JPH0786399A

JPH0786399A - 多層配線形成方法

Info

Publication number: JPH0786399A
Application number: JP22937093A
Authority: JP
Inventors: Hideo Niwa; 秀夫丹羽
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-09-16
Filing date: 1993-09-16
Publication date: 1995-03-31

Abstract

(57)【要約】【目的】多層配線形成方法に関し、下層配線とその直
ぐ上の上層配線とを接続する接続体が自己整合的に形成
され、且つ平坦化が容易であり、然も、多層配線の配線
層数を３層以上にすることが容易である方法を提供す
る。【構成】基板１上に形成された第１の配線１１が下層
配線であり、第２の配線２１が上記上層配線であって、
第１の配線１１のパターンの抜き領域全域に、上面が第
１の配線１１の上面より高く且つ平坦な絶縁膜１３を形
成する工程と、絶縁膜１３を有する基板１上に、抜き領
域が第２の配線２１のパターンの実領域に合致して上面
が平坦な抜きパターンマスク２７を形成する工程と、抜
きパターンマスク２７の抜き領域を埋めて、第１の配線
１１が露出する絶縁膜１３の上面より下側の凹部には、
第１の配線１１と第２の配線２１とを接続する接続体２
２を、また、該上面より上側には第２の配線２１を形成
する工程と、を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線形成方法に係
り、特に、半導体装置における多層配線の形成方法に関
する。

【０００２】半導体装置における多層配線は、半導体装
置の高集積化に伴い、パターンの微細化や配線層数の増
大が望まれている。パターンの微細化では上下配線層の
配線間を接続するビアホールを配線から逸脱させないこ
と、また配線層数の増大では平坦化を確保することが重
要である。本発明はこれらの点を容易に解決する技術を
提供するものである。

【０００３】

【従来の技術】パターンが微細化されてきた近年の半導
体装置においては、多層配線技術の導入が不可欠となっ
ている。多層配線技術における最大の問題は、容易な平
坦化技術の実現であった。更に、パターン形成時の露光
処理において上下層の配線間接続用の接続体を充填する
ビアホールと配線との位置合わせが完全でないため、配
線から少しずれた位置にビアホールが開口したり、ビア
ホールから少しずれた位置に配線が形成されたりする。
露光装置の位置合わせ精度の飛躍的な向上は限られてお
り、製造工程において対処する必要がある。

【０００４】図５は従来技術を説明するための側断面図
（ａ）と平面図（ｂ）である。（ａ）は、絶縁膜２を設
けた基板１上に形成した第１層目の配線３の上に絶縁膜
４を平坦化して形成した後、ビアホール５を形成した図
であり、何の対策も行っていないものである。ビアホー
ル５の位置ずれにより、絶縁膜４の配線３横部分もエッ
チングされ、更に配線３下の絶縁膜２までエッチングさ
れる可能性が生じる。この時、下地の基板１と第２層目
の配線との電気的ショートや、第２層目の配線のカバレ
ッジが極端に低下するといった問題が生じる。

【０００５】また（ｂ）は、上述の問題に対処した第１
層目の配線３を上から見た図である。ビアホールの位置
ずれが生じても良いように配線３のビアホール領域を幅
広に形成してある。これにより確かにビアホールの位置
ずれによる上述の問題は生じない。しかし、図から明ら
かなように、幅の広い分だけ配線間を広くしなければな
らない。現在の位置ずれは約１００〜２００ｎｍ程度で
あり、配線とビアホールとの両方があるためその倍、然
も配線の両側に必要なため、更にその倍となる４００〜
８００ｎｍ程度の余裕が必要となる。この余裕は多層配
線の配線層数に係わりなく各配線層で必要である。現在
の配線間隔は１μm 以下となってきており、このような
余裕の必要性は超ＬＳＩなど半導体装置の縮小化におい
て致命的な欠点となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述の欠点を無くする
ためには、配線とビアホールとの間に位置合わせ余裕を
必要としない、換言すれば、配線と前述した接続体との
間が自己整合的となるようにすれば良い。そしてその場
合、多層配線の配線層数を３層以上にすることもあるの
で、平坦化も重要である。

【０００７】そこで本発明は、多層配線形成方法に関
し、下層配線とその直ぐ上の上層配線とを接続する接続
体が自己整合的に形成され、且つ平坦化が容易であり、
然も、多層配線の配線層数を３層以上にすることが容易
である方法の提供を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図であり、（ａ）は２層配線の上層配線を形成した時点
の平面図、（ｂ−Ａ）〜（ｄ−Ｂ）は（ａ）に至る工程
の側断面図、であり、（ｂ−Ａ，Ｂ）〜（ｄ−Ｂ）にお
けるｂ〜ｄは工程の別を示し、同じくＡまたはＢは
（ａ）のＡ−Ａ断面またはＢ−Ｂ断面の別を示しＡ，Ｂ
は両断面が共通する場合である。

【０００９】上記目的を達成するために、本発明による
多層配線形成方法は、図１を参照して、基板１上に形成
された第１の配線１１が下層配線であり、第２の配線２
１が該下層配線の直ぐ上の上層配線であって、基板１上
における第１の配線１１のパターンの抜き領域全域に、
上面が第１の配線１１の上面より高く且つ平坦な絶縁膜
１３を形成する工程と、絶縁膜１３を有する基板１上
に、抜き領域が第２の配線２１のパターンの実領域に合
致して上面が平坦な抜きパターンマスク２７を形成する
工程と、抜きパターンマスク２７の抜き領域を埋めて、
第１の配線１１が露出する絶縁膜１３の上面より下側の
凹部には、第１の配線１１と第２の配線２１とを接続す
る接続体２２を、また、該上面より上側には第２の配線
２１を形成する工程と、を有することを特徴としてい
る。

【００１０】そして、抜きパターンマスク２７を形成し
て、第１の配線１１が露出する上記凹部が接続体２２の
不要な箇所に生じる際には、抜きパターンマスク２７の
形成に先立ち、上記不要な箇所の凹部を絶縁体（図示省
略）で埋めることを特徴としている。また、上記の絶縁
膜１３の形成は、第１の配線１１の上に、実領域が第１
の配線１１のパターンの実領域に整合した実パターンマ
スク（図示省略）を設けた状態で行うことを特徴として
いる。また、上記の接続体２２と第２の配線２１の形成
は、第１の配線１１の表面に選択的に堆積する選択成長
により接続体２２を形成する工程と、接続体２２および
絶縁膜１３の両表面に堆積する成長により第２の配線２
１を形成す工程に分けて行うことが望ましい。

【００１１】更に、第２の配線２１を形成して抜きパタ
ーンマスク２７を除去した後に、該第２の配線２１を第
１の配線１１に見立てて新たな第２の配線を形成するま
での工程を繰り返すことにより、形成する多層配線の配
線層数を３層以上にすることを特徴としている。その
際、第１の配線１１に見立てる第２の配線２１は上面を
上記抜きパターンマスク２７の上面より低く形成して、
抜きパターンマスク２７の除去に先立ち、抜きパターン
マスク２７とはエッチング性の異なる材料により、第２
の配線２１上の該抜きパターンマスク２７との段差領域
を埋めてなる実パターンマスク（図示省略）を設けて、
それを上述した第１の配線１１上の実パターンマスク
（図示省略）に見立てることが望ましい。

【００１２】

【作用】本発明の基本的な特徴は、上述した絶縁膜１３
と抜きパターンマスク２７とを組み合わせて、絶縁膜１
３および抜きパターンマスク２７でパターニングされる
接続体２２と、抜きパターンマスク２７でパターニング
される第２の配線２１を形成することである。このこと
から、接続体２２は、従来のビアホールを形成すること
なく、第１の配線１１と第２の配線２１が重なる領域に
自己整合的に形成される。この自己整合的形成は、第１
の配線１１または第２の配線２１の接続体２２がくる部
分を幅広にする必要性を解消するので、接続体２２のた
めに配線間隔を広げなくとも良いようにさせる。

【００１３】そこでは、第１の配線１１と第２の配線２
１が重なる領域が例えば複数となった場合に、全ての箇
所に接続体２２が必要であるとは限らない。そのような
場合でも、上記絶縁体を設けることにより、その箇所に
おける接続体２２の形成を除くことができるので、接続
体２２は所望の箇所のみに形成することができる。

【００１４】そして、絶縁膜１３の形成では上記実パタ
ーンマスクを設けて材料にＳＯＧ(Spin On Glass ) の
ようなものを用い、抜きパターンマスク２７の形成では
材料に塗布で成膜できる感光性有機樹脂（レジストや感
光性ポリイミドなど）を用いれば、絶縁膜１３の上面と
抜きパターンマスク２７の上面を平坦にすることが容易
にできる。このことから、多層配線形成における平坦化
が容易である。また、接続体２２と第２の配線２１の形
成では、上記選択成長による接続体２２の形成を先行し
ておけば、抜きパターンマスク２７の抜き領域の底面が
平坦になり第２の配線２１の上面を平坦にすることが容
易となる。

【００１５】そして、形成された第２の配線２１を上記
のように第１の配線１１に見立てることにより、積み上
げる新たな接続体と第３の配線の形成は、接続体２２と
第２の配線２１を形成する工程の繰り返しで行うことが
できるので、形成する多層配線の配線層数を３層以上の
任意層数にすることが可能である。その際、第１の配線
１１に見立てる第２の配線２１の上に第１の配線１１上
の実パターンマスクと同様な実パターンマスクを設けて
おけば、絶縁膜１３に相当する新たな絶縁膜の上面を絶
縁膜１３の上面と同様に平坦にすることが容易となり好
都合である。

【００１６】

【実施例】以下本発明の実施例について図２〜図４を用
いて説明する。図２は実施例の工程を示す平面図と側断
面図、図３は実施例で不要な接続体の形成を除く工程を
示す側断面図、図４は他の実施例の工程を示す平面図と
側断面図、であり、全図を通し同一符号は同一対象物を
示す。

【００１７】図２において、ここに示す実施例は多層配
線として２層配線を形成する場合であり、図２の（ａ）
は２層配線形成後の平面図、（ｂ−Ａ，Ｂ）〜（ｉ−
Ｂ）は（ａ）に至る工程の側断面図、であり、（ｂ−
Ａ，Ｂ）〜（ｉ−Ｂ）におけるｂ〜ｉは工程の別を示
し、同じくＡまたはＢは（ａ）のＡ−Ａ断面またはＢ−
Ｂ断面の別を示しＡ，Ｂは両断面が共通する場合であ
る。そして（ａ）では、１１が第１層目の配線となる第
１の配線であり、２１が第２層目の配線となる第２の配
線である。

【００１８】先ず（ｂ−Ａ，Ｂ）を参照して、絶縁膜２
を設けた基板１上に、第１の配線１１を形成するための
配線用金属膜１１ＡとしてＷ（タングステン）をスパッ
タリングまたはＣＶＤ（化学気相成長）にて約５００ｎ
ｍ成長する。この配線用金属膜１１ＡはＡｌ（アルミニ
ウム）であっても良い。その上にレジストを厚さ約５０
０ｎｍに塗布し、位置合わせおよび露光・現像を行っ
て、第１の配線１１のパターンの実領域に整合するレジ
ストの実パターンマスク１６を形成する。

【００１９】次いで（ｃ−Ａ，Ｂ）を参照して、実パタ
ーンマスク１６をマスクにしたエッチング例えばＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）により、配線用金属膜１１
Ａをパターニングして第１の配線１１を形成する。その
後、従来は実パターンマスク１６を除去するが、ここで
は実パターンマスク１６をそのまま残しておく。

【００２０】次いで（ｄ−Ａ，Ｂ）を参照して、ＳＯＧ
を表面平坦に塗布し、実パターンマスク１６が露出する
までエッチバックする。残されたＳＯＧは次に述べる絶
縁膜１３となるものである。

【００２１】次いで（ｅ−Ａ，Ｂ）を参照して、露出し
ている実パターンマスク１６をレジスト剥離液により選
択的に除去して第１の配線１１を露出させる。これによ
り、第１の配線１１のパターンの抜き領域全域に上面が
第１の配線１１の上面より約５００ｎｍ高く且つ平坦な
ＳＯＧの絶縁膜１３ができあがる。

【００２２】次いで（ｆ−Ａ）および（ｆ−Ｂ）を参照
して、新たにレジストを絶縁膜１３の上面からの厚さを
約５００ｎｍにして表面平坦に塗布し、位置合わせおよ
び露光・現像を行って、抜き領域を第２の配線２１のパ
ターンの実領域に合致させたレジストの抜きパターンマ
スク２７を形成する。即ち、抜きパターンマスク２７
は、第２の配線２１が占めるべき領域のみが開口（抜き
領域）となって第１の配線１１の一部と絶縁膜１３の一
部を露出させ、その一部を除く第１の配線１１および絶
縁膜１３の大部分を覆っている。

【００２３】次いで（ｇ−Ｂ）を参照して、第１の配線
１１の表面に選択的に堆積する選択成長により適宜な金
属を絶縁膜１３の上面の高さまで成長して接続体２２を
形成する。ここでは上記金属をＷにして公知の選択ＣＶ
Ｄ法により成長する。接続体２２は、第１の配線１１と
第２の配線２１を接続する部分であり、従来のビアホー
ルを埋めた金属に該当するが、外形が絶縁膜１３と抜き
パターンマスク２７に規制されて第１の配線１１の幅に
対し自己整合的に形成され、その幅から逸脱することが
ない。

【００２４】次いで（ｈ−Ｂ）を参照して、接続体２２
および絶縁膜１３の両表面に堆積する成長により、第２
の配線２１にする金属ここではＷを表面が平坦になるま
で厚く成長し、抜きパターンマスク２７が露出するまで
エッチバックして、抜きパターンマスク２７の抜き領域
を埋めてなる第２の配線２１を形成する。第２の配線２
１の幅が抜きパターンマスク２７の抜き領域に規制され
るので、先に形成した接続体２２は第２の配線２１の幅
に対しても自己整合的になっている。第２の配線２１の
金属をＡｌにすることも可能である。その場合は、（ｆ
−Ａ）および（ｆ−Ｂ）の工程で形成する抜きパターン
マスク２７の材料を感光性ポリイミドにして、Ａｌの成
長を高温スパッタで行えば良い。

【００２５】次いで（ｉ−Ａ）および（ｉ−Ｂ）を参照
して、抜きパターンマスク２７を除去し、その跡を埋め
て更に第２の配線２１を覆うカバー絶縁膜２５を形成す
れば所望の２層配線が完成する。

【００２６】ところで、上述の説明では、抜きパターン
マスク２７の抜き領域内に露出する第１の配線１１の全
ての露出箇所に接続体２２が形成されることになる。こ
のため、不要な接続体２２を形成しないようにすること
が必要となる。図３は先の実施例で不要な接続体の形成
を除く工程を示す側断面図（ａ）〜（ｄ）であり、何れ
も図２（ａ）のＢ−Ｂ断面である。

【００２７】図３において、（ａ）〜（ｄ）の工程は、
図２（ｅ−Ａ，Ｂ）の工程と図２（ｆ−Ａ），（ｆ−
Ｂ）の工程との間に挿入して、抜きパターンマスク２７
の形成に先立ち、不要な絶縁体２２が形成される箇所に
絶縁膜１３と同じ材料であるＳＯＧの絶縁体１４を充填
するものである。

【００２８】即ち（ａ）を参照して、ＳＯＧの絶縁膜１
３を完成させた後、図２（ｆ−Ａ），（ｆ−Ｂ）の工程
で行う抜きパターンマスク２７の形成により第１の配線
１１が露出する箇所の中から、接続体２２が形成されな
いようにする箇所のみを開口させた、レジストの補助マ
スク１８を形成する。

【００２９】次いで（ｂ）を参照して、ＳＯＧを表面平
坦に塗布して絶縁体１４を形成するための絶縁膜１４Ａ
を形成する。次いで（ｃ）を参照して、絶縁膜１３が露
出するまで絶縁膜１４Ａおよび補助マスク１８をエッチ
バックする。これにより、絶縁体２２を形成したくない
箇所は絶縁膜１４Ａの残りであるＳＯＧの絶縁体１４で
埋められ、絶縁体２２を形成する箇所は補助マスク１８
の残りであるレジストの残体１８ａで埋められた形態と
なる。上記エッチバックは、エッチングレートを絶縁膜
１４Ａと補助マスク１８で揃える必要があり、ＣＦ₄＋
Ｏ₂のガス比を変えることによるエッチングで行うこと
ができる。

【００３０】次いで（ｄ）を参照して、レジストの残体
１８ａを図２（ｅ−Ａ，Ｂ）の工程と同様にして選択的
に除去する。この後、図２（ｆ−Ａ），（ｆ−Ｂ）の工
程に入れば、抜きパターンマスク２７を形成した際に第
１の配線１１が露出する箇所は接続体２２を必要とする
箇所のみになる。

【００３１】次に図４において、ここに示す他の実施例
は先の２層配線を形成した実施例に工程を加えて、多層
配線を３層配線に形成する場合であり、図４の（ａ）は
３層配線形成後の平面図、（ｂ−Ｂ）〜（ｇ−Ｃ）は図
２（ｈ−Ｂ）の工程の後から（ａ）に至る工程の側断面
図、であり、図２の場合と同様に、（ｂ−Ｂ）〜（ｇ−
Ｃ）におけるｂ〜ｈは工程の別を示し、同じくＡ〜Ｃは
（ａ）のＡ−Ａ断面〜Ｃ−Ｃ断面の別を示す。そして
（ａ）では、先の実施例で形成した第１の配線１１およ
び第２の配線２１と共に、第３層目の配線となる第３の
配線３１が示される。

【００３２】先ず（ｂ−Ｂ）を参照して、図２（ｈ−
Ｂ）の工程で抜きパターンマスク２７が露出するまでＷ
をエッチバックしたら、そのエッチングを更に継続しコ
ントロールエッチにより、Ｗの上面が抜きパターンマス
ク２７の厚さの約半分の高さになるようにして第２の配
線２１を形成する。このため、抜きパターンマスク２７
はその厚さを先の実施例の時より約５００ｎｍ大きくし
ておく。その後、レジストの抜きパターンマスク２７と
はエッチング性の異なるマスク用の材料ここではポリイ
ミドを表面平坦に塗布し、抜きパターンマスク２７が露
出するまでエッチパックして、第２の配線２１上の抜き
パターンマスク２７との段差領域を埋めてなる実パター
ンマスク２６を形成する。若し、抜きパターンマスク２
７が感光性ポリイミドである場合には、実パターンマス
ク２６をレジストにすれば良い。

【００３３】次いで（ｃ−Ｂ）を参照して、実パターン
マスク２６が残るように抜きパターンマスク２７を選択
的に除去する。この除去は、抜きパターンマスク２７が
レジストならば、レジスト剥離液によって行うことがで
き、抜きパターンマスク２７が感光性ポリイミドなら
ば、抱水性ヒドラジン水溶液によって行うことができ
る。この除去により、絶縁膜１３と上面が絶縁膜の上面
より低くなっている第１の配線１１とが露出する。

【００３４】次いで（ｄ−Ａ）および（ｄ−Ｂ）を参照
して、ＳＯＧを表面平坦に塗布し、実パターンマスク２
６が露出するまでエッチバックし、更に、実パターンマ
スク２６をヒドラジン水溶液（ポリイミドの場合）また
はレジスト剥離液（レジストの場合）により選択的に除
去して、第２の配線２１のパターンの抜き領域全域に上
面が第２の配線２１の上面より高く且つ平坦なＳＯＧの
絶縁膜２３を形成する。この工程は、第２の配線２１を
先の実施例の第１の配線１１に見立てると、先の実施例
で説明した図２（ｄ−Ａ，Ｂ）および図２（ｅ−Ａ，
Ｂ）の工程の繰り返しになっている。

【００３５】次いで（ｅ−Ｂ）および（ｅ−Ｃ）を参照
して、第３の配線３１を先の実施例の第２の配線２１に
見立てて、先の実施例で抜きパターンマスク２７を形成
した図２（ｆ−Ａ）および図２（ｆ−Ｂ）の工程と同様
にして、レジストの抜きパターンマスク３７を形成す
る。

【００３６】次いで（ｆ−Ｃ）を参照して、先の実施例
で接続体２２および第２の配線２１を形成した図２（ｇ
−Ｂ）および図２（ｈ−Ｂ）の工程と同様にして、Ｗの
接続体３２およびＷの第３の配線３１を形成する。第３
の配線３１はＡｌにすることも可能である。その場合
は、先の実施例で第２の配線２１をＡｌにする方法に準
じれば良い。

【００３７】次いで（ｇ−Ａ），（ｇ−Ｂ）および（ｇ
−Ｃ）を参照して、先の実施例でカバー絶縁膜２５を形
成した図２（ｉ−Ａ），（ｉ−Ｂ）の工程と同様にし
て、抜きパターンマスク３７の除去跡を埋めて第３の配
線３１を覆うカバー絶縁膜３５を形成すれば、所望の３
層配線が完成する。

【００３８】この実施例において、第２の配線２１と第
３の配線３１との間に不要な接続体３２が形成される場
合には、図４（ｄ−Ａ），（ｄ−Ｂ）の工程と図４（ｅ
−Ｂ），（ｅ−Ｃ）の工程との間に図３で説明した工程
を挿入して、不要な接続体３２が形成されないようにす
れば良い。

【００３９】上述した実施例では、第３層目の配線であ
る第３の配線３１の形成を、第２層目の配線である第２
の配線２１を形成する工程の繰り返しで行っており、且
つ、絶縁膜１３，２３や抜きパターンマスク２７，３７
を形成する際にその都度に平坦化がなされており、然
も、下層配線とその直ぐ上の上層配線を接続する接続体
２２または３２がそれぞれの配線の幅に対して自己整合
的に形成されている。このことから理解されるように、
本発明の方法によれば、多層配線の配線層数を任意に増
やすことが容易であり、然も、各配線層における配線間
隔を上記接続体により広げる必要がなくなり配線密度を
高めることが可能である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、多
層配線形成方法に関し、下層配線とその直ぐ上の上層配
線とを接続する接続体が自己整合的に形成され、且つ平
坦化が容易であり、然も、多層配線の配線層数を３層以
上にすることが容易である方法が提供されて、半導体装
置の高集積化に寄与するところが大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図

【図２】実施例の工程を示す平面図と側断面図

【図３】実施例で不要な接続体の形成を除く工程を示
す側断面図

【図４】他の実施例の工程を示す平面図と側断面図

【図５】従来技術を説明するための側断面図と平面図

【符号の説明】

１基板２絶縁膜３配線４絶縁膜５ビアホール１１第１の配線１１Ａ第１の配線を形成するための配線用金属膜２１第２の配線３１第３の配線２２，３２接続体１３，２３ＳＯＧによる絶縁膜１４ＳＯＧによる絶縁体１４Ａ絶縁体を形成するための絶縁膜２５，３５カバー絶縁膜１６，２６実パターンマスク２７，３７抜きパターンマスク１８レジストによる補助マスク１８ａ補助マスクの残体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１）上に形成された第１の配線
（１１）が下層配線であり、第２の配線（２１）が該下
層配線の直ぐ上の上層配線であって、該基板（１）上における第１の配線（１１）のパターン
の抜き領域全域に、上面が第１の配線（１１）の上面よ
り高く且つ平坦な絶縁膜（１３）を形成する工程と、該絶縁膜（１３）を有する該基板（１）上に、抜き領域
が第２の配線（２１）のパターンの実領域に合致して上
面が平坦な抜きパターンマスク（２７）を形成する工程
と、該抜きパターンマスク（２７）の抜き領域を埋めて、第
１の配線（１１）が露出する該絶縁膜（１３）の上面よ
り下側の凹部には、第１の配線（１１）と第２の配線
（２１）とを接続する接続体（２２）を、また、該上面
より上側には第２の配線（２１）を形成する工程と、を有することを特徴とする多層配線形成方法。
【請求項２】請求項１記載の多層配線形成方法におい
て、上記抜きパターンマスク（２７）を形成して、第１の配
線（１１）が露出する上記凹部が上記接続体（２２）の
不要な箇所に生じる際には、該抜きパターンマスク（２７）の形成に先立ち、上記不
要な箇所の凹部を絶縁体で埋めることを特徴とする多層
配線形成方法。
【請求項３】請求項１または２記載の多層配線形成方
法において、上記絶縁膜（１３）の形成は、第１の配線（１１）の上
に、実領域が第１の配線（１１）のパターンの実領域に
整合した実パターンマスクを設けた状態で行うことを特
徴とする多層配線形成方法。
【請求項４】請求項１，２または３記載の多層配線形
成方法において、上記接続体（２２）と第２の配線（２１）の形成は、該接続体（２２）を形成する工程と、第２の配線（２
１）を形成す工程に分けて行うことを特徴とする多層配
線形成方法。
【請求項５】請求項１，２，３または４記載の多層配
線形成方法において、第２の配線（２１）を形成して上記抜きパターンマスク
（２７）を除去した後に、該第２の配線（２１）を第１
の配線（１１）に見立てて新たな第２の配線を形成する
までの工程を繰り返すことにより、形成する多層配線の
配線層数を３層以上にすることを特徴とする多層配線形
成方法。
【請求項６】請求項５記載の多層配線形成方法におい
て、第１の配線（１１）に見立てる第２の配線（２１）は上
面を上記抜きパターンマスク（２７）の上面より低く形
成して、該抜きパターンマスク（２７）の除去に先立
ち、該抜きパターンマスク（２７）とはエッチング性の
異なる材料により、第２の配線（２１）上の該抜きパタ
ーンマスク（２７）との段差領域を埋めてなる実パター
ンマスクを設けて、それを請求項３記載の実パターンマ
スクに見立てることを特徴とする多層配線形成方法。