し、乾燥した。なお色素とクエンチャーとの重量比は3:
1、バインダを用いる場合には、バインダの重量は色素
の1/5とした。
評価条件は下記のとおりであった。
(記録及び再生) レーザ :半導体レーザ(GaAlAs) レーザの波長 :780nm レーザのビーム径:1.6μm 線速 :5m/s 記録パワー :8mW 記録周波数 :2.5MHz 記録デューティー:50% 再生パワー :0.4mW (再生劣化の評価) 再生パワー :1.0mW 再生回数 :105回 (保存時劣化の評価) 保存温湿度 :60℃ 90%RH 保存時間 :30日間 表2においてA,Bで示される比較色素は下記の構造式を
有するものである。
有するものである。
〔発明の効果〕 表2の結果から、本発明の光学的情報記録媒体はC/Nの
高い十分な記録特性を有し、長期の保存あるいは長時間
の読み取りに対して高い安定性を有することが明らかで
ある。
高い十分な記録特性を有し、長期の保存あるいは長時間
の読み取りに対して高い安定性を有することが明らかで
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−181381(JP,A) 特開 昭62−231795(JP,A) 特開 昭63−3062(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】レーザー光線によって記録、再生、消去を
行なうための光学的情報記録媒体であって、基板上に下
記一般式(I)で表わされる色素を担持せしめたことを
特徴とする光学的情報記録媒体。 一般式(I) 〔式中、R1は置換もしくは無置換の複素環基を表わし、
R2、R5及びR6は互いに同じでも異なっていても良く、水
素原子もしくはこれを置換可能な基を表わし、R3及びR4
は互いに同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキシ基、又は置
換もしくは無置換のアルキル基を表わし、R7及びR8は互
いに同じでも異なっていてもよく、置換もしくは無置換
のアリール基、アシル基、スルホニル基、又はR7とR8が
互いに連結して5員又は6員環を形成するのに必要な原
子団を表わす。R3とR5、R4とR6、R5とR7、R6とR8、R7と
R8は互いに連結して環を形成していてもよい。Zはベン
ゼン環、5員もしくは6員の複素環を形成するのに必要
な原子団を表わす。〕 - 【請求項2】基板上に、一般式(I)で表わされる色素
と一重項酸素クエンチャーとを担持せしめたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012777A JPH0780355B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012777A JPH0780355B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179793A JPS63179793A (ja) | 1988-07-23 |
| JPH0780355B2 true JPH0780355B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=11814837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012777A Expired - Fee Related JPH0780355B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0780355B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4010269A1 (de) * | 1990-03-30 | 1991-10-02 | Basf Ag | Indonaphtholfarbstoffe und ein verfahren zu ihrer thermischen uebertragung |
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1987
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