JPH0780978B2 - 光学用成形材料 - Google Patents
光学用成形材料Info
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- JPH0780978B2 JPH0780978B2 JP17822488A JP17822488A JPH0780978B2 JP H0780978 B2 JPH0780978 B2 JP H0780978B2 JP 17822488 A JP17822488 A JP 17822488A JP 17822488 A JP17822488 A JP 17822488A JP H0780978 B2 JPH0780978 B2 JP H0780978B2
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- styrene
- aromatic polycarbonate
- copolymer
- optical
- birefringence
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、芳香族ポリカーボネートとスチレン系ポリマ
ーで構成される共重合体からなる光学用成形材料に関す
る。さらに詳しくは、分子末端あるいは側鎖に不飽和基
を有する芳香族ポリカーボネートの存在下、無水マレイ
ン酸またはマレイミドあるいはこれらの誘導体とスチレ
ン系モノマーを共重合させた芳香族ポリカーボネートと
スチレン系ポリマーとからなる共重合体であり、芳香族
ポリカーボネート部分とスチレン系ポリマー部分が特定
の重量比率を有し、分散相粒子が0.5μm以下の粒子で
ある光学用成形材料に関する。本発明に係る光学用成形
材料は、特に、光学歪みが低減化され、非常に微細な粒
子からなる分散相であるため光学的均一性に優れ、また
十分な耐熱性を有するので、光ディスク、光学用レン
ズ、光カード、光テープ等に好適である。
ーで構成される共重合体からなる光学用成形材料に関す
る。さらに詳しくは、分子末端あるいは側鎖に不飽和基
を有する芳香族ポリカーボネートの存在下、無水マレイ
ン酸またはマレイミドあるいはこれらの誘導体とスチレ
ン系モノマーを共重合させた芳香族ポリカーボネートと
スチレン系ポリマーとからなる共重合体であり、芳香族
ポリカーボネート部分とスチレン系ポリマー部分が特定
の重量比率を有し、分散相粒子が0.5μm以下の粒子で
ある光学用成形材料に関する。本発明に係る光学用成形
材料は、特に、光学歪みが低減化され、非常に微細な粒
子からなる分散相であるため光学的均一性に優れ、また
十分な耐熱性を有するので、光ディスク、光学用レン
ズ、光カード、光テープ等に好適である。
従来、光学用透明成形品の材料としては、アクリル樹脂
が透明性、流動性が良く複屈折が小さいなどの特徴から
光学用透明成形品の材料として知られている。(特開昭
56-131654号他)、しかし、アクリル樹脂は耐熱性が約7
0℃と低く、耐衝撃性も低く、また水分により反りを生
じ易いという欠点がある。一方、粘度平均分子量15,000
〜18,000のポリカーボネート樹脂をディスクやレンズな
どの成形材料として用いることが知られている(特開昭
58-180553号)が、この場合は流動性が不十分で、ディ
スクやレンズにおいて重要視される複屈折が大きいなど
の欠点を有し、その使用には限界がある。
が透明性、流動性が良く複屈折が小さいなどの特徴から
光学用透明成形品の材料として知られている。(特開昭
56-131654号他)、しかし、アクリル樹脂は耐熱性が約7
0℃と低く、耐衝撃性も低く、また水分により反りを生
じ易いという欠点がある。一方、粘度平均分子量15,000
〜18,000のポリカーボネート樹脂をディスクやレンズな
どの成形材料として用いることが知られている(特開昭
58-180553号)が、この場合は流動性が不十分で、ディ
スクやレンズにおいて重要視される複屈折が大きいなど
の欠点を有し、その使用には限界がある。
上記の理由から、芳香族ポリカーボネート樹脂の持つ優
れた特徴を維持し、光学的歪みを解消する方法が検討さ
れている。
れた特徴を維持し、光学的歪みを解消する方法が検討さ
れている。
光学材料、主として光ディスク材料の実用化における重
要な課題の一つに、基板自体のノイズレベルの低減化の
問題がある。このノイズレベルは斜め入射光を含む複屈
折に異存することが明らかとなっている(例えば、光
学,vol.15.No.5(1986年10月)p.441〜421、光メモリー
シンポジウム'86論文集p.33〜38)。
要な課題の一つに、基板自体のノイズレベルの低減化の
問題がある。このノイズレベルは斜め入射光を含む複屈
折に異存することが明らかとなっている(例えば、光
学,vol.15.No.5(1986年10月)p.441〜421、光メモリー
シンポジウム'86論文集p.33〜38)。
すなわち、垂直入射光の複屈折の低減化は必ずしも斜め
入射光の複屈折の変化と相関せず、特にポリカーボネー
ト樹脂の場合、この相違が顕著であり、光の広角域に於
ける複屈折の低減化が重要である。
入射光の複屈折の変化と相関せず、特にポリカーボネー
ト樹脂の場合、この相違が顕著であり、光の広角域に於
ける複屈折の低減化が重要である。
複屈折の低減化の試みとして、芳香族ポリカーボネート
とポリスチレンなどの他の樹脂との組成物とする方法が
種々提案されている。(たとえば、特開昭61-19630号、
同61-19656号、同62-18466号、同62-20524号、同61-108
617号、及び機能材料1987年3月p21〜29)。
とポリスチレンなどの他の樹脂との組成物とする方法が
種々提案されている。(たとえば、特開昭61-19630号、
同61-19656号、同62-18466号、同62-20524号、同61-108
617号、及び機能材料1987年3月p21〜29)。
しかし、これらの提案はいずれも垂直入射光の複屈折の
低減化を対象とするもので、前記した斜め入射光の複屈
折については何らの言及もなく考慮されておらず、光の
広角域におけるノイズレベル(斜め入射光の光学歪み)
の低減化という実用上の観点からは満足すべきものでな
い。また、さらに重要なことは、他の樹脂との単なる混
合組成物、あるいは共重合体であってもホモポリマーを
多量に含有する共重合体組成物系では、組成物中の成分
の分散相粒子の状態が粗い傾向にあり、その結果、たと
えば、分散相粒子が0.5μmよりも大きい3μm程度の
粒子となり、仮に測定上の複屈折が低減化し0であって
も、ミクロンサイズの領域では、分散粒子界面が屈折率
差により、散乱源となるなど光学的には不均一となり、
ノイズ発生の原因となる。一方、ポリカーボネートとポ
リスチレンとの樹脂組成物の場合は耐熱性が低下し好ま
しくない。
低減化を対象とするもので、前記した斜め入射光の複屈
折については何らの言及もなく考慮されておらず、光の
広角域におけるノイズレベル(斜め入射光の光学歪み)
の低減化という実用上の観点からは満足すべきものでな
い。また、さらに重要なことは、他の樹脂との単なる混
合組成物、あるいは共重合体であってもホモポリマーを
多量に含有する共重合体組成物系では、組成物中の成分
の分散相粒子の状態が粗い傾向にあり、その結果、たと
えば、分散相粒子が0.5μmよりも大きい3μm程度の
粒子となり、仮に測定上の複屈折が低減化し0であって
も、ミクロンサイズの領域では、分散粒子界面が屈折率
差により、散乱源となるなど光学的には不均一となり、
ノイズ発生の原因となる。一方、ポリカーボネートとポ
リスチレンとの樹脂組成物の場合は耐熱性が低下し好ま
しくない。
以上のように、従来方法による変性ポリカーボネートは
斜め入射光の複屈折の解消、光学的均一性及び耐熱性の
点から未だ満足すべきものとはいえない。
斜め入射光の複屈折の解消、光学的均一性及び耐熱性の
点から未だ満足すべきものとはいえない。
本発明者らは、上記の欠点を改良する方法について鋭意
検討した結果、分子末端あるいは側鎖に不飽和基を有す
る芳香族ポリカーボネートの存在下、無水マレイン酸ま
たはマレイミドあるいはこれらの誘導体とスチレン系モ
ノマーを共重合させた芳香族ポリカーボネートとスチレ
ン系ポリマーとからなる共重合体であって、該共重合体
における芳香族ポリカーボネート部分とスチレン系ポリ
マー部分が特定の重量比を有する共重合体で、その分散
相粒子が0.5μm以下の粒子である共重合体が、複屈折
および耐熱性に優れており、光学用成形材料として好適
であることを見出した。
検討した結果、分子末端あるいは側鎖に不飽和基を有す
る芳香族ポリカーボネートの存在下、無水マレイン酸ま
たはマレイミドあるいはこれらの誘導体とスチレン系モ
ノマーを共重合させた芳香族ポリカーボネートとスチレ
ン系ポリマーとからなる共重合体であって、該共重合体
における芳香族ポリカーボネート部分とスチレン系ポリ
マー部分が特定の重量比を有する共重合体で、その分散
相粒子が0.5μm以下の粒子である共重合体が、複屈折
および耐熱性に優れており、光学用成形材料として好適
であることを見出した。
すなわち、本発明は、分子末端あるいは側鎖に不飽和基
を有する芳香族ポリカーボネートの存在下、無水マレイ
ン酸またはマレイミドとあるいはこれらの誘導体スチレ
ン系モノマーを共重合させた芳香族ポリカーボネートと
スチレン系ポリマーとからなる共重合体であって、該共
重合体における芳香族ポリカーボネート部分とスチレン
系ポリマー部分の重量比率が、30:70〜90:10であり、ス
チレン系ポリマーにおける無水マレイン酸またはマレイ
ミドあるいはこれらの誘導体とスチレン系モノマーとの
共重合比が1:99〜50:50であり、かつ該共重合体の分散
相粒子が0.5μm以下の粒子である透明な光学用成形材
料に関する。
を有する芳香族ポリカーボネートの存在下、無水マレイ
ン酸またはマレイミドとあるいはこれらの誘導体スチレ
ン系モノマーを共重合させた芳香族ポリカーボネートと
スチレン系ポリマーとからなる共重合体であって、該共
重合体における芳香族ポリカーボネート部分とスチレン
系ポリマー部分の重量比率が、30:70〜90:10であり、ス
チレン系ポリマーにおける無水マレイン酸またはマレイ
ミドあるいはこれらの誘導体とスチレン系モノマーとの
共重合比が1:99〜50:50であり、かつ該共重合体の分散
相粒子が0.5μm以下の粒子である透明な光学用成形材
料に関する。
以下、本発明の構成について説明する。
本発明における芳香族ポリカーボネートとスチレン系ポ
リマーとからなる共重合体とは、分子末端あるいは側鎖
に不飽和基を有する芳香族ポリカーボネートの存在下、
無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの誘導
体とスチレン系モノマーとを共重合させたものであり、
上記のごとく、芳香族ポリカーボネート部分とスチレン
系ポリマー部分の重量比率を特定し、スチレン系ポリマ
ーにおける無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこ
れらの誘導体とスチレン系モノマーとの共重合比を特定
し、かつ分散相粒子が0.5μm以下のサブミクロン粒子
からなるものである。
リマーとからなる共重合体とは、分子末端あるいは側鎖
に不飽和基を有する芳香族ポリカーボネートの存在下、
無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの誘導
体とスチレン系モノマーとを共重合させたものであり、
上記のごとく、芳香族ポリカーボネート部分とスチレン
系ポリマー部分の重量比率を特定し、スチレン系ポリマ
ーにおける無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこ
れらの誘導体とスチレン系モノマーとの共重合比を特定
し、かつ分散相粒子が0.5μm以下のサブミクロン粒子
からなるものである。
まず、芳香族ポリカーボネート部分とスチレン系ポリマ
ー部分の重量比率は、30:70〜90:10の範囲、好ましくは
40:60〜70:30の範囲で選択される。この重量比率は主と
して光の広角域における光学歪みに相関するものであ
り、この範囲外では垂直入射光と斜め入射光における複
屈折の差を小さくすることはできない。
ー部分の重量比率は、30:70〜90:10の範囲、好ましくは
40:60〜70:30の範囲で選択される。この重量比率は主と
して光の広角域における光学歪みに相関するものであ
り、この範囲外では垂直入射光と斜め入射光における複
屈折の差を小さくすることはできない。
さらに、芳香族ポリカーボネート部分のポリスチレン換
算重量平均分子量(=PCMw)は、10,000≦PCMw≦80,000
の範囲、好ましくは25,000≦PCMw≦65,000の範囲から選
択される。
算重量平均分子量(=PCMw)は、10,000≦PCMw≦80,000
の範囲、好ましくは25,000≦PCMw≦65,000の範囲から選
択される。
一方、スチレン系ポリマー部分のポリスチレン換算重量
平均分子量(=PSMw)は、20,000≦PSMw≦250,000の範
囲、好ましくは30,000≦PCMw≦120,000の範囲から選択
される。
平均分子量(=PSMw)は、20,000≦PSMw≦250,000の範
囲、好ましくは30,000≦PCMw≦120,000の範囲から選択
される。
本発明においては、上記の重量比、分散相粒子が0.5μ
m以下のサブミクロン粒子であること、さらには分子量
などが全体として満足した場合に良好な光学用成形材料
となるものである。
m以下のサブミクロン粒子であること、さらには分子量
などが全体として満足した場合に良好な光学用成形材料
となるものである。
これらの条件を満足して好適に組み合わされた場合、垂
直入射光および斜め入射光と共に複屈折が10nm以下の範
囲となり、かつ射出成形条件、たとえば、成形温度を後
記の実施例に示すように変化させた場合であっても複屈
折の絶対値が30nm以下の範囲しか変化しない材料とな
る。
直入射光および斜め入射光と共に複屈折が10nm以下の範
囲となり、かつ射出成形条件、たとえば、成形温度を後
記の実施例に示すように変化させた場合であっても複屈
折の絶対値が30nm以下の範囲しか変化しない材料とな
る。
本発明において、分子量それ自体は複屈折には直接的に
は影響しないが、成形品の機械的物性、成形加工性に影
響を与え、PCMw、PSMwが下限値未満では成形材料として
の機械的物性が劣るものとなり、また上限値を超えると
成形加工性の点から問題があるので好ましくない。
は影響しないが、成形品の機械的物性、成形加工性に影
響を与え、PCMw、PSMwが下限値未満では成形材料として
の機械的物性が劣るものとなり、また上限値を超えると
成形加工性の点から問題があるので好ましくない。
本発明の光学用成形材料としての芳香族ポリカーボネー
トとスチレン系ポリマーとからなる共重合体の製造方法
は、一分子当たり平均して少なくとも一つの不飽和基を
分子末端あるいは側鎖に有する芳香族ポリカーボネート
の存在下、無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこ
れらの誘導体とスチレン系モノマーを共重合する方法に
より製造することができる。
トとスチレン系ポリマーとからなる共重合体の製造方法
は、一分子当たり平均して少なくとも一つの不飽和基を
分子末端あるいは側鎖に有する芳香族ポリカーボネート
の存在下、無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこ
れらの誘導体とスチレン系モノマーを共重合する方法に
より製造することができる。
本発明に用いられる1分子当たり平均して少なくとも一
つの不飽和基を分子末端あるいは側鎖に有する芳香族ポ
リカーボネートの製法は、連鎖移動剤もしくは末端停止
剤として、不飽和二重結合を有する一官能性化合物を、
またはこれらと従来の末端停止剤を併用して用いる他は
従来の芳香族ポリカーボネートの製法と同様な方法、す
なわち界面重合法、ピリジン法、クロロホーメート法等
の溶液法で製造されるもので、粘度平均分子量2,000〜1
00,000、好ましくは5,000〜50,000、特に6,000〜30,000
のものである。
つの不飽和基を分子末端あるいは側鎖に有する芳香族ポ
リカーボネートの製法は、連鎖移動剤もしくは末端停止
剤として、不飽和二重結合を有する一官能性化合物を、
またはこれらと従来の末端停止剤を併用して用いる他は
従来の芳香族ポリカーボネートの製法と同様な方法、す
なわち界面重合法、ピリジン法、クロロホーメート法等
の溶液法で製造されるもので、粘度平均分子量2,000〜1
00,000、好ましくは5,000〜50,000、特に6,000〜30,000
のものである。
本発明の不飽和基を分子末端あるいは側鎖に有する芳香
族ポリカーボネートの製法に使用される二価フェノール
系化合物として好ましいものは、具体的には、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペ
ンタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)イソペ
ンタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
ン)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)イソヘキ
サン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメ
チルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン、ジヒドロキシジフェニルス
ルホン、ジヒドロキシジフェニルスルフィド、ジヒドロ
キシジフェニルエーテル等のビスフェノール類、および
ハイドロキノン、レゾルシン、o−メチルレゾルシン、
o−クミルレゾルシン、といった二価のフェノール類が
例示される。これらのうち、特に、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパンの使用は好ましい。
族ポリカーボネートの製法に使用される二価フェノール
系化合物として好ましいものは、具体的には、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペ
ンタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)イソペ
ンタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
ン)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)イソヘキ
サン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタ
ン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメ
チルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン、ジヒドロキシジフェニルス
ルホン、ジヒドロキシジフェニルスルフィド、ジヒドロ
キシジフェニルエーテル等のビスフェノール類、および
ハイドロキノン、レゾルシン、o−メチルレゾルシン、
o−クミルレゾルシン、といった二価のフェノール類が
例示される。これらのうち、特に、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパンの使用は好ましい。
また、不飽和基を分子末端あるいは側鎖に導入するため
の不飽和二重結合を有する一官能性化合物としては、ア
クリル酸クロライド、メタアクリル酸クロライド、ソル
ビン酸クロライド、アリルアルコールクロロホーメー
ト、イソプロペニルフェノールクロロホーメート、など
の酸クロライドやクロロホーメート;イソプロペニルフ
ェノール、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシフェニルマ
レイミド、ヒドロキシ安息香酸アリルエステル、ヒドロ
キシ安息香酸メチルアリルエステルなどの不飽和基を有
するフェノール類等があげられる。
の不飽和二重結合を有する一官能性化合物としては、ア
クリル酸クロライド、メタアクリル酸クロライド、ソル
ビン酸クロライド、アリルアルコールクロロホーメー
ト、イソプロペニルフェノールクロロホーメート、など
の酸クロライドやクロロホーメート;イソプロペニルフ
ェノール、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシフェニルマ
レイミド、ヒドロキシ安息香酸アリルエステル、ヒドロ
キシ安息香酸メチルアリルエステルなどの不飽和基を有
するフェノール類等があげられる。
これらの化合物は従来の末端停止剤と併用してもよいも
のであり、上記した二価フェノール化合物に対して、1
〜25モル、好ましくは1.5〜10モルの範囲で使用され
る。
のであり、上記した二価フェノール化合物に対して、1
〜25モル、好ましくは1.5〜10モルの範囲で使用され
る。
本発明における分子末端あるいは側鎖に不飽和基を有す
るポリカーボネートは上記のようにして製造されるが、
さらに必要に応じ分岐化剤を上記の二価フェノール化合
物に対して、0.01〜3.0モル%、特に0.1〜1.0モル%の
範囲で併用して分岐化ポリカーボネートとすることもで
きる。
るポリカーボネートは上記のようにして製造されるが、
さらに必要に応じ分岐化剤を上記の二価フェノール化合
物に対して、0.01〜3.0モル%、特に0.1〜1.0モル%の
範囲で併用して分岐化ポリカーボネートとすることもで
きる。
このような分岐化剤としては、フロログリシン、2,6−
ジメチル−2,4,6−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ヘ
プテン−3、4,5−ジメチル−2,4,6−トリ(4−ヒドロ
キシフェニル)ヘプテン−2、1,3,5−トリ(2−ヒド
ロキシフェニル)ベンゾール、1,1,1−トリ(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、2,6−ビス(2−ヒドロキシ
−5−メチルベンジル)−4−メチルフェノール、α,
α′,α″−トリ(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5
−トリイソプロピルベンゼン、などで例示されるポリヒ
ドロキシ化合物、および3,3−ビス(4−ヒドロキシア
リール)オキシインドール(=イサチンビスフェノー
ル)、5−クロルイサチンビスフェノール、5,7−ジク
ロルイサチンビスフェノール、5−ブロムイサチンビス
フェノール等が例示される。
ジメチル−2,4,6−トリ(4−ヒドロキシフェニル)ヘ
プテン−3、4,5−ジメチル−2,4,6−トリ(4−ヒドロ
キシフェニル)ヘプテン−2、1,3,5−トリ(2−ヒド
ロキシフェニル)ベンゾール、1,1,1−トリ(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、2,6−ビス(2−ヒドロキシ
−5−メチルベンジル)−4−メチルフェノール、α,
α′,α″−トリ(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5
−トリイソプロピルベンゼン、などで例示されるポリヒ
ドロキシ化合物、および3,3−ビス(4−ヒドロキシア
リール)オキシインドール(=イサチンビスフェノー
ル)、5−クロルイサチンビスフェノール、5,7−ジク
ロルイサチンビスフェノール、5−ブロムイサチンビス
フェノール等が例示される。
次に、本発明において、分子末端あるいは側鎖に不飽和
基を有する芳香族ポリカーボネートの存在下に共重合さ
せる無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの
誘導体とスチレン系モノマーについて説明する。
基を有する芳香族ポリカーボネートの存在下に共重合さ
せる無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの
誘導体とスチレン系モノマーについて説明する。
先ず、本発明におけるスチレン系モノマーは、具体的に
は、スチレン、o−メチルスチレン、p−メチルスチレ
ン、α−メチルスチレン、o−ブチルスチレン、p−ブ
チルスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、2,4
−ジメチルスチレン等が例示される。
は、スチレン、o−メチルスチレン、p−メチルスチレ
ン、α−メチルスチレン、o−ブチルスチレン、p−ブ
チルスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、2,4
−ジメチルスチレン等が例示される。
本発明においては、上記スチレン系モノマーとともに無
水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの誘導体
が使用される。この無水マレイン酸またはマレイミドあ
るいはこれらの誘導体の具体的な例としては、無水マレ
イン酸、α−メチル無水マレイン酸、マレイミド、N−
メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−プロピ
ルマレイミド、N−ブチルマレイミド、N−エチルマレ
イミド、N−ベンジルマレイミド、N−シクロヘキシル
マレイミド、N−フェニルマレイミド等が挙げられる。
これら化合物のうち、無水マレイン酸、N−シクロヘキ
シルマレイミド、N−フェニルマレイミドの使用が特に
好ましい。
水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの誘導体
が使用される。この無水マレイン酸またはマレイミドあ
るいはこれらの誘導体の具体的な例としては、無水マレ
イン酸、α−メチル無水マレイン酸、マレイミド、N−
メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−プロピ
ルマレイミド、N−ブチルマレイミド、N−エチルマレ
イミド、N−ベンジルマレイミド、N−シクロヘキシル
マレイミド、N−フェニルマレイミド等が挙げられる。
これら化合物のうち、無水マレイン酸、N−シクロヘキ
シルマレイミド、N−フェニルマレイミドの使用が特に
好ましい。
上記のモノマーを選択して共重合させたスチレン系ポリ
マーにおける無水マレイン酸またはマレイミドあるいは
これらの誘導体成分とスチレン系モノマーとの共重合比
は、1:99〜50:50の範囲、好ましくは2:98〜45:55の範
囲、特に好ましくは3:97〜40:60の範囲が好ましい。共
重合比が1:99未満では顕著な光学的均一性の向上ならび
に耐熱性の向上が認められない。一方、共重合比が50:5
0を超えると光学的均一性および成形性も低下し好まし
くない。
マーにおける無水マレイン酸またはマレイミドあるいは
これらの誘導体成分とスチレン系モノマーとの共重合比
は、1:99〜50:50の範囲、好ましくは2:98〜45:55の範
囲、特に好ましくは3:97〜40:60の範囲が好ましい。共
重合比が1:99未満では顕著な光学的均一性の向上ならび
に耐熱性の向上が認められない。一方、共重合比が50:5
0を超えると光学的均一性および成形性も低下し好まし
くない。
なお、本発明においては、上記のスチレン系モノマーお
よび無水マレイン酸、マレイミドまたはこれらの誘導体
の他にさらにその他のビニル系モノマー、たとえば、メ
チルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメ
タクリレート、N−ヘキシルアクリレート、ブチルアク
リレートおよびシクロヘキシルメタクリレートなどのア
クリレート類;グリシジルメタクリレート、アクリル
酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メトキシ
アクリルアミド、アクリロニトリルなどを併用すること
ができる。
よび無水マレイン酸、マレイミドまたはこれらの誘導体
の他にさらにその他のビニル系モノマー、たとえば、メ
チルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメ
タクリレート、N−ヘキシルアクリレート、ブチルアク
リレートおよびシクロヘキシルメタクリレートなどのア
クリレート類;グリシジルメタクリレート、アクリル
酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メトキシ
アクリルアミド、アクリロニトリルなどを併用すること
ができる。
本発明において、不飽和基を分子末端あるいは側鎖に有
する芳香族ポリカーボネートの存在下に無水マレイン
酸、マレイミドまたはこれらの誘導体とスチレン系モノ
マーを反応して共重合体とする際、その分子量を調節す
る手段として、熱重合温度による方法、開始剤濃度
による方法、分子量調節剤による方法などがある。
する芳香族ポリカーボネートの存在下に無水マレイン
酸、マレイミドまたはこれらの誘導体とスチレン系モノ
マーを反応して共重合体とする際、その分子量を調節す
る手段として、熱重合温度による方法、開始剤濃度
による方法、分子量調節剤による方法などがある。
これらの方法を併用して用いることもできるが、分子量
調節剤を使用する方法は、本発明の共重合反応におい
て、特に好適である。
調節剤を使用する方法は、本発明の共重合反応におい
て、特に好適である。
分子量調節剤としては、有機硫黄化合物が用いられる。
好ましい有機硫黄化合物は炭素数1〜30の脂肪族または
芳香族の化合物であり、具体的にはn−ブチルメルカプ
タン、イソブチルメルカプタン、n−オクチルメルカプ
タン、n−ドデシルメルカプタン、sec−ブチルメルカ
プタン、sec−ドデシルメルカプタン、tert−ブチルメ
ルカプタン、などの一級、二級、三級のメルカプタン;
フェニルメルカプタン、チオクレゾール、4−tert−ブ
チルチオクレゾールなどの芳香族メルカプタン;チオグ
リコール酸およびそのエステル;エチレンチオグリコー
ル等のごとき炭素数3〜18のメルカプタンを挙げること
ができる。これらの化合物の中で、n−ドデシルメルカ
プタン、tert−ドデシルメルカプタン、およびn−オク
チルメルカプタンが最も好ましい。
好ましい有機硫黄化合物は炭素数1〜30の脂肪族または
芳香族の化合物であり、具体的にはn−ブチルメルカプ
タン、イソブチルメルカプタン、n−オクチルメルカプ
タン、n−ドデシルメルカプタン、sec−ブチルメルカ
プタン、sec−ドデシルメルカプタン、tert−ブチルメ
ルカプタン、などの一級、二級、三級のメルカプタン;
フェニルメルカプタン、チオクレゾール、4−tert−ブ
チルチオクレゾールなどの芳香族メルカプタン;チオグ
リコール酸およびそのエステル;エチレンチオグリコー
ル等のごとき炭素数3〜18のメルカプタンを挙げること
ができる。これらの化合物の中で、n−ドデシルメルカ
プタン、tert−ドデシルメルカプタン、およびn−オク
チルメルカプタンが最も好ましい。
これらの使用量は、共重合反応に用いられる不飽和基を
分子末端あるいは側鎖に有する芳香族ポリカーボネー
ト、無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの
誘導体、およびスチレン系モノマーの合計量の5重量%
以下、好ましくは0.0004〜2重量%の範囲である。5重
量%を超えて使用した場合には重合度が低くなり機械的
物性などが低下し好ましくない。
分子末端あるいは側鎖に有する芳香族ポリカーボネー
ト、無水マレイン酸またはマレイミドあるいはこれらの
誘導体、およびスチレン系モノマーの合計量の5重量%
以下、好ましくは0.0004〜2重量%の範囲である。5重
量%を超えて使用した場合には重合度が低くなり機械的
物性などが低下し好ましくない。
本発明において使用される重合開始剤としては、たとえ
ばジ−tert−ブチルパーオキサイド、ジノニルパーオキ
サイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジ−tert
−ブチルジパーフタレート、ラウロイルパーオキサイ
ド、ジ−tert−アミルパーオキサイド、ジクミルパーオ
キサイド、tert−ブチルクミルパーオキサイド、ベンゾ
イルパーオキサイドなどの有機過酸化物;2,2−アゾビス
イソブチロニトリル、1,1−アゾビスシクロヘキシルカ
ルボニトリル、2−シアノ−2−プロピルアゾホルムア
ミド等のアゾ化合物を挙げることができる。これらの使
用量は一般的には0〜1重量%の範囲である。
ばジ−tert−ブチルパーオキサイド、ジノニルパーオキ
サイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジ−tert
−ブチルジパーフタレート、ラウロイルパーオキサイ
ド、ジ−tert−アミルパーオキサイド、ジクミルパーオ
キサイド、tert−ブチルクミルパーオキサイド、ベンゾ
イルパーオキサイドなどの有機過酸化物;2,2−アゾビス
イソブチロニトリル、1,1−アゾビスシクロヘキシルカ
ルボニトリル、2−シアノ−2−プロピルアゾホルムア
ミド等のアゾ化合物を挙げることができる。これらの使
用量は一般的には0〜1重量%の範囲である。
以下に実施例を挙げ本発明を具体的に説明する。
尚、実施例等の粘度平均分子量、全光線透過率、曇価、
ビカット軟化温度および相分散(相分散粒子)は下記の
方法により求めた。
ビカット軟化温度および相分散(相分散粒子)は下記の
方法により求めた。
(1)粘度平均分子量 ・溶液粘度の測定 試料溶液:濃度 0.2g/100mlの塩化メチレン溶液 粘度計 :溶媒のみのフロータイム(T0)72.36秒の毛
細管色改良ウベローデ型粘度計 測定温度:20℃±0.01℃ この測定により、濃度0.2g/100mlのフロータイム(T)
を測定する。上記の測定から、下記式、より
ηrel、ηap、〔η〕を算出し、(Schenellの式)よ
りMvを求める。
細管色改良ウベローデ型粘度計 測定温度:20℃±0.01℃ この測定により、濃度0.2g/100mlのフロータイム(T)
を測定する。上記の測定から、下記式、より
ηrel、ηap、〔η〕を算出し、(Schenellの式)よ
りMvを求める。
ηap=T/T0−1(ηrel=T/T0) ……) ηap:比粘度 T :試料溶液のフロータイム T0 :溶媒のみのフロータイム ηap/C=〔η〕+K′〔η〕2/C …… 〔η〕:極限(固有)粘度 C :試料溶液の濃度 K′ :Hugginsの定数(K′=0.45とした) 〔η〕=KmMα v …… Km :1.23×10-4 α :0.83 (2)スチレン換算重量平均分子量 GPCによる測定 (3)全光線透過率および曇価 サンプル:厚み3mmの成形品 測定装置:日本電色工業ヘイズメーター/モデル1001 D
P (4)ビカット軟化温度 JIS K 7206A法 1kg荷重で実施 (5)相分散(分散相粒子) 電子顕微鏡による観察 (6)複屈折 ・サンプルおよび装置 サンプル:厚み1.2mm、直径130mmの成形品 測定波長:632.8nm 測定装置:(株)溝尻光学工業製、自動エリプソメー
ター ・垂直入射光および斜め入射光屈折 垂直入射光複屈折(Re0) サンプル面に対して垂直入射する光線に対する複屈折を
表す。
P (4)ビカット軟化温度 JIS K 7206A法 1kg荷重で実施 (5)相分散(分散相粒子) 電子顕微鏡による観察 (6)複屈折 ・サンプルおよび装置 サンプル:厚み1.2mm、直径130mmの成形品 測定波長:632.8nm 測定装置:(株)溝尻光学工業製、自動エリプソメー
ター ・垂直入射光および斜め入射光屈折 垂直入射光複屈折(Re0) サンプル面に対して垂直入射する光線に対する複屈折を
表す。
斜め入射光複屈折(Remax30) 垂直入射光線から角度30°をなす光線に対する複屈折を
斜め入射光複屈折(Re30)といい、成形品の射出方向を
0°とする全方位(0〜360°)におけるRe30の最大値
をRemax30と称する。
斜め入射光複屈折(Re30)といい、成形品の射出方向を
0°とする全方位(0〜360°)におけるRe30の最大値
をRemax30と称する。
参考例1〜4 水酸化ナトリウム22kgを水256lに溶解し、20℃に保ちな
がら、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(=BPA)45.6kg、ハイドロサルファイト50gを溶解し
た。
がら、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(=BPA)45.6kg、ハイドロサルファイト50gを溶解し
た。
これに塩化メチレン(=MC)150lを加えて攪拌しつつホ
スゲンを吹き込み、30分後にp−イソプロペニルフェノ
ール1.95kgを含むMC125kgを加え、さらにホスゲンを30
分間吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、激しく攪拌
して反応液を乳化させ、乳化後、1%トリエチルアミン
のMC溶液30lを加え、約1時間攪拌を続け重合させた。
スゲンを吹き込み、30分後にp−イソプロペニルフェノ
ール1.95kgを含むMC125kgを加え、さらにホスゲンを30
分間吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、激しく攪拌
して反応液を乳化させ、乳化後、1%トリエチルアミン
のMC溶液30lを加え、約1時間攪拌を続け重合させた。
重合液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和
した後、数回水洗を繰り返した後、メタノールへ滴下し
て共重合体を沈殿させ、濾過し、乾燥して白色粉末状の
不飽和基を末端に有する芳香族ポリカーボネートを得
た。
した後、数回水洗を繰り返した後、メタノールへ滴下し
て共重合体を沈殿させ、濾過し、乾燥して白色粉末状の
不飽和基を末端に有する芳香族ポリカーボネートを得
た。
この粉末のポリスチレン換算重量平均分子量(=PCMw)
は32,000であり、塩化メチレン溶液の粘度測定から粘度
平均分子量(=PCMv)は16,000であった。
は32,000であり、塩化メチレン溶液の粘度測定から粘度
平均分子量(=PCMv)は16,000であった。
上記において、末端停止剤の使用量等を代える他は同様
にして、PCMw(PCMv)が45,000(20,000)、49,000(2
2,000)、および54,000(24,000)の不飽和基を末端に
有する芳香族ポリカーボネートを得た。これらを粘度平
均分子量の低いものから順にPC−1,PC−2,PC−3,PC−4
と称する。
にして、PCMw(PCMv)が45,000(20,000)、49,000(2
2,000)、および54,000(24,000)の不飽和基を末端に
有する芳香族ポリカーボネートを得た。これらを粘度平
均分子量の低いものから順にPC−1,PC−2,PC−3,PC−4
と称する。
参考例5 参考例1において、p−イソプロペニルフェノールに代
えて、アクリル酸クロライドを用いる他は参考例1に準
拠してPCMw(PCMv)が49,500(22,000)の不飽和基を末
端に有する芳香族ポリカーボネートを得た。(以下これ
をPC−5と呼ぶ) 実施例1 参考例1で得たPC−1 2.5kg、スチレンモノマー(以下S
tと記す)11kgを耐圧容器に入れ、窒素置換を行った
後、攪拌下に120℃まで昇温し、n−ドデシルメルカプ
タン(以下、NDSと記す)11g、無水マレイン酸(以下、
MAと記す)154gおよびSt1.5kgの混合溶液を添加しつつ1
00分間反応させた。
えて、アクリル酸クロライドを用いる他は参考例1に準
拠してPCMw(PCMv)が49,500(22,000)の不飽和基を末
端に有する芳香族ポリカーボネートを得た。(以下これ
をPC−5と呼ぶ) 実施例1 参考例1で得たPC−1 2.5kg、スチレンモノマー(以下S
tと記す)11kgを耐圧容器に入れ、窒素置換を行った
後、攪拌下に120℃まで昇温し、n−ドデシルメルカプ
タン(以下、NDSと記す)11g、無水マレイン酸(以下、
MAと記す)154gおよびSt1.5kgの混合溶液を添加しつつ1
00分間反応させた。
反応終了後、生成物をMCに溶解し、メタノールへ加え沈
殿化して芳香族ポリカーボネートとスチレン系ポリマー
からなる共重合体を得た。この芳香族ポリカーボネート
とスチレン系ポリマーからなる共重合体(以下、G−1
と記す)を、赤外分光法により分析した結果、芳香族ポ
リカーボネート部分(以下、PCと記す)とスチレン系ポ
リマー部分(以下、SMAと記す)の重量比はPC/SMA=60.
8/39.2であった。また滴定法により測定したSMA中のMA
とStの共重合比は9.3:90.7であった。
殿化して芳香族ポリカーボネートとスチレン系ポリマー
からなる共重合体を得た。この芳香族ポリカーボネート
とスチレン系ポリマーからなる共重合体(以下、G−1
と記す)を、赤外分光法により分析した結果、芳香族ポ
リカーボネート部分(以下、PCと記す)とスチレン系ポ
リマー部分(以下、SMAと記す)の重量比はPC/SMA=60.
8/39.2であった。また滴定法により測定したSMA中のMA
とStの共重合比は9.3:90.7であった。
上記で製造したG−1を20mmベント付き押出機に供給
し、240〜260℃のシリンダー温度でペレット化した。こ
のペレットを110℃で5時間以上乾燥した後、第1表に
記載のシリンダー温度、金型温度90℃で射出成形してデ
ィスクを作成し、ディスク中心より42mmの同心円上の任
意の点の複屈折、分散相粒子を測定した。
し、240〜260℃のシリンダー温度でペレット化した。こ
のペレットを110℃で5時間以上乾燥した後、第1表に
記載のシリンダー温度、金型温度90℃で射出成形してデ
ィスクを作成し、ディスク中心より42mmの同心円上の任
意の点の複屈折、分散相粒子を測定した。
さらに、上記ペレットをプレス成形して3mm厚の成形品
を得、24時間放置後、全光線透過率、曇価およびビカッ
ト軟化温度を測定した。測定結果を一括して第1表に示
す。
を得、24時間放置後、全光線透過率、曇価およびビカッ
ト軟化温度を測定した。測定結果を一括して第1表に示
す。
実施例2〜5 参考例2、3、4及び5で得たPC−2,PC−3,PC−4及び
PC−5を原料とする他は、実施例1と同様にして芳香族
ポリカーボネートとスチレン系ポリマーからなる共重合
体を得た(PC−2〜PC−5に対応してそれぞれG−2,G
−3,G−4およびG−5と称す)。G−2〜G−5を使
用する他は実施例1と同様に試験した。その結果を第1
表に示す。
PC−5を原料とする他は、実施例1と同様にして芳香族
ポリカーボネートとスチレン系ポリマーからなる共重合
体を得た(PC−2〜PC−5に対応してそれぞれG−2,G
−3,G−4およびG−5と称す)。G−2〜G−5を使
用する他は実施例1と同様に試験した。その結果を第1
表に示す。
実施例6 実施例1において、PC−1の代わりにPC−2を用い、ND
S19g、MA330gにそれぞれ変更する他は実施例1と同様に
して芳香族ポリカーボネートとスチレン系ポリマーから
なる共重合体(以下、G−6と記す)を得た。G−6に
つき実施例1と同様の試験した。その結果を第2表に示
す。
S19g、MA330gにそれぞれ変更する他は実施例1と同様に
して芳香族ポリカーボネートとスチレン系ポリマーから
なる共重合体(以下、G−6と記す)を得た。G−6に
つき実施例1と同様の試験した。その結果を第2表に示
す。
実施例7 参考例2で得たPC−2 2.5kg、St9.2kgを耐圧容器に入れ
窒素置換を行った後、攪拌下に120℃まで昇温し、NDSを
22g、MA667gおよびSt4.2kgの混合溶液を添加しつつ90分
間反応させた。
窒素置換を行った後、攪拌下に120℃まで昇温し、NDSを
22g、MA667gおよびSt4.2kgの混合溶液を添加しつつ90分
間反応させた。
反応終了後、生成物を実施例1同様に処理して芳香族ポ
リカーボネートとスチレン系ポリマーからなる共重合体
(以下、G−7と記す)を得た。G−7につき実施例1
と同様に試験した。その結果を第2表に示す。
リカーボネートとスチレン系ポリマーからなる共重合体
(以下、G−7と記す)を得た。G−7につき実施例1
と同様に試験した。その結果を第2表に示す。
実施例8 参考例2で得たPC−2 2.5kg、St9.2kgを耐圧容器に入れ
窒素置換を行った後、攪拌下に120℃まで昇温し、NDSを
25g、MA833gおよびSt4.2kgの混合溶液を添加しつつ90分
間反応させた。
窒素置換を行った後、攪拌下に120℃まで昇温し、NDSを
25g、MA833gおよびSt4.2kgの混合溶液を添加しつつ90分
間反応させた。
反応終了後、生成物を実施例1同様に処理して芳香族ポ
リカーボネートとスチレン系ポリマーからなる共重合体
(以下、G−8と記す)を得た。G−8につき実施例1
と同様に試験した。その結果を第2表に示す。
リカーボネートとスチレン系ポリマーからなる共重合体
(以下、G−8と記す)を得た。G−8につき実施例1
と同様に試験した。その結果を第2表に示す。
実施例9 実施例8において、NDSを28g、MA1111gと変えた他は実
施例8と同様にして芳香族ポリカーボネートとスチレン
系ポリマーからなる共重合体(以下、G−9と記す)を
得た。G−9につき実施例1と同様に試験した。その結
果を第2表に示す。
施例8と同様にして芳香族ポリカーボネートとスチレン
系ポリマーからなる共重合体(以下、G−9と記す)を
得た。G−9につき実施例1と同様に試験した。その結
果を第2表に示す。
実施例10、11 実施例1において、MAをそれぞれN−フェニルマレイミ
ド(以下、MI−1と記す)314gまたはN−シクロヘキシ
ルマレイミド(以下、MI−2と記す)325gに変更する他
は実施例1と同様にして芳香族ポリカーボネートとスチ
レン系ポリマーからなる共重合体(以下、それぞれG−
10、G−11と記す)を得た。G−10,G−11につき実施例
1と同様に試験した。その結果を第3表に示す。
ド(以下、MI−1と記す)314gまたはN−シクロヘキシ
ルマレイミド(以下、MI−2と記す)325gに変更する他
は実施例1と同様にして芳香族ポリカーボネートとスチ
レン系ポリマーからなる共重合体(以下、それぞれG−
10、G−11と記す)を得た。G−10,G−11につき実施例
1と同様に試験した。その結果を第3表に示す。
比較例1 芳香族ポリカーボネート樹脂(三菱瓦斯化学(株)製、
商品名:ユーピロンH−4000以下、PCH4と記す)を用い
る他は実施例1と同様にして試験片を作成し試験した。
この結果を第3表に示す。
商品名:ユーピロンH−4000以下、PCH4と記す)を用い
る他は実施例1と同様にして試験片を作成し試験した。
この結果を第3表に示す。
比較例2 実施例1において、MAを使用しない他は実施例1と同様
にして芳香族ポリカーボネートとポリスチレンからなる
共重合体(以下、GC−1と記す)を得、これについて同
様の試験を行った。その結果を第3表に示す。
にして芳香族ポリカーボネートとポリスチレンからなる
共重合体(以下、GC−1と記す)を得、これについて同
様の試験を行った。その結果を第3表に示す。
〔発明の作用及び効果〕 本発明の芳香族ポリカーボネートとスチレン系ポリマー
とからなる共重合体は、上記の記載から明らかなよう
に、複屈折が大幅に低減化され、かつ耐熱性を損なうこ
となく、光学的な均一性に優れており、光ディスク、光
学用レンズ、光カード、光テープ等に使用する光学用成
形材料として好適に使用され得るものである。
とからなる共重合体は、上記の記載から明らかなよう
に、複屈折が大幅に低減化され、かつ耐熱性を損なうこ
となく、光学的な均一性に優れており、光ディスク、光
学用レンズ、光カード、光テープ等に使用する光学用成
形材料として好適に使用され得るものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 英明 東京都葛飾区新宿6丁目1番1号 三菱瓦 斯化学株式会社本社研究所内 審査官 藤井 彰
Claims (1)
- 【請求項1】分子末端あるいは側鎖に不飽和基を有する
芳香族ポリカーボネートの存在下、無水マレイン酸また
はマレイミドあるいはこれらの誘導体とスチレン系モノ
マーを共重合させた芳香族ポリカーボネートとスチレン
系ポリマーとからなる共重合体であって、該共重合体に
おける芳香族ポリカーボネート部分とスチレン系ポリマ
ー部分の重量比率が、30:70〜90:10であり、スチレン系
ポリマーにおける無水マレイン酸またはマレイミドある
いはこれらの誘導体とスチレン系モノマーとの共重合比
が、1:99〜50:50であり、かつ該共重合体の分散相粒子
が0.5μm以下の粒子である透明な光学用成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17822488A JPH0780978B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 光学用成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17822488A JPH0780978B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 光学用成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229412A JPH0229412A (ja) | 1990-01-31 |
| JPH0780978B2 true JPH0780978B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=16044760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17822488A Expired - Fee Related JPH0780978B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 光学用成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0780978B2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP17822488A patent/JPH0780978B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0229412A (ja) | 1990-01-31 |
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