JPH079384Y2 - 半導体変換装置 - Google Patents
半導体変換装置Info
- Publication number
- JPH079384Y2 JPH079384Y2 JP5989788U JP5989788U JPH079384Y2 JP H079384 Y2 JPH079384 Y2 JP H079384Y2 JP 5989788 U JP5989788 U JP 5989788U JP 5989788 U JP5989788 U JP 5989788U JP H079384 Y2 JPH079384 Y2 JP H079384Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaft
- peripheral surface
- inner peripheral
- conversion device
- insulating tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔考案の目的〕 （産業上の利用分野） 本考案は半導体素子とこの半導体素子を冷却するための
冷却フィンを組合わせた半導体変換装置に関する。
冷却フィンを組合わせた半導体変換装置に関する。
（従来の技術） 従来、半導体変換装置は複数個の平形のサイリスタやGT
O等を冷却フィンと交互に重ね合せて電力容量を大きく
している。この一例としては第４図および第５図に示す
半導体変換装置１がある。この半導体変換装置１のうち
の装置本体２はサイリスタやGTO等の４個の半導体素子
３を５個の冷却フィン４と交互に重ね合せたものであ
る。このように重ね合わされた装置本体２のうち、両端
の冷却フィン４の外側には絶縁碍子5a、5bが隣接してい
る。一方の絶縁碍子5aの外側面は一方の取付板6aに当接
しており、他方の絶縁碍子5bの外側面の中心部は加圧板
７に固着された円錐座８に当接している。加圧板７は皿
ばね９を介して他方の取付板6bに隣り合っている。ま
た、装置本体２の軸線を挟んで、それぞれの冷却フィン
４の両側部には貫通孔10が形成されており、この貫通孔
10には締付部材11が挿入されている。この締付部材11は
絶縁管12の内周面にシャフト13が接触状態で挿入された
ものである。このシャフト13の一端は頭部14となってお
り、他端にはねじが形成されている。このシャフト13を
一方の取付板6aから他方の取付板6bの外側に突き出し、
このシャフト13他端をナット15によってねじ締めする。
このねじ締めによって半導体素子３と冷却フィン４は円
錐座８と一方の取付板6aとの間の圧力を受けて組み付け
られる。この時、皿ばね９は半導体素子３と冷却フィン
４が所定の圧力を受けるように圧力調節の作用をし、ま
た、半導体素子３と冷却ファン４の伸縮に応じて圧力を
吸収する作用をする。このような半導体変換装置１は第
４図に矢印Ｂ−Ｂで表わした第５図の断面図に示すよう
に、冷却フィン４の貫通孔10の内周面とシャフト13の外
周面との間には、空気16と絶縁管12との二種類の媒質が
介在した状態となっている。即ち、冷却フィン４とシャ
フト13との間の絶縁は空気16による絶縁と絶縁管12によ
る絶縁とによってなるものである。
O等を冷却フィンと交互に重ね合せて電力容量を大きく
している。この一例としては第４図および第５図に示す
半導体変換装置１がある。この半導体変換装置１のうち
の装置本体２はサイリスタやGTO等の４個の半導体素子
３を５個の冷却フィン４と交互に重ね合せたものであ
る。このように重ね合わされた装置本体２のうち、両端
の冷却フィン４の外側には絶縁碍子5a、5bが隣接してい
る。一方の絶縁碍子5aの外側面は一方の取付板6aに当接
しており、他方の絶縁碍子5bの外側面の中心部は加圧板
７に固着された円錐座８に当接している。加圧板７は皿
ばね９を介して他方の取付板6bに隣り合っている。ま
た、装置本体２の軸線を挟んで、それぞれの冷却フィン
４の両側部には貫通孔10が形成されており、この貫通孔
10には締付部材11が挿入されている。この締付部材11は
絶縁管12の内周面にシャフト13が接触状態で挿入された
ものである。このシャフト13の一端は頭部14となってお
り、他端にはねじが形成されている。このシャフト13を
一方の取付板6aから他方の取付板6bの外側に突き出し、
このシャフト13他端をナット15によってねじ締めする。
このねじ締めによって半導体素子３と冷却フィン４は円
錐座８と一方の取付板6aとの間の圧力を受けて組み付け
られる。この時、皿ばね９は半導体素子３と冷却フィン
４が所定の圧力を受けるように圧力調節の作用をし、ま
た、半導体素子３と冷却ファン４の伸縮に応じて圧力を
吸収する作用をする。このような半導体変換装置１は第
４図に矢印Ｂ−Ｂで表わした第５図の断面図に示すよう
に、冷却フィン４の貫通孔10の内周面とシャフト13の外
周面との間には、空気16と絶縁管12との二種類の媒質が
介在した状態となっている。即ち、冷却フィン４とシャ
フト13との間の絶縁は空気16による絶縁と絶縁管12によ
る絶縁とによってなるものである。
シャフト13と絶縁管12のそれぞれの表面の電界強度は第
５図に示すようにシャフト13の半径r1、絶縁管12の半径
r2、冷却フィン４の貫通孔10の半径r3、空気の誘電率ε
1、絶縁管12の誘電率ε2の関数として求められる。今、
シャフト13の直径を８〜16mm、絶縁管12の誘電率を４〜
５とすれば、シャフト13の表面の電界強度が最も高く、
その電界強度Ｅは次の式によって求められる。
５図に示すようにシャフト13の半径r1、絶縁管12の半径
r2、冷却フィン４の貫通孔10の半径r3、空気の誘電率ε
1、絶縁管12の誘電率ε2の関数として求められる。今、
シャフト13の直径を８〜16mm、絶縁管12の誘電率を４〜
５とすれば、シャフト13の表面の電界強度が最も高く、
その電界強度Ｅは次の式によって求められる。
Ｅ＝V/｛（1/ε1lur2／r1）＋（1/ε2lur3／r2）｝ε1r
1 一般に絶縁物の絶縁耐力は空気よりも大きいが、冷却フ
ィン４の貫通孔10と絶縁管12との間隔G1が小さい場合
は、上式の電界強度Ｅが30kv/cm程度になると、空気16
だけが部分的に破壊されてコロナ放電を生ずる。このよ
うにコロナ放電を生ずると絶縁管12は影響を受けて劣化
することが考えられる。
1 一般に絶縁物の絶縁耐力は空気よりも大きいが、冷却フ
ィン４の貫通孔10と絶縁管12との間隔G1が小さい場合
は、上式の電界強度Ｅが30kv/cm程度になると、空気16
だけが部分的に破壊されてコロナ放電を生ずる。このよ
うにコロナ放電を生ずると絶縁管12は影響を受けて劣化
することが考えられる。
しかし、上記のような構成の半導体変換装置１はコロナ
放電の発生を防止するために、冷却フィン４の貫通孔10
の径およびシャフト13の径を所定の値に設定している。
また、半導体変換装置１を組み立てるときは、貫通孔10
とシャフト13が偏心しないように、治工具を用いて絶縁
管12の外周面と貫通孔10の内周面との間隔G1、および、
貫通孔10の内周面とシャフト13の外周面との間隔G2を一
定に保つようにしている （考案が解決しょうとする課題） しかしながら上記した従来の半導体変換装置１の構成で
は、治工具を使用しても冷却フィン４の貫通孔10の内周
面と絶縁管12の外周面との間隔G1を一定に保つように組
み立てることは非常に難しく、半導体素子３の交換のと
きはナット15を緩めるので貫通孔10とシャフト13は偏心
してしまい、シャフト13が貫通孔10の内周面に接触して
しまう可能性がある。この接触を避けるための調整作業
時間の浪費は大きく、また、半導体変換装置１が制御盤
に取付けられた状態で半導体素子３の交換を行うと、貫
通孔10の内周面と絶縁管12の外周面との間隔G1を確認す
ることができい。
放電の発生を防止するために、冷却フィン４の貫通孔10
の径およびシャフト13の径を所定の値に設定している。
また、半導体変換装置１を組み立てるときは、貫通孔10
とシャフト13が偏心しないように、治工具を用いて絶縁
管12の外周面と貫通孔10の内周面との間隔G1、および、
貫通孔10の内周面とシャフト13の外周面との間隔G2を一
定に保つようにしている （考案が解決しょうとする課題） しかしながら上記した従来の半導体変換装置１の構成で
は、治工具を使用しても冷却フィン４の貫通孔10の内周
面と絶縁管12の外周面との間隔G1を一定に保つように組
み立てることは非常に難しく、半導体素子３の交換のと
きはナット15を緩めるので貫通孔10とシャフト13は偏心
してしまい、シャフト13が貫通孔10の内周面に接触して
しまう可能性がある。この接触を避けるための調整作業
時間の浪費は大きく、また、半導体変換装置１が制御盤
に取付けられた状態で半導体素子３の交換を行うと、貫
通孔10の内周面と絶縁管12の外周面との間隔G1を確認す
ることができい。
本考案は上記課題を解決するためになされたものであっ
て、冷却フィンの貫通孔の内周面と締付部材の外周面と
の間隔を常に、かつ正確に保つことができ、また、組み
立てが容易な半導体変換装置を提供することを目的とす
る。
て、冷却フィンの貫通孔の内周面と締付部材の外周面と
の間隔を常に、かつ正確に保つことができ、また、組み
立てが容易な半導体変換装置を提供することを目的とす
る。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために本考案は、平形半導体素子と
この半導体素子を冷却する冷却フィンとを交互に重ね合
せた装置本体を形成し、この装置本体の一端から絶縁管
にシャフトを挿入した締付部材をそれぞれの冷却フィン
に形成された貫通孔を通して装置本体の他端に突き出さ
せ、締付部材によって装置本体を締付けてなる半導体変
換装置において、締付部材は、それぞれの冷却フィンに
形成された貫通孔の内周面に接触した状態で挿入された
絶縁管と、この絶縁管内に挿入されたシャフトと、この
シャフトの外周面と絶縁管の内周面との間で、かつシャ
フトの軸方向に適当な間隔をもった少なくとも二箇所に
配置され、シャフトの外周面と絶縁管の内周面との間を
等間隔に保つスペーサとを備えてなるものである。
この半導体素子を冷却する冷却フィンとを交互に重ね合
せた装置本体を形成し、この装置本体の一端から絶縁管
にシャフトを挿入した締付部材をそれぞれの冷却フィン
に形成された貫通孔を通して装置本体の他端に突き出さ
せ、締付部材によって装置本体を締付けてなる半導体変
換装置において、締付部材は、それぞれの冷却フィンに
形成された貫通孔の内周面に接触した状態で挿入された
絶縁管と、この絶縁管内に挿入されたシャフトと、この
シャフトの外周面と絶縁管の内周面との間で、かつシャ
フトの軸方向に適当な間隔をもった少なくとも二箇所に
配置され、シャフトの外周面と絶縁管の内周面との間を
等間隔に保つスペーサとを備えてなるものである。
（作用） 上記のような構成の半導体変換装置の締付部材は、それ
ぞれの冷却フィンの貫通孔に挿入された絶縁管内にシャ
フトを挿入し、このシャフトの軸方向で、かつシャフト
と絶縁管との間の少なくとも二箇所にスペーサを配置し
てシャフトの外周面と絶縁管の内周面との間を等間隔に
保つ。
ぞれの冷却フィンの貫通孔に挿入された絶縁管内にシャ
フトを挿入し、このシャフトの軸方向で、かつシャフト
と絶縁管との間の少なくとも二箇所にスペーサを配置し
てシャフトの外周面と絶縁管の内周面との間を等間隔に
保つ。
（実施例） 以下に本考案の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本考案の半導体変換装置に使用される締付部材の一
実施例を示している。この締付部材は第４図に矢印Ａ−
Ａによって示す拡大断面図であり、本考案は従来の技術
の項で説明した第４図を併用する。なお、本考案の半導
体変換装置は第４図および第５図に基づいて従来の技術
の項で説明したものと同じ構成を有するので、その構成
には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図は本考案の半導体変換装置に使用される締付部材の一
実施例を示している。この締付部材は第４図に矢印Ａ−
Ａによって示す拡大断面図であり、本考案は従来の技術
の項で説明した第４図を併用する。なお、本考案の半導
体変換装置は第４図および第５図に基づいて従来の技術
の項で説明したものと同じ構成を有するので、その構成
には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
第１図に示す締付部材11について説明すると、まず、締
付部材11は絶縁管12の内部に絶縁管12の内径よりも小さ
い径のシャフト13が挿入されたものである。絶縁管12は
冷却フィン４に形成された貫通孔10の内径に近い外径寸
法であり、それぞれの貫通孔４の内周面に接触状態で挿
入されている。絶縁管12は一方の取付板6aの内側から他
方の取付板6bの内側までの長さである。この絶縁管12の
内部に挿入されたシャフト13の一端には頭部14が形成さ
れており、他端にはねじが形成されている。このような
シャフト13が一方の取付板6aから、それぞれの貫通孔10
に挿入された絶縁管12の内部を通り、他方の取付板6bの
外側に突き出ている。絶縁管12に挿入されたシャフト13
のうちの一方の絶縁碍子5aと他方の絶縁碍子5bに隣り合
った部分、即ち、装置本体２の両端に配置された冷却フ
ィン４と一方の取付板6aとの間、および加圧板７との間
のシャフト13の部分には、第２図に示すようにスペーサ
リング17が取り付けられている。このスペーサリング17
は冷却フィン４とシャフト13の間において、シャフト13
の表面の電界強度が高くなるのを避ける位置に配されて
いる。スペーサリング17はプラスチック材料によってな
るものであり、シャフト13に形成された溝18に装着され
る。このように装着されたスペーサリング17は絶縁管12
の内周面に対して弾力性を持つものであり、シャフト13
の外周面と絶縁管12の内周面との間を等間隔に保つ。ま
た、半導体素子３を交換するときはシャフト13のねじを
緩めて行い、交換後、シャフト13をねじ締めしてもシャ
フト13の外周面と絶縁管12の内周面との間隔は変わるこ
とはない。さらに、冷却フィン４を交換するときは締付
部材11をそれぞれの冷却フィン４の貫通孔10から引き抜
き、交換後に再度、締付部材11を貫通孔10に挿入し、そ
して、締付けてもシャフト13の外周面と絶縁管12の内周
面との間隔は変わることはない。
付部材11は絶縁管12の内部に絶縁管12の内径よりも小さ
い径のシャフト13が挿入されたものである。絶縁管12は
冷却フィン４に形成された貫通孔10の内径に近い外径寸
法であり、それぞれの貫通孔４の内周面に接触状態で挿
入されている。絶縁管12は一方の取付板6aの内側から他
方の取付板6bの内側までの長さである。この絶縁管12の
内部に挿入されたシャフト13の一端には頭部14が形成さ
れており、他端にはねじが形成されている。このような
シャフト13が一方の取付板6aから、それぞれの貫通孔10
に挿入された絶縁管12の内部を通り、他方の取付板6bの
外側に突き出ている。絶縁管12に挿入されたシャフト13
のうちの一方の絶縁碍子5aと他方の絶縁碍子5bに隣り合
った部分、即ち、装置本体２の両端に配置された冷却フ
ィン４と一方の取付板6aとの間、および加圧板７との間
のシャフト13の部分には、第２図に示すようにスペーサ
リング17が取り付けられている。このスペーサリング17
は冷却フィン４とシャフト13の間において、シャフト13
の表面の電界強度が高くなるのを避ける位置に配されて
いる。スペーサリング17はプラスチック材料によってな
るものであり、シャフト13に形成された溝18に装着され
る。このように装着されたスペーサリング17は絶縁管12
の内周面に対して弾力性を持つものであり、シャフト13
の外周面と絶縁管12の内周面との間を等間隔に保つ。ま
た、半導体素子３を交換するときはシャフト13のねじを
緩めて行い、交換後、シャフト13をねじ締めしてもシャ
フト13の外周面と絶縁管12の内周面との間隔は変わるこ
とはない。さらに、冷却フィン４を交換するときは締付
部材11をそれぞれの冷却フィン４の貫通孔10から引き抜
き、交換後に再度、締付部材11を貫通孔10に挿入し、そ
して、締付けてもシャフト13の外周面と絶縁管12の内周
面との間隔は変わることはない。
上記のような構成の締付部材11では第１図に示すように
シャフト13の半径をr1、絶縁管12の内周の半径をr2、絶
縁管12の外周の半径をr3、絶縁管12の誘電率をε1、お
よび空気16の誘電率をε2とすれば、電界強度が最大と
なるシャフト13の表面の電界強度Ｅは次式によって求め
られる。
シャフト13の半径をr1、絶縁管12の内周の半径をr2、絶
縁管12の外周の半径をr3、絶縁管12の誘電率をε1、お
よび空気16の誘電率をε2とすれば、電界強度が最大と
なるシャフト13の表面の電界強度Ｅは次式によって求め
られる。
Ｅ＝V/｛（1/ε1lur3／r2）＋（1/ε2lur2／r1）｝ε2r
1 上式において、シャフト13の外周面と絶縁管12の内周面
との間隔は常に一定であるから、最大電界強度Ｅが30kv
/cm近くになるようなことはなく、コロナ放電が発生す
ることもない。
1 上式において、シャフト13の外周面と絶縁管12の内周面
との間隔は常に一定であるから、最大電界強度Ｅが30kv
/cm近くになるようなことはなく、コロナ放電が発生す
ることもない。
第３図はシャフト13に形成された溝18に、上記のスペー
サリング17の代わりに割ピン19を装着したものである。
この場合においても、シャフト13の外周面と絶縁管12の
内周面との間を等間隔に保てることは上記の実施例と同
様である。
サリング17の代わりに割ピン19を装着したものである。
この場合においても、シャフト13の外周面と絶縁管12の
内周面との間を等間隔に保てることは上記の実施例と同
様である。
なお、上記のそれぞれの実施例ではスペーサリング17お
よび割ピン19をシャフト13の溝18に装着したが、絶縁管
12の内周部に装着したものであってもよい。
よび割ピン19をシャフト13の溝18に装着したが、絶縁管
12の内周部に装着したものであってもよい。
以上述べたことから本考案による半導体変換装置の締付
部材は、それぞれの冷却フィンに形成された貫通孔の内
周面に接触した状態に絶縁管を挿入し、この絶縁管内に
シャフトを挿入してシャフトの軸方向に適当な間隔をお
いて、かつシャフトの外周面と絶縁管の内周面との間の
少なくとも二箇所にスペーサを配置し、シャフトの外周
面と絶縁管の内周面との間を等間隔に保つことができる
ので、シャフトの外周面と絶縁管の内周面との間隔を常
に、かつ正確に保つことができ、また、シャフトの外周
面と絶縁管の内周面との間隔を調整する作業は不要とな
ったので組み立てが容易な半導体変換装置を実現でき
る。
部材は、それぞれの冷却フィンに形成された貫通孔の内
周面に接触した状態に絶縁管を挿入し、この絶縁管内に
シャフトを挿入してシャフトの軸方向に適当な間隔をお
いて、かつシャフトの外周面と絶縁管の内周面との間の
少なくとも二箇所にスペーサを配置し、シャフトの外周
面と絶縁管の内周面との間を等間隔に保つことができる
ので、シャフトの外周面と絶縁管の内周面との間隔を常
に、かつ正確に保つことができ、また、シャフトの外周
面と絶縁管の内周面との間隔を調整する作業は不要とな
ったので組み立てが容易な半導体変換装置を実現でき
る。
第１図は本考案の半導体変換装置の締付部材を示し、従
来の半導体変換装置の図面を共用した第４図の矢印Ａ−
Ａによって示した拡大断面図、第２図は第４図に矢印Ｃ
によって示す部分の拡大横断面図、第３図は第４図に矢
印Ｃによって示す部分の他の例を示す拡大横断面図、第
４図は半導体変換装置を示す平面図、第５図は従来の締
付部材であって、第４図に矢印Ｂ−Ｂによって示す拡大
断面図である。 １……半導体変換装置、２……装置本体、３……半導体
素子、４……冷却フィン、10……貫通孔、11……締付部
材、12……絶縁管、13……シャフト、17,19……スペー
サ（スペーサリング、割ピン）。
来の半導体変換装置の図面を共用した第４図の矢印Ａ−
Ａによって示した拡大断面図、第２図は第４図に矢印Ｃ
によって示す部分の拡大横断面図、第３図は第４図に矢
印Ｃによって示す部分の他の例を示す拡大横断面図、第
４図は半導体変換装置を示す平面図、第５図は従来の締
付部材であって、第４図に矢印Ｂ−Ｂによって示す拡大
断面図である。 １……半導体変換装置、２……装置本体、３……半導体
素子、４……冷却フィン、10……貫通孔、11……締付部
材、12……絶縁管、13……シャフト、17,19……スペー
サ（スペーサリング、割ピン）。
Claims (2)
- 【請求項１】平形半導体素子とこの半導体素子を冷却す
る冷却フィンとを交互に重ね合せた装置本体を形成し、
この装置本体の一端から絶縁管にシャフトを挿入した締
付部材をそれぞれの冷却フィンに形成された貫通孔を通
して前記装置本体の他端に突き出させ、前記締付部材に
よって前記装置本体を締付けてなる半導体変換装置にお
いて、前記締付部材は、それぞれの冷却フィンに形成さ
れた前記貫通孔の内周面に接触した状態で挿入された絶
縁管と、この絶縁管内に挿入されたシャフトと、このシ
ャフトの外周面と前記絶縁管の内周面との間で、かつシ
ャフトの軸方向に適当な間隔をもった少なくとも二箇所
に配置され、前記シャフトの外周面と前記絶縁管の内周
面との間を等間隔に保つスペーサとを備えてなることを
特徴とする半導体変換装置。 - 【請求項２】スペーサは、シャフトの外周面と絶縁管の
内周面との間で、かつシャフトの軸方向の少なくとも二
箇所の冷却フィンの貫通孔から外れた位置に配されたこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5989788U JPH079384Y2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5989788U JPH079384Y2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01163346U JPH01163346U (ja) | 1989-11-14 |
| JPH079384Y2 true JPH079384Y2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=31285633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5989788U Expired - Lifetime JPH079384Y2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 半導体変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079384Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP5989788U patent/JPH079384Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01163346U (ja) | 1989-11-14 |
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