JPH0786708A - セラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents
セラミックス回路基板の製造方法Info
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- JPH0786708A JPH0786708A JP5185628A JP18562893A JPH0786708A JP H0786708 A JPH0786708 A JP H0786708A JP 5185628 A JP5185628 A JP 5185628A JP 18562893 A JP18562893 A JP 18562893A JP H0786708 A JPH0786708 A JP H0786708A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱衝撃性に優れ，かつ表層導体の断線を防
止することができるセラミックス回路基板の製造方法を
提供すること。 【構成】 セラミックス基板の表面にグレーズ膜２を有
するセラミックス回路基板を製造するに当たっては，セ
ラミックスグリーンシート１００の表面にグレーズ膜２
を形成し，その後セラミックスグリーンシート及びグレ
ーズ膜からなる成形体１９を同時焼成する。また，上記
成形体１９の表面を平行平板６により加圧し，その後成
形体１９を焼成することが好ましい。セラミックスグリ
ーンシートとしては，１０００℃以下で焼結する低温焼
結基板を用いることができる。
止することができるセラミックス回路基板の製造方法を
提供すること。 【構成】 セラミックス基板の表面にグレーズ膜２を有
するセラミックス回路基板を製造するに当たっては，セ
ラミックスグリーンシート１００の表面にグレーズ膜２
を形成し，その後セラミックスグリーンシート及びグレ
ーズ膜からなる成形体１９を同時焼成する。また，上記
成形体１９の表面を平行平板６により加圧し，その後成
形体１９を焼成することが好ましい。セラミックスグリ
ーンシートとしては，１０００℃以下で焼結する低温焼
結基板を用いることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，セラミックス基板の上
に，強磁性材料等の薄膜を形成するためのグレーズ膜を
設けた，セラミックス回路基板の製造方法に関する。
に，強磁性材料等の薄膜を形成するためのグレーズ膜を
設けた，セラミックス回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来，セラミックス回路基板としては，図
１７に示すごとく，絶縁性のセラミックス基板９１の表
面にグレーズ膜９２及び導体回路９５を形成したものが
ある。上記セラミックス回路基板を製造するに当たって
は，セラミックスグリーンシートを焼成してセラミック
ス基板とし，その後該セラミックス基板の表面にグレー
ズ膜及び導体回路を印刷形成し，再度焼成することによ
り得られる。
１７に示すごとく，絶縁性のセラミックス基板９１の表
面にグレーズ膜９２及び導体回路９５を形成したものが
ある。上記セラミックス回路基板を製造するに当たって
は，セラミックスグリーンシートを焼成してセラミック
ス基板とし，その後該セラミックス基板の表面にグレー
ズ膜及び導体回路を印刷形成し，再度焼成することによ
り得られる。
【０００３】このセラミックス回路基板は，例えば，グ
レーズ膜９２の上に磁気検出用の強磁性膜を形成するこ
とにより，磁気センサとして用いられる。グレーズ膜９
２の上には，図１９に示すごとく，スパッタリング等に
より，ニッケル合金等の強磁性材料を付着させて，強磁
性膜９７が形成される。これにより，上記セラミックス
回路基板を磁気センサとして用いることができる。
レーズ膜９２の上に磁気検出用の強磁性膜を形成するこ
とにより，磁気センサとして用いられる。グレーズ膜９
２の上には，図１９に示すごとく，スパッタリング等に
より，ニッケル合金等の強磁性材料を付着させて，強磁
性膜９７が形成される。これにより，上記セラミックス
回路基板を磁気センサとして用いることができる。
【０００４】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記セラミッ
クス基板９１の熱膨張係数は，グレーズ膜９２の熱膨張
係数よりも小さい。そのため，図１８に示すごとく，グ
レーズ膜焼成後の冷却時に，両者にストレスが加わる。
そのため，このセラミックス回路基板に熱衝撃を与える
と，グレーズ膜９２にクラック９８が発生することがあ
る。また，グレーズ膜９２の表面は，強磁性材料の膜厚
の均一性を維持するために，ある程度の表面平滑が必要
である。この表面平滑を得るためには，グレーズ膜９２
に十分な厚さがなければならない。
クス基板９１の熱膨張係数は，グレーズ膜９２の熱膨張
係数よりも小さい。そのため，図１８に示すごとく，グ
レーズ膜焼成後の冷却時に，両者にストレスが加わる。
そのため，このセラミックス回路基板に熱衝撃を与える
と，グレーズ膜９２にクラック９８が発生することがあ
る。また，グレーズ膜９２の表面は，強磁性材料の膜厚
の均一性を維持するために，ある程度の表面平滑が必要
である。この表面平滑を得るためには，グレーズ膜９２
に十分な厚さがなければならない。
【０００５】しかし，図１９に示すごとく，グレーズ膜
９２が厚くなると，グレーズ膜９２の表面に形成された
強磁性膜９７と導体回路９５との間に表層回路９９を形
成したとき，表層回路９９におけるグレーズ膜９２との
つなぎ部分で断線９９９が発生する。そのため，磁気検
出部としての強磁性膜９７の信号が，導体回路９５に接
続された外部端子９４へ伝達されない。本発明はかかる
従来の問題点に鑑み，耐熱衝撃性に優れ，かつ表層回路
の断線を防止することができるセラミックス回路基板の
製造方法を提供しようとするものである。
９２が厚くなると，グレーズ膜９２の表面に形成された
強磁性膜９７と導体回路９５との間に表層回路９９を形
成したとき，表層回路９９におけるグレーズ膜９２との
つなぎ部分で断線９９９が発生する。そのため，磁気検
出部としての強磁性膜９７の信号が，導体回路９５に接
続された外部端子９４へ伝達されない。本発明はかかる
従来の問題点に鑑み，耐熱衝撃性に優れ，かつ表層回路
の断線を防止することができるセラミックス回路基板の
製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題の解決手段】本願にかかる第一発明は，セラミッ
クス基板の表面にグレーズ膜を有するセラミックス回路
基板の製造方法において，セラミックスグリーンシート
の表面にグレーズ膜を形成し，その後上記セラミックス
グリーンシート及びグレーズ膜を同時焼成することを特
徴とするセラミックス回路基板の製造方法にある。
クス基板の表面にグレーズ膜を有するセラミックス回路
基板の製造方法において，セラミックスグリーンシート
の表面にグレーズ膜を形成し，その後上記セラミックス
グリーンシート及びグレーズ膜を同時焼成することを特
徴とするセラミックス回路基板の製造方法にある。
【０００７】第一発明において最も注目すべきことは，
セラミックスグリーンシート（焼成前の生成形シート）
とグレーズ膜とを同時焼成することである。上記セラミ
ックスグリーンシートは，セラミックス材料をバインダ
ー，可塑剤，溶剤等の混合剤と混練し，これをドクター
ブレード法等によりシート状に成形したものである。
セラミックスグリーンシート（焼成前の生成形シート）
とグレーズ膜とを同時焼成することである。上記セラミ
ックスグリーンシートは，セラミックス材料をバインダ
ー，可塑剤，溶剤等の混合剤と混練し，これをドクター
ブレード法等によりシート状に成形したものである。
【０００８】上記セラミックスグリーンシートとして
は，１０００℃以下の温度で焼結する低温焼結基板を用
いることができる。該低温焼結基板としては，ＣａＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 ─ＳｉＯ2 ─Ｂ2 Ｏ3 系ガラスにアルミナを
加えた材料等を用いる。
は，１０００℃以下の温度で焼結する低温焼結基板を用
いることができる。該低温焼結基板としては，ＣａＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 ─ＳｉＯ2 ─Ｂ2 Ｏ3 系ガラスにアルミナを
加えた材料等を用いる。
【０００９】上記セラミックスグリーンシートには，そ
の内部或いは表面に，グレーズ膜の他にも，多種多様の
回路パターンを形成することができる。上記グレーズ膜
としては，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス等の材
料を用いることができる。
の内部或いは表面に，グレーズ膜の他にも，多種多様の
回路パターンを形成することができる。上記グレーズ膜
としては，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス等の材
料を用いることができる。
【００１０】上記グレーズ膜の厚みは，１０〜５０μｍ
が好ましい。１０μｍ未満の場合には，グレーズ材料と
グリーンシート材料とが反応し，グレーズ膜の表面が粗
くなり，その表面に例えば強磁性膜を形成したときは，
強磁性膜が不均一となり，配線抵抗が一定にならない。
一方，５０μｍを越える場合には，グレーズ膜とセラミ
ックス基板との表面に表層回路を形成したとき，グレー
ズ膜の表面とセラミックス基板の表面との繋ぎ部分で，
上記表層回路に断線が発生することがある。上記グレー
ズ膜の表面に強磁性膜を形成する場合には，グレーズ膜
の表面粗さは，０．００１〜０．５００μｍＲａが好ま
しい。これにより，グレーズ膜上の強磁性膜の膜厚均一
性が向上する。
が好ましい。１０μｍ未満の場合には，グレーズ材料と
グリーンシート材料とが反応し，グレーズ膜の表面が粗
くなり，その表面に例えば強磁性膜を形成したときは，
強磁性膜が不均一となり，配線抵抗が一定にならない。
一方，５０μｍを越える場合には，グレーズ膜とセラミ
ックス基板との表面に表層回路を形成したとき，グレー
ズ膜の表面とセラミックス基板の表面との繋ぎ部分で，
上記表層回路に断線が発生することがある。上記グレー
ズ膜の表面に強磁性膜を形成する場合には，グレーズ膜
の表面粗さは，０．００１〜０．５００μｍＲａが好ま
しい。これにより，グレーズ膜上の強磁性膜の膜厚均一
性が向上する。
【００１１】本発明により得られたセラミックス回路基
板における，グレーズ膜の表面には，磁気検出用の強磁
性材料，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｔｉ又はその
合金等の薄膜が形成され，磁気センサ，薄膜付き回路基
板等として用いることができる。該薄膜の形成方法とし
ては，スパッタリング技術，蒸着技術等がある。
板における，グレーズ膜の表面には，磁気検出用の強磁
性材料，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｔｉ又はその
合金等の薄膜が形成され，磁気センサ，薄膜付き回路基
板等として用いることができる。該薄膜の形成方法とし
ては，スパッタリング技術，蒸着技術等がある。
【００１２】本願にかかる第二発明は，セラミックス基
板の表面にグレーズ膜を有するセラミックス回路基板の
製造方法において，セラミックスグリーンシートの表面
にグレーズ膜を形成して成形体を作成し，次いで該成形
体の表面を平行平板により加圧し，その後成形体を焼成
することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法
にある。
板の表面にグレーズ膜を有するセラミックス回路基板の
製造方法において，セラミックスグリーンシートの表面
にグレーズ膜を形成して成形体を作成し，次いで該成形
体の表面を平行平板により加圧し，その後成形体を焼成
することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法
にある。
【００１３】第二発明において最も注目すべきことは，
セラミックスグリーンシートとグレーズ膜とからなる成
形体を同時焼成する前に，該成形体を平行平板により加
圧することである。上記平行平板は，表面が平滑な板で
ある。上記平行平板による成形体への加圧は，１０〜１
００ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。その他は，上記第一発明
と同様である。
セラミックスグリーンシートとグレーズ膜とからなる成
形体を同時焼成する前に，該成形体を平行平板により加
圧することである。上記平行平板は，表面が平滑な板で
ある。上記平行平板による成形体への加圧は，１０〜１
００ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。その他は，上記第一発明
と同様である。
【００１４】
【作用及び効果】上記第一発明においては，セラミック
スグリーンシートとグレーズ膜とを同時焼成している。
このとき，グレーズ膜のガラス成分がセラミックス基板
内に拡散し，ガラス拡散層が形成される。該ガラス拡散
層は，セラミックス基板とグレーズ膜との中間の熱膨張
係数を有する。そのため，同時焼成後の冷却時にグレー
ズ膜に加わるストレスが減少する。このため，熱衝撃に
より，グレーズ膜にクラックが発生することなく，耐熱
衝撃に優れたセラミックス回路基板が得られる。
スグリーンシートとグレーズ膜とを同時焼成している。
このとき，グレーズ膜のガラス成分がセラミックス基板
内に拡散し，ガラス拡散層が形成される。該ガラス拡散
層は，セラミックス基板とグレーズ膜との中間の熱膨張
係数を有する。そのため，同時焼成後の冷却時にグレー
ズ膜に加わるストレスが減少する。このため，熱衝撃に
より，グレーズ膜にクラックが発生することなく，耐熱
衝撃に優れたセラミックス回路基板が得られる。
【００１５】また，上記第二発明においては，グレーズ
膜を形成したセラミックスグリーンシートは，平行平板
により加圧される。そのため，グレーズ膜がセラミック
スグリーンシートの内部に入り込む。それ故，これを焼
成した場合，セラミックス基板とグレーズ膜との間の表
面の段差が少ないセラミックス回路基板が得られる。
膜を形成したセラミックスグリーンシートは，平行平板
により加圧される。そのため，グレーズ膜がセラミック
スグリーンシートの内部に入り込む。それ故，これを焼
成した場合，セラミックス基板とグレーズ膜との間の表
面の段差が少ないセラミックス回路基板が得られる。
【００１６】従って，グレーズ膜とセラミックス回路基
板との表面に，表層回路を断線させることなく形成する
ことができる。その他，上記第一発明と同様の効果を有
する。以上のごとく，本発明によれば，耐熱衝撃性に優
れ，かつ表層回路の断線を防止することができるセラミ
ックス回路基板の製造方法を提供することができる。
板との表面に，表層回路を断線させることなく形成する
ことができる。その他，上記第一発明と同様の効果を有
する。以上のごとく，本発明によれば，耐熱衝撃性に優
れ，かつ表層回路の断線を防止することができるセラミ
ックス回路基板の製造方法を提供することができる。
【００１７】
【実施例】実施例１ 本発明にかかるセラミックス回路基板について，図１を
用いて説明する。本例のセラミックス回路基板１は，セ
ラミックス基板１０の表面にグレーズ膜２を有する。グ
レーズ膜２とセラミックス基板１０との間には，ガラス
拡散層３が形成されている。
用いて説明する。本例のセラミックス回路基板１は，セ
ラミックス基板１０の表面にグレーズ膜２を有する。グ
レーズ膜２とセラミックス基板１０との間には，ガラス
拡散層３が形成されている。
【００１８】上記セラミックス回路基板１を製造するに
当たっては，まず，ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3 ─ＳｉＯ2 ─Ｂ
2 Ｏ3 系ガラス６０重量％とアルミナ４０重量％とを混
合してなるセラミックス材料に，バインダー，可塑剤，
溶剤を加えて混練し，これをドクターブレード法により
成形し，厚さ０．３ｍｍのセラミックスグリーンシート
を得た。また，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスに
より，グレーズペーストを得た。
当たっては，まず，ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3 ─ＳｉＯ2 ─Ｂ
2 Ｏ3 系ガラス６０重量％とアルミナ４０重量％とを混
合してなるセラミックス材料に，バインダー，可塑剤，
溶剤を加えて混練し，これをドクターブレード法により
成形し，厚さ０．３ｍｍのセラミックスグリーンシート
を得た。また，ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスに
より，グレーズペーストを得た。
【００１９】次いで，このセラミックスグリーンシート
の表面に上記グレーズペーストを用いて厚さ４５μｍの
グレーズ膜を印刷形成し，成形体を得た。その後，上記
セラミックスグリーンシート及びグレーズ膜を９００℃
にて同時焼成する。このとき，グレーズ膜のガラス成分
がセラミックスグリーンシート内に拡散し，上記ガラス
拡散層３が形成される。これにより上記セラミックス回
路基板１を得る。
の表面に上記グレーズペーストを用いて厚さ４５μｍの
グレーズ膜を印刷形成し，成形体を得た。その後，上記
セラミックスグリーンシート及びグレーズ膜を９００℃
にて同時焼成する。このとき，グレーズ膜のガラス成分
がセラミックスグリーンシート内に拡散し，上記ガラス
拡散層３が形成される。これにより上記セラミックス回
路基板１を得る。
【００２０】上記セラミックス基板１０の熱膨張係数
は，５．５×１０-6／Ｋである。上記ガラス拡散層３の
熱膨張係数は，７．５×１０-6／Ｋである。上記グレー
ズ膜２の熱膨張係数は，９．５×１０-6／Ｋである。上
記グレーズ膜２の表面粗さは，０．０３μｍＲａであ
る。
は，５．５×１０-6／Ｋである。上記ガラス拡散層３の
熱膨張係数は，７．５×１０-6／Ｋである。上記グレー
ズ膜２の熱膨張係数は，９．５×１０-6／Ｋである。上
記グレーズ膜２の表面粗さは，０．０３μｍＲａであ
る。
【００２１】次に，本例の作用効果について説明する。
本例においては，セラミックスグリーンシートとグレー
ズ膜とを同時焼成する際に，両者の中間の熱膨張係数を
有するガラス拡散層３が形成される。そのため，同時焼
成後の冷却時にグレーズ膜２に加わるストレスが減少す
る。このため，グレーズ膜２にクラックが発生すること
を防止することができる。また，グレーズ膜２の表面は
平滑である。そのため，グレーズ膜２の表面に，磁気検
出用の強磁性膜を均一な膜厚とすることができ，磁気セ
ンサとして用いることができる。
本例においては，セラミックスグリーンシートとグレー
ズ膜とを同時焼成する際に，両者の中間の熱膨張係数を
有するガラス拡散層３が形成される。そのため，同時焼
成後の冷却時にグレーズ膜２に加わるストレスが減少す
る。このため，グレーズ膜２にクラックが発生すること
を防止することができる。また，グレーズ膜２の表面は
平滑である。そのため，グレーズ膜２の表面に，磁気検
出用の強磁性膜を均一な膜厚とすることができ，磁気セ
ンサとして用いることができる。
【００２２】実施例２ 本例のセラミックス回路基板は，図２に示すごとく，セ
ラミックス基板１０の上面側に，グレーズ膜２及び導体
回路５１を設けている。上記グレーズ膜２及び導体回路
５１は，セラミックス基板１０の内部に埋め込まれてい
る。そして，図３に示すごとく，グレーズ膜２とセラミ
ックス基板１０との段差Ｈは，４μｍである。また，グ
レーズ膜２とセラミックス基板１０との間には，ガラス
拡散層３が形成されている。上記グレーズ膜２は，４５
μｍの厚さであり，表面粗さは０．０３μｍＲａであ
る。
ラミックス基板１０の上面側に，グレーズ膜２及び導体
回路５１を設けている。上記グレーズ膜２及び導体回路
５１は，セラミックス基板１０の内部に埋め込まれてい
る。そして，図３に示すごとく，グレーズ膜２とセラミ
ックス基板１０との段差Ｈは，４μｍである。また，グ
レーズ膜２とセラミックス基板１０との間には，ガラス
拡散層３が形成されている。上記グレーズ膜２は，４５
μｍの厚さであり，表面粗さは０．０３μｍＲａであ
る。
【００２３】上記セラミックス回路基板１を製造するに
当たっては，まず，セラミックスグリーンシートの表面
にグレーズ膜２及び導体回路を印刷して成形体を作成す
る。次いで，図４に示すごとく，上記成形体１９を下型
用の平行平板４の上に載置する。次いで，成形体１９の
上面側に上型用の平行平板６を載置する。次に，成形体
１９の表面を平行平板４，６により加圧する。
当たっては，まず，セラミックスグリーンシートの表面
にグレーズ膜２及び導体回路を印刷して成形体を作成す
る。次いで，図４に示すごとく，上記成形体１９を下型
用の平行平板４の上に載置する。次いで，成形体１９の
上面側に上型用の平行平板６を載置する。次に，成形体
１９の表面を平行平板４，６により加圧する。
【００２４】このとき，グレーズ膜２がセラミックスグ
リーンシート１００の内部に入り込み，グレーズ膜２と
セラミックスグリーンシート１００との段差が少なくな
る。その後，該成形体を９００℃にて焼成する。このと
き，セラミックス基板１０内に，グレーズ膜中のガラス
成分が拡散し，ガラス拡散層３が形成される。これによ
り，セラミックス回路基板１が得られる。
リーンシート１００の内部に入り込み，グレーズ膜２と
セラミックスグリーンシート１００との段差が少なくな
る。その後，該成形体を９００℃にて焼成する。このと
き，セラミックス基板１０内に，グレーズ膜中のガラス
成分が拡散し，ガラス拡散層３が形成される。これによ
り，セラミックス回路基板１が得られる。
【００２５】上記製造方法により得られたセラミックス
回路基板１の表面付近の断面組織構造を，図６の顕微鏡
写真（倍率１０００倍）に示す。同図中，セラミックス
基板１０とセラミックスグリーンシート２との間に，グ
レーズ膜２中のガラス成分が拡散したガラス拡散層３が
見られる。その他は，上記実施例１と同様である。
回路基板１の表面付近の断面組織構造を，図６の顕微鏡
写真（倍率１０００倍）に示す。同図中，セラミックス
基板１０とセラミックスグリーンシート２との間に，グ
レーズ膜２中のガラス成分が拡散したガラス拡散層３が
見られる。その他は，上記実施例１と同様である。
【００２６】次に本例の作用効果について説明する。本
例においては，図４に示すごとく，グレーズ膜２を形成
したセラミックスグリーンシート１００は，平行平板
４，６により加圧される。このとき，グレーズ膜２がセ
ラミックスグリーンシート１００の内部に入り込む。そ
れ故，これを焼成した場合，表面の段差が少ないセラミ
ックス回路基板１が得られる。従って，図５に示すごと
く，セラミックス回路基板１の表面に薄膜の表層回路５
０を，断線させることなく形成することができる。その
他，実施例１と同様の効果を得ることができる。
例においては，図４に示すごとく，グレーズ膜２を形成
したセラミックスグリーンシート１００は，平行平板
４，６により加圧される。このとき，グレーズ膜２がセ
ラミックスグリーンシート１００の内部に入り込む。そ
れ故，これを焼成した場合，表面の段差が少ないセラミ
ックス回路基板１が得られる。従って，図５に示すごと
く，セラミックス回路基板１の表面に薄膜の表層回路５
０を，断線させることなく形成することができる。その
他，実施例１と同様の効果を得ることができる。
【００２７】実施例３ 本例のセラミックス回路基板は，図７に示すごとく，６
枚のセラミックス基板１１〜１６を積層した多層板Ａで
ある。最上層のセラミックス基板１１の表面には，グレ
ーズ膜２が設けられている。セラミックス基板１１とグ
レーズ膜２との間には，ガラス拡散層３が形成されてい
る。また，各セラミックス基板１１〜１６には，導体回
路５１及び導体５が充填されたビアホール１９が形成さ
れている。
枚のセラミックス基板１１〜１６を積層した多層板Ａで
ある。最上層のセラミックス基板１１の表面には，グレ
ーズ膜２が設けられている。セラミックス基板１１とグ
レーズ膜２との間には，ガラス拡散層３が形成されてい
る。また，各セラミックス基板１１〜１６には，導体回
路５１及び導体５が充填されたビアホール１９が形成さ
れている。
【００２８】上記多層板Ａを製造するに当たっては，ま
ず，図８に示すごとく，６枚のセラミックスグリーンシ
ート１１１〜１１６に導体回路５１及び導体５を充填し
たビアホール１９を形成する。次いで，これらのセラミ
ックスグリーンシートを積層し，平行平板を用いて熱圧
着する。次に，図９に示すごとく，最上層のセラミック
スグリーンシート１１１の表面にグレーズ膜２を印刷形
成する。その後，この積層体を９００℃にて同時焼成す
る。
ず，図８に示すごとく，６枚のセラミックスグリーンシ
ート１１１〜１１６に導体回路５１及び導体５を充填し
たビアホール１９を形成する。次いで，これらのセラミ
ックスグリーンシートを積層し，平行平板を用いて熱圧
着する。次に，図９に示すごとく，最上層のセラミック
スグリーンシート１１１の表面にグレーズ膜２を印刷形
成する。その後，この積層体を９００℃にて同時焼成す
る。
【００２９】このとき，上記セラミックスグリーンシー
ト１１１〜１１６が焼結し，図７に示すセラミックス基
板１１〜１６が得られるとともに，グレーズ膜２のガラ
ス成分がセラミックス基板１１内に拡散し，上記ガラス
拡散層３が形成される。これにより，上記多層板Ａが得
られる。その他は，実施例１と同様である。
ト１１１〜１１６が焼結し，図７に示すセラミックス基
板１１〜１６が得られるとともに，グレーズ膜２のガラ
ス成分がセラミックス基板１１内に拡散し，上記ガラス
拡散層３が形成される。これにより，上記多層板Ａが得
られる。その他は，実施例１と同様である。
【００３０】実施例４ 本例のセラミックス回路基板は，図１０に示すごとく，
６枚のセラミックス基板１１〜１６を積層した多層板Ｂ
である。最上層のセラミックス基板１１の表面には，グ
レーズ膜２を設けている。上記グレーズ膜２は，セラミ
ックス基板１１の内部に埋め込まれている。セラミック
ス基板１１とグレーズ膜２との間には，ガラス拡散層３
が形成されている。また，多層板Ｂの内部には，内層回
路５１及び導体５を充填したビアホール１９が形成され
ている。
６枚のセラミックス基板１１〜１６を積層した多層板Ｂ
である。最上層のセラミックス基板１１の表面には，グ
レーズ膜２を設けている。上記グレーズ膜２は，セラミ
ックス基板１１の内部に埋め込まれている。セラミック
ス基板１１とグレーズ膜２との間には，ガラス拡散層３
が形成されている。また，多層板Ｂの内部には，内層回
路５１及び導体５を充填したビアホール１９が形成され
ている。
【００３１】上記多層板Ｂを製造するに当たっては，ま
ず，図１１に示すごとく，６枚のセラミックスグリーン
シート１１１〜１１６に導体回路５１及び導体５を充填
したビアホール１９を形成する。また，最上層のセラミ
ックスグリーンシート１１１の上に，グレーズ膜２を印
刷形成する。次いで，上記セラミックスグリーンシート
１１１〜１１６を積層し，平行平板を用いて熱圧着す
る。
ず，図１１に示すごとく，６枚のセラミックスグリーン
シート１１１〜１１６に導体回路５１及び導体５を充填
したビアホール１９を形成する。また，最上層のセラミ
ックスグリーンシート１１１の上に，グレーズ膜２を印
刷形成する。次いで，上記セラミックスグリーンシート
１１１〜１１６を積層し，平行平板を用いて熱圧着す
る。
【００３２】このとき，図１２に示すごとく，グレーズ
膜２がセラミックスグリーンシート１１１の内部に入り
込む。その後，この圧着体を９００℃にて同時焼成する
と，セラミックス基板１１とグレーズ膜２との間にガラ
ス拡散層３が形成される。これにより，上記多層板Ｂが
得られる。その他は，実施例２と同様である。
膜２がセラミックスグリーンシート１１１の内部に入り
込む。その後，この圧着体を９００℃にて同時焼成する
と，セラミックス基板１１とグレーズ膜２との間にガラ
ス拡散層３が形成される。これにより，上記多層板Ｂが
得られる。その他は，実施例２と同様である。
【００３３】実施例５ 本例においては，本発明に関するセラミックス回路基板
（試料１〜試料４）について，熱サイクルによるグレー
ズ膜のクラック，表面粗さ，及び表層回路の断線の発生
について調査した。試料１は，図７に示した実施例３の
多層板Ａである。試料２〜４は，図１０に示した実施例
４の多層板Ｂについて，それぞれグレーズ膜の厚さ，及
びグレーズ膜とセラミックス基板との段差を種々に変え
たものである。
（試料１〜試料４）について，熱サイクルによるグレー
ズ膜のクラック，表面粗さ，及び表層回路の断線の発生
について調査した。試料１は，図７に示した実施例３の
多層板Ａである。試料２〜４は，図１０に示した実施例
４の多層板Ｂについて，それぞれグレーズ膜の厚さ，及
びグレーズ膜とセラミックス基板との段差を種々に変え
たものである。
【００３４】また，比較のために，図１３に示すごと
く，焼成後のセラミックス基板の表面に，厚さの異なる
グレーズ膜２を印刷形成したセラミックス回路基板の多
層板Ｃを作製した（試料５〜８）。上記試料１〜７のセ
ラミックス回路基板の表面には，フォトリソグラフィ技
術により，図１４に示すごとく，導体回路５１と表層回
路５０とを形成した。表層回路５０は，グレーズ膜２の
表面に形成された強磁性膜７及び導体回路５１に接触し
ている。
く，焼成後のセラミックス基板の表面に，厚さの異なる
グレーズ膜２を印刷形成したセラミックス回路基板の多
層板Ｃを作製した（試料５〜８）。上記試料１〜７のセ
ラミックス回路基板の表面には，フォトリソグラフィ技
術により，図１４に示すごとく，導体回路５１と表層回
路５０とを形成した。表層回路５０は，グレーズ膜２の
表面に形成された強磁性膜７及び導体回路５１に接触し
ている。
【００３５】上記調査結果を表１に示す。同表におい
て，「熱サイクルによるクラック」とは，２５〜２３０
℃の間で１０サイクルの温度変化を与えた場合の，グレ
ーズ膜のクラック発生率を測定した。「薄膜の断線」と
は，グレーズ膜の表面が粗いために起きる薄膜の強磁性
膜７の断線をいう。
て，「熱サイクルによるクラック」とは，２５〜２３０
℃の間で１０サイクルの温度変化を与えた場合の，グレ
ーズ膜のクラック発生率を測定した。「薄膜の断線」と
は，グレーズ膜の表面が粗いために起きる薄膜の強磁性
膜７の断線をいう。
【００３６】調査の結果，試料１〜４では，熱サイクル
テストによりグレーズ膜にクラックが発生しなかった。
これは，グレーズ膜とセラミックス基板との間に形成さ
れたガラス拡散層により，冷却時のグレーズ膜へのスト
レスが緩和されるためであると考えられる。
テストによりグレーズ膜にクラックが発生しなかった。
これは，グレーズ膜とセラミックス基板との間に形成さ
れたガラス拡散層により，冷却時のグレーズ膜へのスト
レスが緩和されるためであると考えられる。
【００３７】試料１では，図１５に示すごとく，グレー
ズ膜２とセラミックス基板１１との間にガラス拡散層３
が形成されたために，熱サイクルテストによりグレーズ
膜２にクラックが発生しなかった。一方，グレーズ膜と
セラミックス基板との間の段差が大きいために，グレー
ズ膜２と表層回路５０とのつなぎ部分で表層回路５０の
断線５０９が発生した。しかし，不良率（グレーズ膜の
クラック及び表層回路の断線）は６．１％（試料７）か
ら１．８％（試料１）へと大幅に減少した。
ズ膜２とセラミックス基板１１との間にガラス拡散層３
が形成されたために，熱サイクルテストによりグレーズ
膜２にクラックが発生しなかった。一方，グレーズ膜と
セラミックス基板との間の段差が大きいために，グレー
ズ膜２と表層回路５０とのつなぎ部分で表層回路５０の
断線５０９が発生した。しかし，不良率（グレーズ膜の
クラック及び表層回路の断線）は６．１％（試料７）か
ら１．８％（試料１）へと大幅に減少した。
【００３８】試料２〜４では，グレーズ膜と表層回路の
断線が発生しなかった。これは，図１６に示すごとく，
セラミックス基板１１とグレーズ膜２との段差Ｈが７μ
ｍ以下と少ないために，グレーズ膜２の傾斜部にも表層
回路が十分な厚みを保って付着したためであると考えら
れる。一方，試料５〜７では，グレーズ膜２のクラック
発生だけでなく，グレーズ膜２と表層回路５０との間で
断線も生じた。また，試料８は，グレーズ膜２の膜厚が
薄いために，その表面が粗く，グレーズ膜２の上に形成
された薄膜の強磁性膜７に断線が生じた。
断線が発生しなかった。これは，図１６に示すごとく，
セラミックス基板１１とグレーズ膜２との段差Ｈが７μ
ｍ以下と少ないために，グレーズ膜２の傾斜部にも表層
回路が十分な厚みを保って付着したためであると考えら
れる。一方，試料５〜７では，グレーズ膜２のクラック
発生だけでなく，グレーズ膜２と表層回路５０との間で
断線も生じた。また，試料８は，グレーズ膜２の膜厚が
薄いために，その表面が粗く，グレーズ膜２の上に形成
された薄膜の強磁性膜７に断線が生じた。
【００３９】
【表１】
【図１】実施例１のセラミックス回路基板の断面図。
【図２】実施例２のセラミックス回路基板の断面図。
【図３】実施例２のセラミックス回路基板の表面付近の
断面図。
断面図。
【図４】実施例２のセラミックス回路基板の製造方法を
示す説明図。
示す説明図。
【図５】実施例２における，表面に表層回路を形成した
セラミックス回路基板の断面図。
セラミックス回路基板の断面図。
【図６】実施例２のセラミックス回路基板の表面付近の
組織構造を示す断面顕微鏡写真（倍率５００倍）。
組織構造を示す断面顕微鏡写真（倍率５００倍）。
【図７】実施例３のセラミックス回路基板（積層板Ａ）
の断面図。
の断面図。
【図８】実施例３のセラミックス回路基板の製造方法を
示す説明図。
示す説明図。
【図９】図８に続く，製造工程説明図。
【図１０】実施例４のセラミックス回路基板（積層板
Ｂ）の断面図。
Ｂ）の断面図。
【図１１】実施例４のセラミックス回路基板の製造方法
を示す説明図。
を示す説明図。
【図１２】図１１に続く，製造工程説明図。
【図１３】実施例５における，試料５〜８のセラミック
ス回路基板（積層板Ｃ）の断面図。
ス回路基板（積層板Ｃ）の断面図。
【図１４】実施例５における，表面に表層回路を形成し
たセラミックス回路基板の平面図。
たセラミックス回路基板の平面図。
【図１５】実施例５における，試料１のセラミックス回
路基板の断面図。
路基板の断面図。
【図１６】実施例５における，試料２〜４のセラミック
ス回路基板の断面図。
ス回路基板の断面図。
【図１７】従来例のセラミックス回路基板の断面図。
【図１８】従来例の問題点を説明する説明図。
【図１９】従来例の他の問題点を説明する説明図。
１．．．セラミックス回路基板， １０〜１６．．．セラミックス基板， １００，１１１〜１１６．．．セラミックスグリーンシ
ート， ２．．．グレーズ膜， ３．．．ガラス拡散層， ４，６．．．平行平板， ５０．．．表層回路， ５１．．．導体回路， ７．．．強磁性膜，
ート， ２．．．グレーズ膜， ３．．．ガラス拡散層， ４，６．．．平行平板， ５０．．．表層回路， ５１．．．導体回路， ７．．．強磁性膜，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 6921−4Ｅ // Ｈ０１Ｌ 43/02 Ｚ
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックス基板の表面にグレーズ膜を
有するセラミックス回路基板の製造方法において， セラミックスグリーンシートの表面にグレーズ膜を形成
し，その後上記セラミックスグリーンシート及びグレー
ズ膜を同時焼成することを特徴とするセラミックス回路
基板の製造方法。 - 【請求項２】 セラミックス基板の表面にグレーズ膜を
有するセラミックス回路基板の製造方法において， セラミックスグリーンシートの表面にグレーズ膜を形成
して成形体を作成し，次いで該成形体の表面を平行平板
により加圧し，その後成形体を焼成することを特徴とす
るセラミックス回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１，又は２において，上記セラミ
ックスグリーンシートは，１０００℃以下で焼結する低
温焼結基板であることを特徴とするセラミックス回路基
板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１，又は２において，上記グレー
ズ膜は，１０００℃以下で焼結する材料であることを特
徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5185628A JPH0786708A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5185628A JPH0786708A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786708A true JPH0786708A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16174113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5185628A Pending JPH0786708A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | セラミックス回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786708A (ja) |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5185628A patent/JPH0786708A/ja active Pending
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