JPH0795604B2 - 赤外線検知器の製造方法 - Google Patents
赤外線検知器の製造方法Info
- Publication number
- JPH0795604B2 JPH0795604B2 JP61176505A JP17650586A JPH0795604B2 JP H0795604 B2 JPH0795604 B2 JP H0795604B2 JP 61176505 A JP61176505 A JP 61176505A JP 17650586 A JP17650586 A JP 17650586A JP H0795604 B2 JPH0795604 B2 JP H0795604B2
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- infrared detector
- substrate
- layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、多素子化された赤外線検知器の光電変換部
の厚みを均一にするために、光電変換部材より高硬度の
基板に所定深さの溝を形成し、この表面に光電変換部材
層を形成し、光電変換部材層を基板の表面まで研磨し、
光電変換部を形成するものである。
の厚みを均一にするために、光電変換部材より高硬度の
基板に所定深さの溝を形成し、この表面に光電変換部材
層を形成し、光電変換部材層を基板の表面まで研磨し、
光電変換部を形成するものである。
この発明は、多素子化された赤外線検知器の製造方法に
係り、特に光電変換部に水銀・カドミウム・テルル（以
後HgCdTeと記す）を用いた赤外線検知器の製造方法に関
するものである。
係り、特に光電変換部に水銀・カドミウム・テルル（以
後HgCdTeと記す）を用いた赤外線検知器の製造方法に関
するものである。
赤外線検知器は、物体の温度を測定するのに用いられ、
特に物体の温度分布を撮像するのに多素子化されたもの
が用いられている。
特に物体の温度分布を撮像するのに多素子化されたもの
が用いられている。
この多素子からなる赤外線検知器は、各検知素子が温度
を検知する際に感度を均一にすることが必要であり、各
検知素子が均一の感度を有する赤外線検知器の製造方法
が要望されている。
を検知する際に感度を均一にすることが必要であり、各
検知素子が均一の感度を有する赤外線検知器の製造方法
が要望されている。
従来の赤外線検知器は、第２図に示す工程によって作成
されている。即ち、第２図（ａ）に示すように、厚さ80
0μｍのカドミウム・テルル（以後CdTeと記す）基板11
の表面に、第２図（ｂ）に示すように光電変換部材層と
なるHgCdTe層２をエピタキシャル成長する。次にCdTe基
板11の端面近傍におけるHgCdTe層２の厚さの不均一を除
去するために、一点鎖線で示す位置で端部を切断する。
この後に、HgCdTe層２の厚さの測定をする。このHgCdTe
層２の厚さは、30±10μｍ程度である。
されている。即ち、第２図（ａ）に示すように、厚さ80
0μｍのカドミウム・テルル（以後CdTeと記す）基板11
の表面に、第２図（ｂ）に示すように光電変換部材層と
なるHgCdTe層２をエピタキシャル成長する。次にCdTe基
板11の端面近傍におけるHgCdTe層２の厚さの不均一を除
去するために、一点鎖線で示す位置で端部を切断する。
この後に、HgCdTe層２の厚さの測定をする。このHgCdTe
層２の厚さは、30±10μｍ程度である。
この厚さ測定のデータに基づいて、HgCdTe層２の厚さを
15μｍにするために、HgCdTe層２の表面の修正を表面研
磨を用いて行っている。ところが、測定データそのもの
に既に±10μｍの偏差があり、更に、第２図（ｃ）に示
すように、研磨によって基板11の周辺部のHgCdTe層２は
余分に研磨されて厚さの薄いものとなる。即ち周辺部に
てだれを生じたものとなって、均一な厚さのHgCdTe層２
は得られないという状態になる。
15μｍにするために、HgCdTe層２の表面の修正を表面研
磨を用いて行っている。ところが、測定データそのもの
に既に±10μｍの偏差があり、更に、第２図（ｃ）に示
すように、研磨によって基板11の周辺部のHgCdTe層２は
余分に研磨されて厚さの薄いものとなる。即ち周辺部に
てだれを生じたものとなって、均一な厚さのHgCdTe層２
は得られないという状態になる。
この不均一な厚さを有するHgCdTe層２を用いて多素子を
形成し、この素子の分離をするとともに、電極３を形成
して、第２図（ｄ）に示す平面図及び平面図をAA線に沿
って切断した第２図（ｅ）に示す多素子の赤外線検知器
が得られる。
形成し、この素子の分離をするとともに、電極３を形成
して、第２図（ｄ）に示す平面図及び平面図をAA線に沿
って切断した第２図（ｅ）に示す多素子の赤外線検知器
が得られる。
前記した従来の工程で得られた赤外線検知器は、研磨工
程でHgCdTe層の厚さの均一が得られず、検知素子の感度
は光電変換部を形成するHgCdTe層の厚さの二乗に反比例
することから素子間の感度が不均一なものとなる。更に
HgCdTeの研磨代は、研磨レートから推定するか、再三研
磨を中止し厚さ測定を行わねば成らず、製作効率を悪い
ばかりでなく、均一感度を有する赤外線検知器を得られ
ないと云う問題があった。
程でHgCdTe層の厚さの均一が得られず、検知素子の感度
は光電変換部を形成するHgCdTe層の厚さの二乗に反比例
することから素子間の感度が不均一なものとなる。更に
HgCdTeの研磨代は、研磨レートから推定するか、再三研
磨を中止し厚さ測定を行わねば成らず、製作効率を悪い
ばかりでなく、均一感度を有する赤外線検知器を得られ
ないと云う問題があった。
この発明は、以上のような従来の状況から、各素子の感
度が均一な赤外線検知器を容易に作製できる赤外線検知
器を製造方法の提供を目的とするものである。
度が均一な赤外線検知器を容易に作製できる赤外線検知
器を製造方法の提供を目的とするものである。
この発明では、光電変換部材より高硬度の基板に所要深
さの溝を形成して、この基板表面に光電変換部材層を形
成して、光電変換部材層を基板まで研磨して、溝部に光
電変換部を形成する。
さの溝を形成して、この基板表面に光電変換部材層を形
成して、光電変換部材層を基板まで研磨して、溝部に光
電変換部を形成する。
光電変換部となる光電変換部材の厚さが、不均一であっ
ても研磨工程で、高硬度の基板に至るまで研磨すること
によって均一厚さ（溝の深さ）の光電変換部が容易に得
られ、各素子が均一な感度をを有する赤外線検知器とな
る。
ても研磨工程で、高硬度の基板に至るまで研磨すること
によって均一厚さ（溝の深さ）の光電変換部が容易に得
られ、各素子が均一な感度をを有する赤外線検知器とな
る。
第１図は、本発明の赤外線検知器の製造方法の工程図で
あり、第１図（ａ）に示すように、基板１はガリウム砒
素（以後GaAsと記す）材であり、この基板１に用いるGa
Asは、次頁の表に示すように、光電変換部を形成する光
電変換部材のHgCdTe層２より硬度が高い。
あり、第１図（ａ）に示すように、基板１はガリウム砒
素（以後GaAsと記す）材であり、この基板１に用いるGa
Asは、次頁の表に示すように、光電変換部を形成する光
電変換部材のHgCdTe層２より硬度が高い。
このGaAs基板１の表面にレジストパターンを形成して、
光電変換部を形成する領域に第１図（ｂ）に示すような
溝１−１をエッチングにより形成する。この溝１−１
は、所要とする光電変換部２−２の厚みを15μｍとする
場合には、溝の深さ15μｍであり、例えば溝幅500μｍ
である。
光電変換部を形成する領域に第１図（ｂ）に示すような
溝１−１をエッチングにより形成する。この溝１−１
は、所要とする光電変換部２−２の厚みを15μｍとする
場合には、溝の深さ15μｍであり、例えば溝幅500μｍ
である。
このGaAs基板１の表面にCdTe層２−１とHgCdTe層２とを
形成して、第１図（ｃ）示すような溝１−１より厚い成
長層を得る。
形成して、第１図（ｃ）示すような溝１−１より厚い成
長層を得る。
このHgCdTe層２表面を研磨して、第１図（ｄ）に示す結
晶を得る。この状態の光電変換部２−２を形成するHgCd
Te層２とCdTe層２−１の厚さは溝深さ15μｍに形成され
る。これは、高硬度のGaAs基板１の表面が研磨の際の案
内板の働きをし、研磨における周辺部におけるだれの無
い高精度の研磨が行われ、更に、削り代は高硬度のGaAs
基板１にて規制され、研磨が容易に行われることとな
る。この研磨後の平面図を第１図（ｅ）に示す。
晶を得る。この状態の光電変換部２−２を形成するHgCd
Te層２とCdTe層２−１の厚さは溝深さ15μｍに形成され
る。これは、高硬度のGaAs基板１の表面が研磨の際の案
内板の働きをし、研磨における周辺部におけるだれの無
い高精度の研磨が行われ、更に、削り代は高硬度のGaAs
基板１にて規制され、研磨が容易に行われることとな
る。この研磨後の平面図を第１図（ｅ）に示す。
次に、赤外線検知換素子となる領域２−３以外をフォト
エッチング法により除去し素子分離を行い、その後電極
３を形成して、第１図（ｆ）に示す平面図及び、平面図
のAA線に沿って断面の第１図（ｇ）の断面図に示す多素
子の赤外線検知器が作製される。
エッチング法により除去し素子分離を行い、その後電極
３を形成して、第１図（ｆ）に示す平面図及び、平面図
のAA線に沿って断面の第１図（ｇ）の断面図に示す多素
子の赤外線検知器が作製される。
以上の説明は基板１にGaAsを用いたが、光電変換部材Hg
CdTeより硬度の高い他の材料を用いても支障ないことは
言うまでもない。
CdTeより硬度の高い他の材料を用いても支障ないことは
言うまでもない。
以上の説明から明らかなように、この発明は、基板に光
電変換部より高硬度の材料を用いて、この材料の表面に
溝を形成する簡単な工程によって多素子の検知素子の感
度の均一化がはかれ、多素子の赤外線検知器を作製する
上できわめて有効な効果を奏する。
電変換部より高硬度の材料を用いて、この材料の表面に
溝を形成する簡単な工程によって多素子の検知素子の感
度の均一化がはかれ、多素子の赤外線検知器を作製する
上できわめて有効な効果を奏する。
第１図は本発明の赤外線検知器の製造方法を説明するた
めの工程図、 第２図は従来の赤外線検知器の製造方法を説明するため
の工程図である。 図において、１はGaAs基板、１−１は溝、２はHgCdTe
層、２−２は光電変換部を示す。
めの工程図、 第２図は従来の赤外線検知器の製造方法を説明するため
の工程図である。 図において、１はGaAs基板、１−１は溝、２はHgCdTe
層、２−２は光電変換部を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0264 7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ
Claims (1)
- 【請求項１】光電変換部材（２）より高硬度からなる基
板（１）の表面に、所定深さの溝（１−１）を形成し、
該基板（１）の表面に前記溝（１−１）の深さより分厚
い光電変換部材層（２）を形成したる後に、該光電変換
部材層（２）側から前記基板（１）の表面まで研磨し、
前記溝（１−１）内に光電変換部（２−２）を形成する
ことを特徴とする赤外線検知器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176505A JPH0795604B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 赤外線検知器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176505A JPH0795604B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 赤外線検知器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332969A JPS6332969A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0795604B2 true JPH0795604B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=16014810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61176505A Expired - Lifetime JPH0795604B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 赤外線検知器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795604B2 (ja) |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61176505A patent/JPH0795604B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332969A (ja) | 1988-02-12 |
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