JPH0787352B2 - 電源投入スイツチ回路 - Google Patents
電源投入スイツチ回路Info
- Publication number
- JPH0787352B2 JPH0787352B2 JP58010375A JP1037583A JPH0787352B2 JP H0787352 B2 JPH0787352 B2 JP H0787352B2 JP 58010375 A JP58010375 A JP 58010375A JP 1037583 A JP1037583 A JP 1037583A JP H0787352 B2 JPH0787352 B2 JP H0787352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- power
- transistor
- turned
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H47/00—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
- H01H47/002—Monitoring or fail-safe circuits
Landscapes
- Keying Circuit Devices (AREA)
- Relay Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、機器の電源投入に用いられるスイツチ回路に
関するものである。
関するものである。
電子計算機等の電源投入スイツチは、パネルに設けた機
械式接点によるスイツチからキーボード等に配置される
半導体スイツチを使用する方式が増加している。しか
し、従来のこの種の半導体スイツチは、その出力がトラ
ンジスタのオープンコレクタであるため、故障等により
出力トランジスタのコレクタ−エミツタ間が短絡した場
合は、予期しないときに無条件で電源が投入されるとい
う欠点があつた。
械式接点によるスイツチからキーボード等に配置される
半導体スイツチを使用する方式が増加している。しか
し、従来のこの種の半導体スイツチは、その出力がトラ
ンジスタのオープンコレクタであるため、故障等により
出力トランジスタのコレクタ−エミツタ間が短絡した場
合は、予期しないときに無条件で電源が投入されるとい
う欠点があつた。
第1図は、このような従来のスイツチ回路の構成例を示
したもので、1は半導体スイツチ、5は電子装置に電源
を投入するパワーオン・シーケンス回路である。これの
動作は第2図に示す如くであつて、半導体スイツチ1を
オンすることにより、出力トランジスタTRのコレクタ出
力aの電位が高レベルHから低レベルLに変化して、パ
ワーオン指令が発生し、この結果、パワーオン・シーケ
ンス回路5が直ちに動作を開始して電子装置(図示せ
ず)に電源が投入される。その後、半導体スイツチ1は
オフに復旧して、出力トランジスタTRのコレクタ出力a
の電位は高レベルに戻るが、パワーオン・シーケンス回
路5はオンし続ける。かゝる構成であるため、半導体ス
イツチ1の故障、特に出力トランジスタTRのコレクタ出
力aが低レベルになる故障があると、予期しないときに
電源が投入されてしまう。
したもので、1は半導体スイツチ、5は電子装置に電源
を投入するパワーオン・シーケンス回路である。これの
動作は第2図に示す如くであつて、半導体スイツチ1を
オンすることにより、出力トランジスタTRのコレクタ出
力aの電位が高レベルHから低レベルLに変化して、パ
ワーオン指令が発生し、この結果、パワーオン・シーケ
ンス回路5が直ちに動作を開始して電子装置(図示せ
ず)に電源が投入される。その後、半導体スイツチ1は
オフに復旧して、出力トランジスタTRのコレクタ出力a
の電位は高レベルに戻るが、パワーオン・シーケンス回
路5はオンし続ける。かゝる構成であるため、半導体ス
イツチ1の故障、特に出力トランジスタTRのコレクタ出
力aが低レベルになる故障があると、予期しないときに
電源が投入されてしまう。
本発明の目的は、機器の電源投入を行うスイッチが故障
等によりオン状態になってもパワーオンの起動がなされ
ない、安全性の高い電源投入スイッチ回路を提供するこ
とにある。
等によりオン状態になってもパワーオンの起動がなされ
ない、安全性の高い電源投入スイッチ回路を提供するこ
とにある。
本発明の要点は、例えば第1図のような構成において、
半導体スイツチ1の出力が低レベルになつたことを検出
してプリセツトを行い、次に該半導体スイツチ1の出力
が高レベルに戻つたときに初めてパワーオン・シーケン
ス回路5にオン指令を出すようにした、いわゆるエツジ
トリガー回路を、半導体スイツチとパワーオン・シーケ
ンス回路の間に付加することにより、半導体スイツチ等
の故障で即座に起動がかゝることのない様にしたもので
ある。
半導体スイツチ1の出力が低レベルになつたことを検出
してプリセツトを行い、次に該半導体スイツチ1の出力
が高レベルに戻つたときに初めてパワーオン・シーケン
ス回路5にオン指令を出すようにした、いわゆるエツジ
トリガー回路を、半導体スイツチとパワーオン・シーケ
ンス回路の間に付加することにより、半導体スイツチ等
の故障で即座に起動がかゝることのない様にしたもので
ある。
第3図は本発明の一実施例の構成図を示す。図中、機器
の電源投入用の半導体スイッチ1とパワーオン・シーケ
ンス回路5は第1図と同様である。2はプリセツト回路
であり、通常はオフ状態で、半導体スイツチ1がオンに
なるとオンして、該半導体スイツチ1がオフに戻つても
オンし続ける自己保持回路を有する。3はプリリセツト
回路であり、通常はオン状態で、半導体スイツチ1がオ
ンになるとオフして、該半導体スイツチ1がオフに戻る
とオンに復旧する。4はパワーオン指令回路であり、前
記プリセット回路2とプリリセット回路3が供にオン状
態になるとパワーオン指令を出す回路である。
の電源投入用の半導体スイッチ1とパワーオン・シーケ
ンス回路5は第1図と同様である。2はプリセツト回路
であり、通常はオフ状態で、半導体スイツチ1がオンに
なるとオンして、該半導体スイツチ1がオフに戻つても
オンし続ける自己保持回路を有する。3はプリリセツト
回路であり、通常はオン状態で、半導体スイツチ1がオ
ンになるとオフして、該半導体スイツチ1がオフに戻る
とオンに復旧する。4はパワーオン指令回路であり、前
記プリセット回路2とプリリセット回路3が供にオン状
態になるとパワーオン指令を出す回路である。
以下、第3図の動作を第4図に示すタイムチヤートに従
い説明する。半導体スイツチ1がオフである初期の状態
では、その出力トランジスタTRのコレクタ出力aは高レ
ベルであり、プリセツト回路2のリレーK1もオフであ
る。一方、プリリセツト回路3のリレーK2は抵抗R1を介
して電流が流れオンしている。このときパワーオン指令
回路4におけるリレーK1の接点k1−2はオフ、リレーK2
の接点k2−1はオンで、パワーオン指令が出ない。
い説明する。半導体スイツチ1がオフである初期の状態
では、その出力トランジスタTRのコレクタ出力aは高レ
ベルであり、プリセツト回路2のリレーK1もオフであ
る。一方、プリリセツト回路3のリレーK2は抵抗R1を介
して電流が流れオンしている。このときパワーオン指令
回路4におけるリレーK1の接点k1−2はオフ、リレーK2
の接点k2−1はオンで、パワーオン指令が出ない。
次に半導体スイツチ1をオンにすると、その出力aが低
レベルになり、プリセツト回路2のリレーK1にはダイオ
ードD1を介して電流が流れ、該リレーK1がオンする。リ
レーK1がオンすると、その接点であるk1−1が閉路し、
リレーK1は自己保持状態となる。一方、プリリセツト回
路3では、抵抗R1を介して流れる電流が半導体スイツチ
1の出力トランジスタTRに流れるようになり、リレーK2
はオフとなる。このときパワーオン指令回路4の接点k1
−2はオン、k2−1はオフにそれぞれ反転して、まだパ
ワーオン指令は出ない。
レベルになり、プリセツト回路2のリレーK1にはダイオ
ードD1を介して電流が流れ、該リレーK1がオンする。リ
レーK1がオンすると、その接点であるk1−1が閉路し、
リレーK1は自己保持状態となる。一方、プリリセツト回
路3では、抵抗R1を介して流れる電流が半導体スイツチ
1の出力トランジスタTRに流れるようになり、リレーK2
はオフとなる。このときパワーオン指令回路4の接点k1
−2はオン、k2−1はオフにそれぞれ反転して、まだパ
ワーオン指令は出ない。
次に半導体スイツチ1がオフに戻ると、プリセツト回路
2のリレーK1は、自己接点k1−1がオンで自己保持状態
のため変化しない。またプリリセツト回路3の抵抗R1を
介して流れる電流は、半導体スイツチ1がオフになつた
ことにより再びリレーK2に流れ、該リレーK2をオンにす
る。この結果、パワーオン指令回路4の接点k1−2とk2
−1の両方の接点が閉路して、パワーオン・シーケンス
回路5にパワーオン指令が出て、図示しない電子装置が
起動される。パワーオフのときは、接点k3−1を開路す
ることにより初期状態に戻る。
2のリレーK1は、自己接点k1−1がオンで自己保持状態
のため変化しない。またプリリセツト回路3の抵抗R1を
介して流れる電流は、半導体スイツチ1がオフになつた
ことにより再びリレーK2に流れ、該リレーK2をオンにす
る。この結果、パワーオン指令回路4の接点k1−2とk2
−1の両方の接点が閉路して、パワーオン・シーケンス
回路5にパワーオン指令が出て、図示しない電子装置が
起動される。パワーオフのときは、接点k3−1を開路す
ることにより初期状態に戻る。
このように、第3図の構成によれば、半導体スイツチ1
の故障により、その出力トランジスタTRが低レベルにな
つたとしても、パワーオン起動されることがなくなる。
の故障により、その出力トランジスタTRが低レベルにな
つたとしても、パワーオン起動されることがなくなる。
なお、本発明は図面に示した実施例だけに限定されるも
のではなく、種々の応用が考えられる。例えば、パワー
オン指令回路4を図示のものに代つて、k1−2とk2−1
の接点をブレーク接点を用いて並列に接続ならしめ、両
方の接点が開いたときにパワーオン・シーケンス回路5
が起動するようにしても構わない。
のではなく、種々の応用が考えられる。例えば、パワー
オン指令回路4を図示のものに代つて、k1−2とk2−1
の接点をブレーク接点を用いて並列に接続ならしめ、両
方の接点が開いたときにパワーオン・シーケンス回路5
が起動するようにしても構わない。
第3図では、プリセツト回路2やプリリセツト回路3に
機械的リレーK1,K2を用いるとしたが、半導体素子で構
成した回路により同様の機能を達成することも可能であ
る。
機械的リレーK1,K2を用いるとしたが、半導体素子で構
成した回路により同様の機能を達成することも可能であ
る。
第5図はプリセツト回路2及びプリリセツト回路3を半
導体素子で構成した本発明の他の実施例を示す。第5図
において、電源Vccが印加されると、抵抗R9、抵抗R8を
介してコンデンサC1が充電される。半導体スイツチ1が
オフの初期状態では、プリセツト回路2はオフで、その
トランジスタQ5はオフである。一方、プリリセツト回路
3は、電源Vccが抵抗R12を介してトランジスタQ6のベー
ス電圧を高レベルにするため、該トランジスタQ6をオン
に反転できる状態にあるが、プリセツト回路2のトラン
ジスタQ5がオフのため、該トランジスタQ6はオンしな
い。この状態で、半導体スイツチ1をオンにすると、ト
ランジスタTRのコレクタ出力aの電位が高レベルから低
レベルに変化して、プリセツト回路2のトランジスタQ3
がオンとなり、トランジスタQ3のコレクタ出力の電位が
高レベルから低レベルに変化してトランジスタQ4がオン
する。トランジスタQ4のコレクタ、エミツタ間が導通す
ると、トランジスタQ3とトランジスタQ4の相互作用によ
り、両方のトランジスタがオンになりラツチ回路が形成
される。またトランジスタQ3がオンすると、コンデンサ
C1は抵抗R8を介して放電される。コンデンサC1と抵抗R8
の時定数により遅延回路が形成され、トランジスタQ5の
ベース電位は遅延回路分だけ遅れて低レベルになるが、
該遅延回路で遅れている間にトランジスタQ7がいち早く
オンして、トランジスタQ6のベース電位が低レベルなる
ため、トランジスタQ6はオフになる。この結果、パワー
オン・シーケンス回路5はまだオン起動されない。
導体素子で構成した本発明の他の実施例を示す。第5図
において、電源Vccが印加されると、抵抗R9、抵抗R8を
介してコンデンサC1が充電される。半導体スイツチ1が
オフの初期状態では、プリセツト回路2はオフで、その
トランジスタQ5はオフである。一方、プリリセツト回路
3は、電源Vccが抵抗R12を介してトランジスタQ6のベー
ス電圧を高レベルにするため、該トランジスタQ6をオン
に反転できる状態にあるが、プリセツト回路2のトラン
ジスタQ5がオフのため、該トランジスタQ6はオンしな
い。この状態で、半導体スイツチ1をオンにすると、ト
ランジスタTRのコレクタ出力aの電位が高レベルから低
レベルに変化して、プリセツト回路2のトランジスタQ3
がオンとなり、トランジスタQ3のコレクタ出力の電位が
高レベルから低レベルに変化してトランジスタQ4がオン
する。トランジスタQ4のコレクタ、エミツタ間が導通す
ると、トランジスタQ3とトランジスタQ4の相互作用によ
り、両方のトランジスタがオンになりラツチ回路が形成
される。またトランジスタQ3がオンすると、コンデンサ
C1は抵抗R8を介して放電される。コンデンサC1と抵抗R8
の時定数により遅延回路が形成され、トランジスタQ5の
ベース電位は遅延回路分だけ遅れて低レベルになるが、
該遅延回路で遅れている間にトランジスタQ7がいち早く
オンして、トランジスタQ6のベース電位が低レベルなる
ため、トランジスタQ6はオフになる。この結果、パワー
オン・シーケンス回路5はまだオン起動されない。
次に半導体スイツチ1をオフに戻すと、出力トランジス
タTRのコレクタ出力は低レベルから高レベルに変化す
る。ここで、プリセツト回路2は、前記ラツチ回路によ
りオンの状態を保持するが、トランジスタQ7のエミツタ
出力は高レベルになり、トランジスタQ7のコレクタ、エ
ミツタ間は非導通状態になる。これによりトランジスタ
Q6のベース電位が高レベルになり、トランジスタQ6のコ
レクタ、エミツタ間が導通しオンになる。トランジスタ
Q6がオンになると、トランジスタQ5のベース電位はすで
に低レベルになつているので、トランジスタQ5のエミツ
タ、コレクタ間も導通して、トランジスタQ3はすでにオ
ンしているので、トランジスタQ6のコレクタ電位は低レ
ベルになり、パワーオン・シーケンス回路5が起動され
る。
タTRのコレクタ出力は低レベルから高レベルに変化す
る。ここで、プリセツト回路2は、前記ラツチ回路によ
りオンの状態を保持するが、トランジスタQ7のエミツタ
出力は高レベルになり、トランジスタQ7のコレクタ、エ
ミツタ間は非導通状態になる。これによりトランジスタ
Q6のベース電位が高レベルになり、トランジスタQ6のコ
レクタ、エミツタ間が導通しオンになる。トランジスタ
Q6がオンになると、トランジスタQ5のベース電位はすで
に低レベルになつているので、トランジスタQ5のエミツ
タ、コレクタ間も導通して、トランジスタQ3はすでにオ
ンしているので、トランジスタQ6のコレクタ電位は低レ
ベルになり、パワーオン・シーケンス回路5が起動され
る。
第5図に示すプリセツト回路2は本実施例に示すものに
限定されるものではなく、フリツプフロツプ、サイリス
タ等で構成してもよい。
限定されるものではなく、フリツプフロツプ、サイリス
タ等で構成してもよい。
第6図はプリセツト回路2及びプリリセツト回路3を半
導体素子で構成した本発明の他の実施例であり、第5図
との構成要素の違いは、トランジスタQ5のベースとコレ
クタ出力の駆動にそれぞれ半導体スイツチ1でオンする
ラツチ回路を設けていることである。第6図において、
トランジスタQ8は、トランジスタQ4およびトランジスタ
Q3のコレクタ、エミツタ間が短絡故障したことを検出
し、また、トランジスタQ9も同様にトランジスタQ5のコ
レクタ、エミツタ間が短絡故障したことを検出して、い
ずれの場合も、トランジスタQ6のベースを低レベルにし
て、予期しないときにパワーオン・シーケンス回路5が
駆動されないようにしたものである。
導体素子で構成した本発明の他の実施例であり、第5図
との構成要素の違いは、トランジスタQ5のベースとコレ
クタ出力の駆動にそれぞれ半導体スイツチ1でオンする
ラツチ回路を設けていることである。第6図において、
トランジスタQ8は、トランジスタQ4およびトランジスタ
Q3のコレクタ、エミツタ間が短絡故障したことを検出
し、また、トランジスタQ9も同様にトランジスタQ5のコ
レクタ、エミツタ間が短絡故障したことを検出して、い
ずれの場合も、トランジスタQ6のベースを低レベルにし
て、予期しないときにパワーオン・シーケンス回路5が
駆動されないようにしたものである。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、スイッ
チをオンし、その後、オフに戻した時、はじめて電源投
入信号が出るため、短絡等の故障によりスイッチがオン
状態になっても、誤つて機器が動作を開始するというこ
とが防止され、安全性の高いスイツチ回路を提供するこ
とができる。
チをオンし、その後、オフに戻した時、はじめて電源投
入信号が出るため、短絡等の故障によりスイッチがオン
状態になっても、誤つて機器が動作を開始するというこ
とが防止され、安全性の高いスイツチ回路を提供するこ
とができる。
第1図は従来のスイツチ回路の構成例を示す図、第2図
は第1図の動作を説明するためのタイミング図、第3図
は本発明の一実施例を示す図、第4図は第3図の動作を
説明するためのタイミング図、第5図及び第6図は本発
明の他の実施例を示す図である。 1……半導体スイツチ、2……プリセツト回路、3……
プリリセツト回路、4……パワーオン指令回路、5……
パワーオン・シーケンス回路。
は第1図の動作を説明するためのタイミング図、第3図
は本発明の一実施例を示す図、第4図は第3図の動作を
説明するためのタイミング図、第5図及び第6図は本発
明の他の実施例を示す図である。 1……半導体スイツチ、2……プリセツト回路、3……
プリリセツト回路、4……パワーオン指令回路、5……
パワーオン・シーケンス回路。
Claims (1)
- 【請求項1】機器の電源投入を行うためのスイッチと、 前記スイッチがオフ状態のときリセット状態にあり、前
記スイッチがオンするとセットされ、その後、前記スイ
ッチがオフしてもセット状態を保持し続けるプリセット
回路と、 前記スイッチがオフ状態のときセット状態にあり、前記
スイッチがオンするとリセット状態をとり、その後、前
記スイッチがオフするとセット状態に戻るプリリセット
回路と、 前記スイッチが一旦オンしてからオフに戻り、前記プリ
セット回路と前記プリリセット回路が共にセット状態に
なったとき電源投入信号を出し、機器を始動する指令回
路と、 からなることを特徴とする電源投入スイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58010375A JPH0787352B2 (ja) | 1983-01-25 | 1983-01-25 | 電源投入スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58010375A JPH0787352B2 (ja) | 1983-01-25 | 1983-01-25 | 電源投入スイツチ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135928A JPS59135928A (ja) | 1984-08-04 |
| JPH0787352B2 true JPH0787352B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=11748384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58010375A Expired - Lifetime JPH0787352B2 (ja) | 1983-01-25 | 1983-01-25 | 電源投入スイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787352B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583147A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Toshiba Corp | フアンクシヨン切換装置 |
-
1983
- 1983-01-25 JP JP58010375A patent/JPH0787352B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59135928A (ja) | 1984-08-04 |
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