JPH0795169B2

JPH0795169B2 - 光学装置

Info

Publication number: JPH0795169B2
Application number: JP62194161A
Authority: JP
Inventors: 顯津村; 裕至肥塚; 虎彦安藤
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1987-08-03
Filing date: 1987-08-03
Publication date: 1995-10-11
Anticipated expiration: 2010-10-11
Also published as: JPS6437538A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、第１のπ−共役系高分子を半導体層とした
電界効果型トランジスタ（以下FET素子と略称する）か
らなる駆動部と、第２のπ−共役系高分子で被覆したド
レイン電極を作用極とする電気化学セルからなる表示部
とにより構成した光学装置、特に表示装置および光学シ
ャッタに関するものである。

〔従来の技術〕

本発明と類似した従来の光学装置としては、FET素子を
内蔵した液晶表示装置の他にエレクトロクロミックディ
スプレイ（以下ECD素子と略称する）があった。まず、F
ET素子を内蔵した液晶表示装置では、駆動部のFET素子
と表示部の液晶を無機と有機の異なった材料を用いて構
成していた。例えば、FET素子の半導体層を無機の単結
晶シリコン，多結晶シリコン，あるいはアモルファスシ
リコンとし、表示部を有機のネマチック液晶として光学
装置を構成していた。すなわち、第２図の断面側面図に
示すように、基板１上のゲート電極２に印加する電圧に
よって絶縁膜３を介して電界をかけ、ソース電極４とド
レイン電極５間の無機半導体層６の抵抗を変化させ、相
互に対向し、かつ配向処理を施した１組の透明電極11に
電荷を蓄積させたり放出させたりして液晶15の配向を変
化させて表示を行わせていた。このとき、表示は液晶分
子の配向により、偏光板付ガラス板16を透過した偏光が
液晶15を透過できるかできないかによってなされた。17
は上記ドレイン電極５と透明電極11の一方とを電気的に
接続する配線である。このFET素子を内蔵した液晶表示
装置の場合、液晶表示部14の透明電極11の電荷の蓄積と
放出がゲート電圧とドレイン電極５と接続していない方
の透明電極11の電圧で制御できるため、単純マトリクス
駆動による液晶表示装置に比べてクロストークを少なく
でき、多素子化を可能にする利点がある（「液晶−応用
編」，岡野光治・小林駿介編，培風館）。なお、第２図
において、７は保護膜、13と14はそれぞれFET素子部と
表示部である。

次にECD素子について説明する。第３図の断面側面図で
示すように、ECD素子は電気化学的な酸化還元反応によ
って変色反応を行う化学物質18によって被覆された作用
電極８と、これと対向する透明電極11、および支持電解
質や酸化還元剤を含む電解液10から構成されている。ま
たこの第３図中、１は基板、12はガラス板である。この
ECD素子では作用極８と対極11の間に電圧をかけて電流
を流すことにより化学物質18に変色を伴う酸化還元反応
を行わせて表示を行う（「エレクトロクロミック素
子」，野村健次著，工業材料，第35巻，第３号,63
頁）。このECD素子は構造が簡単であるため、大面積化
が容易である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のFET素子を内蔵した液晶表示装置はFET素子部と表
示部が無機と有機の異なった材料で構成されているの
で、作製するための工程が複雑になり、また、装置の構
造自体も複雑になるため、製造コストが高くなる問題が
あった。また、FET素子部分に無機半導体の単結晶板や
多結晶板を用いた場合、基板の大きさに制約されるため
光学装置の多素子化および大面積化が困難であった。た
とえ、プラズマCVD（Chemical Vapor D−eposition）法
によるアモルファスシリコンを半導体層として用いた場
合でも、アモルファスシリコンを均質に作ることが難し
いためやはり多素子化および大面積化が困難であった。
また、液晶表示部は偏光板を用いているため視野角が狭
く見にくいという問題もあった。

一方、従来のECD素子は視野角が広く見やすいものの、F
ET素子を内蔵していないため多素子化が困難であった。

本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、その基本構造が簡単であり、装置の製造プロセ
スが簡略化でき、製造コストを低減化でき、また同時に
装置の多素子化と大面積化をも可能にする光学装置を得
ることを目的としたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る光学装置は、FET素子部の半導体層と電
気化学セル部の変色反応を起こす部分とにπ−共役系高
分子を用いると共に、FET素子部のゲートと電気化学セ
ル部の対極とに印加する電圧により上記変色反応を制御
するようにしたものである。

〔作用〕

この発明においては、FET素子部の半導体層と表示部の
着色材料を有機のπ−共役系高分子で構成したことによ
り、一般にπ−共役系高分子は無機半導体の単結晶板や
多結晶板、およびアモルファスシリコンと異なり、容易
に均一な薄膜を得やすいことからFET素子部の半導体層
の形成が容易となり、また、表示部でもπ−共役系高分
子を用いるため基本素子構造も簡単になる。従って、装
置の多素子化および大面積化が容易になり、装置を安価
に製造できる。

また、本発明においては表示部に液晶表示素子を用いず
にπ−共役系高分子を用いた電気化学的な表示素子すな
わちECD素子を用いており、かつFET素子を付属させてい
ることから、視野角が広く見やすく、またマトリクス駆
動が可能であり、多素子化が容易である。

すなわち、本発明においてはFET素子を内蔵した液晶表
示装置とECD素子との両者の長所が取り入れられると共
に、基本素子構造が簡単化し、製造コストが低減する。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例による光学装置の断面図で
あり、図において、１は基板、２は基板１の片面に設け
られたゲート電極、３は基板１およびゲート電極２上に
設けられた絶縁膜、４は絶縁膜３上に設けられたソース
電極、５は同じく絶縁膜３上にソース電極４と分離して
設けられたドレイン電極、６は絶縁膜3,ソース電極４お
よびドレイン電極５上に設けられたπ−共役系高分子か
らなる半導体層である。これらのうち、２ないし６はFE
T素子の部分13を構成し、また７はFET素子の部分13を被
覆し後述する表示部と分離する保護膜である。また、８
はFET素子13のドレイン電極５を延長して形成した作用
極、９は電気化学的な変色反応を行うπ−共役系高分子
層、10は電解質を含む電解液、11は作用極８と対向する
透明電極、12はガラス板である。これら８ないし12は本
光学装置の表示部14を構成している。

ここで、この実施例による装置に用いる材料としては以
下に述べるものがある。

基板１としてはガラスが一般に用いられるが、ポリエス
テルフィルム等の高分子膜を用いることもできる。FET
素子部13において、ゲート電極２としては、金，白金，
クロム，パラジウム，アルミニウム，インジウム等の金
属や、錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化
物（ITO）等を用いるのが一般的であるが、これら材料
を２つ以上あわせて用いてもよい。また、ｐ型シリコン
やｎ型シリコン、あるいは導電性を有する有機系高分子
を用いてもよく、これらを利用する場合には基板１を省
略することができる。絶縁膜３および保護膜７として
は、酸化シリコン（SiO₂），窒化シリコン，酸化アルミ
ニウム等の無機絶縁膜や、ポリエチレンやポリビリカル
バゾール，ポリフェニレンスルフィド，ポリパラキシレ
ン等の絶縁性高分子を用いるが、もちろんこれら材料を
２つ以上あわせて用いてもよい。

また、FET素子部13の半導体層６を形成するπ−共役系
高分子および表示部14の変色部９を形成するπ−共役系
高分子としては、ポリピロール，ポリ（Ｎ−置換ピロー
ル），ポリ（3,4−二置換ピロール），ポリチオフェ
ン，ポリ（３−置換チオフェン），ポリ（3,4−二置換
チオフェン），ポリアニリン，ポリアズレン，ポリピレ
ン，ポリカルバゾール，ポリ（Ｎ−置換カルバゾー
ル），ポリセレノフェン，ポリフラン，ポリベンゾチオ
フェン，ポリ（フェニレンビニレン），ポリベンゾフラ
ン，ポリ（パラフェニレン），ポリインドール，ポリイ
ソチオナフテン，ポリピリダジン，ポリジアセチレン類
のいずれも使用可能であるが、特性上は複素五員環を有
するπ−共役系高分子が良く、一般式（ただし、ＸはＳおよびＯ原子の内の一種、R₁およびR₂
は−H,−COOH,−C_mH_2m+1，−OC_mH_2m+1，および−COOC_mH
_2m+1基の内から選ばれる一種、ｍは１ないし10の整数、
ｎは整数）並びに一般式（ただし、R₁およびR₂は−H,−COOH,−C_mH_2m+1，−OC_mH
_2m+1，および−COOC_mH_2m+1基の内から選ばれる一種、R₃
は−H,−CH₃，−C₂H₅，−C₃H₇，およびの内から選ばれる一種、ｍは１ないし10の整数、ｎは整
数）で示されるものが好んで用いられ、これらを２つ以上あ
わせても用いられる。

π−共役系高分子はそれ自身では通常絶縁体であるが、
適当な電子受容体、例えば過塩素酸イオンやテトラフル
オロボレートイオン，スルホン酸イオンなどをドーピン
グすることによってｐ型半導体にすることができ、その
電導度も絶縁体領域から金属領域まで幅広く制御するこ
とができる（工業材料，第34巻，第４号,55頁,1986
年）。この実施例のFET素子部13においては、π−共役
系高分子に極く少量のドーピングをしてｐ型半導体性を
付与したものが好ましく用いられる。

ソース電極４およびドレイン電極５としては、金，白
金，クロム，パラジウム等が一般的に用いられるが、も
ちろんこれらに限られるものではなく、場合によっては
錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（IT
O）や導電性を有する有機系高分子を用いてもよい。

上記FET素子部13のπ−共役系高分子の薄膜６をゲート
電極2,絶縁膜3,ソース電極4,ドレイン電極５により構成
された中間部材の上に形成する方法としては、電気化学
的重合法（電解重合法），化学的重合法（化学酸化重合
法），スピンコート法、蒸着法，または触媒を用いた気
相重合法を用いる。

例えば、電解重合法で複素五員環を有するπ−共役系高
分子膜を形成するには、この複素五員環を有するπ−共
役系高分子に相当するモノマーおよび支持電解質を有機
溶媒または水に溶かし反応溶液とし、上記ソース電極４
およびドレイン電極５（作用極８）の内の少なくとも一
方を作用電極とし、例えば白金などの対極との間に電流
を通じて重合反応を起こさせて作用電極近傍上に所望の
複素五員環を有するπ−共役系高分子を析出させ、析出
した複素五員環を有するπ−共役系高分子膜をよく洗浄
した後、窒素雰囲気中で乾燥するという方法を用いる。
この場合、析出した複素五員環を有するπ−共役系高分
子膜６は反応時に支持電解質のアニオンがドーピングさ
れてｐ型有機半導体となり、またソース電極４およびド
レイン電極５間の距離は充分短いため、両電極間の絶縁
膜３も複素五員環を有するπ−共役系高分子膜６によっ
て被覆され、両電極はｐ型有機半導体膜６によって電気
的につながる。またこのｐ型有機半導体膜６は、電解重
合後に電気化学的にドーピング量をコントロールしてFE
T素子に適した電導度に変化させることができる。ここ
で、有機溶媒としては、支持電解質および上記モノマー
を溶解させるものならよく、例えばアセトニトリル、ニ
トロベンゼン、ベンゾニトリル、ニトロメタン、N,N−
ジメチルホルムアミド（DMF）、ジメチルスルホキシド
（DMSO）、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、エチ
ルアルコール、およびメチルアルコール等の極性溶媒が
単独にまたは２種以上の混合溶媒として好ましく用いら
れる。また、上記溶媒と水との混合溶媒でも使用可能で
ある。支持電解質は、電解重合時にそれ自身が酸化また
は還元反応を受けず、かつ溶媒中に溶解させることによ
って溶液に電導性を付与することのできる物質であり、
例えば、過塩素酸テトラアルキルアンモニウム塩，テト
ラアルキルアンモニウムテトラフルオロボレート塩，テ
トラアルキルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート
塩，テトラアルキルアンモニウムパラトルエンスルホネ
ート塩，および水酸化ナトリウム等が用いられるが、も
ちろん２種以上を併用しても構わない。

次に、化学酸化重合法で複素五員環を有するπ−共役系
高分子膜を形成するには、脱イオン水または脱イオン水
と有機溶媒との混合溶媒または有機溶媒に開始剤として
所定量の酸化剤を溶解させ、これを充分脱酸素した溶液
を準備した後に、この溶液中に上記複素五員環を有する
π−共役系高分子に相当するモノマーを所定量添加し、
モノマーの重合を行う。このとき、あらかじめゲート電
極2,絶縁膜3,ソース電極4,ドレイン電極5,および作用電
極８を設けておいた基板１、すなわち中間部材をこの溶
液中に少なくとも５分以上浸し、複素五員環を有するπ
−共役系高分子の重合膜６および９をFET素子部13上お
よび表示部14上に形成させる。この際、少量の酸化剤ま
たはアニオンが複素五員環を有するπ−共役系高分子膜
６および９中にドーピングされ、この後必要に応じ適当
なドーピング法または電気化学的ドーピングによって所
望の電導度を有するｐ型のπ−共役系高分子膜とするこ
ともできる。なお、上記溶液中にモノマーを添加した後
直ちに、あるいは同時に、上記中間部材をこの溶液中に
浸してもよい。この方法は、膜厚制御性や膜の均一性に
優れ、かつ膜形成と同時にFETに適した電導度が得られ
易い。ここで開始剤としては塩化第二鉄，フェリシアン
化カリウム等が用いられるが、もちろんこれらに限るわ
けではない。開始剤の酸化還元電位がモノマーの重合開
始電位より高いすべての酸化剤を用いることができる。

この他、スピンコート法では可溶性π−共役系ポリマー
を溶媒に溶かし、上記中間部材上にスピンコートするだ
けで均一なπ−共役系ポリマー膜６および９が作製でき
る。また、蒸着法では可蒸着性π−共役系ポリマーを蒸
着源として上記中間部材上に蒸着するだけで均一なπ−
共役系ポリマー膜６および９が作製できる。さらに、あ
らかじめ触媒を塗布した上記中間部材上へモノマーガス
を導入して、重合させるという気相重合法も用いられ
る。

また、表示部14においてFET素子のドレイン電極５を延
長した電極８は、充分な電導度を有し電解液10に不溶で
あるものならば何でも良く、金，白金，クロム，アルミ
ニウムなどの金属や、錫酸化物，酸化インジウム，イン
ジウム・錫酸化物（ITO）などの透明電極、ｐ型シリコ
ンやｎ型シリコン、あるいは導電性を有する有機系高分
子などを用いる。もちろんこれら材料を２つ以上組み合
せて用いてもよい。ガラス板12上の電極11としては、錫
酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（IT
O）などの透明電極を用いるのが一般的である。また、
適度の透明度を有する導電性有機系高分子を用いてもよ
い。あるいはこれら材料を２つ以上あわせて用いてもよ
い。電解液10としては、表示部14のπ−共役系高分子９
に電気化学的な変色反応を起こさせられるものなら何で
も良く、例えば上記π−共役系高分子６および９の電解
重合に用いることのできる溶液でモノマーを含まないも
のや、ナフィオンなどのイオン交換膜からなる固体電解
質でドーパントとして機能するイオン種を含むものなど
が使用できる。

以上は、FET素子部13と表示部14に同一のπ−共役系高
分子を用いる場合を説明したが、FET素子部13で用いる
π−共役系高分子と表示部14で用いるπ−共役系高分子
は異なっていても良く、FET素子特性，表示特性の観点
から、種々のπ−共役系高分子の中から適宜選択でき
る。FET素子部13と表示部14に異なるπ−共役系高分子
（Ａ）および（Ｂ）を用いる場合にも、上記π−共役系
高分子膜の作製法すなわち電解重合法，化学酸化重合
法，スピンコート法，蒸着法，気相重合法等が用いられ
る。FET素子部13と表示部14に同一のπ−共役系高分子
を用いる場合は、電気化学的に変色反応を起こすπ−共
役系高分子を用いる必要がある。これに対し、FET素子
部13と表示部14に異なるπ−共役系高分子を用いる場合
には、表示部14に用いるπ−共役系高分子は電気化学的
に変色反応を起こす必要があるが、FET素子部13に用い
られるπ−共役系高分子にはこの特性は特に要求されな
い。

上記のように構成された光学装置のFET素子13において
その動作機構は不明な点が多いが、π−共役系高分子６
がｐ型の時にはπ−共役系高分子膜６と絶縁膜３の界面
において、π−共役系高分子膜６側に形成するホールの
蓄積層の幅がゲート電極２とソース電極４との間にかけ
た電圧で制御され、従って実効的なホールのチャネル断
面積が変化するためにソース電極４とドレイン電極５の
間の抵抗が変化すると考えられる。また、π−共役系高
分子膜６がｎ型の時には、π−共役系高分子膜６と絶縁
膜３の界面においてπ−共役系高分子膜６側に形成する
電子の蓄積層の幅がゲート電極２とソース電極４との間
にかけた電圧で制御され、従って実効的な電子のチャネ
ル断面積が変化するためにソース電極４とドレイン電極
５の間の抵抗が変化すると考えられる。また、FET素子1
3に用いられるπ−共役系高分子膜６として電導度の低
い半導体性しか持たせていない場合には、ゲート電極２
としては金属電極以外にｐ型シリコンやｎ型シリコン、
あるいは導電性を有する有機系高分子等の電導度の大き
い材料を用いても、π−共役系高分子膜６中にチャネル
が形成されて電界効果が現れると考えられる。

この実施例においては、上記FET素子13と表示部14は直
列に接続されている。FET素子部13におけるπ−共役系
高分子６がｐ型である時を例に、以下動作を説明する。
ソース電極４を基準としてゲート電極２に負電圧を印加
しておき、透明電極11に正または負の電圧を印加する
と、表示部14のπ−共役系高分子９が変色反応を起こ
す。これは第４図にその特性の一例を示す（図中、実線
はゲート電圧が負の場合、破線はゲート電圧が正の場合
を示す）ように、FET素子13のソース・ドレイン電極４
・５間の抵抗がゲート電極２への負電圧印加により減少
し、FET素子13と直列につながった表示部14の作用極８
と対極11の間に電圧がかかってπ−共役系高分子９が電
気化学的酸化還元反応を起こすためである。一般に、π
−共役系高分子は電気化学的な酸化還元反応に伴って変
色反応を起こす。色を元に戻すためにはゲート電極２に
負電圧を印加しておき、透明電極11に変色時とは逆向き
の電圧を印加すれば良い。一方、ソース電極４を基準と
してゲート電極２に正電圧を印加したまま、透明電極11
に正または負の電圧を印加しても表示部14のπ−共役系
高分子９の色は変化しない。これは第４図に示すように
FET素子13のソース・ドレイン電極４・５間の抵抗が高
まり、電圧降下によってFET素子13と直列につながった
表示部14の作用極８と対極11の間に電圧がかからなくな
り、電気化学的な酸化還元反応が起こらなくなるためで
あると考えられる。

以上のように、この実施例による光学装置はFET素子部1
3のゲート電圧を変えることにより表示部14の変色反応
の可否を制御できる。従って、本光学素子はいわゆるマ
トリクス駆動が可能になり、多素子化および大面積化が
可能になる。また、表示部14にπ−共役系高分子を用い
た電気化学的な表示素子すなわちECD素子を用いている
ことにより基本素子構造も簡単になり、安価に製造で
き、視野角が広く見やすくなる。

なお、上記実施例では基板１上にゲート電極２が設けら
れているが、基板上にπ−共役系高分子膜を設け、その
上にソース電極およびこのソース電極と分離してドレイ
ン電極を設け、このソース電極とドレイン電極との間に
絶縁膜を介在させてゲート電極を設けてもよい。もちろ
ん、FET素子部は保護膜で電解液と分離する必要があ
る。

あるいは、基板上にゲート電極を設け、絶縁膜を介在さ
せて、その上にπ−共役系高分子膜を設け、さらにその
上にソース電極およびこのソース電極と分離してドレイ
ン電極を設けてもよい。あるいはまた、基板上にソース
電極およびこのソース電極と分離してドレイン電極を設
け、この上にπ−共役系高分子膜を設け、さらに絶縁膜
を介在させてゲート電極を設けてもよい。いずれの場合
もやはりFET素子部は保護膜で電解液と分離する必要が
ある。

また、上記実施例による光学装置は、表示部14の色が変
化することによる表示装置として用いることができるほ
か、この表示部14の変色が無色透明と着色との間の変色
である場合は光学シャッタとして用いることもできる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係る光学装置によれば、FET
素子部の半導体層と表示部の変色層をπ−共役系高分子
で構成し、FET素子部と表示部とを一体化させたので、
基本単位構造が簡単になり安価に作製でき、しかも多素
子化や大面積化が可能となる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による光学装置を示す断面
側面図、第２図は従来のFET素子を内蔵した液晶表示装
置を示す断面側面図、第３図は従来のECD素子を示す断
面側面図、第４図はｐ型のπ−共役系高分子膜を用いた
FET素子の電流−電圧特性図である。１は基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁膜、４はソ
ース電極、５はドレイン電極、６はFET素子の半導体
層、７はFET素子の保護膜、８は表示部の作用極、９は
π−共役系高分子からなる変色層、10は電解液、11は透
明電極、12はガラス板、13はFET素子部、14は表示部、1
5は液晶表示素子の液晶層、16は偏光板付ガラス板、17
はドレイン電極と透明電極の一方を電気的に接続する配
線、18はECD素子の変色反応を起こす化学物質である。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ソース電極とドレイン電極間の電流通路で
あり、第１のπ−共役系高分子からなる半導体層の電導
度を絶縁薄膜を介してゲート電圧によって制御する電界
効果型トランジスタ部と、上記電界効果型トランジスタ部のドレイン電極より延長
して形成される作用極と、該作用極の対極と、該２極間
の電解液層と、上記作用極を被覆して形成され電気化学
的に変色反応を行う第２のπ−共役系高分子とからなる
電気化学セル部との２つの部分から構成される光学装置
であって、上記電界効果型トランジスタ部のゲートに印加する電圧
と上記電気化学セル部の対極に印加する電圧をそれぞれ
変化させて、上記第２のπ−共役系高分子の電気化学的
変色反応を制御することを特徴とする光学装置。
【請求項２】上記第１のπ−共役系高分子と上記第２の
π−共役系高分子とが異なることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学装置。
【請求項３】上記第１のπ−共役系高分子と上記第２の
π−共役系高分子とが同じであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光学装置。
【請求項４】上記第１および第２のπ−共役系高分子の
少なくとも一方が複素五員環を有するπ−共役系高分子
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の光学装置。
【請求項５】上記複素五員環を有するπ−共役系高分子
が一般式（ただし、ＸはＳおよびＯ原子の内の一種、R₁およびR₂
は−H,−COOH,−C_mH_2m+1，−OC_mH_2m+1，および−COOC_mH
_2m+1の内の一種、ｍは１ないし10の整数、ｎは整数であ
る）で示されるものであることを特徴とする特許請求の
範囲第４項記載の光学装置。
【請求項６】上記複素五員環を有するπ−共役系高分子
が、一般式（ただし、R₁およびR₂は−H,−COOH,−C_mH_2m+1，−OC_mH
_2m+1，および−COOC_mH_2m+1の内の一種、R₃は−H,−C
H₃，−C₂H₅，−C₃H₇，の内の一種、ｍは１ないし10の整数、ｎは整数である）
で示されるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第４項記載の光学装置。
【請求項７】上記π−共役系高分子が可溶性π−共役系
高分子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれかに記載の光学装置。
【請求項８】上記π−共役系高分子が可蒸着性π−共役
系高分子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第６項のいずれかに記載の光学装置。
【請求項９】上記π−共役系高分子が電界重合により形
成されたπ−共役系高分子であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の光学
装置。
【請求項１０】上記電気化学セル部の電解液層が電解質
を含む有機溶媒からなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の光学装置。
【請求項１１】上記電気化学セル部の電解液層が電解質
を含む水溶液からなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第９項のいずれかに記載の光学装置。
【請求項１２】上記電気化学セル部の電解液層が固体電
解質からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第９項のいずれかに記載の光学装置。