JPH0782196A - o−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法 - Google Patents

o−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法

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JPH0782196A
JPH0782196A JP5328863A JP32886393A JPH0782196A JP H0782196 A JPH0782196 A JP H0782196A JP 5328863 A JP5328863 A JP 5328863A JP 32886393 A JP32886393 A JP 32886393A JP H0782196 A JPH0782196 A JP H0782196A
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isopropylated
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Jung Hyuck Cho
ジュンヒュック・チョー
Ki Hong Nam
キホン・ナム
Wan Seop Kim
ワンセオプ・キム
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Dong Kook Pharmaceutical Co Ltd
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Dong Kook Pharmaceutical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 副生成物が実質的に生成しないため複雑な分
離工程を必要とせず、しかも低温および低圧下で、高純
度のo−イソプロピル化フェノール誘導体を製造するこ
とができる方法を提供する。 【構成】 無置換またはオルト置換のフェノールとクロ
チル誘導体とを反応させてフェニルアリルエーテルを生
成させた後、クライゼン転位、酸化および還元を順次行
うことにより、下式のo−イソプロピル化フェノール誘
導体を得る。 【化1】 (式中、R1 は水素原子または炭素数1〜4の低級アル
キル基である。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、置換基を有するフェ
ノール誘導体の製造方法に関し、より詳しくは、フェニ
ルアリルエーテルのクライゼン転位を利用して、下記一
般式(VIII)で表され、オルト位にイソプロピル置換基を
有するフェノール誘導体を製造する方法に関する。
【0002】
【化13】
【0003】(式中、R1 は水素原子または炭素数1〜
4の低級アルキル基である。)
【0004】
【従来の技術】上記一般式(VIII)で表されるo−イソプ
ロピル化フェノール誘導体の代表的な例の一つとして、
麻酔作用がある2,6−ジイソプロピルフェノールが挙
げられる。従来、この2,6−ジイソプロピルフェノー
ルの製造方法としては、種々の方法が提案されている。
【0005】たとえば、米国特許第2,831,898
号(発明者:George G. EckeおよびAlfred J. Kolka)の
明細書には、アルミナとフェノールから得たアルミニウ
ムフェノキシドを触媒として使用し、21〜35atm の
高圧力、200〜210℃の高温および窒素雰囲気の下
でプロピレンガスとフェノールをフリーデル−クラフツ
反応(Friedel-Crafts Reaction) させることにより、
2,6−ジイソプロピルフェノールを製造する方法が開
示されている。
【0006】米国特許第3,367,981号(発明
者:John P. Napolitano) の明細書には、酸化アルミニ
ウム水化物を加熱して得られた転移アルミナ(transitio
nal alumina)を触媒として使用し、フェノールとプロピ
レンガスとの混合物を密閉容器内で窒素雰囲気の下に3
14℃で加熱し、発生した圧力が減少した後、310〜
312℃でプロピレンガスをさらに添加することによ
り、2−イソプロピルフェノールと2,6−ジイソプロ
ピルフェノールとの混合物を製造する方法が開示されて
いる。
【0007】米国特許第4,447,657号(発明
者:Bruce E. FirthおよびTerry J. Rosen) の明細書に
は、イソプロピル(2−イソプロピルフェニル)エーテ
ルを窒素雰囲気の下でフッ化アルミナと接触させ、15
0℃、200psigで2,6−ジイソプロピルフェノール
を製造する方法が開示されている。この方法は、アルキ
ルフェニルエーテルであるイソプロピル(2−イソプロ
ピルフェニル)エーテルの熱転位を利用した方法であ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した、
従来の2,6−ジイソプロピルフェノールの製造方法に
は以下の問題があった。前記米国特許第2,831,8
98号明細書に開示の方法では、目的とする2,6−ジ
イソプロピルフェノールが11.3%の低収率でしか得
られず、望まない2−イソプロピルフェノールが31.
4%の高い収率で得られてしまう。
【0009】前記米国特許第3,367,981号明細
書に開示の方法においても、目的とする2,6−ジイソ
プロピルフェノールの収率が低く、望まない2−イソプ
ロピルフェノールの収率が高い。前記米国特許第4,4
47,657号明細書に開示の方法においても、目的と
する2,6−ジイソプロピルフェノールが低収率でしか
得られず、望まない2−イソプロピルフェノールと2,
4,6−トリイソプロピルフェノールが高収率で得られ
てしまう。
【0010】さらに、上記従来法においては、上述のよ
うに2,6−ジイソプロピルフェノールが低収率でしか
得られないことに加えて、高温・高圧の容器内に高圧ガ
スを注入するか、空気との接触をさけるかしなければな
らず、しかも、反応生成物が望まない位置異性体との混
合物からなっているため複雑な分離工程が必要になると
いう問題がある。
【0011】そこで、この発明は、副生成物が実質的に
生成しないため複雑な分離工程を必要とせず、しかも低
温および低圧下で、高純度のo−イソプロピル化フェノ
ール誘導体を製造することのできる方法を提供すること
を課題とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明は、フェニルアリルエーテルのクライゼン
転位(Claisen Rearrangement) を利用し、大気圧下で、
触媒を使わずに、目的とする位置異性体を得た後、これ
だけを酸化し、還元して、単一の異性体だけを得ること
を特徴とするo−イソプロピル化フェノール誘導体の製
造方法を提供する。
【0013】詳細に説明すれば、この発明にかかる、o
−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法は、下記
一般式(VIII):
【0014】
【化14】
【0015】(式中、R1 は水素原子または炭素数1〜
4の低級アルキル基である。)で表されるo−イソプロ
ピル化フェノール誘導体を製造する方法において、 (A) 下式に示すように、フェノール誘導体(I)とクロ
チル誘導体 (II) とを反応させることにより、フェニル
アリルエーテル(III) を生成させる工程、
【0016】
【化15】
【0017】(式中、R1 は前記式(VIII)中のものと同
じであり、Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラ
トルエンスルホニル基またはメタンスルホニル基であ
る。) (B) 下式に示すように、フェニルアリルエーテル(III)
をクライゼン転位させることにより、アリル基がオルト
位に転位したフェノール誘導体(IV)を生成させる工程、
【0018】
【化16】
【0019】(C) 前記フェノール誘導体(IV)を酸化する
ことにより、下記一般式(X)で表されるヘミアセター
ルを生成させる工程
【0020】
【化17】
【0021】および (D) 下式に示すように、ヘミアセタール(X)を還元す
ることにより、o−イソプロピル化フェノール誘導体(V
III)を生成させる工程
【0022】
【化18】
【0023】を含むことを特徴とするものである。この
発明では、o−イソプロピル化フェノール誘導体(VIII)
は、上記の方法に限らず、以下の方法によっても製造す
ることができる。まず、上記工程(A) 、(B) を行うこと
により上記フェノール誘導体(IV)を生成させる。ここま
では、上記の方法と同じである。しかし、その後は、フ
ェノール誘導体(IV)を上記工程(C) 、(D) によりそのま
ま酸化、還元する代わりに、フェノール誘導体(IV)の有
する水酸基に保護基をつけて水酸基を保護した状態で酸
化、還元を行い、その後、通常の方法で前記保護基を除
去することにより、o−イソプロピル化フェノール誘導
体(VIII)を生成させるのである。
【0024】すなわち、この発明にかかる、o−イソプ
ロピル化フェノール誘導体の製造方法は、第2に、前記
一般式(VIII)で表されるo−イソプロピル化フェノール
誘導体を製造する方法において、 (E) 前記工程(A) および(B) を行うことにより得られた
フェノール誘導体(IV)の有する水酸基を保護することに
より、下記一般式(V)で表されるフェニルエーテル誘
導体を生成させる工程、
【0025】
【化19】
【0026】(式中、保護基R2 はメチル基、アセチル
基、ベンジル基、トリメチルシリル基または tert-ブチ
ルジメチルシリル基である。) (F) 前記フェニルエーテル誘導体(V)を酸化すること
により、下記一般式(VI)で表されるアルデヒドを生成さ
せる工程、
【0027】
【化20】
【0028】(G) 前記アルデヒド(VI)を還元することに
より、下記一般式(VII) で表され、オルト位にイソプロ
ピル基を有するフェニルエーテル誘導体を生成させる工
【0029】
【化21】
【0030】および (H) 下式に示すように、フェニルエーテル誘導体(VII)
から保護基R2 を除去することにより、o−イソプロピ
ル化フェノール誘導体(VIII)を生成させる工程
【0031】
【化22】
【0032】を含むことを特徴とするものである。以
下、この発明をさらに詳細に説明する。工程(A) は、前
記化15に示すように、フェノール誘導体(I)とクロ
チル誘導体 (II) とを反応させることにより、フェニル
アリルエーテル(III) を生成させる工程である。このよ
うな反応工程(A) は、特に限定されるわけではないが、
下記 (i)〜(iii) のいずれかの塩基−溶媒系中で行うこ
とが好ましい。 (i) 炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム
および炭酸水素ナトリウムからなる群から選ばれた少な
くとも1種の塩基と、アセトン、ジメチルホルムアミド
および低級アルコールからなる群から選ばれた少なくと
も1種の極性溶媒とからなる塩基−溶媒系。 (ii)ナトリウムエトキシド、ナトリウムメトキシド、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよびリチウムジイソ
プロピルアミドからなる群から選ばれた少なくとも1種
の塩基と、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、グリ
ム、ジグリム、低級アルカンおよび石油エーテルからな
る群から選ばれた少なくとも1種の乾燥溶媒とからなる
塩基−溶媒系。 (iii) ナトリウムエトキシドおよびナトリウムメトキシ
ドからなる群から選ばれた少なくとも1種の塩基と、メ
タノールおよびエタノールからなる群から選ばれた少な
くとも1種のアルコール溶媒とからなる塩基−溶媒系。
【0033】工程(B) は、前記化16に示すように、上
記工程(A) で生成したフェニルアリルエーテル(III) を
クライゼン転位させることにより、アリル基がオルト位
に転位したフェノール誘導体(IV)を生成させる工程であ
る。このようなクライゼン転位工程(B) は、特に限定さ
れるわけではないが、ジエチルアニリン、ジメチルアニ
リン、エチレングリコール、プロピレングリコールおよ
びトリフルオロ酢酸からなる群から選ばれた少なくとも
1種からなる溶媒の存在下または溶媒の不存在下で加熱
により行うことが好ましい。
【0034】上記工程(B) で生成したフェノール誘導体
(IV)から、目的とするo−イソプロピル化フェノール誘
導体(VIII)を得るためには、フェノール誘導体(IV)を酸
化、還元する。その際、フェノール誘導体(IV)に保護基
を導入することにより、フェノール誘導体(IV)の有する
水酸基を保護した状態で、酸化、還元を行う場合と、フ
ェノール誘導体(IV)に保護基を導入せずに、フェノール
誘導体(IV)の有する水酸基を保護しない状態で、そのま
ま酸化、還元を行う場合とがある。
【0035】フェノール誘導体(IV)に保護基を導入しな
い場合は、フェノール誘導体(IV)に対し、以下の工程
(C) および(D) を順次行うことにより、o−イソプロピ
ル化フェノール誘導体(VIII)を得る。工程(C) は、フェ
ノール誘導体(IV)をそのまま酸化することにより、前記
化17で表されるペンタゴナルヘミアセタール形態の化
合物(X)を生成させる工程である。この酸化工程(C)
は、特に限定されるわけではないが、酢酸、アセトニト
リル、酢酸エチル、エタノール、メタノールおよびクロ
ロホルムからなる群から選ばれた少なくとも1種からな
る溶媒中で、オゾン、四酸化オスミウムおよび過マンガ
ン酸カリウムからなる群から選ばれた少なくとも1種の
酸化剤の存在下で行うことが好ましい。
【0036】工程(D) は、前記化18に示すように、上
記工程(C) で得られたヘミアセタール(X)を還元する
ことにより、目的とするo−イソプロピル化フェノール
誘導体(VIII)を生成させる工程である。この還元工程
(D) は、特に限定されるわけではないが、ウォルフ−キ
シュナー還元反応(Wolff-Kishner Reduction) 、クレメ
ンゼン還元反応(Clemmensen Reduction)および水素化反
応のいずれかにより行うことが好ましい。
【0037】一方、フェノール誘導体(IV)に保護基を導
入する場合は、フェノール誘導体(IV)に対し、上述の工
程(C) および(D) の代わりに、以下の工程(E) 、(F) 、
(G)および(H) を順次行うことにより、o−イソプロピ
ル化フェノール誘導体(VIII)を得る。工程(E) は、フェ
ノール誘導体(IV)の有する水酸基を保護することによ
り、前記化19で表されるフェニルエーテル誘導体
(V)を生成させる工程である。この工程において、水
酸基を保護するために用いられる基R2 は、メチル基、
アセチル基、ベンジル基、トリメチルシリル基および t
ert-ブチルジメチルシリル基の中から選ばれる。
【0038】工程(F) は、上記工程(E) で得られたフェ
ニルエーテル誘導体(V)を酸化することにより、前記
化20で表されるアルデヒド(VI)を生成させる工程であ
る。この酸化工程(F) は、特に限定されるわけではない
が、酢酸、アセトニトリル、酢酸エチル、エタノール、
メタノールおよびクロロホルムからなる群から選ばれた
少なくとも1種からなる溶媒中で、オゾン、四酸化オス
ミウムおよび過マンガン酸カリウムからなる群から選ば
れた少なくとも1種の酸化剤の存在下で行うことが好ま
しい。
【0039】工程(G) は、上記工程(F) で得られたアル
デヒド(VI)を還元することにより、前記化21で表さ
れ、オルト位にイソプロピル基を有するフェニルエーテ
ル誘導体(VII) を生成させる工程である。この還元工程
(G) は、特に限定されるわけではないが、ウォルフ−キ
シュナー還元反応(Wolff-Kishner Reduction) 、クレメ
ンゼン還元反応(Clemmensen Reduction)および水素化反
応のいずれかにより行うことが好ましい。
【0040】工程(H) は、前記化22に示すように、上
記工程(G) で得られたフェニルエーテル誘導体(VII) か
ら保護基R2 を除去することにより、目的とするo−イ
ソプロピル化フェノール誘導体(VIII)を生成させる工程
である。保護基R2 を除去する方法は、通常の方法でよ
く、特に限定はされないが、たとえば、保護基R2 の種
類に応じて、以下の方法が挙げられる。保護基R2 がメ
チル基またはベンジル基である場合には、ヨウ化トリメ
チルシリルもしくは三臭化ホウ素で処理する方法、また
は、チオールと共存させた三フッ化ホウ素で処理する方
法等。保護基R 2 がトリメチルシリル基または tert-ブ
チルジメチルシリル基である場合には、テトラヒドロフ
ラン中のフッ化テトラ−n−ブチルアンモニウム、フッ
化水素水溶液、または、三フッ化ホウ素で処理する方法
等。保護基R2 がベンジル基である場合には、パラジウ
ム−炭素を触媒として用い、水素化反応させる方法、ま
たは、液体アンモニア中のナトリウムで処理する方法
等。
【0041】
【作用】前記工程(A) 、(B) 、(C) 、(D) を行うか、ま
たは、前記工程(A) 、(B) 、(E) 、(F) 、(G) 、(H) を
行うと、フェニルアリルエーテルのクライゼン転位を利
用し、大気圧下で、触媒を使わずに、目的とする位置異
性体を得た後、これだけを酸化し、還元して、単一の異
性体だけを得ることが可能になる。その結果、副生成物
が実質的に生成しないため複雑な分離工程が不必要にな
り、しかも低温および低圧下で、高純度のo−イソプロ
ピル化フェノール誘導体(VIII)を製造することが可能に
なる。
【0042】
【実施例】以下では、この発明の実施例を説明するが、
この発明は、下記実施例に限定されない。 −実施例1−1.クロチル(2−イソプロピルフェニル)エーテルの
製造 アセトン30mlに2−イソプロピルフェノール5g、無
水炭酸カリウム12.6gおよび臭化クロチル24.7
gを添加し、常温で24時間攪拌した。その後、反応混
合物に水50mlを添加した。
【0043】得られた混合物から有機層を、クロロホル
ム50mlで2回抽出した。得られた有機層を飽和塩化ナ
トリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、濃縮した。得られた濃縮物に対し、ヘキサンと
酢酸エチルとの20:1混合物を展開溶媒とするシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを行うことにより、クロ
チル(2−イソプロピルフェニル)エーテル6.7gを
得た。
【0044】得られたクロチル(2−イソプロピルフェ
ニル)エーテルの 1H−NMR(CDCl3)分析の結果
は下記の通りであった。 1.29(6H,d,J=6.9)、1.80(3H,
d,J=6)、3.40(1H,m)、4.50(2
H,m)、5.57〜5.87(2H,m)、6.88
〜7.26(4H,m)2.クライゼン転位 上記で得られたクロチル(2−イソプロピルフェニル)
エーテル6gをジエチルアニリン30mlに溶解し、20
0℃で24時間攪拌した後、常温まで冷却した。この反
応混合物をクロロホルム100mlに溶解した後、1N塩
酸65mlで3回洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、濃縮した。得られた濃縮物に対し、ヘキサンと
酢酸エチルとの20:1混合物を展開溶媒とするシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを行うことにより、2−
(1−メチル−2−プロペニル)−6−イソプロピルフ
ェノール5.4gを得た。
【0045】得られた2−(1−メチル−2−プロペニ
ル)−6−イソプロピルフェノールの 1H−NMR(C
DCl3)分析の結果は下記の通りであった。 1.30(6H,d,J=6.9)、1.46(3H,
d,J=6)、3.30(1H,m)、3.68(1
H,m)、5.21〜5.34(3H,m)、6.06
〜6.20(1H,m)、6.92〜7.20(3H,
m)3.保護基の導入 上記で得られた2−(1−メチル−2−プロペニル)−
6−イソプロピルフェノール1gをアセトン15mlに溶
解し、攪拌しながら無水炭酸カリウム1.45gと塩化
ベンジル2.66gを添加し、56℃で24時間攪拌し
た後、常温まで冷却した。この反応混合物に水10mlを
添加し、有機層を塩化メチレン25mlで2回抽出した。
この有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。得られた濃
縮物に対し、ヘキサンと酢酸エチルとの30:1混合物
を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー
を行うことにより、ベンジル[2−(1−メチル−2−
プロペニル)−6−イソプロピルフェニル]エーテル
1.4gを得た。
【0046】得られたベンジル[2−(1−メチル−2
−プロペニル)−6−イソプロピルフェニル]エーテル
1H−NMR(CDCl3)分析の結果は下記の通りで
あった。 1.20(6H,d,J=6.9)、1.30(3H,
d,J=6)、3.09〜3.57(1H,m)、3.
80〜4.13(1H,m)、4.79(2H,b,
s)、5.08(1H,m)、6.98〜7.55(8
H,m)4.酸化 上記で得られたベンジル[2−(1−メチル−2−プロ
ペニル)−6−イソプロピルフェニル]エーテル1.6
gを酢酸10mlに溶解し、攪拌しながら15℃で60mm
ol/hr の流量でオゾンを20分間導入した。水6mlを添
加し、0℃まで冷却後、さらに亜鉛粉末1.28gを添
加し、1時間攪拌した後、濾過した。この濾過液を塩化
メチレン30mlに溶解し、10%炭酸水素ナトリウム水
溶液30mlで4回洗浄した後、さらに、水と飽和塩化ナ
トリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、濃縮した。得られた濃縮物に対し、ヘキサンと
酢酸エチルとの20:1混合物を展開溶媒とするシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを行うことにより、2−
(2−ベンジルオキシ−3−イソプロピルフェニル)プ
ロパナール1.2gを得た。
【0047】得られた2−(2−ベンジルオキシ−3−
イソプロピルフェニル)プロパナールの 1H−NMR
(CDCl3)分析の結果は下記の通りであった。 1.23(6H,d,J=6.9)、1.35(3H,
d,J=7.6)、3.40(1H,m)、4.01
(1H,m)、4.80(2H,s)、6.76〜7.
60(8H,m)、9.54(1H,s)5.還元 水酸化カリウム0.3gをプロピレングリコール2mlに
添加し、6時間攪拌しながら溶解させた。これに、上記
で得られた2−(2−ベンジルオキシ−3−イソプロピ
ルフェニル)プロパナール0.18gとヒドラジン0.
92mlを添加し、80℃で12時間攪拌し、さらに16
5℃で20時間攪拌した後、冷却させた。得られた混合
物を水10mlと塩化エチレン20mlに溶解し、有機層を
水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した後、濃縮した。得られた濃縮物に対
し、ヘキサンと酢酸エチルとの20:1混合物を展開溶
媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行うこ
とにより、ベンジル(2,6−ジイソプロピルフェニ
ル)エーテル121mgを得た。
【0048】得られたベンジル(2,6−ジイソプロピ
ルフェニル)エーテルの 1H−NMR(CDCl3)分析
の結果は下記の通りであった。 1.22(12H,d,J=6.2)、3.38(2
H,m)、4.78(2H,s)、7.07〜7.56
(8H,m)6.保護基の除去 上記で得られたベンジル(2,6−ジイソプロピルフェ
ニル)エーテル60mgを5%酢酸の無水エタノール溶
液20mlに溶解した後、10%パラジウム−炭素触媒3
0mgを添加し、水素雰囲気下で15時間溶解させた。
得られた混合物を水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。得
られた濃縮物に対し、ヘキサンと酢酸エチルとの15:
1混合物を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーを行うことにより、2,6−ジイソプロピルフ
ェノール37mgを得た。
【0049】得られた2,6−ジイソプロピルフェノー
ルの 1H−NMR(CDCl3)分析の結果は下記の通り
であった。 1.30(12H,d,J=6)、3.17(2H,
m)、6.90〜6.98(1H,m)、6.88〜
7.13(3H,m) −実施例2− 実施例1と同様の方法によりクライゼン転位を行って得
られた2−(1−メチル−2−プロペニル)−6−イソ
プロピルフェノール0.5gを酢酸8mlに溶解し、攪拌
しながら15℃で60mmol/hr の流量でオゾンを10分
間導入した。その後、水2mlを添加し、0℃まで冷却
後、亜鉛粉末0.4gを添加し、1時間攪拌した後、濾
過した。
【0050】この濾過液をエーテル40mlに溶解し、1
0%炭酸水素ナトリウム水溶液10mlで4回洗浄した。
さらに、水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。得られた濃
縮物に対し、ヘキサンと酢酸エチルとの10:1混合物
を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィー
を行うことにより、2,3−ジヒドロ−7−イソプロピ
ル−3−メチル−2−ベンゾフラノール0.31gを得
た。
【0051】得られた2,3−ジヒドロ−7−イソプロ
ピル−3−メチル−2−ベンゾフラノールの 1H−NM
R(CDCl3)分析の結果は下記の通りであった。 1.23(6H,d,J=6.2)、1.34(3H,
d,J=6.6)、3.12〜3.29(2H,m)、
3.73(1H,b,s)、5.63(1H,b,
s)、6.90〜7.31(3H,m) 上記で得られた2,3−ジヒドロ−7−イソプロピル−
3−メチル−2−ベンゾフラノール50mgを実施例1
と同様の方法で還元することにより、2,6−ジイソプ
ロピルフェノール33mgを得た。
【0052】得られた2,6−ジイソプロピルフェノー
ルの 1H−NMR(CDCl3)分析の結果は、実施例1
で得られた2,6−ジイソプロピルフェノールの場合と
同じであった。
【0053】
【発明の効果】この発明にかかる製造方法によれば、副
生成物が実質的に生成しないため複雑な分離工程を必要
とせず、しかも低温および低圧下で、高純度のo−イソ
プロピル化フェノール誘導体を製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジュンヒュック・チョー 大韓民国,ソウル 135−090,カンナム− ク,サムスン−ドン 78−4,チュングア パートメント 103−1005 (72)発明者 キホン・ナム 大韓民国,ソウル 132−070,ドボン− ク,スヨウ−ドン 532−97,バクンヴィ ラ 4−302 (72)発明者 ワンセオプ・キム 大韓民国,ソウル 110−230,チョングロ −ク,サムチョン−ドン 27−7,1−5

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(VIII): 【化1】 (式中、R1 は水素原子または炭素数1〜4の低級アル
    キル基である。)で表されるo−イソプロピル化フェノ
    ール誘導体を製造する方法において、 (A) 下式に示すように、フェノール誘導体(I)とクロ
    チル誘導体 (II) とを反応させることにより、フェニル
    アリルエーテル(III) を生成させる工程、 【化2】 (式中、R1 は前記式(VIII)中のものと同じであり、X
    は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスル
    ホニル基またはメタンスルホニル基である。) (B) 下式に示すように、フェニルアリルエーテル(III)
    をクライゼン転位させることにより、アリル基がオルト
    位に転位したフェノール誘導体(IV)を生成させる工程、 【化3】 (C) 前記フェノール誘導体(IV)を酸化することにより、
    下記一般式(X)で表されるヘミアセタールを生成させ
    る工程 【化4】 および (D) 下式に示すように、ヘミアセタール(X)を還元す
    ることにより、o−イソプロピル化フェノール誘導体(V
    III)を生成させる工程 【化5】 を含むことを特徴とするo−イソプロピル化フェノール
    誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】 フェノール誘導体(I)とクロチル誘導
    体 (II) との反応工程(A) を、(i) 炭酸カリウム、炭酸
    ナトリウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウ
    ムからなる群から選ばれた少なくとも1種の塩基と、ア
    セトン、ジメチルホルムアミドおよび低級アルコールか
    らなる群から選ばれた少なくとも1種の極性溶媒とから
    なる塩基−溶媒系、(ii)ナトリウムエトキシド、ナトリ
    ウムメトキシド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムお
    よびリチウムジイソプロピルアミドからなる群から選ば
    れた少なくとも1種の塩基と、テトラヒドロフラン、エ
    チルエーテル、グリム、ジグリム、低級アルカンおよび
    石油エーテルからなる群から選ばれた少なくとも1種の
    乾燥溶媒とからなる塩基−溶媒系、(iii) ナトリウムエ
    トキシドおよびナトリウムメトキシドからなる群から選
    ばれた少なくとも1種の塩基と、メタノールおよびエタ
    ノールからなる群から選ばれた少なくとも1種のアルコ
    ール溶媒とからなる塩基−溶媒系のいずれかの塩基−溶
    媒系中で行う請求項1記載のo−イソプロピル化フェノ
    ール誘導体の製造方法。
  3. 【請求項3】 クライゼン転位工程(B) を、ジエチルア
    ニリン、ジメチルアニリン、エチレングリコール、プロ
    ピレングリコールおよびトリフルオロ酢酸からなる群か
    ら選ばれた少なくとも1種からなる溶媒の存在下または
    溶媒の不存在下で加熱により行う請求項1または2記載
    のo−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法。
  4. 【請求項4】 酸化工程(C) を、酢酸、アセトニトリ
    ル、酢酸エチル、エタノール、メタノールおよびクロロ
    ホルムからなる群から選ばれた少なくとも1種からなる
    溶媒中で、オゾン、四酸化オスミウムおよび過マンガン
    酸カリウムからなる群から選ばれた少なくとも1種の酸
    化剤の存在下で行う請求項1から3までのいずれかに記
    載のo−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法。
  5. 【請求項5】 還元工程(D) を、ウォルフ−キシュナー
    還元反応、クレメンゼン還元反応および水素化反応のい
    ずれかにより行う請求項1から4までのいずれかに記載
    のo−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法。
  6. 【請求項6】 R1 がイソプロピル基である請求項1か
    ら5までのいずれかに記載のo−イソプロピル化フェノ
    ール誘導体の製造方法。
  7. 【請求項7】 下記一般式(VIII): 【化6】 (式中、R1 は水素原子または炭素数1〜4の低級アル
    キル基である。)で表されるo−イソプロピル化フェノ
    ール誘導体を製造する方法において、 (A) 下式に示すように、フェノール誘導体(I)とクロ
    チル誘導体 (II) とを反応させることにより、フェニル
    アリルエーテル(III) を生成させる工程、 【化7】 (式中、R1 は前記式(VIII)中のものと同じであり、X
    は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスル
    ホニル基またはメタンスルホニル基である。) (B) 下式に示すように、フェニルアリルエーテル(III)
    をクライゼン転位させることにより、アリル基がオルト
    位に転位したフェノール誘導体(IV)を生成させる工程、 【化8】 (E) 前記フェノール誘導体(IV)の有する水酸基を保護す
    ることにより、下記一般式(V)で表されるフェニルエ
    ーテル誘導体を生成させる工程、 【化9】 (式中、保護基R2 はメチル基、アセチル基、ベンジル
    基、トリメチルシリル基または tert-ブチルジメチルシ
    リル基である。) (F) 前記フェニルエーテル誘導体(V)を酸化すること
    により、下記一般式(VI)で表されるアルデヒドを生成さ
    せる工程、 【化10】 (G) 前記アルデヒド(VI)を還元することにより、下記一
    般式(VII) で表され、オルト位にイソプロピル基を有す
    るフェニルエーテル誘導体を生成させる工程 【化11】 および (H) 下式に示すように、フェニルエーテル誘導体(VII)
    から保護基R2 を除去することにより、o−イソプロピ
    ル化フェノール誘導体(VIII)を生成させる工程 【化12】 を含むことを特徴とするo−イソプロピル化フェノール
    誘導体の製造方法。
  8. 【請求項8】 フェノール誘導体(I)とクロチル誘導
    体 (II) との反応工程(A) を、(i) 炭酸カリウム、炭酸
    ナトリウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウ
    ムからなる群から選ばれた少なくとも1種の塩基と、ア
    セトン、ジメチルホルムアミドおよび低級アルコールか
    らなる群から選ばれた少なくとも1種の極性溶媒とから
    なる塩基−溶媒系、(ii)ナトリウムエトキシド、ナトリ
    ウムメトキシド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムお
    よびリチウムジイソプロピルアミドからなる群から選ば
    れた少なくとも1種の塩基と、テトラヒドロフラン、エ
    チルエーテル、グリム、ジグリム、低級アルカンおよび
    石油エーテルからなる群から選ばれた少なくとも1種の
    乾燥溶媒とからなる塩基−溶媒系、(iii) ナトリウムエ
    トキシドおよびナトリウムメトキシドからなる群から選
    ばれた少なくとも1種の塩基と、メタノールおよびエタ
    ノールからなる群から選ばれた少なくとも1種のアルコ
    ール溶媒とからなる塩基−溶媒系のいずれかの塩基−溶
    媒系中で行う請求項7記載のo−イソプロピル化フェノ
    ール誘導体の製造方法。
  9. 【請求項9】 クライゼン転位工程(B) を、ジエチルア
    ニリン、ジメチルアニリン、エチレングリコール、プロ
    ピレングリコールおよびトリフルオロ酢酸からなる群か
    ら選ばれた少なくとも1種からなる溶媒の存在下または
    溶媒の不存在下で加熱により行う請求項7または8記載
    のo−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法。
  10. 【請求項10】 酸化工程(F) を、酢酸、アセトニトリ
    ル、酢酸エチル、エタノール、メタノールおよびクロロ
    ホルムからなる群から選ばれた少なくとも1種からなる
    溶媒中で、オゾン、四酸化オスミウムおよび過マンガン
    酸カリウムからなる群から選ばれた少なくとも1種の酸
    化剤の存在下で行う請求項7から9までのいずれかに記
    載のo−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方法。
  11. 【請求項11】 還元工程(G) を、ウォルフ−キシュナ
    ー還元反応、クレメンゼン還元反応および水素化反応の
    いずれかにより行う請求項7から10までのいずれかに
    記載のo−イソプロピル化フェノール誘導体の製造方
    法。
  12. 【請求項12】 R1 がイソプロピル基である請求項7
    から11までのいずれかに記載のo−イソプロピル化フ
    ェノール誘導体の製造方法。
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