JPH0796555B2 - アミノプロピルシリル化合物の製造方法 - Google Patents
アミノプロピルシリル化合物の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
- C07F7/1876—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アミノプロピルアルコキシシランなどのアミ
ノプロピルシリル化合物の製造方法に関し、さらに詳し
くは、ロジウム金属またはロジウム化合物を触媒として
用いたアミノプロピルシリル化合物の製造方法に関す
る。
ノプロピルシリル化合物の製造方法に関し、さらに詳し
くは、ロジウム金属またはロジウム化合物を触媒として
用いたアミノプロピルシリル化合物の製造方法に関す
る。
従来の技術 シランカップリング剤は、分子内に有機官能性基と、無
機物と反応する加水分解性基とを持った化合物である。
このようなシランカップリング剤は、上記のような官能
性基を有するため、有機ポリマーとシリカ等の無機物と
を化学的に結合することができ、有機ポリマーの機械的
強度を飛躍的に向上させることができるので、先端複合
材料の開発に不可欠なものである。
機物と反応する加水分解性基とを持った化合物である。
このようなシランカップリング剤は、上記のような官能
性基を有するため、有機ポリマーとシリカ等の無機物と
を化学的に結合することができ、有機ポリマーの機械的
強度を飛躍的に向上させることができるので、先端複合
材料の開発に不可欠なものである。
上記のようなシランカップリング剤の1つとして、γ−
アミノプロピルアルコキシシランなどのアミノプロピル
シリル化合物が用いられている。このアミノプロピルシ
リル化合物は、N−置換アリルアミンを含むアリルアミ
ン類と、ヒドロシラン類とのヒドロシリル化反応によっ
て製造しうることが知られている。
アミノプロピルアルコキシシランなどのアミノプロピル
シリル化合物が用いられている。このアミノプロピルシ
リル化合物は、N−置換アリルアミンを含むアリルアミ
ン類と、ヒドロシラン類とのヒドロシリル化反応によっ
て製造しうることが知られている。
たとえば特開昭60−81189号公報には、アリルアミン類
とヒドロシラン類とを、塩化白金酸などの白金触媒を用
いて、無水炭酸ナトリウムなどの反応促進剤の存在下に
反応させることによるアミノプロピルアルコキシシラン
類の製造方法が開示されている。しかしながら、塩化白
金酸などの白金触媒を用いて、アリルアミン類とヒドロ
シラン類とを反応させると、γ−アミノプロピルシリル
化合物(以下、γ−体ということがある) に加えて多量のβ−アミノプロピルシリル化合物(以
下、β−体ということがある)が生成し、γ−体とβ−
体との比は4〜6程度となり、目的化合物としてのγ−
体の選択率が低いという問題点があった。
とヒドロシラン類とを、塩化白金酸などの白金触媒を用
いて、無水炭酸ナトリウムなどの反応促進剤の存在下に
反応させることによるアミノプロピルアルコキシシラン
類の製造方法が開示されている。しかしながら、塩化白
金酸などの白金触媒を用いて、アリルアミン類とヒドロ
シラン類とを反応させると、γ−アミノプロピルシリル
化合物(以下、γ−体ということがある) に加えて多量のβ−アミノプロピルシリル化合物(以
下、β−体ということがある)が生成し、γ−体とβ−
体との比は4〜6程度となり、目的化合物としてのγ−
体の選択率が低いという問題点があった。
また特開昭61−229885号公報には、アリルアミン類とヒ
ドロシラン類とを、ロジウム−有機第3級ホスフィン錯
体そして必要によりトリフェニルホスフィンを含んでな
る触媒を用いて反応させることによるアミノプロピルア
ルコキシシラン類の製造方法が開示されている。この方
法によれば、高い選択率でγ−アミノプロピルアルコキ
シシランを得ることができるが、転化率を高めるために
は反応に長時間を要するという問題点があった。しかも
γ−体を高い選択率で得るためには、過剰のトリフェニ
ルホスフィンを存在させなければならないという問題点
もあった。
ドロシラン類とを、ロジウム−有機第3級ホスフィン錯
体そして必要によりトリフェニルホスフィンを含んでな
る触媒を用いて反応させることによるアミノプロピルア
ルコキシシラン類の製造方法が開示されている。この方
法によれば、高い選択率でγ−アミノプロピルアルコキ
シシランを得ることができるが、転化率を高めるために
は反応に長時間を要するという問題点があった。しかも
γ−体を高い選択率で得るためには、過剰のトリフェニ
ルホスフィンを存在させなければならないという問題点
もあった。
また、J.of Organomet.Chem.,149,29〜36(1978)で
は、コバルトカルボニル、ロジウムカルボニル、イリジ
ウムカルボニル、鉄カルボニルなどの金属カルボニル触
媒存在下でのオレフィンのヒドロシリル化反応が検討さ
れている。そしてこの論文では、N,N−ジメチルアリル
アミンとトリエトキシシランとから、高収率でN,N−ジ
メチルアミノプロピルトリエトキシシランが得られるこ
とが報告されている。そして同論文では、N−非置換ア
リルアミン類を用いた場合には、アミンの窒素原子にシ
リル化反応が優先的に起こると報告されており、このこ
とはN−非置換アリルアミン類とヒドロシラン類とから
はアミノプロピルアルコキシシラン類を得ることができ
ないことを意味している。
は、コバルトカルボニル、ロジウムカルボニル、イリジ
ウムカルボニル、鉄カルボニルなどの金属カルボニル触
媒存在下でのオレフィンのヒドロシリル化反応が検討さ
れている。そしてこの論文では、N,N−ジメチルアリル
アミンとトリエトキシシランとから、高収率でN,N−ジ
メチルアミノプロピルトリエトキシシランが得られるこ
とが報告されている。そして同論文では、N−非置換ア
リルアミン類を用いた場合には、アミンの窒素原子にシ
リル化反応が優先的に起こると報告されており、このこ
とはN−非置換アリルアミン類とヒドロシラン類とから
はアミノプロピルアルコキシシラン類を得ることができ
ないことを意味している。
発明が解決しようとする課題 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、アリルアミン類とヒドロシ
ラン類とから高い選択率でγ−アミノプロピルシリル化
合物を製造しうるような、アミノプロピルシリル化合物
の製造方法を提供することを目的としている。
しようとするものであって、アリルアミン類とヒドロシ
ラン類とから高い選択率でγ−アミノプロピルシリル化
合物を製造しうるような、アミノプロピルシリル化合物
の製造方法を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段 発明の要旨 本発明者らは、アミノプロピルシリル化合物の製造方法
を種々検討する中で、アリルアミン類とヒドロシラン類
を(i)ロジウム金属またはロジウム化合物および(i
i)特定の塩基性化合物を組み合せた触媒の存在下に反
応させると、γ−体を高選択率かつ高収率で短時間にて
製造しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
を種々検討する中で、アリルアミン類とヒドロシラン類
を(i)ロジウム金属またはロジウム化合物および(i
i)特定の塩基性化合物を組み合せた触媒の存在下に反
応させると、γ−体を高選択率かつ高収率で短時間にて
製造しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の
製造方法は、 式[I] [式中、R1およびR2は水素、炭素数1〜10のアルキル
基、炭素数2〜10のアルケニル基、フェニル基または置
換フェニル基、−CH2CH2NHCH2CH2NH2、または−CH2CH2N
H2であり、R3は水素または炭素数1〜6のアルキル基で
ある。]で示されるアリルアミン類とヒドロシラン類と
を、 (i) ロジウム金属またはロジウム化合物 および (ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの
塩基性化合物、III A族金属を有する塩基性化合物、お
よび、窒素原子を少なくとも一つ有する塩基性化合物 よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の塩基性化合
物からなる触媒の存在下に反応させてγ−アミノプロピ
ルシリル化合物を選択的に製造する方法にある。
製造方法は、 式[I] [式中、R1およびR2は水素、炭素数1〜10のアルキル
基、炭素数2〜10のアルケニル基、フェニル基または置
換フェニル基、−CH2CH2NHCH2CH2NH2、または−CH2CH2N
H2であり、R3は水素または炭素数1〜6のアルキル基で
ある。]で示されるアリルアミン類とヒドロシラン類と
を、 (i) ロジウム金属またはロジウム化合物 および (ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの
塩基性化合物、III A族金属を有する塩基性化合物、お
よび、窒素原子を少なくとも一つ有する塩基性化合物 よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の塩基性化合
物からなる触媒の存在下に反応させてγ−アミノプロピ
ルシリル化合物を選択的に製造する方法にある。
発明の具体的説明 以下本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の製造方
法について具体的に説明する。
法について具体的に説明する。
アリルアミン類 本発明ではアミノプロピルシリル化合物を製造する際の
原料の1つとして、上記式[I]で示されるようなアリ
ルアミン類が用いられる。
原料の1つとして、上記式[I]で示されるようなアリ
ルアミン類が用いられる。
このようなアリルアミン類としては、具体的には、アリ
ルアミン、N,N−ジメチルアリルアミン、N,N−ジエチル
アリルアミン、N−メチルアリルアミン、N−エチルア
リルアミン、2−メチルアリルアミン、ジアリルアミ
ン、アリルエチレンジアミン、N−アリルアニリンなど
が挙げられる。
ルアミン、N,N−ジメチルアリルアミン、N,N−ジエチル
アリルアミン、N−メチルアリルアミン、N−エチルア
リルアミン、2−メチルアリルアミン、ジアリルアミ
ン、アリルエチレンジアミン、N−アリルアニリンなど
が挙げられる。
ヒドロシラン類 本発明では、アミノプロピルシリル化合物を製造するた
め、上記のようなアリルアミン類と、ヒドロシラン類と
が反応せしめられるが、ヒドロシラン類とは、Si−H結
合を有する化合物を意味し、下記式[II]、[III]あ
るいは[IV]で示される化合物である。
め、上記のようなアリルアミン類と、ヒドロシラン類と
が反応せしめられるが、ヒドロシラン類とは、Si−H結
合を有する化合物を意味し、下記式[II]、[III]あ
るいは[IV]で示される化合物である。
[式中、R4、R5およびR6は、それぞれ同一であっても異
なっていてもよく、アルキル基またはアルコキシ基であ
る。] [式中、R7は水素またはメチル基であり、R7の少なくと
も1つは水素であり、nは0〜300の整数である。] [SiO(CH3)H]m …[IV] [式中、mは3〜10の整数である。] 上記式[II]、[III]または[IV]で示されるヒドロ
シラン類としては、具体的には、トリエトキシシラン、
トリメトキシシラン、トリメチルシラン、トリエチルシ
ラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、メ
チルジメトキシシラン、エチルジメトキシシラン、メチ
ルジエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリオ
クチロキシシラン、メチルジオクチロキシシラン、ジメ
チルオクチロキシシラン、1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、ペンタメチルジシロキサン、α,ω−ジヒド
ロポリシロキサン、分子鎖中間にSi−H結合を有するポ
リシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシ
ロキサン、1,3,5,7,9−ペンタメチル−シクロペンタシ
ロキサンなどが挙げられる。
なっていてもよく、アルキル基またはアルコキシ基であ
る。] [式中、R7は水素またはメチル基であり、R7の少なくと
も1つは水素であり、nは0〜300の整数である。] [SiO(CH3)H]m …[IV] [式中、mは3〜10の整数である。] 上記式[II]、[III]または[IV]で示されるヒドロ
シラン類としては、具体的には、トリエトキシシラン、
トリメトキシシラン、トリメチルシラン、トリエチルシ
ラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、メ
チルジメトキシシラン、エチルジメトキシシラン、メチ
ルジエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリオ
クチロキシシラン、メチルジオクチロキシシラン、ジメ
チルオクチロキシシラン、1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、ペンタメチルジシロキサン、α,ω−ジヒド
ロポリシロキサン、分子鎖中間にSi−H結合を有するポ
リシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシ
ロキサン、1,3,5,7,9−ペンタメチル−シクロペンタシ
ロキサンなどが挙げられる。
ロジウム化合物 本発明では、上記のようなアリルアミン類とヒドロシラ
ン類とを反応させる際に、触媒として(i)ロジウム金
属またはロジウム化合物および(ii)アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属またはこれらの塩基性化合物、III A族
金属を有する塩基性化合物、および、窒素原子を少なく
とも一つ有する塩基性化合物よりなる群から選ばれる少
なくとも一種類の塩基性化合物が用いられる。
ン類とを反応させる際に、触媒として(i)ロジウム金
属またはロジウム化合物および(ii)アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属またはこれらの塩基性化合物、III A族
金属を有する塩基性化合物、および、窒素原子を少なく
とも一つ有する塩基性化合物よりなる群から選ばれる少
なくとも一種類の塩基性化合物が用いられる。
ロジウム化合物としては、ロジウムの1価、2価もしく
は3価錯体、ロジウムの0価錯体またはロジウムの錯体
以外のロジウム化合物が用いられる。
は3価錯体、ロジウムの0価錯体またはロジウムの錯体
以外のロジウム化合物が用いられる。
ロジウムの1価錯体 ロジウムの1価、2価もしくは3価錯体のアニオン配位
子は、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、アルキル、
アセトキシ、アルコキシ、アセチルアセトン、ヒドロキ
シ、ヒドリド、ホスフィドなどである。
子は、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、アルキル、
アセトキシ、アルコキシ、アセチルアセトン、ヒドロキ
シ、ヒドリド、ホスフィドなどである。
またロジウムの残りの配位座を占める中性配位子は、エ
チレン、プロピレン、シクロオクテン、ノルボルネンそ
の他のモノオレフィン、1,3−ブタジエン、1,3−ペンタ
ジエン、1,3−シクロヘキサジエンその他の共役ジエ
ン、1,5−シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、1,4
−ペンタジエン、ジシクロペンタジエンその他の非共役
ジエン、ピリジン,ジピリジル、オルトフェナントロリ
ンなどの芳香族アミン、ニトリル、イソニトリル、カル
ボニル、ホスフィンなどである。
チレン、プロピレン、シクロオクテン、ノルボルネンそ
の他のモノオレフィン、1,3−ブタジエン、1,3−ペンタ
ジエン、1,3−シクロヘキサジエンその他の共役ジエ
ン、1,5−シクロオクタジエン、ノルボルナジエン、1,4
−ペンタジエン、ジシクロペンタジエンその他の非共役
ジエン、ピリジン,ジピリジル、オルトフェナントロリ
ンなどの芳香族アミン、ニトリル、イソニトリル、カル
ボニル、ホスフィンなどである。
上記のようなロジウムの1価錯体としては、具体的に
は、下記のような化合物が挙げられる。ジ−μ−メトキ
シビス(1,5−シクロオクタジエン)ジロジウム、[Rh
(μ−OMe)(1,5−COD)]2 ジ−μ−ヒドロキシビス(1,5−シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−OH)(1,5−COD)]2 ジ−μ−メトキシビス(1,5−テトラフルオロベンゾバ
レレン)ジロジウム、[Rh(μ−OMe)(1,5−TFB)]
2 [ロジウム(1,5−シクロオクタジエン)(インドー
ル)]パークロレート、[Rh(1,5−COD)(Indol
e)]ClO4 ジ−μ−クロロビス(1,5−シクロオクタジエン)ジロ
ジウム、[Rh(μ−Cl)(1,5−COD)]2 ジ−μ−ブロモビス(1,5−4(シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−Br)(1,5−COD)]2 ジ−μ−ヨードビス(1,5−シクロオクタジエン)ジロ
ジウム、[Rh(μ−I)(1,5−COD)]2 ジ−μ−クロロビズ(1,5−ヘキサジエン)ジロジウ
ム、[Rh(μ−Cl)(1,5−C6H10)]2 ジ−μ−クロロテトラキス(2,3ジメチル−2ブテン)
ジロジウム、[Rh(μ−Cl)(C6H12)2]2 ジ−μ−クロロテトラキスエテンジロジウム、[Rh
(μ−Cl)(C2H4)2]2 アセチルアセトナートビス(エチレン)ロジウム、Rh
(acac)(C2H4)2 ジ−μ−クロロテトラカルボニルジロジウム、[Rh
(μ−Cl)(CO)2]2 ジ−μ−アセトキシビス(1,5−シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−OAc)(1,5−COD)]2 ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−パーオキシ
ジロジウム、[Rh(μ−O)(1,5−COD)]2 シクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタジエン)ロ
ジウム、Rh(CPD)(1,5−COD) アセチルアセトナート(1,5−シクロオクタジエン)ロ
ジウム、Rh(acac)(1,5−COD) ジ−μ−クロロビス(1,5−シクロオクタテトラエン)
ジロジウム、[Rh(μ−Cl)(1,5−COT)]2 ジ−μ−クロロビス(ジシクロペンタジエン)ジロジウ
ム、[Rh(μ−Cl)(DCPD)]2 ジ−μ−フェノキシビス(1,5−シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−OPh)(1,5−COD)]2 ベンゾイルアセトナート(1,5−シクロオクタジエン)
ロジウム、Rh(bzac)(1,5−COD) ジベンゾイルメタナート(1,5−シクロオクタジエン)
ロジウム、Rh(dbm)(1,5−COD) ジ−μ−クロロビス(ノルボルナジエン)ジロジウム、
[Rh(μ−Cl)(NBD)]2 ジ−μ−アセトキシビス(ノルボルナジエン)ジロジウ
ム、[Rh(μ−OAc)(NBD)]2 ビス(1,5−シクロオクタジエン)μ−カーボネートジ
ロジウム三量体、Rh6(1,5−COD)6(CO3)3 ヒドリドカルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)
ロジウム、HRh(CO)(PPh3)3 ヒドリドテトラキス(トリフェニルホスフィン)ロジウ
ム、HRh(PPh3)4 クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム、R
hCl(PPh3)3 ジ−μ−ジフェニルホスフィドビス(1,5−シクロオク
タジエン)ジロジウム、[Rh(μ−PPh2)(1,5−CO
D)]2などである。
は、下記のような化合物が挙げられる。ジ−μ−メトキ
シビス(1,5−シクロオクタジエン)ジロジウム、[Rh
(μ−OMe)(1,5−COD)]2 ジ−μ−ヒドロキシビス(1,5−シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−OH)(1,5−COD)]2 ジ−μ−メトキシビス(1,5−テトラフルオロベンゾバ
レレン)ジロジウム、[Rh(μ−OMe)(1,5−TFB)]
2 [ロジウム(1,5−シクロオクタジエン)(インドー
ル)]パークロレート、[Rh(1,5−COD)(Indol
e)]ClO4 ジ−μ−クロロビス(1,5−シクロオクタジエン)ジロ
ジウム、[Rh(μ−Cl)(1,5−COD)]2 ジ−μ−ブロモビス(1,5−4(シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−Br)(1,5−COD)]2 ジ−μ−ヨードビス(1,5−シクロオクタジエン)ジロ
ジウム、[Rh(μ−I)(1,5−COD)]2 ジ−μ−クロロビズ(1,5−ヘキサジエン)ジロジウ
ム、[Rh(μ−Cl)(1,5−C6H10)]2 ジ−μ−クロロテトラキス(2,3ジメチル−2ブテン)
ジロジウム、[Rh(μ−Cl)(C6H12)2]2 ジ−μ−クロロテトラキスエテンジロジウム、[Rh
(μ−Cl)(C2H4)2]2 アセチルアセトナートビス(エチレン)ロジウム、Rh
(acac)(C2H4)2 ジ−μ−クロロテトラカルボニルジロジウム、[Rh
(μ−Cl)(CO)2]2 ジ−μ−アセトキシビス(1,5−シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−OAc)(1,5−COD)]2 ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−パーオキシ
ジロジウム、[Rh(μ−O)(1,5−COD)]2 シクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタジエン)ロ
ジウム、Rh(CPD)(1,5−COD) アセチルアセトナート(1,5−シクロオクタジエン)ロ
ジウム、Rh(acac)(1,5−COD) ジ−μ−クロロビス(1,5−シクロオクタテトラエン)
ジロジウム、[Rh(μ−Cl)(1,5−COT)]2 ジ−μ−クロロビス(ジシクロペンタジエン)ジロジウ
ム、[Rh(μ−Cl)(DCPD)]2 ジ−μ−フェノキシビス(1,5−シクロオクタジエン)
ジロジウム、[Rh(μ−OPh)(1,5−COD)]2 ベンゾイルアセトナート(1,5−シクロオクタジエン)
ロジウム、Rh(bzac)(1,5−COD) ジベンゾイルメタナート(1,5−シクロオクタジエン)
ロジウム、Rh(dbm)(1,5−COD) ジ−μ−クロロビス(ノルボルナジエン)ジロジウム、
[Rh(μ−Cl)(NBD)]2 ジ−μ−アセトキシビス(ノルボルナジエン)ジロジウ
ム、[Rh(μ−OAc)(NBD)]2 ビス(1,5−シクロオクタジエン)μ−カーボネートジ
ロジウム三量体、Rh6(1,5−COD)6(CO3)3 ヒドリドカルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)
ロジウム、HRh(CO)(PPh3)3 ヒドリドテトラキス(トリフェニルホスフィン)ロジウ
ム、HRh(PPh3)4 クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム、R
hCl(PPh3)3 ジ−μ−ジフェニルホスフィドビス(1,5−シクロオク
タジエン)ジロジウム、[Rh(μ−PPh2)(1,5−CO
D)]2などである。
ロジウムの2価錯体 また、上記のようなロジウムの2価錯体としては、具体
的には、下記のような化合物が挙げられる。
的には、下記のような化合物が挙げられる。
テトラキス(μ−アセテート)ジロジウム、[Rh(OA
c)2]2 ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ロジウム、
Rh(η5−C5Me5)2 クロロビス(ジピリジル)ロジウム、[Rh(dipy)2C
l]+ テトラキス(μ−アセテート)ビストリフェニルホスフ
ィンジロジウム、[PPh3Rh(OAc)2]2などである。
c)2]2 ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ロジウム、
Rh(η5−C5Me5)2 クロロビス(ジピリジル)ロジウム、[Rh(dipy)2C
l]+ テトラキス(μ−アセテート)ビストリフェニルホスフ
ィンジロジウム、[PPh3Rh(OAc)2]2などである。
ロジウムの3価錯体 また、上記のようなロジウムの3価錯体としては、具体
的には、下記のような化合物が挙げられる。
的には、下記のような化合物が挙げられる。
ヘキサクロロロジウム、[RhCl3]3- トリクロロトリス(トリエチルホスフィン)ロジウム、
RhCl3(PEt3)3 ジ−μ−クロロテトラ−π−アリルジロジウム、[Rh
(μ−Cl)(π−C3H5)2]2などである。
RhCl3(PEt3)3 ジ−μ−クロロテトラ−π−アリルジロジウム、[Rh
(μ−Cl)(π−C3H5)2]2などである。
ロジウムの0価錯体 ロジウムの0価錯体では、ロジウムの配位座は、すべて
上記のような中性配位子で占められている。
上記のような中性配位子で占められている。
ロジウムの0価錯体としては、具体的には、下記のよう
な化合物が挙げられる。
な化合物が挙げられる。
Rh2(CO)8、Rh4(CO)12、 Rh6(CO)16、Rh6(CO)14(ノルボルナジエン)な
どである。
どである。
ロジウムの錯体以外の化合物 ロジウムの錯体以外の化合物としては、具体的には、下
記のような化合物が挙げられる。
記のような化合物が挙げられる。
RhCl3・nH2O、RhBr3、RhI3などである。
塩基性化合物 上記のような(i)ロジウム金属またはロジウム化合物
とともに用いられる(ii)特定の塩基性化合物として
は、具体的には、塩基性の電子供与性化合物、ルイス塩
基または塩基性の還元剤が挙げられる。
とともに用いられる(ii)特定の塩基性化合物として
は、具体的には、塩基性の電子供与性化合物、ルイス塩
基または塩基性の還元剤が挙げられる。
塩基性の電子供与性化合物 電子供与性化合物としては、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、III A族金属、窒素のオニウムなどのカチオン
と、ハロケン、カルコゲン、V A族元素、IV A族元素、I
II A族元素を含むアニオンとの化合物が用いられる。
類金属、III A族金属、窒素のオニウムなどのカチオン
と、ハロケン、カルコゲン、V A族元素、IV A族元素、I
II A族元素を含むアニオンとの化合物が用いられる。
上記のような電子供与性化合物としては、具体的には、
下記のような化合物が挙げられる。
下記のような化合物が挙げられる。
フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化バリウム、
フッ化マグネシウム、テトラブチルアンモニウムフルオ
ライド、リチウムオキシド、ナトリウムオキシド、カリ
ウムオキシド、ルビジウムオキシド、セシウムオキシ
ド、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化バリウ
ム、ジエチルアルミニウムヒドロキシド、テトラブチル
アンモニウムヒドロキシド、リチウムメトキシド、リチ
ウムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブト
キシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシ
ド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、ルビジ
ウムエトキシド、セシウムエトキシド、トリエチルアン
モニウムメトキシド、ナトリウムトリフェニルシラノレ
ート(NaOSiPh3)、リチウムトリフェニルシラノレ
ート(LiOSiPh3)、ナトリウムトリエチルゲルミレ
ート(NaOGeEt3)、カリウムトリブチルスタニレー
ト(KOSnBu3)、ナトリウムフェノキシド、ジエチル
アルミニウムメトキシド、炭酸ナトリウム、酢酸カリウ
ム、亜硫酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、次亜塩素酸
ナトリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸ナトリウム、過
塩素酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナ
トリウム、リチウムハイドロスルフィド(LiSH)、ナ
トリウムハイドロスルフィド(NaSH)、カリウムハイ
ドロスルフィド(KSH)、ナトリウムアジド、ナトリウ
ムアミド(H2NNa)、カリウムジエチルアミド、ナトリ
ウムジフェニルホスフィド(Ph2PNa)、n−ブチルリ
チウム、フェニルリチウム、イソプロピルマグネシウム
クロリド、フェニルマグネシウムブロミド、ジフェニル
メチルシリルリチウム、トリフェニルゲルミルリチウ
ム、トリブチルスタニルリチウム、ナトリウムテトラフ
ルオロボレートなどである。
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化バリウム、
フッ化マグネシウム、テトラブチルアンモニウムフルオ
ライド、リチウムオキシド、ナトリウムオキシド、カリ
ウムオキシド、ルビジウムオキシド、セシウムオキシ
ド、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化バリウ
ム、ジエチルアルミニウムヒドロキシド、テトラブチル
アンモニウムヒドロキシド、リチウムメトキシド、リチ
ウムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブト
キシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシ
ド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、ルビジ
ウムエトキシド、セシウムエトキシド、トリエチルアン
モニウムメトキシド、ナトリウムトリフェニルシラノレ
ート(NaOSiPh3)、リチウムトリフェニルシラノレ
ート(LiOSiPh3)、ナトリウムトリエチルゲルミレ
ート(NaOGeEt3)、カリウムトリブチルスタニレー
ト(KOSnBu3)、ナトリウムフェノキシド、ジエチル
アルミニウムメトキシド、炭酸ナトリウム、酢酸カリウ
ム、亜硫酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、次亜塩素酸
ナトリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸ナトリウム、過
塩素酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナ
トリウム、リチウムハイドロスルフィド(LiSH)、ナ
トリウムハイドロスルフィド(NaSH)、カリウムハイ
ドロスルフィド(KSH)、ナトリウムアジド、ナトリウ
ムアミド(H2NNa)、カリウムジエチルアミド、ナトリ
ウムジフェニルホスフィド(Ph2PNa)、n−ブチルリ
チウム、フェニルリチウム、イソプロピルマグネシウム
クロリド、フェニルマグネシウムブロミド、ジフェニル
メチルシリルリチウム、トリフェニルゲルミルリチウ
ム、トリブチルスタニルリチウム、ナトリウムテトラフ
ルオロボレートなどである。
ルイス塩基 ルイス塩基としては、具体的には、下記のような化合物
が挙げられる。
が挙げられる。
ヒドロキシルアミン、ヒドラジン、フェニルヒドラジ
ン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、アセトアルド
キシム(CH3CH=NOH)、トリエチルアミン、キヌクリジ
ン、ピロリジンなどである。
ン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、アセトアルド
キシム(CH3CH=NOH)、トリエチルアミン、キヌクリジ
ン、ピロリジンなどである。
塩基性の還元剤 還元剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、II
I A族金属のハイドライド化合物またはアルカリ金属、
アルカリ土類金属などが用いられる。
I A族金属のハイドライド化合物またはアルカリ金属、
アルカリ土類金属などが用いられる。
上記のような還元剤としては、具体的には、下記のよう
な化合物または金属が挙げられる。
な化合物または金属が挙げられる。
リチウムハイドライド、カルシウムハイドライド、リチ
ウムアルミニウムハイドライド、ナトリウムボロハイド
ライド、リチウムトリ−tert−ブトキシアルミニウムハ
イドライド、リチウムトリエチルボロハイドライド、ナ
トリウムトリ−tert−ブトキシボロハイドライド、リチ
ウム金属、ナトリウム金属、カリウム金属、ルビジウム
金属、セシウム金属、ベリリウム金属、マグネシウム金
属、カルシウム金属などである。
ウムアルミニウムハイドライド、ナトリウムボロハイド
ライド、リチウムトリ−tert−ブトキシアルミニウムハ
イドライド、リチウムトリエチルボロハイドライド、ナ
トリウムトリ−tert−ブトキシボロハイドライド、リチ
ウム金属、ナトリウム金属、カリウム金属、ルビジウム
金属、セシウム金属、ベリリウム金属、マグネシウム金
属、カルシウム金属などである。
上記のような特定の塩基性化合物(ii)は、ロジウム金
属またはロジウム化合物1モルに対して上記特定の塩基
性化合物(ii)が0.1〜30モル好ましくは0.2〜5モル程
度の量で存在するように用いられる。本発明において
(ii)で表される特定の塩基性化合物が上記範囲よりも
少ない量で用いられると、触媒活性が低いため好ましく
なく、一方上記範囲よりも多い量で用いられると、ヒド
ロシラン類の不均化反応が起り、副生成物の生成量が増
加するため好ましくない。
属またはロジウム化合物1モルに対して上記特定の塩基
性化合物(ii)が0.1〜30モル好ましくは0.2〜5モル程
度の量で存在するように用いられる。本発明において
(ii)で表される特定の塩基性化合物が上記範囲よりも
少ない量で用いられると、触媒活性が低いため好ましく
なく、一方上記範囲よりも多い量で用いられると、ヒド
ロシラン類の不均化反応が起り、副生成物の生成量が増
加するため好ましくない。
また、反応中または反応後に、上記範囲内で特定の塩基
性化合物(ii)を追加することにより、触媒を高活性に
保つことができる。
性化合物(ii)を追加することにより、触媒を高活性に
保つことができる。
上記記載の特定の塩基性化合物(ii)は、固体のまま添
加しても、エタノール、DMSOなどの溶媒に溶解して添加
してもよい。
加しても、エタノール、DMSOなどの溶媒に溶解して添加
してもよい。
反応条件 上記のようなアリルアミン類とヒドロシラン類とは、ア
リルアミン類:ヒドロシラン類とのモル比が1.3:1〜1:
1.3の範囲で用いられることが好ましい。
リルアミン類:ヒドロシラン類とのモル比が1.3:1〜1:
1.3の範囲で用いられることが好ましい。
なお、アリルアミン類および/またはヒドロシラン類に
含有されるハロゲン、硫黄、リンなどの不純物はなるべ
く除去して用いることが好ましい。
含有されるハロゲン、硫黄、リンなどの不純物はなるべ
く除去して用いることが好ましい。
反応は、常圧下で行なってもよく、また加圧下で行なっ
てもよい。また反応温度は15℃以上好ましくは50〜250
℃さらに好ましくは70〜200℃であることが望ましい。
反応温度が15℃未満では、γ−アミノプロピルシリル化
合物がほとんど生成しないため好ましくなく、一方反応
温度が250℃を超えると、目的とするγ−アミノプロピ
ルシリル化合物の選択率が低下するため好ましくない。
てもよい。また反応温度は15℃以上好ましくは50〜250
℃さらに好ましくは70〜200℃であることが望ましい。
反応温度が15℃未満では、γ−アミノプロピルシリル化
合物がほとんど生成しないため好ましくなく、一方反応
温度が250℃を超えると、目的とするγ−アミノプロピ
ルシリル化合物の選択率が低下するため好ましくない。
反応系におけるロジウム金属またはロジウム化合物は、
多量に用いることもできるが、アリルアミン類1モルに
対して、金属ロジウムとして10-6〜10-3モル程度存在し
ておれば充分である。
多量に用いることもできるが、アリルアミン類1モルに
対して、金属ロジウムとして10-6〜10-3モル程度存在し
ておれば充分である。
反応は、溶媒の存在下に行なってもよく、また非存在下
に行なってもよい。溶媒を用いる場合には、トルエン、
キシレン、ヘプタン、ドデカン、ジトリルブタン、キュ
メンなどの炭化水素系溶媒が好ましい。
に行なってもよい。溶媒を用いる場合には、トルエン、
キシレン、ヘプタン、ドデカン、ジトリルブタン、キュ
メンなどの炭化水素系溶媒が好ましい。
また反応に際して、ロジウム化合物としてロジウム錯体
を使用する場合は、ロジウム触媒に配位している中性の
配位子と同じ配位子または異なる配位子を反応系にさら
に過剰に加えてもよい。
を使用する場合は、ロジウム触媒に配位している中性の
配位子と同じ配位子または異なる配位子を反応系にさら
に過剰に加えてもよい。
反応時間は、反応温度によって大きく変化するが、通常
0.5〜2.0時間程度で充分である。
0.5〜2.0時間程度で充分である。
アリルアミン類とヒドロシラン類との反応を、触媒とし
て(i)ロジウム金属またはロジウム化合物および、種
々の塩基性化合物の中から上記(ii)に記載のような特
定の塩基性化合物を選択して使用することにより、γ−
アミノプロピルシリル化合物が、高い選択率で得られ、
β−体はほとんど生成せず、非常に高いγ−体/β−体
比でγ−体が得られる。しかもアリルアミン類とヒドロ
シラン類との反応が迅速に進行し、したがって75%以上
にも達する高い収率でγ−アミノプロピルシリル化合物
が得られる。
て(i)ロジウム金属またはロジウム化合物および、種
々の塩基性化合物の中から上記(ii)に記載のような特
定の塩基性化合物を選択して使用することにより、γ−
アミノプロピルシリル化合物が、高い選択率で得られ、
β−体はほとんど生成せず、非常に高いγ−体/β−体
比でγ−体が得られる。しかもアリルアミン類とヒドロ
シラン類との反応が迅速に進行し、したがって75%以上
にも達する高い収率でγ−アミノプロピルシリル化合物
が得られる。
これに対して、アリルアミン類とヒドロシラン類との反
応を、塩化白金酸触媒を用いて行なうと、γ−体の収率
は40〜50%程度であり、しかもγ−体/β−体の比は4
程度にしか達しない。またアリルアミン類とヒドロシラ
ン類との反応を、ロジウムヒドリドカルボニルトリス
(トリフェニルホスフィン)錯体のみを用いて行なう
と、60程度のγ−体/β−体比でγ−体が得られるが、
反応速度が遅いため、たとえば、ヒドロシラン類に対し
て0.1モル%のロジウム錯体を使用した場合、反応に6
時間以上もの長時間を必要としてしまう。
応を、塩化白金酸触媒を用いて行なうと、γ−体の収率
は40〜50%程度であり、しかもγ−体/β−体の比は4
程度にしか達しない。またアリルアミン類とヒドロシラ
ン類との反応を、ロジウムヒドリドカルボニルトリス
(トリフェニルホスフィン)錯体のみを用いて行なう
と、60程度のγ−体/β−体比でγ−体が得られるが、
反応速度が遅いため、たとえば、ヒドロシラン類に対し
て0.1モル%のロジウム錯体を使用した場合、反応に6
時間以上もの長時間を必要としてしまう。
発明の効果 本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の製造方法で
は、アリルアミン類とヒドロシラン類とを反応させるに
際して、触媒として(i)ロジウム金属またはロジウム
化合物および(ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属ま
たはこれらの塩基性化合物、III A族金属を有する塩基
性化合物、および、窒素原子を少なくとも一つ有する塩
基性化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の
塩基性化合物を用いているので、γ−アミノプロピルシ
リル化合物を高選択率かつ高収率で短時間で得ることが
できる。
は、アリルアミン類とヒドロシラン類とを反応させるに
際して、触媒として(i)ロジウム金属またはロジウム
化合物および(ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属ま
たはこれらの塩基性化合物、III A族金属を有する塩基
性化合物、および、窒素原子を少なくとも一つ有する塩
基性化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の
塩基性化合物を用いているので、γ−アミノプロピルシ
リル化合物を高選択率かつ高収率で短時間で得ることが
できる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
実施例に限定されるものではない。
実施例1 還流冷却管、攪拌棒、温度計を備えた3つ口フラスコ
に、ロジウム化合物として三塩化ロジウム三水和物(R
hCl3・3H2O)0.066g(Rhとしてトリエトキシシラン
に対して0.1モル%)、塩基性化合物として水酸化ナト
リウム粉末0.060g、キシレン50mlを加えた後、混合物を
130℃の恒温油槽で加熱した。その後アリルアミン14g
(0.25モル)、トリエトキシシラン41g(0.25モル)の
混合物を約1時間に亘り滴下して反応を行なった。
に、ロジウム化合物として三塩化ロジウム三水和物(R
hCl3・3H2O)0.066g(Rhとしてトリエトキシシラン
に対して0.1モル%)、塩基性化合物として水酸化ナト
リウム粉末0.060g、キシレン50mlを加えた後、混合物を
130℃の恒温油槽で加熱した。その後アリルアミン14g
(0.25モル)、トリエトキシシラン41g(0.25モル)の
混合物を約1時間に亘り滴下して反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランが90%の収率(トリエトキシシラン基準)
で得られており、β−体は0.2%以下しか生成していな
かった。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランが90%の収率(トリエトキシシラン基準)
で得られており、β−体は0.2%以下しか生成していな
かった。
実施例2〜47 ロジウム化合物(ロジウム金属を含む)、塩基性化合
物、溶媒および/または反応温度を表1に示すように代
えた以外は、実施例1と同様にして反応およびガスクロ
マトグラフィー分析を行なった。
物、溶媒および/または反応温度を表1に示すように代
えた以外は、実施例1と同様にして反応およびガスクロ
マトグラフィー分析を行なった。
結果を表1に示すが、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランの収率は全て、トリエトキシシラン基準である。
シランの収率は全て、トリエトキシシラン基準である。
実施例47 ヒドロシランをトリメトキシシラン30.5g(0.25モル)
に代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行なっ
た。
に代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行なっ
た。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが87%の収率(トリメトキシシラン基準)
で得られており、β−体は0.2%以下しか生成していな
かった。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが87%の収率(トリメトキシシラン基準)
で得られており、β−体は0.2%以下しか生成していな
かった。
実施例48 ヒドロシランをトリエチルシラン29.0g(0.25モル)に
代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行なった。
代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
チルシランが80%の収率(トリエチルシラン基準)で得
られており、β−体は0.2%以下しか生成していなかっ
た。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
チルシランが80%の収率(トリエチルシラン基準)で得
られており、β−体は0.2%以下しか生成していなかっ
た。
実施例49 ヒドロシランを1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン16.
8g(0.125モル)に代えた以外は、実施例1と同様にし
て反応を行なった。
8g(0.125モル)に代えた以外は、実施例1と同様にし
て反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、1,3−ビス−γ−アミノプ
ロピル1,1,3,3−テトラジメチルジシロキサンが70%の
収率(1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン基準)で得
られており、β−体は0.2%以下しか生成していなかっ
た。
ィーにより分析したところ、1,3−ビス−γ−アミノプ
ロピル1,1,3,3−テトラジメチルジシロキサンが70%の
収率(1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン基準)で得
られており、β−体は0.2%以下しか生成していなかっ
た。
実施例50 ヒドロシランをトリメトキシシラン30.5g(0.25モル)
に代え、ロジウム化合物および塩基性化合物をそれぞれ
[Rh(μ−Cl)(1,5−COD)]20.062gr(Rhとして
トリメトキシシランに対して0.1モル%)およびKOH0.05
6grに代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
った。
に代え、ロジウム化合物および塩基性化合物をそれぞれ
[Rh(μ−Cl)(1,5−COD)]20.062gr(Rhとして
トリメトキシシランに対して0.1モル%)およびKOH0.05
6grに代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
った。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが80%の収率(トリメトキシシラン基準)
で得られており、β−体は0.2%以下しか生成していな
かった。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが80%の収率(トリメトキシシラン基準)
で得られており、β−体は0.2%以下しか生成していな
かった。
実施例51 アリルアミンをアリルエチレンジアミン25.0g(0.25モ
ル)に代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
った。
ル)に代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
った。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、N−(2−アミノエチル)
3−アミノプロピルトリエトキシシランが80%(トリエ
トキシシラン基準)で得られており、β−体は0.2%以
下しか生成していなかった。
ィーにより分析したところ、N−(2−アミノエチル)
3−アミノプロピルトリエトキシシランが80%(トリエ
トキシシラン基準)で得られており、β−体は0.2%以
下しか生成していなかった。
実施例52 アリルアミンをアリルエチレンジアミン25.0g(0.25モ
ル)に代え、ロジウム化合物および塩基性化合物をそれ
ぞれ[Rh(μ−Cl)(1,5−COD)]20.062g(Rhとし
てトリエトキシシランに対して0.1モル%)およびKOH0.
056gに代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
った。
ル)に代え、ロジウム化合物および塩基性化合物をそれ
ぞれ[Rh(μ−Cl)(1,5−COD)]20.062g(Rhとし
てトリエトキシシランに対して0.1モル%)およびKOH0.
056gに代えた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
った。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、N−(2−アミノエチル)
3−アミノプロピルトリエトキシシランが80%(トリエ
トキシシラン基準)で得られており、β−体は0.2%以
下しか生成していなかった。
ィーにより分析したところ、N−(2−アミノエチル)
3−アミノプロピルトリエトキシシランが80%(トリエ
トキシシラン基準)で得られており、β−体は0.2%以
下しか生成していなかった。
比較例1 ロジウム化合物として[Rh(μ−Cl)(1,5−COD)]
20.062g(Rhとしてトリエトキシシランに対して0.1モ
ル%)を用い、塩基性化合物を加えなかった以外は、実
施例1と同様にして反応を行なった。
20.062g(Rhとしてトリエトキシシランに対して0.1モ
ル%)を用い、塩基性化合物を加えなかった以外は、実
施例1と同様にして反応を行なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は1%以下であ
った。
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は1%以下であ
った。
比較例2 塩基性化合物としてKOH0.056gを用い、ロジウム金属ま
たはロジウム化合物を加えなかった以外は、実施例1と
同様にして反応を行なった。
たはロジウム化合物を加えなかった以外は、実施例1と
同様にして反応を行なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランは全く生成しておら
ず、主成分はトリエトキシシランであった。
ミノプロピルトリエトキシシランは全く生成しておら
ず、主成分はトリエトキシシランであった。
比較例3 ロジウム化合物としてRhCl(PPh3)30.74g(Rhとし
てトリエトキシシランに対して1.0モル%)を用い、塩
基性化合物を加えなかった以外は、実施例1と同様にし
て反応を行なった。
てトリエトキシシランに対して1.0モル%)を用い、塩
基性化合物を加えなかった以外は、実施例1と同様にし
て反応を行なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は1%以下であ
った。
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は1%以下であ
った。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 雅司 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡1丁目3番1 号 東亜燃料工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 篠原 昭仁 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡1丁目3番1 号 東亜燃料工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 奥村 義治 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡1丁目3番1 号 東亜燃料工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−229885(JP,A) 特開 昭60−81189(JP,A) 特開 昭61−205287(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】式[I] [式中、R1およびR2は水素、炭素数1〜10のアルキル
基、炭素数2〜10のアルケニル基、フェニル基または置
換フェニル基、−CH2CH2NHCH2CH2NH2、または−CH2CH2N
H2であり、R3は水素または炭素数1〜6のアルキル基で
ある。]で示されるアリルアミン類とヒドロシラン類と
を、 (i) ロジウム金属またはロジウム化合物 および (ii)アルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの
塩基性化合物、III A族金属を有する塩基性化合物、お
よび、窒素原子を少なくとも一つ有する塩基性化合物 よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の塩基性化合
物からなる触媒の存在下に反応させてγ−アミノプロピ
ルシリル化合物を選択的に製造する方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181418A JPH0796555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-07-20 | アミノプロピルシリル化合物の製造方法 |
| US07/280,727 US4921988A (en) | 1987-12-14 | 1988-12-06 | Process for preparing aminopropyl silanes |
| EP88311761A EP0321174B1 (en) | 1987-12-14 | 1988-12-13 | Process for preparing aminopropyl silanes |
| DE3888647T DE3888647T2 (de) | 1987-12-14 | 1988-12-13 | Verfahren zur Herstellung von Aminopropylsilanen. |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31653087 | 1987-12-14 | ||
| JP62-316530 | 1987-12-14 | ||
| JP63181418A JPH0796555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-07-20 | アミノプロピルシリル化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02791A JPH02791A (ja) | 1990-01-05 |
| JPH0796555B2 true JPH0796555B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=26500611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181418A Expired - Fee Related JPH0796555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-07-20 | アミノプロピルシリル化合物の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4921988A (ja) |
| EP (1) | EP0321174B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0796555B2 (ja) |
| DE (1) | DE3888647T2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2665250B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1997-10-22 | 昭和電工株式会社 | アミノプロピルアルコキシシランの製造法 |
| JPH03115335A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複合材料用改質剤 |
| US5068387A (en) * | 1989-12-01 | 1991-11-26 | Dow Corning Corporation | Production of organofunctional alkoxysilanes |
| US5212017A (en) * | 1990-12-14 | 1993-05-18 | General Electric Company | Aminopropyltrimethoxy silane primer composition and coated articles made therewith |
| US5113005A (en) * | 1991-06-07 | 1992-05-12 | Abbott Laboratories | Process for synthesis of silyl alcohols |
| US5250490A (en) * | 1991-12-24 | 1993-10-05 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Noble metal supported on a base metal catalyst |
| DE4344082C1 (de) * | 1993-12-23 | 1994-12-22 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur Herstellung von Organopolysiloxanen mit über Kohlenstoff an Silicium gebundenen sekundären Aminoalkylgruppen |
| DE4435390C2 (de) * | 1994-10-04 | 2001-07-26 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Aminopropylalkoxysilanen in Gegenwart von geformten polymeren Rhodiumkomplex-Katalysatoren und deren Verwendung |
| US5892084A (en) * | 1998-02-03 | 1999-04-06 | Pcr, Inc. | Aminoorganofunctionalsiloxanes |
| US6197912B1 (en) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Ck Witco Corporation | Silane endcapped moisture curable compositions |
| US6339137B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-01-15 | Archimica (Florida) Inc. | Poly (aminoorganofunctionalsiloxanes) |
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