JPH02254422A - アクティブマトリクス表示装置の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置の製造方法Info
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- JPH02254422A JPH02254422A JP1077827A JP7782789A JPH02254422A JP H02254422 A JPH02254422 A JP H02254422A JP 1077827 A JP1077827 A JP 1077827A JP 7782789 A JP7782789 A JP 7782789A JP H02254422 A JPH02254422 A JP H02254422A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置の
製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列し
て高密度表示を行う、アクティブマｌ−’Ｊクス駆動方
式の表示装置の製造方法に関する。
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置の
製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列し
て高密度表示を行う、アクティブマｌ−’Ｊクス駆動方
式の表示装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された表示絵素
を選択することにより、画面上に表示パターンを形成し
ている。表示絵素の選択方式として、個々の独立した絵
素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチン
グ素子を連結して表示駆動するアクティブマトリクス駆
動方式がある。この方式は、高コントラストの表示が可
能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コン
ピュータの端末表示装置等に実用化されている。絵素電
極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金満−絶縁層−金
属）素子、ＭＯＳｈランジスタ素子、ダイオード、バリ
スタ等が一般的に知られている。絵素電極とこれに対向
する対向電極との間に印加される電圧をスイッチングす
ることにより、その間に介在する液晶、ＥＬ発光層或い
はプラズマ発光体等の表示媒体の光学的変調が行われる
。この光学的変調が表示パターンとして視認される。
装置等に於いては、マトリクス状に配列された表示絵素
を選択することにより、画面上に表示パターンを形成し
ている。表示絵素の選択方式として、個々の独立した絵
素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチン
グ素子を連結して表示駆動するアクティブマトリクス駆
動方式がある。この方式は、高コントラストの表示が可
能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コン
ピュータの端末表示装置等に実用化されている。絵素電
極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金満−絶縁層−金
属）素子、ＭＯＳｈランジスタ素子、ダイオード、バリ
スタ等が一般的に知られている。絵素電極とこれに対向
する対向電極との間に印加される電圧をスイッチングす
ることにより、その間に介在する液晶、ＥＬ発光層或い
はプラズマ発光体等の表示媒体の光学的変調が行われる
。この光学的変調が表示パターンとして視認される。
（発明が解決しようとする課題）
絵素電極にスイッチング素子を連結して高密度の表示を
行う場合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子を
配列することが必要となる。しかしながら、スイッチン
グ素子は基板上に製作した時点で動作不良素子として形
成されることがある。
行う場合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子を
配列することが必要となる。しかしながら、スイッチン
グ素子は基板上に製作した時点で動作不良素子として形
成されることがある。
このような不良素子に連結された絵素電極は、表示に寄
与しない絵素欠陥を生ずることになる。この絵素欠陥の
発生は、製造歩留りを大幅に低下させるので、製造上大
きな問題となる。そこで、発生した絵素欠陥を後に修正
する技術の検討が行われている。
与しない絵素欠陥を生ずることになる。この絵素欠陥の
発生は、製造歩留りを大幅に低下させるので、製造上大
きな問題となる。そこで、発生した絵素欠陥を後に修正
する技術の検討が行われている。
絵素欠陥を修復する技術としては、特開昭６１−１５３
６１９号公報に示されているように、絵素電極１個当り
複数個のスイッチング素子を設け、一つのスイッチング
素子のみを絵素電極と接続し、絵素電極と接続されたス
イッチング素子が不良の場合は、このスイッチング素子
と絵素電極とをレーザトリマ、超音波力ブタ等により切
断して、他のスイッチング素子を絵素電極と接続する技
術が提唱されている。また、この場合のスイッチング素
子と絵素電極とを接続する手段として、微小な導体をデ
イスペンサ等で付着させる技術、基板上にＡｕ５Ａ１等
を所定部位にコートする技術が例示されている。更に、
特開昭６１−５６３８２号公報及び特開昭５９−１０１
６９３号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融させ
ることにより、金属層相互間を電気的に接続する技術が
開示されている。
６１９号公報に示されているように、絵素電極１個当り
複数個のスイッチング素子を設け、一つのスイッチング
素子のみを絵素電極と接続し、絵素電極と接続されたス
イッチング素子が不良の場合は、このスイッチング素子
と絵素電極とをレーザトリマ、超音波力ブタ等により切
断して、他のスイッチング素子を絵素電極と接続する技
術が提唱されている。また、この場合のスイッチング素
子と絵素電極とを接続する手段として、微小な導体をデ
イスペンサ等で付着させる技術、基板上にＡｕ５Ａ１等
を所定部位にコートする技術が例示されている。更に、
特開昭６１−５６３８２号公報及び特開昭５９−１０１
６９３号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融させ
ることにより、金属層相互間を電気的に接続する技術が
開示されている。
しかしながら、上記従来の欠陥修復技術は、欠陥を検出
した後、レーザ光照射により金属を蒸発再付着或いは局
部的に溶融して電気的に接続する方式である。即ち、表
示パネルを組み立てる前のアクティブマトリクス基板の
製作過程で利用しなければならないものである。その理
由は、表示パネルを完成した後では、レーザ光照射によ
って蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対向
電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、表
示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。従
って、上記従来の絵素欠陥修復技術は何れも表示パネル
組立前、即ち表示媒体挿入前のアクティブマトリクス基
板製作プロセスで適用されている。
した後、レーザ光照射により金属を蒸発再付着或いは局
部的に溶融して電気的に接続する方式である。即ち、表
示パネルを組み立てる前のアクティブマトリクス基板の
製作過程で利用しなければならないものである。その理
由は、表示パネルを完成した後では、レーザ光照射によ
って蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対向
電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、表
示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。従
って、上記従来の絵素欠陥修復技術は何れも表示パネル
組立前、即ち表示媒体挿入前のアクティブマトリクス基
板製作プロセスで適用されている。
ところが、この欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。
段階で検出することは極めて困難である。
特に絵素数が１０万個〜５０万個以上もある大型パネル
では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良スイ
ッチング素子を発見するには、極めて高精度の測定機器
等を使用しなければならない。
では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良スイ
ッチング素子を発見するには、極めて高精度の測定機器
等を使用しなければならない。
このため、検査工程が繁雑となり、量産性が阻害され、
且つ、コスト高になるという結果を拓く。
且つ、コスト高になるという結果を拓く。
従って、上述の技術は、絵素数の多い大型表示パネルに
は利用することができないというのが実情である。
は利用することができないというのが実情である。
上記の問題点を解決するために、第５Ａ図に示すアクテ
ィブマトリクス基板を用いた表示装置が特願昭６３−３
０８２３１号として特許出願されている。この基板を用
いて表示装置を組み立てれば、表示装置の状態で絵素欠
陥の発生箇所を特定し、表示装置の状態で絵素欠陥を修
正することができる。この基板を用いてアクティブマト
リクス表示装置を組み立てた場合の、第５Ａ図のＢ−Ｂ
線及びＣ−Ｃ線に沿った断面図をそれぞれ第５Ｂ図及び
第５Ｃ図に示す。ガラス基板ｌ上にベースコート膜２が
全面に形成され、この上にゲートバス配線３及びソース
バス配線４が格子状に配列されている。ゲートバス配線
３とソースバス配線４との間には、後述するベース絶縁
膜１１が介在している。ゲートバス配線３及びソースバ
ス配線４に囲まれた矩形の領域には透明導電膜（ＩＴＯ
）から成る絵素電極５が配列され、マトリクス状のパタ
ーンを構成している。絵素電極５の隅部付近にはＴＦＴ
６が配置され、ＴＦＴ６と絵素電極５とはドレイン電極
１６によって電気的に接続されている。また、絵素電極
の池の隅部付近には予備ＴＦＴ７が配置され、予備ＴＦ
Ｔ７と絵素電極５は非導通状態で対置されている。ＴＦ
Ｔ６及び予備ＴＦＴ７はゲートバス配線３上に並設され
、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されている。
ィブマトリクス基板を用いた表示装置が特願昭６３−３
０８２３１号として特許出願されている。この基板を用
いて表示装置を組み立てれば、表示装置の状態で絵素欠
陥の発生箇所を特定し、表示装置の状態で絵素欠陥を修
正することができる。この基板を用いてアクティブマト
リクス表示装置を組み立てた場合の、第５Ａ図のＢ−Ｂ
線及びＣ−Ｃ線に沿った断面図をそれぞれ第５Ｂ図及び
第５Ｃ図に示す。ガラス基板ｌ上にベースコート膜２が
全面に形成され、この上にゲートバス配線３及びソース
バス配線４が格子状に配列されている。ゲートバス配線
３とソースバス配線４との間には、後述するベース絶縁
膜１１が介在している。ゲートバス配線３及びソースバ
ス配線４に囲まれた矩形の領域には透明導電膜（ＩＴＯ
）から成る絵素電極５が配列され、マトリクス状のパタ
ーンを構成している。絵素電極５の隅部付近にはＴＦＴ
６が配置され、ＴＦＴ６と絵素電極５とはドレイン電極
１６によって電気的に接続されている。また、絵素電極
の池の隅部付近には予備ＴＦＴ７が配置され、予備ＴＦ
Ｔ７と絵素電極５は非導通状態で対置されている。ＴＦ
Ｔ６及び予備ＴＦＴ７はゲートバス配線３上に並設され
、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されている。
ＴＦＴａ付近の構成を第５Ｂ図に示す。ゲートバス配線
３の一部に形成されるゲート電極９、ゲート電極９の表
面を陽極酸化して得られるゲート絶縁膜１０が形成され
ている。この上から、ゲート絶縁膜を兼ねるベース絶縁
膜１１、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｌ）から成る真
性半導体層１２、真性半導体層１２の上面を保護する半
導体保護膜１３、ソース電極及びドレイン電極とオーミ
ックコンタクトを得るためのｎ−型半導体層１４が順次
積層されている。次に、枝配線８と接続されたソース電
極１５、及び絵素電極５と接続されたドレイン電極１６
が形成されている。ＴＦＴ６及び絵素電極５の上面を覆
ってほぼ全面に保護膜１７が被覆され、さらにその上か
ら配向層１９が堆積されている。
３の一部に形成されるゲート電極９、ゲート電極９の表
面を陽極酸化して得られるゲート絶縁膜１０が形成され
ている。この上から、ゲート絶縁膜を兼ねるベース絶縁
膜１１、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｌ）から成る真
性半導体層１２、真性半導体層１２の上面を保護する半
導体保護膜１３、ソース電極及びドレイン電極とオーミ
ックコンタクトを得るためのｎ−型半導体層１４が順次
積層されている。次に、枝配線８と接続されたソース電
極１５、及び絵素電極５と接続されたドレイン電極１６
が形成されている。ＴＦＴ６及び絵素電極５の上面を覆
ってほぼ全面に保護膜１７が被覆され、さらにその上か
ら配向層１９が堆積されている。
ガラス基板ｌに対向する他方のガラス基板２０の内面に
はカラーフィルタ層２１．対向電極２２、及び配向層２
３が重畳形成されている。上記一対のガラス基板１１２
０の間には表示媒体として、液晶分子１８が封入されて
いる。
はカラーフィルタ層２１．対向電極２２、及び配向層２
３が重畳形成されている。上記一対のガラス基板１１２
０の間には表示媒体として、液晶分子１８が封入されて
いる。
予備ＴＦＴＴ付近の構成を第５Ｃ図に示す。予１ＴＦＴ
７の構造は、上記ＴＦＴ６と同様である。
７の構造は、上記ＴＦＴ６と同様である。
ゲート電極９と所定の距離だけ離れたベースコート膜２
上に継手金属層２４が島状に形成されている。継手金属
層２４上には上述のベース絶縁膜１１が堆積され、この
上に予備ＴＦＴ７のドレイン電極１６の延設端１６ａが
載置されている。また、絵素電極５の端部は、継手金属
層２４上のベース絶縁膜１１上に、金属片２５と共に積
層されている。従って、延設端１６ａと絵素電極５とは
非導通状態を維持している。ドレイン電極１６の延設端
１６ａと金属片２５の絵素電極端部は、保護膜１７によ
って完全に被覆されている。
上に継手金属層２４が島状に形成されている。継手金属
層２４上には上述のベース絶縁膜１１が堆積され、この
上に予備ＴＦＴ７のドレイン電極１６の延設端１６ａが
載置されている。また、絵素電極５の端部は、継手金属
層２４上のベース絶縁膜１１上に、金属片２５と共に積
層されている。従って、延設端１６ａと絵素電極５とは
非導通状態を維持している。ドレイン電極１６の延設端
１６ａと金属片２５の絵素電極端部は、保護膜１７によ
って完全に被覆されている。
上記構成を有する液晶表示装置を全面駆動すれば、ＴＦ
Ｔ６が不良の場合、絵素欠陥が容易に視認される。この
ような場合には、延設端１６ａと継手金ｒｉ！４Ｊｉ２
４との重畳部分、及び金属片２５と継手金属層２４との
重畳部分にレーザ光等が照射される。レーザ光によって
延設端１６ａ１ベース絶縁膜１１、及び継手金属層２４
は相互に溶融して層間絶縁層が絶縁破壊され、導通状態
となる。
Ｔ６が不良の場合、絵素欠陥が容易に視認される。この
ような場合には、延設端１６ａと継手金ｒｉ！４Ｊｉ２
４との重畳部分、及び金属片２５と継手金属層２４との
重畳部分にレーザ光等が照射される。レーザ光によって
延設端１６ａ１ベース絶縁膜１１、及び継手金属層２４
は相互に溶融して層間絶縁層が絶縁破壊され、導通状態
となる。
同様にして絵素電極５側の金属片２５と継手金属層２４
との間も導通状態となる。このようにして予備ＴＦＴ７
と絵素電極５とを電気的に接続することができる。レー
ザ光は、ガラス基板１又は２０を介して照射される。こ
のとき継手金属層２４、延設端１６ａ、金属片２５の上
方には保護膜１７が形成されているので、溶融した金筋
が表示媒体である液晶中に混入することはない。
との間も導通状態となる。このようにして予備ＴＦＴ７
と絵素電極５とを電気的に接続することができる。レー
ザ光は、ガラス基板１又は２０を介して照射される。こ
のとき継手金属層２４、延設端１６ａ、金属片２５の上
方には保護膜１７が形成されているので、溶融した金筋
が表示媒体である液晶中に混入することはない。
このように予備Ｔ Ｆ Ｔ ７を接続しても、ＴＦＴ６
が絶縁不良などの場合にはＴＦＴ６を絵素電極５から切
り離す必要が生じる。この切断はドレイン電極１６にレ
ーザ光などを照射し、ドレイン電極１６を切断すること
によって行われる。第５Ａ図のＴＦＴ６と絵素電極５と
が接続される部分を拡大した図を第５Ｄ図に示す。レー
ザ光は第５Ｄ図のＳで示す領域に照射され、ドレイン電
極１６が切断される。
が絶縁不良などの場合にはＴＦＴ６を絵素電極５から切
り離す必要が生じる。この切断はドレイン電極１６にレ
ーザ光などを照射し、ドレイン電極１６を切断すること
によって行われる。第５Ａ図のＴＦＴ６と絵素電極５と
が接続される部分を拡大した図を第５Ｄ図に示す。レー
ザ光は第５Ｄ図のＳで示す領域に照射され、ドレイン電
極１６が切断される。
ところが、このようにレーザ光を照射しても、絵素電極
５とゲートバス配線３との距離Ｙが小さい場合には、溶
融し拡散した金屑が絵素電極５やゲートバス配線３に付
着し、結果としてドレイン電極が電気的に切断されない
場合が生じる。このような場合には、絵素欠陥を修正す
ることはできない。このような状態を回避するために、
絵素電極５とゲートバス配線３との距離Ｙを大きくする
ことが考えられる。しかし距離Ｙを大きくすると、アク
ティブマトリクス基板の開口率が低下し、表示画面全体
が暗くなるという新たな問題が発生する。
５とゲートバス配線３との距離Ｙが小さい場合には、溶
融し拡散した金屑が絵素電極５やゲートバス配線３に付
着し、結果としてドレイン電極が電気的に切断されない
場合が生じる。このような場合には、絵素欠陥を修正す
ることはできない。このような状態を回避するために、
絵素電極５とゲートバス配線３との距離Ｙを大きくする
ことが考えられる。しかし距離Ｙを大きくすると、アク
ティブマトリクス基板の開口率が低下し、表示画面全体
が暗くなるという新たな問題が発生する。
本発明はこのような問題点を解決するために為されたも
のであり、本発明の目的は、製造歩留りが高く、しかも
開口率の低下の少ないアクティブマトリクス表示装置の
製造方法を提供することにある。
のであり、本発明の目的は、製造歩留りが高く、しかも
開口率の低下の少ないアクティブマトリクス表示装置の
製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明のアクティブマトリクス表示装置の製造方法は、
少なくとも一方が透光性を有する一対の基板の間に印加
電圧に応答して光学的特性が変調される表示媒体が挿入
されるアクティブマトリクス表示装置の製造方法に於て
、該一対の基板の何れか一方の基板の内面にマトリクス
状に配された、切り欠き部を有する絵素電極と、該切り
欠き部近傍に於て該絵素電極と電気的に接続される接続
端を有するスイッチング素子と、該絵素電極とは非導通
状態で近接された予備スイッチング素子と、該予備スイ
ッチング素子の延設部と該絵素電極とが少なくとも絶縁
層を介して対置する接続部と、を形成する工程、該接続
部を絶縁保護膜によって被覆する工程、該一対の基板の
他方の基板に対向電極を形成する工程、該一対の基板間
に該表示媒体を挿入する工程、該絵素電極及び該対向電
極を介して駆動信号を該表示媒体に印加し、該スイッチ
ング素子の欠陥を検出する工程、欠陥が検出された該ス
イッチング素子に接続された絵素電極と、該絵素電極に
近接された該予備スイッチング素子との該接続部に、光
エネルギーを照射して該絵素電極と該予備スイッチング
素子とを電気的に接続する工程、及び、欠陥が検出され
た該スイッチング素子に接続された該絵素電極の該切り
欠き部に於て、該接続端を光エネルギー照射によって切
断し、該絵素電極と該スイッチング素子とを電気的に切
り離す工程、を包含しており、そのことによって上記目
的が達成される。
少なくとも一方が透光性を有する一対の基板の間に印加
電圧に応答して光学的特性が変調される表示媒体が挿入
されるアクティブマトリクス表示装置の製造方法に於て
、該一対の基板の何れか一方の基板の内面にマトリクス
状に配された、切り欠き部を有する絵素電極と、該切り
欠き部近傍に於て該絵素電極と電気的に接続される接続
端を有するスイッチング素子と、該絵素電極とは非導通
状態で近接された予備スイッチング素子と、該予備スイ
ッチング素子の延設部と該絵素電極とが少なくとも絶縁
層を介して対置する接続部と、を形成する工程、該接続
部を絶縁保護膜によって被覆する工程、該一対の基板の
他方の基板に対向電極を形成する工程、該一対の基板間
に該表示媒体を挿入する工程、該絵素電極及び該対向電
極を介して駆動信号を該表示媒体に印加し、該スイッチ
ング素子の欠陥を検出する工程、欠陥が検出された該ス
イッチング素子に接続された絵素電極と、該絵素電極に
近接された該予備スイッチング素子との該接続部に、光
エネルギーを照射して該絵素電極と該予備スイッチング
素子とを電気的に接続する工程、及び、欠陥が検出され
た該スイッチング素子に接続された該絵素電極の該切り
欠き部に於て、該接続端を光エネルギー照射によって切
断し、該絵素電極と該スイッチング素子とを電気的に切
り離す工程、を包含しており、そのことによって上記目
的が達成される。
（実施例）
本発明を実施例について以下に説明する。ｉｌＡ図に本
発明製造方法によって製造したアクティブマトリクス表
示装置の基板を示す。この表示装置の第１Ａ図のｂ−ｂ
線及びＣ−Ｃ線に沿った断面図の構成は、第５Ｂ図及び
第５Ｃ図に示された構成と同様であるので、以下の説明
ではそれらの図面も参照して行う。ガラス基板１上にＴ
ａ２０５、Ａｔ２０．、又はＳｌ、Ｎ、等から成るベー
スコート膜２が厚さ３０００人〜９０００人で形成され
、この上に走査信号を供給するゲートバス配線３と、デ
ータ信号を供給するソース配線４とが格子状に配列され
ている。ゲートバス配線３は一般にＴａ。
発明製造方法によって製造したアクティブマトリクス表
示装置の基板を示す。この表示装置の第１Ａ図のｂ−ｂ
線及びＣ−Ｃ線に沿った断面図の構成は、第５Ｂ図及び
第５Ｃ図に示された構成と同様であるので、以下の説明
ではそれらの図面も参照して行う。ガラス基板１上にＴ
ａ２０５、Ａｔ２０．、又はＳｌ、Ｎ、等から成るベー
スコート膜２が厚さ３０００人〜９０００人で形成され
、この上に走査信号を供給するゲートバス配線３と、デ
ータ信号を供給するソース配線４とが格子状に配列され
ている。ゲートバス配線３は一般にＴａ。
ＡＩ、ＴＩ、ＮｌＳＭｏ等の単層又は多層金属で形成さ
れるが、本実施例ではＴａを使用している。
れるが、本実施例ではＴａを使用している。
ソースバス配線４も同様の金属で形成されるが、本実施
例ではＴｉを使用している。ゲートバス配線３とソース
バス配線４の交差位置には、後述するベース絶縁膜１１
が介在している。ゲートバス配線３及びソースバス配線
４で囲まれた矩形の領域には、透明導電膜（ＩＴＯ）か
ら成る絵素電極５が配置され、マトリクス状の絵素パタ
ーンを構成している。絵素電極５の隅部付近にはＴＦＴ
６が配置され、ＴＦＴ６と絵素電極５とはドレイン電極
１６によって電気的に接続されている。ドレイン電極１
６と絵素電極５とが接続される部分の拡大図を第１Ｂ図
に示す。ドレイン電極１６はゲート電極９の上方から絵
素電極５の方向に側方に引き出され、ゲート電極９の上
方から離れた部分では幅が狭くなっている。そして絵素
電極５のドレイン電極に近接した部分には、矩形の切り
欠き部５ａが設けられている。上述のドレイン電極工６
の幅の狭くなった部分は、この切り欠き部５ａのＴＦＴ
６から最も離れた辺の近傍に於て絵素電極５に接続され
ている。また、絵素電極５の他の隅部付近には予備ＴＦ
Ｔ７が配置され、予備ＴＦＴ７と絵素電極５は非導通状
態で対置されている。
例ではＴｉを使用している。ゲートバス配線３とソース
バス配線４の交差位置には、後述するベース絶縁膜１１
が介在している。ゲートバス配線３及びソースバス配線
４で囲まれた矩形の領域には、透明導電膜（ＩＴＯ）か
ら成る絵素電極５が配置され、マトリクス状の絵素パタ
ーンを構成している。絵素電極５の隅部付近にはＴＦＴ
６が配置され、ＴＦＴ６と絵素電極５とはドレイン電極
１６によって電気的に接続されている。ドレイン電極１
６と絵素電極５とが接続される部分の拡大図を第１Ｂ図
に示す。ドレイン電極１６はゲート電極９の上方から絵
素電極５の方向に側方に引き出され、ゲート電極９の上
方から離れた部分では幅が狭くなっている。そして絵素
電極５のドレイン電極に近接した部分には、矩形の切り
欠き部５ａが設けられている。上述のドレイン電極工６
の幅の狭くなった部分は、この切り欠き部５ａのＴＦＴ
６から最も離れた辺の近傍に於て絵素電極５に接続され
ている。また、絵素電極５の他の隅部付近には予備ＴＦ
Ｔ７が配置され、予備ＴＦＴ７と絵素電極５は非導通状
態で対置されている。
ＴＰＴ６及び予備ＴＦＴ７はゲートバス配線３上に並設
され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されている
。
され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されている
。
ゲートバス配線３の一部に形成されるＴａのゲート電極
９、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるＴａ２
０５から成るゲート絶縁膜１０が形成されている。この
上から、ゲート絶縁膜としても機能している５ＩＮＸ（
例えばＳｔ、Ｎ４）ベース絶縁膜１１、ａ−３ｌ真性半
導体層１２、真性半導体層１２の上面を保護する５ＩＮ
Ｘから成る半導体保護膜１３、ソース電極及びドレイン
電極とオーミックコンタクトを得るための、ａ−３１か
ら成るｎ型半導体層１４が順次積層されている。ｎ型半
導体層１４上には、枝配線８と接続されたソース電極１
５、及び絵素電極５と接続されたドレイン電極１６が形
成されている。ソース電極１５及びドレイン電極１６は
、ＴＩＳ ＮＩＳ Ａ１等から成る。ドレイン電極１６
の端部と接続された絵素電極５は、ベース絶縁膜１１上
にパターン形成される。ベース絶縁膜１１の厚さは１５
００人〜６０００人程度が適当であるが、本実施例では
２０００人〜３５００人に設定している。ＴＰＴ６及び
絵素電極５の上面を覆ってほぼ全面に５ＩＮ８から成る
保護膜１７が被覆され、この保護膜１７上に液晶分子１
８の配向を規制する配向層１９が堆積されている。配向
層１９は５１０２、ポリイミド系樹脂等から成る。保護
膜１７の厚さは２０００人〜ｔｏｏｏｏ人程度が適当で
あるが、本実施例で５０００人前後に設定している。尚
、ベース絶縁膜１１及び保護膜１７としては５ｉＮＸ以
外に、Ｓ Ｉ ＯＸ％ Ｔ ａ２０５、Ａｌ２Ｏ３等の
酸化物や窒化物を用いることができる。また、保護膜１
７は全面被覆する以外に、絵素電極５の中央部で除去し
た窓あき構造としてもよい。
９、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるＴａ２
０５から成るゲート絶縁膜１０が形成されている。この
上から、ゲート絶縁膜としても機能している５ＩＮＸ（
例えばＳｔ、Ｎ４）ベース絶縁膜１１、ａ−３ｌ真性半
導体層１２、真性半導体層１２の上面を保護する５ＩＮ
Ｘから成る半導体保護膜１３、ソース電極及びドレイン
電極とオーミックコンタクトを得るための、ａ−３１か
ら成るｎ型半導体層１４が順次積層されている。ｎ型半
導体層１４上には、枝配線８と接続されたソース電極１
５、及び絵素電極５と接続されたドレイン電極１６が形
成されている。ソース電極１５及びドレイン電極１６は
、ＴＩＳ ＮＩＳ Ａ１等から成る。ドレイン電極１６
の端部と接続された絵素電極５は、ベース絶縁膜１１上
にパターン形成される。ベース絶縁膜１１の厚さは１５
００人〜６０００人程度が適当であるが、本実施例では
２０００人〜３５００人に設定している。ＴＰＴ６及び
絵素電極５の上面を覆ってほぼ全面に５ＩＮ８から成る
保護膜１７が被覆され、この保護膜１７上に液晶分子１
８の配向を規制する配向層１９が堆積されている。配向
層１９は５１０２、ポリイミド系樹脂等から成る。保護
膜１７の厚さは２０００人〜ｔｏｏｏｏ人程度が適当で
あるが、本実施例で５０００人前後に設定している。尚
、ベース絶縁膜１１及び保護膜１７としては５ｉＮＸ以
外に、Ｓ Ｉ ＯＸ％ Ｔ ａ２０５、Ａｌ２Ｏ３等の
酸化物や窒化物を用いることができる。また、保護膜１
７は全面被覆する以外に、絵素電極５の中央部で除去し
た窓あき構造としてもよい。
絵素電極５の形成されたガラス基板１に対向する他方の
ガラス基板２０の内面には、カラーフィルタ層２１．絵
素電極５に対向する対向電極２２、及び配向層２３が重
畳形成されている。カラーフィルタ層２１の周囲には必
要に応じてブラックマトリクス（図示せず）が設けられ
る。
ガラス基板２０の内面には、カラーフィルタ層２１．絵
素電極５に対向する対向電極２２、及び配向層２３が重
畳形成されている。カラーフィルタ層２１の周囲には必
要に応じてブラックマトリクス（図示せず）が設けられ
る。
上記一対のガラス基板１．２０の間には表示媒体として
、ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子１８
が封入されて、絵素電極５と対向電極２２との間の電圧
印加に応答して配向変換されることにより、光学的変調
が行われる。
、ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子１８
が封入されて、絵素電極５と対向電極２２との間の電圧
印加に応答して配向変換されることにより、光学的変調
が行われる。
予備ＴＦＴ７の構造は、上記ＴＦＴ６と同様である。ゲ
ート電極９と所定の距離だけ離れたベースコート膜２上
に継手金属層２４が島状に形成されている。この継手金
属層２４は、ゲート電極と同様にＴＩ、Ｎｌ５Ａｔ、又
はＴａ等から成り、ゲート電極９の形成時に同時にパタ
ーン形成することができる。継手金属層２４上には上述
のベース絶縁膜１１が堆積され、この上に予備ＴＦＴ７
のドレイン電極１６の延設端１６ａが載置されている。
ート電極９と所定の距離だけ離れたベースコート膜２上
に継手金属層２４が島状に形成されている。この継手金
属層２４は、ゲート電極と同様にＴＩ、Ｎｌ５Ａｔ、又
はＴａ等から成り、ゲート電極９の形成時に同時にパタ
ーン形成することができる。継手金属層２４上には上述
のベース絶縁膜１１が堆積され、この上に予備ＴＦＴ７
のドレイン電極１６の延設端１６ａが載置されている。
また、絵素電極５の端部は、継手金属層２４上のベース
絶縁膜１１上に、金属片２５と共に積層されている。従
って、延設端１６ａと絵素電極５とは離隔されており、
非導通状態を維持している。金属片２５は、ＴＩ、Ａ１
．、Ｎｌ、又はＴａから成る。ドレイン電極１６の延設
端１６ａと金属片２５の絵素電極端部は、保護膜１７に
よって完全に被覆されている。継手金属層２４とドレイ
ン電極延設端１６ａ及び金属片２５との間に位置するベ
ース絶縁膜１１は、上下金属間の層間絶縁体として動き
、その厚さは１０００人〜７０００人程度が適当である
が、本実施例ではＴＰＴのゲート絶縁膜を兼ねるベース
絶縁膜１１を利用しているため、２０００人〜３５００
人に設定されている。また、ドレイン電極延設端１６ａ
及び金属片２５上の保護膜１７は、表示媒体である液晶
分子と離隔した状態で双方間の電気的接続を行うための
ものであり、１５００人〜１５０００人程度が適当であ
るが、本実施例ではＴＰＴの保護膜を利用しているため
５０００人前後に設定される。
絶縁膜１１上に、金属片２５と共に積層されている。従
って、延設端１６ａと絵素電極５とは離隔されており、
非導通状態を維持している。金属片２５は、ＴＩ、Ａ１
．、Ｎｌ、又はＴａから成る。ドレイン電極１６の延設
端１６ａと金属片２５の絵素電極端部は、保護膜１７に
よって完全に被覆されている。継手金属層２４とドレイ
ン電極延設端１６ａ及び金属片２５との間に位置するベ
ース絶縁膜１１は、上下金属間の層間絶縁体として動き
、その厚さは１０００人〜７０００人程度が適当である
が、本実施例ではＴＰＴのゲート絶縁膜を兼ねるベース
絶縁膜１１を利用しているため、２０００人〜３５００
人に設定されている。また、ドレイン電極延設端１６ａ
及び金属片２５上の保護膜１７は、表示媒体である液晶
分子と離隔した状態で双方間の電気的接続を行うための
ものであり、１５００人〜１５０００人程度が適当であ
るが、本実施例ではＴＰＴの保護膜を利用しているため
５０００人前後に設定される。
上記構成を有する液晶表示装置のゲートバス配線３及び
ソースバス配置ｓ４の全ラインから全絵素電極５にＴＰ
Ｔ６を介して駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動す
る。このような表示装置の状態ではＴＦＴ６が不良の場
合、絵素欠陥が容易に視認される。検出された絵素欠陥
部では、第２図の矢印で示すように、下方のガラス基板
１または上方のガラス基板２０を介して、外部よりレー
ザ光、赤外線、電子ビームその他の熱線が継手金属層２
４に照射される。本実施例ではＹＡＧレーザ光を用いた
。レーザ光が照射されると延設端１６ａ１ベース絶縁膜
１１．及び継手金属層２４は相互に溶融して層間絶縁層
が絶縁破壊され、導通状態となる。同様に、絵素電極５
側の金属片２５と継手金属層２４の間も、レーザ光が照
射されると互いに溶融接触して導通状態となる。このよ
うにして予備ＴＦＴ７と絵素電極５とが電気的に接続さ
れる。このとき継手金属層２４、延設端１６ａ、金属片
２５の上方には保護膜１７が形成されているので、溶融
した金屑が表示媒体である液晶中に混入することはない
。保護膜１７は透明絶縁体であり、レーザ光を透過させ
る。そのため、レーザ光は金属材に吸収されてこれを瞬
時に加熱溶融させる。従って、レーザ光照射に際して金
属材とこれに挟まれた層間絶縁膜は互いに溶融混合され
るが、保護膜１７が破壊されることはない。また、レー
ザ光の照射された液晶層は照射部が白濁するが、この白
濁はやがて消失し、元の配回状管に復元されることが確
かめられた。
ソースバス配置ｓ４の全ラインから全絵素電極５にＴＰ
Ｔ６を介して駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動す
る。このような表示装置の状態ではＴＦＴ６が不良の場
合、絵素欠陥が容易に視認される。検出された絵素欠陥
部では、第２図の矢印で示すように、下方のガラス基板
１または上方のガラス基板２０を介して、外部よりレー
ザ光、赤外線、電子ビームその他の熱線が継手金属層２
４に照射される。本実施例ではＹＡＧレーザ光を用いた
。レーザ光が照射されると延設端１６ａ１ベース絶縁膜
１１．及び継手金属層２４は相互に溶融して層間絶縁層
が絶縁破壊され、導通状態となる。同様に、絵素電極５
側の金属片２５と継手金属層２４の間も、レーザ光が照
射されると互いに溶融接触して導通状態となる。このよ
うにして予備ＴＦＴ７と絵素電極５とが電気的に接続さ
れる。このとき継手金属層２４、延設端１６ａ、金属片
２５の上方には保護膜１７が形成されているので、溶融
した金屑が表示媒体である液晶中に混入することはない
。保護膜１７は透明絶縁体であり、レーザ光を透過させ
る。そのため、レーザ光は金属材に吸収されてこれを瞬
時に加熱溶融させる。従って、レーザ光照射に際して金
属材とこれに挟まれた層間絶縁膜は互いに溶融混合され
るが、保護膜１７が破壊されることはない。また、レー
ザ光の照射された液晶層は照射部が白濁するが、この白
濁はやがて消失し、元の配回状管に復元されることが確
かめられた。
ＴＦＴ６の絶縁不良などにより、ＴＦＴ６を絵素電極５
から切り離す必要がある場合には、ＴＦＴ６のドレイン
電極１６をレーザ光などによって切断する必要が生１シ
る。本実施例では第１Ｂ図に示すような形状のドレイン
電極１６及び絵素７４極５の構成となっているので、Ｒ
の部分にレーザ光を照射すれば容易にＴＦＴ６を絵素電
極５から切り離すことができる。また、第１Ｂ図に示す
絵素電極５とドレイン電極１６との間の距離Ｘを５μｍ
以上とすることにより、レーザ光を照射した際にドレイ
ン電極１６と絵素電極５とを電気的に完全に切断できる
ことが確認された。
から切り離す必要がある場合には、ＴＦＴ６のドレイン
電極１６をレーザ光などによって切断する必要が生１シ
る。本実施例では第１Ｂ図に示すような形状のドレイン
電極１６及び絵素７４極５の構成となっているので、Ｒ
の部分にレーザ光を照射すれば容易にＴＦＴ６を絵素電
極５から切り離すことができる。また、第１Ｂ図に示す
絵素電極５とドレイン電極１６との間の距離Ｘを５μｍ
以上とすることにより、レーザ光を照射した際にドレイ
ン電極１６と絵素電極５とを電気的に完全に切断できる
ことが確認された。
予備ＴＦＴ７と絵素電極５の配置構造は上記以外に第３
図或いは第４図に示す構造とすることもできる。第３図
は予めベース絶縁膜１１にスルーホールを設け、継手金
属層２４と金属片２５を接続しておいて、ＴＦＴ６の不
良時に予備ＴＦＴ７のドレイン電極延設端１６ａと継手
金属層２４のみを光エネルギーで電気的に接続するもの
である。
図或いは第４図に示す構造とすることもできる。第３図
は予めベース絶縁膜１１にスルーホールを設け、継手金
属層２４と金属片２５を接続しておいて、ＴＦＴ６の不
良時に予備ＴＦＴ７のドレイン電極延設端１６ａと継手
金属層２４のみを光エネルギーで電気的に接続するもの
である。
また、第４図は継手金続層２４を設けず、予備ＴＰＴ７
のドレイン電極延設端１６ａを金属片２５の直下にベー
ス絶縁膜１１を介して配置し、光エネルギー照射によっ
て双方を直接溶融接続するものである。第３図及び第４
図に於てドレイン電極延設端１６ａと金属片２５は互い
に逆の関係で構成されても良いことは明かである。更に
、表示パネル基板としてはレーザ照射を可能とするため
、少なくとも一方の基板が透光性を有する部材（ガラス
、プラスチック等）を用いることを要するが、ベースコ
ート膜２は必ずしも必要ではなく、設けなくてもよい。
のドレイン電極延設端１６ａを金属片２５の直下にベー
ス絶縁膜１１を介して配置し、光エネルギー照射によっ
て双方を直接溶融接続するものである。第３図及び第４
図に於てドレイン電極延設端１６ａと金属片２５は互い
に逆の関係で構成されても良いことは明かである。更に
、表示パネル基板としてはレーザ照射を可能とするため
、少なくとも一方の基板が透光性を有する部材（ガラス
、プラスチック等）を用いることを要するが、ベースコ
ート膜２は必ずしも必要ではなく、設けなくてもよい。
上記実施例ではアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ＭＩＭ素子、ダイオード、バソスタ等
の種々のスイッチング素子を用いて表示パターンを得る
広範囲の液晶表示素子の製造方法に適用可能である。ま
た、表示媒体として、薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層、
プラズマ発光体等を用いた各種表示装置の製造方法に適
用することができる。
製造方法について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ＭＩＭ素子、ダイオード、バソスタ等
の種々のスイッチング素子を用いて表示パターンを得る
広範囲の液晶表示素子の製造方法に適用可能である。ま
た、表示媒体として、薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層、
プラズマ発光体等を用いた各種表示装置の製造方法に適
用することができる。
（発明の効果）
本発明のアクティブマトリクス表示装置の製造方法は、
視覚的に絵素欠陥箇所を容易に特定することができる表
示装置の状態で確実に絵素欠陥を修正することができる
ので、表示装置の製造歩留りが向上し、量産性が確保さ
れる。しかも、本発明により製造される表示装置では、
開口率が低下することはない。従って、表示装置のコス
ト低減に寄与するものである。
視覚的に絵素欠陥箇所を容易に特定することができる表
示装置の状態で確実に絵素欠陥を修正することができる
ので、表示装置の製造歩留りが向上し、量産性が確保さ
れる。しかも、本発明により製造される表示装置では、
開口率が低下することはない。従って、表示装置のコス
ト低減に寄与するものである。
４、 の な１
第１Ａ図は本発明の製造方法によって製造したアクティ
ブマトリクス基板の一例の平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図
のＴＦＴ６近傍の拡大図、第２図は絵素電極５とドレイ
ン電極延設端１６ａとをし−ザ光によって、電気的に接
続した様子を示す断面図、第３図及び第４図は予＠ＴＦ
Ｔ７と絵素電極５との配置構造の他の例を示す断面図、
第５Ａ図は表示装置を組み立てた状態で絵素欠陥を修正
できる構造を有するアクティブマトリクス基板の例を示
す断面図、第５Ｂ図及び第５Ｃ図は第５Ａ図のアクティ
ブマトリクス基板を用いて表示装置を組み立て、それぞ
れ第５Ａ図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った面で切断し
た断面図、第５Ｂ図は第５Ａ図のＴＦＴ６近傍の拡大図
である。
ブマトリクス基板の一例の平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図
のＴＦＴ６近傍の拡大図、第２図は絵素電極５とドレイ
ン電極延設端１６ａとをし−ザ光によって、電気的に接
続した様子を示す断面図、第３図及び第４図は予＠ＴＦ
Ｔ７と絵素電極５との配置構造の他の例を示す断面図、
第５Ａ図は表示装置を組み立てた状態で絵素欠陥を修正
できる構造を有するアクティブマトリクス基板の例を示
す断面図、第５Ｂ図及び第５Ｃ図は第５Ａ図のアクティ
ブマトリクス基板を用いて表示装置を組み立て、それぞ
れ第５Ａ図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った面で切断し
た断面図、第５Ｂ図は第５Ａ図のＴＦＴ６近傍の拡大図
である。
１．２０・・・ガラス基板、６・・・ＴＦＴ、７・・・
予備ＴＦＴ、９・・・ゲート電極、１１・・・ベース絶
縁膜、１５・・・ソース電極、１６・・・ドレイン電極
、１７・・・保護膜、１８・・・液晶分子、１９．２３
・・・配向層、２１・・・カラーフィルタ、２２・・・
対向電極。
予備ＴＦＴ、９・・・ゲート電極、１１・・・ベース絶
縁膜、１５・・・ソース電極、１６・・・ドレイン電極
、１７・・・保護膜、１８・・・液晶分子、１９．２３
・・・配向層、２１・・・カラーフィルタ、２２・・・
対向電極。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板の間に
印加電圧に応答して光学的特性が変調される表示媒体が
挿入されるアクティブマトリクス表示装置の製造方法に
於て、 該一対の基板の何れか一方の基板の内面にマトリクス状
に配された、切り欠き部を有する絵素電極と、該切り欠
き部近傍に於て該絵素電極と電気的に接続される接続端
を有するスイッチング素子と、該絵素電極とは非導通状
態で近接された予備スイッチング素子と、該予備スイッ
チング素子の延設部と該絵素電極とが少なくとも絶縁層
を介して対置する接続部と、を形成する工程、 該接続部を絶縁保護膜によって被覆する工程、該一対の
基板の他方の基板に対向電極を形成する工程、 該一対の基板間に該表示媒体を挿入する工程、該絵素電
極及び該対向電極を介して駆動信号を該表示媒体に印加
し、該スイッチング素子の欠陥を検出する工程、 欠陥が検出された該スイッチング素子に接続された絵素
電極と、該絵素電極に近接された該予備スイッチング素
子との該接続部に、光エネルギーを照射して該絵素電極
と該予備スイッチング素子とを電気的に接続する工程、
及び 欠陥が検出された該スイッチング素子に接続された該絵
素電極の該切り欠き部に於て、該接続端を光エネルギー
照射によって切断し、該絵素電極と該スイッチング素子
とを電気的に切り離す工程、を包含するアクティブマト
リクス表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782789A JPH0786616B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
| US07/467,648 US5102361A (en) | 1989-01-23 | 1990-01-19 | Method for the manufacture of active matrix display apparatuses |
| EP90300626A EP0380265B1 (en) | 1989-01-23 | 1990-01-22 | A method of manufacturing active matrix display apparatuses |
| DE69010701T DE69010701T2 (de) | 1989-01-23 | 1990-01-22 | Methode zur Herstellung von aktiven Matrixanzeigevorrichtungen. |
| KR1019900000775A KR940001904B1 (ko) | 1989-01-23 | 1990-01-23 | 액티브 매트릭스 표시장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782789A JPH0786616B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254422A true JPH02254422A (ja) | 1990-10-15 |
| JPH0786616B2 JPH0786616B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=13644874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7782789A Expired - Fee Related JPH0786616B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786616B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5335102A (en) * | 1990-05-11 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method for treating defective pixels therein |
| JP2006235612A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| JP2010281972A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2012048264A (ja) * | 2005-01-31 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135483A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-02-19 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 液晶デイスプレイ用部品及びその製法 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7782789A patent/JPH0786616B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135483A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-02-19 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 液晶デイスプレイ用部品及びその製法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5335102A (en) * | 1990-05-11 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method for treating defective pixels therein |
| JP2006235612A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| JP2012048264A (ja) * | 2005-01-31 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8629440B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixels correction structure |
| US9257453B2 (en) | 2005-01-31 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including first to sixth transistors and light-emitting element |
| US9613988B2 (en) | 2005-01-31 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having narrower wiring regions |
| US10573705B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixel correction |
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