JPH0785520A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0785520A JPH0785520A JP23311093A JP23311093A JPH0785520A JP H0785520 A JPH0785520 A JP H0785520A JP 23311093 A JP23311093 A JP 23311093A JP 23311093 A JP23311093 A JP 23311093A JP H0785520 A JPH0785520 A JP H0785520A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 基板上に少なくとも光磁気記録層と誘電
体層とをスパッタリングにより形成してなる光磁気記録
媒体において、誘電体層を抵抗率０．０５Ωｃｍ以下の
ＳｉＣターゲットから形成し、光磁気記録媒体を構成す
る各層をアルゴンガスのみによるＤＣスパッタリングで
形成する。 【効果】 大きい成膜速度が得られ、チルトの小さ
い光磁気記録媒体が得られる。また、マルチチャンバ−
スパッタリング装置で生産する場合にはチャンバ−間の
ガス拡散防止機構が不要となり、生産のスル−プットを
向上させる。
体層とをスパッタリングにより形成してなる光磁気記録
媒体において、誘電体層を抵抗率０．０５Ωｃｍ以下の
ＳｉＣターゲットから形成し、光磁気記録媒体を構成す
る各層をアルゴンガスのみによるＤＣスパッタリングで
形成する。 【効果】 大きい成膜速度が得られ、チルトの小さ
い光磁気記録媒体が得られる。また、マルチチャンバ−
スパッタリング装置で生産する場合にはチャンバ−間の
ガス拡散防止機構が不要となり、生産のスル−プットを
向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体および
その製造方法に関する。さらに、詳しくは高生産性の光
磁気記録媒体に関するものである。
その製造方法に関する。さらに、詳しくは高生産性の光
磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体の中で、書き込み消去のでき
る書き換え可能型として従来知られているものには相変
化型、フォトクロミック型、光磁気型等がある。これら
の書き換え可能型の中でも、光磁気型が書き込み速度や
繰返し耐性に優れているという点で、現在普及しつつあ
る。この光磁気型の記録媒体に用いられる光磁気記録膜
（ＭＯ膜）の材料としては、作成が比較的容易で保磁力
が大きいという観点から希土類−遷移金属合金膜（ＲＥ
ＴＭ膜）が多用されている。
る書き換え可能型として従来知られているものには相変
化型、フォトクロミック型、光磁気型等がある。これら
の書き換え可能型の中でも、光磁気型が書き込み速度や
繰返し耐性に優れているという点で、現在普及しつつあ
る。この光磁気型の記録媒体に用いられる光磁気記録膜
（ＭＯ膜）の材料としては、作成が比較的容易で保磁力
が大きいという観点から希土類−遷移金属合金膜（ＲＥ
ＴＭ膜）が多用されている。
【０００３】このＲＥＴＭ膜は耐蝕性に劣り、カ−回転
角が小さいという問題があったため、その問題解決のた
めに従来は誘電体層を設けて耐蝕性を向上させるととも
に、光干渉によりカ−回転角を増加させ反射率を調整す
るという方法が用いられてきた。
角が小さいという問題があったため、その問題解決のた
めに従来は誘電体層を設けて耐蝕性を向上させるととも
に、光干渉によりカ−回転角を増加させ反射率を調整す
るという方法が用いられてきた。
【０００４】ＭＯ膜としては、ＲＥＴＭ膜の他にＰｔ／
Ｃｏ等の人工格子膜も提案されている。この人工格子膜
を用いた光磁気記録媒体においても誘電体層を設けてカ
−回転角を増加させ反射率を調整するという方法が用い
られる。
Ｃｏ等の人工格子膜も提案されている。この人工格子膜
を用いた光磁気記録媒体においても誘電体層を設けてカ
−回転角を増加させ反射率を調整するという方法が用い
られる。
【０００５】この誘電体層の材料には、透明で化学的安
定性の高い窒化ケイ素がよく用いられる。窒化ケイ素を
用いた光磁気記録媒体の構成の一例として、窒化ケイ素
の屈折率を２．０から２．２程度とし、基板／窒化ケイ
素（８０〜１２０ｎｍ程度）／ＲＥＴＭ（２０〜３０ｎ
ｍ程度）／窒化ケイ素（１５〜３５ｎｍ程度）／金属反
射膜（３０〜１００ｎｍ程度）という構成をあげること
ができる。各層は通常成膜する層に応じたチャンバ−を
複数備えたマルチチャンバ−のスパッタリング装置によ
り成膜される。
定性の高い窒化ケイ素がよく用いられる。窒化ケイ素を
用いた光磁気記録媒体の構成の一例として、窒化ケイ素
の屈折率を２．０から２．２程度とし、基板／窒化ケイ
素（８０〜１２０ｎｍ程度）／ＲＥＴＭ（２０〜３０ｎ
ｍ程度）／窒化ケイ素（１５〜３５ｎｍ程度）／金属反
射膜（３０〜１００ｎｍ程度）という構成をあげること
ができる。各層は通常成膜する層に応じたチャンバ−を
複数備えたマルチチャンバ−のスパッタリング装置によ
り成膜される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この際、窒化ケイ素よ
りなる誘電体層は、通常ケイ素タ−ゲットを用いアルゴ
ンガスと窒素ガスとの混合ガス中、高周波反応性スパッ
タリングにより形成される。混合ガスを用いるために、
ＤＣスパッタリングのように成膜速度が大きく、応力の
小さい膜を成膜することが困難であった。また、複数種
の膜をマルチチャンバ−のスパッタリング装置で成膜す
る場合、ＲＥＴＭ膜は窒素が混入すると特性が劣化する
ことから、チャンバ−間を仕切って窒素ガスの他のチャ
ンバ−への混入を防止しなければならないという問題が
あった。また、この仕切りのためにディスク搬送に時間
がかかり、生産性が低下するという問題もあった。
りなる誘電体層は、通常ケイ素タ−ゲットを用いアルゴ
ンガスと窒素ガスとの混合ガス中、高周波反応性スパッ
タリングにより形成される。混合ガスを用いるために、
ＤＣスパッタリングのように成膜速度が大きく、応力の
小さい膜を成膜することが困難であった。また、複数種
の膜をマルチチャンバ−のスパッタリング装置で成膜す
る場合、ＲＥＴＭ膜は窒素が混入すると特性が劣化する
ことから、チャンバ−間を仕切って窒素ガスの他のチャ
ンバ−への混入を防止しなければならないという問題が
あった。また、この仕切りのためにディスク搬送に時間
がかかり、生産性が低下するという問題もあった。
【０００７】さらに、ＲＥＴＭ膜および金属反射膜の成
膜速度に比べて窒化ケイ素膜の成膜速度が小さいため、
窒化ケイ素膜の成膜が大量生産のスル−プットの律速と
なっていた。そのため、窒化ケイ素膜を複数のチャンバ
−で成膜することにより各チャンバ−での成膜時間を揃
えてスル−プットを大きくするという方法が行われてい
た。
膜速度に比べて窒化ケイ素膜の成膜速度が小さいため、
窒化ケイ素膜の成膜が大量生産のスル−プットの律速と
なっていた。そのため、窒化ケイ素膜を複数のチャンバ
−で成膜することにより各チャンバ−での成膜時間を揃
えてスル−プットを大きくするという方法が行われてい
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述のような現状に鑑
み、本発明者ら鋭意検討を重ねた結果、光磁気記録媒体
の誘電体層を抵抗率０．０５Ωｃｍ以下のＳｉＣターゲ
ットから構成し、かつ、光磁気記録媒体を構成する各層
をアルゴンガスのみによるスパッタリングで成膜するこ
とにより、生産性が向上しまた、マルチチャンバ−のス
パッタリング装置を用いる場合に、チャンバ−間の仕切
りが不要となることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
み、本発明者ら鋭意検討を重ねた結果、光磁気記録媒体
の誘電体層を抵抗率０．０５Ωｃｍ以下のＳｉＣターゲ
ットから構成し、かつ、光磁気記録媒体を構成する各層
をアルゴンガスのみによるスパッタリングで成膜するこ
とにより、生産性が向上しまた、マルチチャンバ−のス
パッタリング装置を用いる場合に、チャンバ−間の仕切
りが不要となることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００９】即ち、本発明は、基板上に少なくとも光磁
気記録層と誘電体層とをスパッタリングにより形成して
なる光磁気記録媒体の製造方法において、誘電体層が抵
抗率０．０５Ωｃｍ以下のＳｉＣターゲットから構成さ
れ、かつ、光磁気記録媒体を構成する各層がアルゴンガ
スのみによるＤＣスパッタリングで形成されることを特
徴とする光磁気記録媒体の製造方法に関する。
気記録層と誘電体層とをスパッタリングにより形成して
なる光磁気記録媒体の製造方法において、誘電体層が抵
抗率０．０５Ωｃｍ以下のＳｉＣターゲットから構成さ
れ、かつ、光磁気記録媒体を構成する各層がアルゴンガ
スのみによるＤＣスパッタリングで形成されることを特
徴とする光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明の光磁気記録媒体の各層の構成につ
いては、光磁気記録層と誘電体層とを少なくとも有して
いれば特に制限はないが、光磁気記録層の保護や光磁気
記録媒体の特性を向上させるためには、基板／誘電体層
／光磁気記録層／誘電体層／反射層という構成をとるこ
とが好ましい。また、オーバーコート層および／または
ハードコート層を設けてもよく、更にこれらの媒体を貼
合せてもよい。
いては、光磁気記録層と誘電体層とを少なくとも有して
いれば特に制限はないが、光磁気記録層の保護や光磁気
記録媒体の特性を向上させるためには、基板／誘電体層
／光磁気記録層／誘電体層／反射層という構成をとるこ
とが好ましい。また、オーバーコート層および／または
ハードコート層を設けてもよく、更にこれらの媒体を貼
合せてもよい。
【００１２】本発明の基板としては、ガラスやポリカー
ボネート、ポリメチル（メタ）アクリレートなどに代表
されるアクリル樹脂およびオレフィン樹脂などの透明樹
脂を例示することができる。
ボネート、ポリメチル（メタ）アクリレートなどに代表
されるアクリル樹脂およびオレフィン樹脂などの透明樹
脂を例示することができる。
【００１３】本発明における誘電体層はＳｉＣタ−ゲッ
トからＤＣスパッタリングにより形成することができ
る。ＳｉとＣとの割合は原子比で、４７／５３〜５３／
４７、好ましくは５０／５０であり、ＳｉＣタ−ゲット
の抵抗率は０．０５Ωｃｍ以下、好ましくは０．０２Ω
ｃｍ以下である。抵抗率が０．０５Ωｃｍを越えると異
常放電が起こりやすくなったり、放電が中断しやすくな
るため好ましくない。これらのターゲットにはホウ素等
の不純物を含んでいるものも使用可能である。
トからＤＣスパッタリングにより形成することができ
る。ＳｉとＣとの割合は原子比で、４７／５３〜５３／
４７、好ましくは５０／５０であり、ＳｉＣタ−ゲット
の抵抗率は０．０５Ωｃｍ以下、好ましくは０．０２Ω
ｃｍ以下である。抵抗率が０．０５Ωｃｍを越えると異
常放電が起こりやすくなったり、放電が中断しやすくな
るため好ましくない。これらのターゲットにはホウ素等
の不純物を含んでいるものも使用可能である。
【００１４】本発明における光磁気記録層としては、例
えば、ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＣｏ，
ＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＮ
ｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏなどの希土類金属と鉄族遷移金属
からなる合金を用いることが可能である。更にＣｒ，Ｔ
ｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｂｉ，Ｃｕなどの添加物を含ん
だり、他の不純物を含んでいてもよい。
えば、ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＣｏ，
ＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＮ
ｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏなどの希土類金属と鉄族遷移金属
からなる合金を用いることが可能である。更にＣｒ，Ｔ
ｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｂｉ，Ｃｕなどの添加物を含ん
だり、他の不純物を含んでいてもよい。
【００１５】反射層を設ける場合には、Ａｌ，Ｃｒ，Ａ
ｇ，Ｔｉ，Ｍｏなどの単元素、あるいは複数元素からな
る金属を用いることが可能である。
ｇ，Ｔｉ，Ｍｏなどの単元素、あるいは複数元素からな
る金属を用いることが可能である。
【００１６】本発明においては、以上のような各層をア
ルゴンガスのみでＤＣスパッタリングすることにより形
成する。このような製造方法を経ることにより、生産性
が向上するのみならず、複数のチャンバ−からなるスパ
ッタリング装置においてチャンバ−間のガスの拡散を防
止する機構を持たないマルチチャンバ−スパッタリング
装置においても光磁気記録媒体を製造することが可能と
なる。もちろん、ガス拡散防止機構を有した装置におい
ても、ガス拡散防止のために通常設けられるゲ−トバル
ブを解放したままで成膜することにより本発明を実施可
能である。
ルゴンガスのみでＤＣスパッタリングすることにより形
成する。このような製造方法を経ることにより、生産性
が向上するのみならず、複数のチャンバ−からなるスパ
ッタリング装置においてチャンバ−間のガスの拡散を防
止する機構を持たないマルチチャンバ−スパッタリング
装置においても光磁気記録媒体を製造することが可能と
なる。もちろん、ガス拡散防止機構を有した装置におい
ても、ガス拡散防止のために通常設けられるゲ−トバル
ブを解放したままで成膜することにより本発明を実施可
能である。
【００１７】また、ＤＣスパッタリングが可能となった
ために、大きな成膜速度がえられ、かつ、得られた膜の
応力が低下するのでチルトの小さい光磁気記録媒体を製
造することができる。
ために、大きな成膜速度がえられ、かつ、得られた膜の
応力が低下するのでチルトの小さい光磁気記録媒体を製
造することができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１９】参考例１ スパッタリング装置としてチャンバ−間をゲ−トバルブ
で仕切ることのできるマルチチャンバ−スパッタリング
装置を用いた。チャンバ−構成は基板の入り口側から出
口側に向かい、ロ−ド室、真空保管室、第一誘電体層成
膜室、光磁気記録層成膜室、第二誘電体層成膜室、反射
層成膜室、アンロ−ド室の７室からなる。第一および第
二誘電体層成膜室にはＳｉＣ（Ｓｉ：５０原子％，Ｃ：
５０原子％、抵抗率：１．５×１０-2Ωｃｍ）タ−ゲッ
トを設置した。ＲＥＴＭ成膜室にはＴｂとＦｅＣｏ（Ｆ
ｅ：92原子％，Ｃｏ：８原子％）の２つのタ−ゲットを
設置した。反射膜成膜室にはＡｌタ−ゲットを設置し
た。
で仕切ることのできるマルチチャンバ−スパッタリング
装置を用いた。チャンバ−構成は基板の入り口側から出
口側に向かい、ロ−ド室、真空保管室、第一誘電体層成
膜室、光磁気記録層成膜室、第二誘電体層成膜室、反射
層成膜室、アンロ−ド室の７室からなる。第一および第
二誘電体層成膜室にはＳｉＣ（Ｓｉ：５０原子％，Ｃ：
５０原子％、抵抗率：１．５×１０-2Ωｃｍ）タ−ゲッ
トを設置した。ＲＥＴＭ成膜室にはＴｂとＦｅＣｏ（Ｆ
ｅ：92原子％，Ｃｏ：８原子％）の２つのタ−ゲットを
設置した。反射膜成膜室にはＡｌタ−ゲットを設置し
た。
【００２０】光磁気記録媒体を製造する前に、第一誘電
体層成膜室においてガラス基板上に、ＤＣスパッタリン
グにてＳｉＣ膜を成膜し、その成膜速度を求めた。な
お、成膜条件としてはＡｒガスのみ、ガス圧０．５Ｐ
ａ，投入電力１０００Ｗであった。また同条件でカバ−
ガラス上にＳｉＣ膜を成膜し、膜の応力を求めた。結果
を表１に示す。
体層成膜室においてガラス基板上に、ＤＣスパッタリン
グにてＳｉＣ膜を成膜し、その成膜速度を求めた。な
お、成膜条件としてはＡｒガスのみ、ガス圧０．５Ｐ
ａ，投入電力１０００Ｗであった。また同条件でカバ−
ガラス上にＳｉＣ膜を成膜し、膜の応力を求めた。結果
を表１に示す。
【００２１】参考例２ 第一誘電体層成膜室において、ＤＣスパッタリングのか
わりにＲＦスパッタリングを行った他は参考例１と同様
に実施し、成膜速度および膜応力を測定した。結果を表
１に示す。
わりにＲＦスパッタリングを行った他は参考例１と同様
に実施し、成膜速度および膜応力を測定した。結果を表
１に示す。
【００２２】参考例３ 参考例１の装置の第一誘電体層成膜室において、ガラス
基板上にＤＣスパッタリングおよびＲＦスパッタリング
を行ってＳｉＮ膜の成膜を試みた。なお、成膜条件とし
てはアルゴン／窒素混合ガス、ガス圧０．５Ｐａ，投入
電力１０００Ｗであった。
基板上にＤＣスパッタリングおよびＲＦスパッタリング
を行ってＳｉＮ膜の成膜を試みた。なお、成膜条件とし
てはアルゴン／窒素混合ガス、ガス圧０．５Ｐａ，投入
電力１０００Ｗであった。
【００２３】ＤＣスパッタリングでは、放電が不安定で
連続放電が不可能であったので、ＲＦスパッタリングの
み成膜速度を求めた。また同条件のＲＦスパッタリング
でカバ−ガラス上にＳｉＮ膜を成膜し、膜の応力を求め
た。結果を表１に示す。
連続放電が不可能であったので、ＲＦスパッタリングの
み成膜速度を求めた。また同条件のＲＦスパッタリング
でカバ−ガラス上にＳｉＮ膜を成膜し、膜の応力を求め
た。結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】実施例１ 参考例１で用いたスパッタリング装置により、１．６μ
ｍピッチの案内溝をもつ直径８６ｍｍのポリカーボネー
ト基板を用いて、ＤＣスパッタリングにより光磁気記録
媒体を形成した。媒体の構成は、基板／ＳｉＣ誘電体層
（８０ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層（２３ｎｍ）
／ＳｉＣ誘電体層（３０ｎｍ）／Ａｌ反射層（５０ｎ
ｍ）で、光磁気記録層の組成はＴｂ20（Ｆｅ92Ｃｏ8）
80とした。全ての層においてスパッタリングガスはＡｒ
ガスとし、ガス圧は０．５Ｐａとし、誘電体層形成時の
投入電力は、１０００Ｗとした。
ｍピッチの案内溝をもつ直径８６ｍｍのポリカーボネー
ト基板を用いて、ＤＣスパッタリングにより光磁気記録
媒体を形成した。媒体の構成は、基板／ＳｉＣ誘電体層
（８０ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層（２３ｎｍ）
／ＳｉＣ誘電体層（３０ｎｍ）／Ａｌ反射層（５０ｎ
ｍ）で、光磁気記録層の組成はＴｂ20（Ｆｅ92Ｃｏ8）
80とした。全ての層においてスパッタリングガスはＡｒ
ガスとし、ガス圧は０．５Ｐａとし、誘電体層形成時の
投入電力は、１０００Ｗとした。
【００２６】成膜は第一誘電体層成膜室、光磁気記録層
成膜室、第二誘電体層成膜室、反射層成膜室の全てにガ
スを投入し所定電力で放電を継続した状態で、チャンバ
−間のゲ−トバルブを全て開放した状態で、第一誘電体
層成膜室から反射層成膜室に基板を移動して各層を順次
成膜した。すなわち第一誘電体層を形成している時も他
の成膜室も放電している状態で行った。第一誘電体以外
の成膜も同様である。但し、一つの層のスパッタリング
が終了し、基板を次の成膜室へ搬送している間は各スパ
ッタリング室にガスは導入し続けたが放電は停止した。
成膜室、第二誘電体層成膜室、反射層成膜室の全てにガ
スを投入し所定電力で放電を継続した状態で、チャンバ
−間のゲ−トバルブを全て開放した状態で、第一誘電体
層成膜室から反射層成膜室に基板を移動して各層を順次
成膜した。すなわち第一誘電体層を形成している時も他
の成膜室も放電している状態で行った。第一誘電体以外
の成膜も同様である。但し、一つの層のスパッタリング
が終了し、基板を次の成膜室へ搬送している間は各スパ
ッタリング室にガスは導入し続けたが放電は停止した。
【００２７】得られた光磁気記録媒体の記録再生特性と
チルトを測定した。記録再生特性は波長７８０ｎｍ，Ｎ
Ａ＝０．５３の光学系の評価機でマ−ク長０．７５μｍ
となる条件でキャリア−対ノイズ比（ＣＮＲ）を求め
た。チルトは波長７８０ｎｍ，ＮＡ＝０．５３の光学系
の評価機で周方向に５度、半径方向に４ｍｍ間隔でサン
プリングして求めた。結果を表２に示す。
チルトを測定した。記録再生特性は波長７８０ｎｍ，Ｎ
Ａ＝０．５３の光学系の評価機でマ−ク長０．７５μｍ
となる条件でキャリア−対ノイズ比（ＣＮＲ）を求め
た。チルトは波長７８０ｎｍ，ＮＡ＝０．５３の光学系
の評価機で周方向に５度、半径方向に４ｍｍ間隔でサン
プリングして求めた。結果を表２に示す。
【００２８】比較例１ ＤＣスパッタリングのかわりにＲＦスパッタリングを行
った他は実施例１と同様に実施し、得られた光磁気記録
媒体の記録再生特性とチルトを測定した。結果を表２に
示す。
った他は実施例１と同様に実施し、得られた光磁気記録
媒体の記録再生特性とチルトを測定した。結果を表２に
示す。
【００２９】比較例２ 参考例１で用いたスパッタリング装置により、１．６μ
ｍピッチの案内溝をもつ直径８６ｍｍのポリカーボネー
ト基板を用いて、ＲＦスパッタリングにより光磁気記録
媒体を形成した。媒体の構成は、基板／ＳｉＮ誘電体層
（１００ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層（２３ｎ
ｍ）／ＳｉＮ誘電体層（３０ｎｍ）／Ａｌ反射層（５０
ｎｍ）で、光磁気記録層の組成はＴｂ20（Ｆｅ92Ｃ
ｏ8）80とした。なお、成膜は全てのゲ−トバルブを閉
じて行い、スパッタリングするチャンバ−のみガスを導
入して放電を行い、その他のスパッタリング室にはガス
導入、放電は行わなかった。ＳｉＮ誘電体層は、第一お
よび第二誘電体層成膜室において、Ａｒ／窒素混合ガス
で、ＳｉＮ誘電体層以外の層はアルゴンガスのみでスパ
ッタリングを行った。なお、ガス圧は０．５Ｐａ、投入
電力１０００Ｗであった。
ｍピッチの案内溝をもつ直径８６ｍｍのポリカーボネー
ト基板を用いて、ＲＦスパッタリングにより光磁気記録
媒体を形成した。媒体の構成は、基板／ＳｉＮ誘電体層
（１００ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層（２３ｎ
ｍ）／ＳｉＮ誘電体層（３０ｎｍ）／Ａｌ反射層（５０
ｎｍ）で、光磁気記録層の組成はＴｂ20（Ｆｅ92Ｃ
ｏ8）80とした。なお、成膜は全てのゲ−トバルブを閉
じて行い、スパッタリングするチャンバ−のみガスを導
入して放電を行い、その他のスパッタリング室にはガス
導入、放電は行わなかった。ＳｉＮ誘電体層は、第一お
よび第二誘電体層成膜室において、Ａｒ／窒素混合ガス
で、ＳｉＮ誘電体層以外の層はアルゴンガスのみでスパ
ッタリングを行った。なお、ガス圧は０．５Ｐａ、投入
電力１０００Ｗであった。
【００３０】得られた光磁気記録媒体の特性とチルトと
を実施例２と同じ方法で測定した結果を表２に示す。
を実施例２と同じ方法で測定した結果を表２に示す。
【００３１】比較例３ 比較例２において、全てのゲ−トバルブを開放してスパ
ッタリングを行った。ゲ−トバルブを開放している間、
全てのスパッタリング室にガスを導入して放電を継続し
た状態で各層を形成した。なお、各層のスパッタリング
が終了し、基板を搬送している間だけは、各スパッタリ
ング室にガスは導入し続けたが放電は停止した。
ッタリングを行った。ゲ−トバルブを開放している間、
全てのスパッタリング室にガスを導入して放電を継続し
た状態で各層を形成した。なお、各層のスパッタリング
が終了し、基板を搬送している間だけは、各スパッタリ
ング室にガスは導入し続けたが放電は停止した。
【００３２】得られた光磁気記録媒体の特性とチルトと
を実施例２と同じ方法で測定した結果を表２に示す。
を実施例２と同じ方法で測定した結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、大きい成膜速度が得ら
れ、チルトの小さい光磁気記録媒体が得られる。更に、
マルチチャンバ−のスパッタリング装置で生産する場合
にはチャンバ−間のガス拡散を防止する機構が不要であ
るため、生産のスル−プットを向上させることができ
る。
れ、チルトの小さい光磁気記録媒体が得られる。更に、
マルチチャンバ−のスパッタリング装置で生産する場合
にはチャンバ−間のガス拡散を防止する機構が不要であ
るため、生産のスル−プットを向上させることができ
る。
【００３５】
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも光磁気記録層と誘電
体層とをスパッタリングにより形成してなる光磁気記録
媒体の製造方法において、誘電体層が抵抗率０．０５Ω
ｃｍ以下のＳｉＣターゲットから構成され、光磁気記録
媒体を構成する各層がアルゴンガスのみによるＤＣスパ
ッタリングで形成されることを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23311093A JP3428085B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23311093A JP3428085B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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