JPH02791A - アミノプロピルシリル化合物の製造方法 - Google Patents
アミノプロピルシリル化合物の製造方法Info
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- JPH02791A JPH02791A JP63181418A JP18141888A JPH02791A JP H02791 A JPH02791 A JP H02791A JP 63181418 A JP63181418 A JP 63181418A JP 18141888 A JP18141888 A JP 18141888A JP H02791 A JPH02791 A JP H02791A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
- C07F7/1876—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産１」；へ！！［ｉ遣
本発明は、アミノプロピルアルコキシシランなどのアミ
ノプロピルシリル化合物の製造方法に関し、さらに詳し
くは、ロジウム金属またはロジウム化合物を触媒として
用いたアミノプロピルシリル化合物の製造方法に関する
。
ノプロピルシリル化合物の製造方法に関し、さらに詳し
くは、ロジウム金属またはロジウム化合物を触媒として
用いたアミノプロピルシリル化合物の製造方法に関する
。
良工立韮且
シランカップリング剤は、分子内に有機官能性基と、無
機物と反応する加水分解性基とを持った化合物である。
機物と反応する加水分解性基とを持った化合物である。
このようなシランカップリング剤は、上記のような官能
性基を有するため、有機ポリマーとシリカ等の無機物と
を化学的に結合することができ、有機ポリマーの機械的
強度を飛躍的りこ向上させることができるので、先端複
合材料の開発に不可欠なものである。
性基を有するため、有機ポリマーとシリカ等の無機物と
を化学的に結合することができ、有機ポリマーの機械的
強度を飛躍的りこ向上させることができるので、先端複
合材料の開発に不可欠なものである。
上記のようなシランカップリング剤の１つとして、γ−
アミノプロピルアルコキシシランなどのアミノプロピル
シリル化合物が用いられている。
アミノプロピルアルコキシシランなどのアミノプロピル
シリル化合物が用いられている。
このアミノプロピルシリル化合物は、ト置換アリルアミ
ンを含むアリルアミン類と、ヒドロシラン類とのヒドロ
シリル化反応によって製造しうろことが知られている。
ンを含むアリルアミン類と、ヒドロシラン類とのヒドロ
シリル化反応によって製造しうろことが知られている。
たとえば特開昭６０−８１１８９号公報には、アリルア
ミン類とヒドロシラン類とを、塩化白金酸などの白金触
媒を用いて、無水炭酸ナトリウムなどの反応促進剤の存
在下に反応させることによるアミノプロピルアルコキシ
シラン類の製造方法が開示されている。しかしながら、
塩化白金酸などの白金触媒を用いて、アリルアミン類と
ヒドロシラン類とを反応させると、γ−アミノプロピル
シリル化合物（以下、γ一体ということがある）に加え
て多量のβ−アミノプロピルシリル化合物〈以下、β一
体ということがある）が生成し、γ一体とβ一体との比
は４〜６程度となり、目的化合物としてのγ一体の選択
率が低いという問題点があった。
ミン類とヒドロシラン類とを、塩化白金酸などの白金触
媒を用いて、無水炭酸ナトリウムなどの反応促進剤の存
在下に反応させることによるアミノプロピルアルコキシ
シラン類の製造方法が開示されている。しかしながら、
塩化白金酸などの白金触媒を用いて、アリルアミン類と
ヒドロシラン類とを反応させると、γ−アミノプロピル
シリル化合物（以下、γ一体ということがある）に加え
て多量のβ−アミノプロピルシリル化合物〈以下、β一
体ということがある）が生成し、γ一体とβ一体との比
は４〜６程度となり、目的化合物としてのγ一体の選択
率が低いという問題点があった。
また特開昭６１−２２９８８５号公報には、アリルアミ
ン類とヒドロシラン類とを、ロジウム−有機第３級ホス
フィン錯体そして必要によりトリフェニルホスフィンを
含んでなる触媒を用いて反応させることによるアミノプ
ロピルアルコキシシラン類の製造方法が開示されている
。この方法によれば、高い選択率でγ−アミノプロピル
アルコキシシランを得ることができるが、転化率を高め
るためには反応に長時間を要するという問題点があった
。しかもγ一体を高い選択率で得るためには、過剰のト
リフェニルホスフィンを存在させなければならないとい
う問題点もあった。
ン類とヒドロシラン類とを、ロジウム−有機第３級ホス
フィン錯体そして必要によりトリフェニルホスフィンを
含んでなる触媒を用いて反応させることによるアミノプ
ロピルアルコキシシラン類の製造方法が開示されている
。この方法によれば、高い選択率でγ−アミノプロピル
アルコキシシランを得ることができるが、転化率を高め
るためには反応に長時間を要するという問題点があった
。しかもγ一体を高い選択率で得るためには、過剰のト
リフェニルホスフィンを存在させなければならないとい
う問題点もあった。
また、Ｊ、ｏｆ ＯｒｇａｎｏＩＩｅｔ、Ｃｈｅｍ、、
ユ４９．２９〜３６（１９７８）では、コバルトカルボ
ニル、ロジウムカルボニル、イリジウムカルボニル、鉄
カルボニルなどの金属カルボニル触媒存在下でのオレフ
ィンのしドロシリル化反応が検討されている。そしてこ
の論文では、Ｎ、Ｎ−ジメチルアリルアミンとトリエト
キシシランとから、高収率でＮ、Ｎ−ジメチルアミノプ
ロピルトリエトキシシランが得られることが報告されて
いる。そして同論文では、Ｎ−非置換アリルアミン類を
用いた場合には、アミンの窒素原子にシリル化反応が優
先的に起こると報告されており、このことはＮ−非置換
アリルアミン類とヒドロシラン類とからはアミノプロピ
ルアルコキシシラン類を得ることができないことを意味
している。
ユ４９．２９〜３６（１９７８）では、コバルトカルボ
ニル、ロジウムカルボニル、イリジウムカルボニル、鉄
カルボニルなどの金属カルボニル触媒存在下でのオレフ
ィンのしドロシリル化反応が検討されている。そしてこ
の論文では、Ｎ、Ｎ−ジメチルアリルアミンとトリエト
キシシランとから、高収率でＮ、Ｎ−ジメチルアミノプ
ロピルトリエトキシシランが得られることが報告されて
いる。そして同論文では、Ｎ−非置換アリルアミン類を
用いた場合には、アミンの窒素原子にシリル化反応が優
先的に起こると報告されており、このことはＮ−非置換
アリルアミン類とヒドロシラン類とからはアミノプロピ
ルアルコキシシラン類を得ることができないことを意味
している。
よ゛ る−
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、アリルアミン類とヒドロシ
ラン類とから高い選択率でγ−アミノグロビルシリル化
合物を製造しうるような、アミノプロピルシリル化合物
の製造方法を提供することを目的としている。
しようとするものであって、アリルアミン類とヒドロシ
ラン類とから高い選択率でγ−アミノグロビルシリル化
合物を製造しうるような、アミノプロピルシリル化合物
の製造方法を提供することを目的としている。
本発明者らは、アミノプロピルシリル化合物の製造方法
を種々検討する中で、アリルアミン類としドロシラン類
を（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物および（ｉ
ｉ ＞塩基性化合物を組み合せた触媒の存在下に反応さ
せると、γ一体を高選択率かつ高収率で短時間にて製造
しうろことを見出し、本発明を完成するに至った。
を種々検討する中で、アリルアミン類としドロシラン類
を（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物および（ｉ
ｉ ＞塩基性化合物を組み合せた触媒の存在下に反応さ
せると、γ一体を高選択率かつ高収率で短時間にて製造
しうろことを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の
製造方法は、 式［エコ ［式中、ＲおよびＲ２は水素、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェニル基また
は置換フェニル基、−ＣＨ３ＯＫ ＮＨＣＨ２ＣＨ２Ｎ
Ｈ２、まなは−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であり、Ｒは水素ま
たは炭素数１〜６のアルキル基である。］で示されるア
リルアミン類とヒドロシラン類とを、（ｉ）ロジウム金
属またはロジウム化合物および（ｉｉ ）塩基性化合物
からなる触媒の存在下に反応させることを特徴としてい
る。
製造方法は、 式［エコ ［式中、ＲおよびＲ２は水素、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェニル基また
は置換フェニル基、−ＣＨ３ＯＫ ＮＨＣＨ２ＣＨ２Ｎ
Ｈ２、まなは−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であり、Ｒは水素ま
たは炭素数１〜６のアルキル基である。］で示されるア
リルアミン類とヒドロシラン類とを、（ｉ）ロジウム金
属またはロジウム化合物および（ｉｉ ）塩基性化合物
からなる触媒の存在下に反応させることを特徴としてい
る。
九肌血且止剪皿」
以下本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の製造方
法について具体的に説明する。
法について具体的に説明する。
−１土工Ｗ
本発明ではアミノプロピルシリル化合物を製造する際の
原料の１つとして、上記式［Ｉ］で示されるようなアリ
ルアミン類が用いられる。
原料の１つとして、上記式［Ｉ］で示されるようなアリ
ルアミン類が用いられる。
このようなアリルアミン類としては、具体的には、アリ
ルアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアリルアミン、Ｎ、Ｎ−ジ
エチルアリルアミン、Ｎ−メチルアリルアミン、トエチ
ルアリルアミン、２−メチルアリルアミン、ジアリルア
ミン、アリルエチレンジアミン、トアリルアニリンなど
が挙げられる。
ルアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアリルアミン、Ｎ、Ｎ−ジ
エチルアリルアミン、Ｎ−メチルアリルアミン、トエチ
ルアリルアミン、２−メチルアリルアミン、ジアリルア
ミン、アリルエチレンジアミン、トアリルアニリンなど
が挙げられる。
見五旦之ユｚ１
本発明では、アミノプロピルシリル化合物を製造するた
め、上記のようなアリルアミン類と、しドロシラン類と
が反応せしめられるが、ヒドロシラン類とは、５ｉ−Ｈ
結合を有する化合物を意味し、下記式［ＩＩ］あるいは
［ＩＩ［］で示される化合物である。
め、上記のようなアリルアミン類と、しドロシラン類と
が反応せしめられるが、ヒドロシラン類とは、５ｉ−Ｈ
結合を有する化合物を意味し、下記式［ＩＩ］あるいは
［ＩＩ［］で示される化合物である。
［式中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ同一であっ
ても異なっていてもよく、アルキル基またはアルコキシ
基である。］ ［式中、Ｒ７は水素またはメチル基であり、Ｒ７の少な
くとも１つは水素であり、ｎは０〜３００の整数である
。］ 上記式［１１］または［ＩＩ［］で示されるヒドロシラ
ン類としては、具体的には、トリエトキシシラン、トリ
メトキシシラン、トリメチルシラン、トリエチルシラン
、トリプロポキシシラン、トリプトキシシラン、メチル
ジメトキシシラン、エチルジメトキシシラン、メチルジ
ェトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリオクチ
ロキシシラン、メチルジェトキシシラン、ジメチルオク
チロキシシラン、１，１，３．３−テトラメチルジシロ
キサン、ペンタメチルジシロキサン、α、ω−ジヒドロ
ポリシロキサン、［Ｓｉ Ｏ（Ｍｅ）Ｈ］ （ｎ＝
３〜４）、分子鎖中間にＳ ｉ−Ｈ結合を有するポリシ
ロキサンなどが挙げられる。
ても異なっていてもよく、アルキル基またはアルコキシ
基である。］ ［式中、Ｒ７は水素またはメチル基であり、Ｒ７の少な
くとも１つは水素であり、ｎは０〜３００の整数である
。］ 上記式［１１］または［ＩＩ［］で示されるヒドロシラ
ン類としては、具体的には、トリエトキシシラン、トリ
メトキシシラン、トリメチルシラン、トリエチルシラン
、トリプロポキシシラン、トリプトキシシラン、メチル
ジメトキシシラン、エチルジメトキシシラン、メチルジ
ェトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリオクチ
ロキシシラン、メチルジェトキシシラン、ジメチルオク
チロキシシラン、１，１，３．３−テトラメチルジシロ
キサン、ペンタメチルジシロキサン、α、ω−ジヒドロ
ポリシロキサン、［Ｓｉ Ｏ（Ｍｅ）Ｈ］ （ｎ＝
３〜４）、分子鎖中間にＳ ｉ−Ｈ結合を有するポリシ
ロキサンなどが挙げられる。
１２二ム上１１
本発明では、上記のようなアリルアミン類とヒドロシラ
ン類とを反応させる際に、触媒として（ｉ）ロジウム金
属またはロジウム化合物およびＮｌ）塩基性化合物が用
いられる。
ン類とを反応させる際に、触媒として（ｉ）ロジウム金
属またはロジウム化合物およびＮｌ）塩基性化合物が用
いられる。
ロジウム化合物としては、ロジウムの１価、２価らしく
は３価錯体、ロジウムの０価錯体またはロジウムの錯体
以外のロジウム化合物が用いられる。
は３価錯体、ロジウムの０価錯体またはロジウムの錯体
以外のロジウム化合物が用いられる。
ロジウムの１１１Ｐ
ロジウムの１価、２価もしくは３価錯体のアニオン配位
子は、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、アルキル、
アセトキシ、アルコキシ、アセチルアセトン、ヒドロキ
シ、ヒドリド、ホスフィトなどである。
子は、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、アルキル、
アセトキシ、アルコキシ、アセチルアセトン、ヒドロキ
シ、ヒドリド、ホスフィトなどである。
またロジウムの残りの配位座を占める中性配位子は、エ
チレン、プロピレン、シクロオクテン、ノルボルネンそ
の他のモノオレフィン、１．３−ブタジェン、１．３−
ペンタジェン、１，３−シクロへキサジエンその他の共
役ジエン、１．５−シクロオクタジエン、ノルボルナジ
ェン、１．４−ペンタジェン、ジシクロペンタジェンそ
の他の非共役ジエン、ピリジンジピリジル、オルトフェ
ナントロリンなどの芳香族アミン、ニトリル、イソニト
リル、カルボニル、ホスフィンなどである。
チレン、プロピレン、シクロオクテン、ノルボルネンそ
の他のモノオレフィン、１．３−ブタジェン、１．３−
ペンタジェン、１，３−シクロへキサジエンその他の共
役ジエン、１．５−シクロオクタジエン、ノルボルナジ
ェン、１．４−ペンタジェン、ジシクロペンタジェンそ
の他の非共役ジエン、ピリジンジピリジル、オルトフェ
ナントロリンなどの芳香族アミン、ニトリル、イソニト
リル、カルボニル、ホスフィンなどである。
上記のようなロジウムの１価錯体としては、具体的には
、下記のような化合物が挙げられる。
、下記のような化合物が挙げられる。
ジ−μｍメトキシビス（１，５−シクロオクタジエン）
ジロジウム、［Ｒｈ（、ｃｚ −ＯＭ ｅ）（１，５−
ＣＯＤ）］２ ジ−μｍヒドロキシビス（１，５−シクロオクタジエン
）ジロジウム、［Ｒｔｌ（μｍＯＨ）（１，５−ＣＯＤ
）］２ ジ−μｍメトキシビス（テトラフルオロペンゾバレレン
）ジロジウム、［Ｒｈ （μｍ ＯＭｅ）（１，５−
ＴＦＢ）］２ ［ロジウム（１，５−シクロオクタジエン）（インドー
ル）］バークロレート、［Ｒｈ（１，５−ＣＯＤ ）（
Ｉｎｄｏｌｅ）］ ＣＩ Ｏ４ ジ−μｍクロロビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ
ロジウム、［Ｒｈ（μｍＣＩ）（１，５−ＣＯＤ ）
］ ２ジ−μｍブロモビス（１，５−シクロオクタジエ
ン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＢｒ）（１，５−ＣＯＤ
） ］ ２ジ２ジ一ヨードビス（１，５−シクロオク
タジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＩ ）（１，５−
ＣＯＤ ＞ １２ジ一μｍクロロビス（１，５−へキサ
ジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（ｔｔ−ＣＩ）（１，５−
Ｃ６Ｈ１０） ］ ２ジ２ジ一クロロテトラキス（２，
３ジメチル−２ブテン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＣＩ
） （Ｃ６ＨＩ３） ２ ］ ２ジ２ジ一クロロテトラ
キスエテンジロジウム、［Ｒｈ（μｍ０１）（Ｃ２Ｈ４
）２］２アセチルアセトナートビス（エチレン）ロジウ
ム、［Ｒｈ（ａｃａｃ）（Ｃ２Ｈ４） ２ ジ一μｍタロロテトラ力ルポニルジロジウム、［Ｒｈ（
μｍＣＩ）（Ｃｏ）、２ Ｅ２２ジ−ｍアセトキシビス
（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（
μｍ ＯＡｃ） （１，５−ＣＯＤ）］２ ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μｍバーオキ
レジロジウム、［Ｒｈ［μｍ０）（１，５−ＣＯＤ ＞
］ ２ シクロペンタジェニル（１，５−シクロオクタジエン）
ロジウム、Ｒｈ（ＣＰＤ）（１，５−ＣＯＤ）アセチル
アセトナート（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム
、Ｒｈ（ａｃａｃ） （１，５−ＣＯＤ）ジ−μｍク
ロロビス（１，５−シクロオクタテトラエン）ジロジウ
ム、［Ｒｈ（μｍＣＩ） （１，５−ＣＯＴ）］２ ジ−μｍクロロビス（ジシクロペンタジェン）ジロジウ
ム、［Ｒｈ（μｍＣ１）（ＤＣＰＤ）］２ジ２ジ一フェ
ノキシビス（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム
、［Ｒｈ（μｍ０Ｐｈ ） （１，５−ＣＯＤ ）
］ ２ ベンゾイルアセトナート（１，５−シクロオクタジエン
）ロジウム、Ｒｈ（ｂｚａｃ） （１，５−ＣＯＤ
）ジベンゾイルメタナート（１，５−シクロオクタジエ
ン）ロジウム、Ｒｈ（ｄｂｌｌ） （１，５−ＣＯＤ
）ジ−μｍクロロビス（ノルボルナジェン）ジロジウム
、［Ｒｈ（μｍＣＩ ）（ＮＢＤ）］２ジ２ジ一アセト
キシビス（ノルボルナジェン）ジロジウム、［Ｒｈ（μ
ｍ０ＡＣ）（ＮＢＤ）］ ２ビス（１，５−シクロオク
タジエン）μ−カーボネートジロジウム三量体、Ｒｈ６
（１，５−ＣＯＤ）６（ＣＯ３）３ ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）
ロジウム、ＨＲｈ（Ｃｏ） （ＰＰｈ ３） ３ヒド
リドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、
ＨＲＩＩ （ＰＰｈ ３）４クロロトリス（トリフェ
ニルホスフィン）ロジウム、ＲｈＣｊ（ＰＰｈ３）３ ジ−μｍジフェニルホスフィトビス（１，５−シクロオ
クタジエン）ジロジウム、［Ｒｈ （μｍＰ ｈ ２
）（１，５−ＣＯＤ ） ］ ２などである。
ジロジウム、［Ｒｈ（、ｃｚ −ＯＭ ｅ）（１，５−
ＣＯＤ）］２ ジ−μｍヒドロキシビス（１，５−シクロオクタジエン
）ジロジウム、［Ｒｔｌ（μｍＯＨ）（１，５−ＣＯＤ
）］２ ジ−μｍメトキシビス（テトラフルオロペンゾバレレン
）ジロジウム、［Ｒｈ （μｍ ＯＭｅ）（１，５−
ＴＦＢ）］２ ［ロジウム（１，５−シクロオクタジエン）（インドー
ル）］バークロレート、［Ｒｈ（１，５−ＣＯＤ ）（
Ｉｎｄｏｌｅ）］ ＣＩ Ｏ４ ジ−μｍクロロビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ
ロジウム、［Ｒｈ（μｍＣＩ）（１，５−ＣＯＤ ）
］ ２ジ−μｍブロモビス（１，５−シクロオクタジエ
ン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＢｒ）（１，５−ＣＯＤ
） ］ ２ジ２ジ一ヨードビス（１，５−シクロオク
タジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＩ ）（１，５−
ＣＯＤ ＞ １２ジ一μｍクロロビス（１，５−へキサ
ジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（ｔｔ−ＣＩ）（１，５−
Ｃ６Ｈ１０） ］ ２ジ２ジ一クロロテトラキス（２，
３ジメチル−２ブテン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＣＩ
） （Ｃ６ＨＩ３） ２ ］ ２ジ２ジ一クロロテトラ
キスエテンジロジウム、［Ｒｈ（μｍ０１）（Ｃ２Ｈ４
）２］２アセチルアセトナートビス（エチレン）ロジウ
ム、［Ｒｈ（ａｃａｃ）（Ｃ２Ｈ４） ２ ジ一μｍタロロテトラ力ルポニルジロジウム、［Ｒｈ（
μｍＣＩ）（Ｃｏ）、２ Ｅ２２ジ−ｍアセトキシビス
（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（
μｍ ＯＡｃ） （１，５−ＣＯＤ）］２ ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μｍバーオキ
レジロジウム、［Ｒｈ［μｍ０）（１，５−ＣＯＤ ＞
］ ２ シクロペンタジェニル（１，５−シクロオクタジエン）
ロジウム、Ｒｈ（ＣＰＤ）（１，５−ＣＯＤ）アセチル
アセトナート（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム
、Ｒｈ（ａｃａｃ） （１，５−ＣＯＤ）ジ−μｍク
ロロビス（１，５−シクロオクタテトラエン）ジロジウ
ム、［Ｒｈ（μｍＣＩ） （１，５−ＣＯＴ）］２ ジ−μｍクロロビス（ジシクロペンタジェン）ジロジウ
ム、［Ｒｈ（μｍＣ１）（ＤＣＰＤ）］２ジ２ジ一フェ
ノキシビス（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム
、［Ｒｈ（μｍ０Ｐｈ ） （１，５−ＣＯＤ ）
］ ２ ベンゾイルアセトナート（１，５−シクロオクタジエン
）ロジウム、Ｒｈ（ｂｚａｃ） （１，５−ＣＯＤ
）ジベンゾイルメタナート（１，５−シクロオクタジエ
ン）ロジウム、Ｒｈ（ｄｂｌｌ） （１，５−ＣＯＤ
）ジ−μｍクロロビス（ノルボルナジェン）ジロジウム
、［Ｒｈ（μｍＣＩ ）（ＮＢＤ）］２ジ２ジ一アセト
キシビス（ノルボルナジェン）ジロジウム、［Ｒｈ（μ
ｍ０ＡＣ）（ＮＢＤ）］ ２ビス（１，５−シクロオク
タジエン）μ−カーボネートジロジウム三量体、Ｒｈ６
（１，５−ＣＯＤ）６（ＣＯ３）３ ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）
ロジウム、ＨＲｈ（Ｃｏ） （ＰＰｈ ３） ３ヒド
リドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、
ＨＲＩＩ （ＰＰｈ ３）４クロロトリス（トリフェ
ニルホスフィン）ロジウム、ＲｈＣｊ（ＰＰｈ３）３ ジ−μｍジフェニルホスフィトビス（１，５−シクロオ
クタジエン）ジロジウム、［Ｒｈ （μｍＰ ｈ ２
）（１，５−ＣＯＤ ） ］ ２などである。
ロジウムの２ 。
また、上記のようなロジウムの２価錯体としては、具体
的には、下記のような化合物が挙げられる。
的には、下記のような化合物が挙げられる。
テトラキス（μｍアセテート）ジロジウム、［Ｒｈ
（ＯＡＣ） ２ ］ ２ ビス（ペンタメチルシクロペンタジェニル）ロジラム、
Ｒｈ （７７−ＣＭｅ ｓ ） ２クロロビス（ジピ
リジル）ロジウム、［Ｒｈ（ｄ＋ｐｙ） ２ Ｃｊ］
” テトラキス（μｍアセテート）ビストリフェニルホスフ
ィンジロジウム、［ＰＰｈ ３Ｒｈ（ＯＡＣ）２ ］
２などである。
（ＯＡＣ） ２ ］ ２ ビス（ペンタメチルシクロペンタジェニル）ロジラム、
Ｒｈ （７７−ＣＭｅ ｓ ） ２クロロビス（ジピ
リジル）ロジウム、［Ｒｈ（ｄ＋ｐｙ） ２ Ｃｊ］
” テトラキス（μｍアセテート）ビストリフェニルホスフ
ィンジロジウム、［ＰＰｈ ３Ｒｈ（ＯＡＣ）２ ］
２などである。
ロジ ムの３
また、上記のようなロジウムの３価錯体としては、具体
的には、下記のような化合物が挙げられる。
的には、下記のような化合物が挙げられる。
ヘキサクロロロジウム、［Ｒｈ Ｃｊ６］トリクロロト
リス（トリエチルホスフィン）ロジウム、Ｒｈ Ｃｊ（
Ｐ Ｅ ｔ ３） ３ジ−μｍクロロテトラ−π−アリ
ルジロジウム、［ＲＩＩ （μｍＣｊ）（π−Ｃ３Ｈ
５）２］２などである。
リス（トリエチルホスフィン）ロジウム、Ｒｈ Ｃｊ（
Ｐ Ｅ ｔ ３） ３ジ−μｍクロロテトラ−π−アリ
ルジロジウム、［ＲＩＩ （μｍＣｊ）（π−Ｃ３Ｈ
５）２］２などである。
ロジウムの０ 、 ゛
ロジウムの０価錯体では、ロジウムの配位座は、すべて
上記のような中性配位子で占められている。
上記のような中性配位子で占められている。
ロジウムのＯ価錯体としては、具体的には、下記のよう
な化合物が挙げられる。
な化合物が挙げられる。
Ｒｈ （ＣＯ） 、Ｒｈ４ （ＣＯ）１２．Ｒｈ
（Ｃｏ） 、Ｒｈ ６ （Ｃｏ） １４（ノルポルナ
ジエン）などである。
（Ｃｏ） 、Ｒｈ ６ （Ｃｏ） １４（ノルポルナ
ジエン）などである。
ロジウムの の ム
ロジウムの銘体以外の化合物としては、具体的には、下
記のような化合物が挙げられる。
記のような化合物が挙げられる。
Ｒｈ Ｃｊ −ｎ Ｈ２Ｏ、ＲｈＢ「３、Ｒｈ■３な
とである。
とである。
監表」コピ１惣
上記のような（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物
とともに用いられる（ ｉｉ ）塩基性化合物としては
、具体的には、塩基性の電子供与性化合物、ルイス塩基
または塩基性の還元剤が挙げられる。
とともに用いられる（ ｉｉ ）塩基性化合物としては
、具体的には、塩基性の電子供与性化合物、ルイス塩基
または塩基性の還元剤が挙げられる。
−の舒 ム
電子供与性化合物としては、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、ＩＩＩＡ族金属またはＶＡ族のオニウムのハロ
ゲン化合物、カルコゲン化合物、ＶＡ族化合物、ＩＶＡ
ＶＡ族化合物はＩＩＩＡ族化合物などが用いられる。
類金属、ＩＩＩＡ族金属またはＶＡ族のオニウムのハロ
ゲン化合物、カルコゲン化合物、ＶＡ族化合物、ＩＶＡ
ＶＡ族化合物はＩＩＩＡ族化合物などが用いられる。
上記のような電子供与性化合物としては、具体的には、
下記のような化合物が挙げられる。
下記のような化合物が挙げられる。
フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化バリウム、
フッ化マグネシウム、テトラブチルアンモニウムフルオ
ライド、リチウムオキシド、ナトリウムオキシド、カリ
ウムオキシド、ルビジウムオキシド、セシウムオキシド
、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化バリウム
、ジエチルアルミニウムヒドロキシド、テトラブチルア
ンモニウムヒドロキシド、リチウムメトキシド、リチウ
ムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキ
シド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、ルビジウム
エトキシド、セシウムエトキシド、トリエチルアンモニ
ウムメトキシド、ナトリウムトリフェニルシラル−ト（
Ｎａ Ｏ３ｉ Ｐｈ ３） 、リチウムトリフェニルシ
ラル−ト（Ｌｉ Ｏ３ｉ Ｐｈ ３） 、ナトリウムト
リエチルゲルミレート（Ｎａ ＯＧｅ Ｅｔ ３）、カ
リウムトリブチルスタニレート（ＫＯ３ｎＢｕ３）、ナ
トリウムフェノキシト、ジエチルアルミニウムメトキシ
ド、炭酸ナトリウム、酢酸カリウム、亜硫酸ナトリウム
、亜硝酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸
カリウム、塩素酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、シ
アン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、リチウムハ
イドロスルフィド（Ｌｉ ＳＨ）、ナトリウムハイドロ
スルフィド（ＮａＳＨ）、カリウムハイドロスルフィド
（ＫＳＨ） 、ナトリウムアジド、ナトリウムアミド（
Ｈ２ＮＮａ）、カリウムジエチルアミド、ナトリウムジ
フェニルホスフィト（Ｐｈ２ＰＮａ）、ｎ−ブチルリチ
ウム、フェニルリチウム、イソプロピルマグネシウムク
ロリド、フェニルマグネシウムプロミド、ジフェニルメ
チルシリルリチウム、トリフェニルゲルミルリイーウム
、トリブチルスタニルリチウム、ナトリウムテトラフル
オロボレートなどである。
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化バリウム、
フッ化マグネシウム、テトラブチルアンモニウムフルオ
ライド、リチウムオキシド、ナトリウムオキシド、カリ
ウムオキシド、ルビジウムオキシド、セシウムオキシド
、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化バリウム
、ジエチルアルミニウムヒドロキシド、テトラブチルア
ンモニウムヒドロキシド、リチウムメトキシド、リチウ
ムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキ
シド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、ルビジウム
エトキシド、セシウムエトキシド、トリエチルアンモニ
ウムメトキシド、ナトリウムトリフェニルシラル−ト（
Ｎａ Ｏ３ｉ Ｐｈ ３） 、リチウムトリフェニルシ
ラル−ト（Ｌｉ Ｏ３ｉ Ｐｈ ３） 、ナトリウムト
リエチルゲルミレート（Ｎａ ＯＧｅ Ｅｔ ３）、カ
リウムトリブチルスタニレート（ＫＯ３ｎＢｕ３）、ナ
トリウムフェノキシト、ジエチルアルミニウムメトキシ
ド、炭酸ナトリウム、酢酸カリウム、亜硫酸ナトリウム
、亜硝酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸
カリウム、塩素酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、シ
アン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、リチウムハ
イドロスルフィド（Ｌｉ ＳＨ）、ナトリウムハイドロ
スルフィド（ＮａＳＨ）、カリウムハイドロスルフィド
（ＫＳＨ） 、ナトリウムアジド、ナトリウムアミド（
Ｈ２ＮＮａ）、カリウムジエチルアミド、ナトリウムジ
フェニルホスフィト（Ｐｈ２ＰＮａ）、ｎ−ブチルリチ
ウム、フェニルリチウム、イソプロピルマグネシウムク
ロリド、フェニルマグネシウムプロミド、ジフェニルメ
チルシリルリチウム、トリフェニルゲルミルリイーウム
、トリブチルスタニルリチウム、ナトリウムテトラフル
オロボレートなどである。
と土ム皇ｌ
ルイス塩基としては、具体的には、下記のような化合物
が挙げられる。
が挙げられる。
しドロキシルアミン、しドラジン、フェニルヒドラジン
、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、アセトアル
ドキシム（ＣＨ３ＣＨ＝ＮＯＨ） 、トリエチルアミン
、キヌクリジン、ピロリジンなどである。
、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、アセトアル
ドキシム（ＣＨ３ＣＨ＝ＮＯＨ） 、トリエチルアミン
、キヌクリジン、ピロリジンなどである。
堅Ａｊぽし１元請
還元剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｉ
Ａ族金属もしくはＩＶＡ族金属のハイドライド化合物ま
たはアルカリ金属、アルカリ土類金属などが用いられる
。
Ａ族金属もしくはＩＶＡ族金属のハイドライド化合物ま
たはアルカリ金属、アルカリ土類金属などが用いられる
。
上記のような還元剤としては、具体的には、下記のよう
な化合物または金属が挙げられる。
な化合物または金属が挙げられる。
リチウムハイドライド、カルシウムハイドライド、リチ
ウムアルミニウムハイドライド、ナトリウムボロハイド
ライド、リチウムトリーｔｅｒｔ−ブトキシアルミニウ
ムハイドライド、リチウムトリエチルボロハイドライド
、トリブチルゲルマニウムハイドライド、トリブチルス
ズハイドライド、ナトリウムトリーｔｅｒｔ−ブトキシ
ボロハイドライド、リチウム金属、ナトリウム金属、カ
リウム金属、ルビジウム金属、セシウム金属、ベリリウ
ム金属、マグネシウム金属、カルシウム金属などである
。
ウムアルミニウムハイドライド、ナトリウムボロハイド
ライド、リチウムトリーｔｅｒｔ−ブトキシアルミニウ
ムハイドライド、リチウムトリエチルボロハイドライド
、トリブチルゲルマニウムハイドライド、トリブチルス
ズハイドライド、ナトリウムトリーｔｅｒｔ−ブトキシ
ボロハイドライド、リチウム金属、ナトリウム金属、カ
リウム金属、ルビジウム金属、セシウム金属、ベリリウ
ム金属、マグネシウム金属、カルシウム金属などである
。
上記のような塩基性化合物は、ロジウム金属またはロジ
ウム化合物１モルに対して塩基性化合物が０．１〜３０
モル好ましくは０．２〜５モル程度の量で存在するよう
に用いられる。塩基性化合物が上記範囲よりも少ない量
で用いられると、触媒活性が低いため好ましくなく、一
方上記範囲よりも多い量で用いられると、ヒドロシラン
類の不均化反応が起り、副生成物の生成量が増加するた
め好ましくない。
ウム化合物１モルに対して塩基性化合物が０．１〜３０
モル好ましくは０．２〜５モル程度の量で存在するよう
に用いられる。塩基性化合物が上記範囲よりも少ない量
で用いられると、触媒活性が低いため好ましくなく、一
方上記範囲よりも多い量で用いられると、ヒドロシラン
類の不均化反応が起り、副生成物の生成量が増加するた
め好ましくない。
また、反応中または反応後に、上記範囲内で塩基性化合
物を追加することにより、触媒を高活性に保つことがで
きる。
物を追加することにより、触媒を高活性に保つことがで
きる。
塩基性化合物は、固体のまま添加しても、エタノール、
ＤＭＳＯなどの溶媒に溶解して添加してもよい。
ＤＭＳＯなどの溶媒に溶解して添加してもよい。
区ヌＬｋ庄
上記のようなアリルアミン類とヒドロシラン類とは、ア
リルアミン類：ヒドロシラン類とのモル比が１．３：１
〜１：１．３の範囲で用いられることが好ましい。
リルアミン類：ヒドロシラン類とのモル比が１．３：１
〜１：１．３の範囲で用いられることが好ましい。
なお、アリルアミン類および／またはしドロシラン類に
含有されるハロゲン、硫黄、リンなどの不純物はなるべ
く除去して用いることが好ましい。
含有されるハロゲン、硫黄、リンなどの不純物はなるべ
く除去して用いることが好ましい。
反応は、常圧下で行なってもよく、また加圧下で行なっ
てもよい、また反応温度は１５℃以上好ましくは５０〜
２５０℃さらに好ましくは７０〜２００℃であることが
望ましい０反応温度が１５℃未満では、γ−アミノプロ
ピルシリル化合物がほとんど生成しないため好ましくな
く、一方反応温度が２５０℃を超えると、目的とするγ
−アミノプロピルシリル化合物の選択率が低下するため
好ましくない。
てもよい、また反応温度は１５℃以上好ましくは５０〜
２５０℃さらに好ましくは７０〜２００℃であることが
望ましい０反応温度が１５℃未満では、γ−アミノプロ
ピルシリル化合物がほとんど生成しないため好ましくな
く、一方反応温度が２５０℃を超えると、目的とするγ
−アミノプロピルシリル化合物の選択率が低下するため
好ましくない。
反応系におけるロジウム金属またはロジウム化合物は、
多量に用いることもできるが、アリルアミン類１モル対
して、金属ロジウムとして１０−６〜１０−３モル程度
存在しておれば充分である。
多量に用いることもできるが、アリルアミン類１モル対
して、金属ロジウムとして１０−６〜１０−３モル程度
存在しておれば充分である。
反応は、溶媒の存在下に行なってもよく、また非存在下
に行なってもよい、溶媒を用いる場合には、トルエン、
キシレン、ヘプタン、ドデカン、ジトリルブタン、キュ
メンなどの炭化水素系溶媒が好ましい。
に行なってもよい、溶媒を用いる場合には、トルエン、
キシレン、ヘプタン、ドデカン、ジトリルブタン、キュ
メンなどの炭化水素系溶媒が好ましい。
また反応に際して、ロジウム金属としてロジウム錯体を
使用する場合は、ロジウム触媒に配位している中性の配
位子と同じ配位子または異なる配位子を反応系にさらに
過剰に加えてもよい。
使用する場合は、ロジウム触媒に配位している中性の配
位子と同じ配位子または異なる配位子を反応系にさらに
過剰に加えてもよい。
反応時間は、反応温度によって大きく変化するが、通常
０．５〜２．０間抜程度で充分である。
０．５〜２．０間抜程度で充分である。
アリルアミン類としドロシラン類との反応を、触媒とし
て（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物および（ｉ
ｉ ）塩基性化合物を用いて行なうと、γ−アミノプロ
ピルシリル化合物が、高い選択率で得られ、β一体はほ
とんど生成せず、非常に高いγ一体／β一体比でγ−体
が得られる。しかもアリルアミン類とヒドロシラン類と
の反応が迅速に進行し、したがって７５％以上にも達す
る高い収率でγ−アミノプロピルシリル化合物が得られ
る。
て（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物および（ｉ
ｉ ）塩基性化合物を用いて行なうと、γ−アミノプロ
ピルシリル化合物が、高い選択率で得られ、β一体はほ
とんど生成せず、非常に高いγ一体／β一体比でγ−体
が得られる。しかもアリルアミン類とヒドロシラン類と
の反応が迅速に進行し、したがって７５％以上にも達す
る高い収率でγ−アミノプロピルシリル化合物が得られ
る。
これに対して、アリルアミン類とヒドロシラン類との反
応を、塩化白金酸触媒を用いて行なうと、γ一体の収率
は４０〜５０％程度であり、しかもγ一体／β一体の比
は４程度にしか達しない。またアリルアミン類とヒドロ
シラン類との反応を、ロジウムヒドリドカルボニルトリ
ス（トリフェニルホスフィン）錯体のみを用いて行なう
と、６０程度のγ一体／β一体比でγ−体か得られるが
、反応速度が遅いため、たとえば、ヒドロシラン類に対
して０．１モル％のロジウム錯体を使用した場合、反応
に６時間以上もの長時間を必要としてしまう。
応を、塩化白金酸触媒を用いて行なうと、γ一体の収率
は４０〜５０％程度であり、しかもγ一体／β一体の比
は４程度にしか達しない。またアリルアミン類とヒドロ
シラン類との反応を、ロジウムヒドリドカルボニルトリ
ス（トリフェニルホスフィン）錯体のみを用いて行なう
と、６０程度のγ一体／β一体比でγ−体か得られるが
、反応速度が遅いため、たとえば、ヒドロシラン類に対
して０．１モル％のロジウム錯体を使用した場合、反応
に６時間以上もの長時間を必要としてしまう。
１肌立羞ユ
本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の製造方法で
は、アリルアミン類とヒドロシラン類とを反応させるに
際して、触媒として（ｉ）ロジウム金属またはロジウム
化合物および（ｉ）塩基性化合物を用いているので、γ
−アミノプロピルシリル化合物を高選択率かつ高収率で
短時間で得ることができる。
は、アリルアミン類とヒドロシラン類とを反応させるに
際して、触媒として（ｉ）ロジウム金属またはロジウム
化合物および（ｉ）塩基性化合物を用いているので、γ
−アミノプロピルシリル化合物を高選択率かつ高収率で
短時間で得ることができる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
実施例に限定されるものではない。
Ｘ胤ヱユ
還流冷却管、撹拌棒、温度計を備えた３つロフラスコに
、ロジウム化合物として三塩化ロジウム三水和物（Ｒｈ
ＣＪ ・３Ｈ２０）０．０６６ｇ（Ｒｈとしてトリ
エトキシシランに対して０．１モル％）、塩基性化合物
として水酸化ナトリウム粉末０．０６Ｏｒ、キシレン５
０ｍ１を加えた後、混合物を１３０℃の恒温油槽で加熱
した。
、ロジウム化合物として三塩化ロジウム三水和物（Ｒｈ
ＣＪ ・３Ｈ２０）０．０６６ｇ（Ｒｈとしてトリ
エトキシシランに対して０．１モル％）、塩基性化合物
として水酸化ナトリウム粉末０．０６Ｏｒ、キシレン５
０ｍ１を加えた後、混合物を１３０℃の恒温油槽で加熱
した。
その後アリルアミン１４ｇ （０，２５モル）、トリエ
トキシシラン４１＋ｒ （０，２５モル）の混合物を約
１時間に亘り滴下して反応を行なった。
トキシシラン４１＋ｒ （０，２５モル）の混合物を約
１時間に亘り滴下して反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランが９０％の収率（トリエトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランが９０％の収率（トリエトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
Ｋ五匠ｌ二１ユ
ロジウム化合物（ロジウム金属を含む）、塩基性化合物
、溶媒および／または反応温度を表１に示すように代え
た以外は、実施例１と同様にして反応およびガスクロマ
トグラフィー分析を行なった。
、溶媒および／または反応温度を表１に示すように代え
た以外は、実施例１と同様にして反応およびガスクロマ
トグラフィー分析を行なった。
結果を表１に示すが、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランの収率は全て、トリエトキシシラン基準である。
シランの収率は全て、トリエトキシシラン基準である。
火胤慮ユ１
ヒドロシランをトリメトキシシラン３０．５ｇ （０，
２５モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして反応
を行なった。
２５モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして反応
を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが８７％の収率（トリメトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが８７％の収率（トリメトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
罠立且ユニ
ヒドロシランをトリエチルシラン２９．０ｒ（０，２５
モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行
なった。
モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行
なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
チルシランが８０％の収率（トリエチルシラン基準）で
得られており、β一体は０．２％以下しか生成していな
かった。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
チルシランが８０％の収率（トリエチルシラン基準）で
得られており、β一体は０．２％以下しか生成していな
かった。
Ｋ腹皿二ユ
ヒドロシランを１．１，３．３−テトラメチルジシロキ
サン１６．８ｇ （０，１２５モル）に代えた以外は、
実施例１と同様にして反応を行なった。
サン１６．８ｇ （０，１２５モル）に代えた以外は、
実施例１と同様にして反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、１，３−ビスーγ−アミノ
プロピル１，１，３．３−テトラジメチルジシロキサン
が７０％の収率（１，１，３，３−テトラメチルジシロ
キサン基準）で得られており、β一体は０．２％以下し
か生成していなかった。
ィーにより分析したところ、１，３−ビスーγ−アミノ
プロピル１，１，３．３−テトラジメチルジシロキサン
が７０％の収率（１，１，３，３−テトラメチルジシロ
キサン基準）で得られており、β一体は０．２％以下し
か生成していなかった。
夫胤透至ユ
ヒドロシランをトリメトキシシラン３０．５ｇ （０，
２５モル）に代え、ロジウム化合物および塩基性化合物
をそれぞれ［Ｒｈ （μｍＣＪＩ）（１，５−ＣＯＤ
）１２０．０６２ ｇｒ （Ｒｈとしてトリメトキシ
シランに対して０．１モル％）およびＫＯＨｏ、０５６
ｇｒに代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行な
った。
２５モル）に代え、ロジウム化合物および塩基性化合物
をそれぞれ［Ｒｈ （μｍＣＪＩ）（１，５−ＣＯＤ
）１２０．０６２ ｇｒ （Ｒｈとしてトリメトキシ
シランに対して０．１モル％）およびＫＯＨｏ、０５６
ｇｒに代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行な
った。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが８０％の収率（トリメトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが８０％の収率（トリメトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
尺立皿ｊユ
アリルアミンをアリルエチレンジアミン２５、Ｏｒ （
０，２５モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして
反応を行なった。
０，２５モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして
反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、Ｎ−（２−アミノエチル）
３−アミノプロピルトリエトキシシランが８０％（トリ
エトキシシラン基準）で得られており、β一体は０．２
％以下しか生成していなかった。
ィーにより分析したところ、Ｎ−（２−アミノエチル）
３−アミノプロピルトリエトキシシランが８０％（トリ
エトキシシラン基準）で得られており、β一体は０．２
％以下しか生成していなかった。
尺五匠ｉユ
アリルアミンをアリルエチレンジアミン２５、Ｏｒ （
０，２５モル）に代え、ロジウム化合物および塩基性化
合物をそれぞれ［Ｒｈ （μｍＣＪ ）（１，５−Ｃ
ＯＤ）］２０．０６２ｇ（Ｒｈとしてトリエトキシシラ
ンに対して０．１モル％）およびＫＯＨｏ、０５−６ｇ
に代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行なった
。
０，２５モル）に代え、ロジウム化合物および塩基性化
合物をそれぞれ［Ｒｈ （μｍＣＪ ）（１，５−Ｃ
ＯＤ）］２０．０６２ｇ（Ｒｈとしてトリエトキシシラ
ンに対して０．１モル％）およびＫＯＨｏ、０５−６ｇ
に代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行なった
。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、Ｎ−（２−アミノエチル）
３−アミノプロピルトリエトキシシランが８０％（トリ
エトキシシラン基準）で得られており、β一体は０．２
％以下しか生成していなかった。
ィーにより分析したところ、Ｎ−（２−アミノエチル）
３−アミノプロピルトリエトキシシランが８０％（トリ
エトキシシラン基準）で得られており、β一体は０．２
％以下しか生成していなかった。
几１し１１
ロジウム化合物として［Ｒｈ （μｍＣＪ）（１，５
−ＣＯＤ）１２０．０６２ｇ （Ｒｈとしてトリエトキ
シシランに対して０．１モル％）を用い、塩基性化合物
を加えなかった以外は、実施例１と同様にして反応を行
なった。
−ＣＯＤ）１２０．０６２ｇ （Ｒｈとしてトリエトキ
シシランに対して０．１モル％）を用い、塩基性化合物
を加えなかった以外は、実施例１と同様にして反応を行
なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は１％以下であ
った。
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は１％以下であ
った。
匿笠旦ｌ
塩基性化合物としてＫＯＨｏ、０５６ｓｒを用い、ロジ
ウム金属またはロジウム化合物を加えなかった以外は、
実施例１と同様にして反応を行なった。
ウム金属またはロジウム化合物を加えなかった以外は、
実施例１と同様にして反応を行なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランは全く生成しておらず
、主成分はトリエトキシシランであった。
ミノプロピルトリエトキシシランは全く生成しておらず
、主成分はトリエトキシシランであった。
Ｌ笠皿ユ
ロジウム化合物としてＲｈＣＪ （ＰＰｈ３）３０．７
４ｇ（Ｒｈとしてトリエトキシシランに対して１．０モ
ル％）を用い、塩基性化合物を加えなかった以外は、実
施例１と同様にして反応を行なった。
４ｇ（Ｒｈとしてトリエトキシシランに対して１．０モ
ル％）を用い、塩基性化合物を加えなかった以外は、実
施例１と同様にして反応を行なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は１％以下であ
った。
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は１％以下であ
った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ ［式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は水素、炭素数１〜１０の
アルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェニル
基または置換フェニル基、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＮＨＣＨ
＿２ＣＨ＿２ＮＨ＿２、または−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＮＨ
＿２であり、Ｒ＾３は水素または炭素数１〜６のアルキ
ル基である。］で示されるアリルアミン類とヒドロシラ
ン類とを、（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物お
よび（ｉｉ）塩基性化合物からなる触媒の存在下に反応
させることを特徴とするアミノプロピルシリル化合物の
製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181418A JPH0796555B2 (ja) | 1987-12-14 | 1988-07-20 | アミノプロピルシリル化合物の製造方法 |
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