JPH0797194B2

JPH0797194B2 - 光信号シフト回路

Info

Publication number: JPH0797194B2
Application number: JP60142269A
Authority: JP
Inventors: 邦雄長島
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1985-06-28
Filing date: 1985-06-28
Publication date: 1995-10-18
Anticipated expiration: 2010-10-18
Also published as: JPS623231A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光コンピュータ等において論理演算デバイス
として用いられ電気のクロック信号に従って光のデータ
信号をシフトする光信号シフト方式に関する。

（従来技術とその問題点）従来、電気信号の論理演算を高速で行なうデバイスとし
ては、カレント・スイッチを基本ブロックとしたカレン
トモードロジックが知られており更には近年GaAs FETや
ジョセフソン結合素子等を用いた超高速論理演算デバイ
スの研究が進められている。

しかしながら画像情報等の２次元的で大量なデータの高
速ディジタル情報処理を電気信号で行なうには演算速
度、消費電力等の面で限界がある。このため高速で２次
元情報の並列処理に親和性のある光信号を光のままディ
ジタル情報処理することのできる光論理演算デバイスの
実現が望まれており、このような光論理演算デバイスに
は光情報をシフトすることのできる光シフトレジスタが
不可決である。

そこで、本発明の目的は、電気のクロック信号に従って
光のデータ信号をシフトすることのできる光信号シフト
方式の提供にある。

（問題点を解決するための手段）本発明によれば、第１及び第２の電極が共振軸方向に互
いに離れて配置され前記第１の電極から供給される第１
の注入電流と出射光量との間及び前記第２の電極から供
給される第２の注入電流と出射光量との間に第１及び第
２のヒステリシス特性をそれぞれ有し、且つ、前記第１
の電極側の活性層端面からの第１の入射光量と出射光量
との間及び前記第２の電極側の活性層端面からの第２入
射光量と出射光量との間に第３及び第４のヒステリシス
特性をそれぞれ有し、前記第３及び第４のヒステリシス
特性のしきい値が前記第１及び第２の注入電流によって
それぞれ制御可能な双安定半導体レーザと、前記第１の
ヒステリシスループ内にあり、且つ、あらかじめ定めら
れた第１の入射光量に対して前記第３のヒステリシス特
性のしきい値が大きな値を示す注入電流を前記第１の電
極に供給する第１の電流源と、前記第２のヒステリシス
ループ内にあり、且つ、あらかじめ定められた第２の入
射光量に対し前記第４のヒステリシス特性のしきい値が
大きな値を示す注入電流を前記第２の電極に供給する第
２の電流源とからなる光メモリを2n（ｎは正の整数）個
含み、これら光メモリは前記半導体レーザの活性層の端
面を互いに接して縦続に光接続してあり、2i−１（ｉ＝
1,2・・・・ｎ）番目の前記光メモリの前記第１の電流
源の電流値を前記第１のヒステリシスループ内にあり、
且つ、あらかじめ定められた第１の入射光量に対して前
記第３のヒステリシス特性のしきい値が小さな値を示す
電流値のパルスを発生する第１の電気信号と、2i番目の
前記光メモリの前記第１の電流源の電流値を前記第１の
ヒステリシスループ内にあり、且つ、あらかじめ定めら
れた第１の入射光量に対して前記第３のヒステリシス特
性のしきい値が小さな値を示す電流値のパルスを発生す
る第２の電気信号とを交互に発生させる注入電流制御手
段が備えてあることを特徴とする光信号シフト回路が得
られる。

更に本発明によれば、第１及び第２の電極が共振軸方向
に互いに離れて配置され前記第１の電極から供給される
第１の注入電流と出射光量との間及び前記第２の電極か
ら供給される第２の注入電流と出射光量との間に第１及
び第２のヒステリシス特性をそれぞれ有し、且つ、前記
第１の電極側の活性層端面からの第１の入射光量と出射
光量との間及び前記第２の電極側の活性層端面からの第
２入射光量と出射光量との間に第３及び第４のヒステリ
シス特性を有し、前記第３及び第４のヒステリシス特性
のしきい値が前記第１及び第２の注入電流によってそれ
ぞれ制御可能な双安定半導体レーザと、前記第１のヒス
テリシスループ内にあり、且つ、あらかじめ定められた
第１の入射光量に対して前記第３のヒステリシス特性の
しきい値が大きな値を示す注入電流を前記第１の電極に
供給する第１の電流源と、前記第２のヒステリシスルー
プ内にあり、且つ、あらかじめ定められた第２の入射光
量に対して前記第４のヒステリシス特性のしきい値が大
きな値を示す注入電流を前記第２の電極に供給する第２
の電流源とからなる光メモリを2n（ｎは正の整数）個含
み、これら光メモリは前記半導体レーザの活性層の端面
を互いに接して縦続に光接続してあり、2i−１（ｉ＝1,
2・・・・ｎ）番目の前記光メモリの前記第１の電流源
の電流値を前記第１のヒステリシスループ内にあり、且
つ、あらかじめ定められた第１の入射光量に対して前記
第３のヒステリシス特性のしきい値が小さな値を示す電
流値のパルスを発生する第１の電気信号と、2i番目の前
記光メモリの前記第１の電流源の電流値を前記第１のヒ
ステリシスループ内にあり、且つ、あらかじめ定められ
た第１の入射光量に対して前記第３のヒステリシス特性
のしきい値が小さな値を示す電流値のパルスを発生する
第２の電気信号とを交互に発生させる注入電流制御手段
と、2i−１（ｉ＝1,2・・・・ｎ）番目の前記光メモリ
の前記第２の電流源の電流値を前記第２のヒステリシス
ループ内にあり、且つ、あらかじめ定められた第２の入
射光量に対して前記第４のヒステリシス特性のしきい値
が小さな値を示す電流値のパルスを発生する第３の電気
信号と、2i番目の前記光メモリの前記第２の電流源の電
流値を前記第２のヒステリシスループ内にあり、且つ、
あらかじめ定められた第２の入射光量に対して前記第４
のヒステリシス特性のしきい値が小さな値を示す電流値
のパルスを発生する第４の電気信号とを交互に発生させ
る第２の注入電流制御手段が備えてあることを特徴とす
る光信号シフト回路が得られる。

（実施例）以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。

第９図900は本願発明に用いる双安定半導体レーザの具
体例を示す断面図である。構造は通常用いられる電流注
入形の半導体レーザとほぼ同じであり、例えば、GaAlAs
/GaAsやInGaAsP/InPを材料とするダブルヘテロ接合構造
のレーザである。但し、電極が溝をはさんで共振軸方向
に電極901と電極902との２つに分割されていることが通
常の半導体レーザとは異なっている。

このような双安定半導体レーザとしては昭和57年度電子
通信学会光・電波部門全国大会講演論文集（文冊２）27
2番に述べられているものが知られている。

第９図に示した双安定半導体レーザ900の電極901および
902にはそれぞれ注入電流i₁およびi₂が供給されてお
り、これによって活性層903の一端904および他端905に
それぞれ入射されている２つの光信号P₁およびP₂のいず
れか一方の値を記憶し、活性層903の両端から光信号P₀
を出射する。

第10図は第９図に示した双安定半導体レーザ900の特性
を示す図である。第10図（ａ）に示すように第９図に示
した双安定半導体レーザ900は入射光量P₁＝０、注入電
流i₂＝i_2bとした時に注入電流i₁と出射光量P₀との間に1
000で示すヒステリシス特性を有し、注入電流i₁の値をi
_1bに設定することによって２つの安定点ＡおよびＢを示
す。第10図（ｂ）は注入電流i₂＝i_2bとした時の入射光
量P₁と出射光量P₀との関係を示す図であり、第９図に示
した双安定半導体レーザ900は注入電流i₁の値を第10図
（ａ）に示したi_1bの値に設定することにより1001で示
す特性を有する。ここで注入電流i₁の値を第10図（ｂ）
に示すi_1wに設定すると、双安定半導体レーザ900は1002
で示す特性を示す。

一方第10図（ｃ）に示すように第９図に示した双安定半
導体レーザ900はまた入射光量P₂＝０、注入電流i₁＝i_1b
とした時に注入電流i₂と出射光量P₀との間に1003で示す
ヒステリシス特性を有し注入電流i₂の値をi_2bに設定す
ることによって２つの安定点ＡおよびＢを示す。第10図
（ｄ）は注入電流i₁＝i_1bとした時の入射光量P₂と出射
光量P₀との関係を示す図であり、第９図に示した双安定
半導体レーザ900は注入電流i₂の値を第10図（ｃ）に示
したi_2bの値に設定することにより1004で示す特性を有
する。ここで注入電流i₂の値を第10図（ｅ）に示すi_2w
に設定すると双安定半導体レーザ900は1003で示す特性
を示す。第10図（ａ）における点A,Bはそれぞれ第10図
（ｂ）〜（ｄ）における点A,Bと同一の点を表わす。

第11図は入射光量P₁,P₂＝０、注入電流i₁＝i_1bとした時
の注入電流i₂と電極902の電圧Ｖの関係を示す図であ
る。第９図に示した双安定半導体レーザにおいて注入電
流i₂をi_2cから増加させたときにはＨ→Ｆ→Ｉの経路で
電圧Ｖが増加し、逆に注入電流i₂をi_2t以上の値から減
少させた場合には電圧ＶはＩ→Ｇ→Ｈの経路で減少する
ようなヒステリシスを示す。この為注入電流i₂＝i_2bと
すると第９図に示した双安定半導体レーザは、第10図
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）の安定点Ａにある時に
電極電圧v₀を、第10図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）
の安定点Ｂにある時に電極電圧V₁をそれぞれ示す。

更に第９図に示した双安定半導体レーザ900は、入射光
量P₁,P₂＝０、注入電流i₂＝i_2bとした時の注入電流i₁と
電極901の電圧との間にも全く同様の関係を有する。

第１図は本願の第１の発明の一実施例を示す図である。

第１図によれば、本実施例では、双安定半導体レーザ10
0〜105が互いに活性層の端面を接して縦続に配されてお
り、各双安定半導体レーザの第１の電極106〜111にはそ
れぞれ電流源112〜117によって、また第２の電極118〜1
23にはそれぞれ電流源124〜129によって注入電流が供給
されている。

第１図に示した双安定半導体レーザ100と101,102と103,
104と105はそれぞれ光マスタースレーブフリップフロッ
プ回路を構成しており、端子130および131に加えられる
１組のクロック電気信号φ₂,φ_１に応じて双安定半導体
レーザ100の活性層の一端に加えられた光信号132を順次
双安定半導体レーザ100−101−102−103−104−105へと
シフトして行く。

第２図は、第１図に示した双安定半導体レーザ100,101
によって構成される光マスタースレーブフリップフロッ
プ回路を示す。第２図において第１図と同一番号を付し
たものは第１図と同一の構成要素を示す。

第３図は第２図に示した光マスタースレーブフリップフ
ロップ回路の動作を説明するためのタイムチャートであ
る。

第３図によれば第２図に示した光マスタースレーブフリ
ップフロップ回路の入力には光信号D₁が加えられてお
り、可変電流源112および113を制御することによって光
信号D₁をラッチし光信号Q₂として出力する。

第２図に示した双安定半導体レーザ100の電極106および
118には可変電流源112および定電流源124によってそれ
ぞれ電極値i_1bを有する注入電流T₁,T₁′が供給されてお
り、双安定半導体レーザ101の電極107および119には可
変電流源113および定電流源125によってそれぞれ注入電
流T₂,T₂′が供給されている。

第２図に示した双安定半導体レーザ100および101には、
第３図に示すようにそれぞれ可変電流源112および113に
よって第10図（ａ）に示した電流値i_1bの注入電流が供
給されている。これにより双安定半導体レーザ100およ
び101は、第10図（ａ）に示す安定点Ａ又はＢのいずれ
か一方を保持することにより、いずれもX_nの光情報を記
憶しているものとする。

ここで注入電流T₁の値を第10図（ａ）に示すi_1cに減少
させると、双安定半導体レーザ100は第10図（ａ）のA,B
いずれの安定点にあっても出射光量Q₂は０になる。一
方、この双安定半導体レーザ100には活性層の一端200に
光情報X_n+1を有する入力光信号D₁が、活性層の他端201
には光情報X_nを有する双安定半導体レーザ101の出力光
信号Q₂がそれぞれ加えられている。注入電流T₁及びT₁′
の値をそれぞれ第10図（ａ），（ｃ）に示したi_1w,i_2b
に設定し光信号D₁及びQ₂の光量をそれぞれ第10図
（ｃ），（ｄ）に示すP_1b,P_2hに選ぶことにより、光情
報X_n+1を有する入力光信号D₁のみをラッチすることがで
きる。

次に、双安定半導体レーザ101の注入電流T₂を第10図
（ａ）に示すi_1cに減少させると、同様にして出射光量Q
₂は０となる。しかる後に注入電流T₂及びT₂′の値を第1
0図（ａ），（ｃ）に示したi_1w,1_2bに設定する。する
と、双安定半導体レーザ101の活性層の一端202には双安
定半導体レーザ100に蓄えられている光情報X_n+1が光信
号Q₁として加えられているから、光信号Q₁の光量P_0hを
第10図（ｂ）に示す光量P_1hに選ぶことにより、光情報X
_n+1は双安定半導体レーザ101に記憶され活性層の一端20
2および203から光信号Q₂として出力される。このように
して第２図に光マスタースレーブフリップフロップ回路
は注入電流T₁を制御することによって入力に加えられた
光情報X_n+1を双安定半導体レーザ100にラッチし、注入
電流T₂を制御することによって双安定半導体レーザ100
に記憶された光情報X_n+1を双安定半導体レーザ101に移
す。

すなわち、第１図に示した本願の第１の発明の実施例
は、端子130に加えられるクロック電気信号φ_２に応じ
て電流源113,115および117を制御することによって双安
定半導体レーザ101,103に蓄えられていた光情報を双安
定半導体レーザ102,104にそれぞれ移すとともに入力光
信号132を双安定半導体レーザ100に記憶し、端子131に
加えられるクロック電気信号φ_１に応じて電流源112,11
4,116を制御することによって双安定半導体レーザ100,1
02,104に記憶された光情報を双安定半導体レーザ101,10
3,105にラッチする。更に同様の動作を繰り返すことに
よって入力に加えられた光信号132を順次に出力に向け
てシフトすることができる。

第４図は本願の第２の発明の一実施例を示す図である。
本図において第１図と同一番号を付したものは第１図と
同一の構成要素を示す。

第４図に示した双安定半導体レーザ100と101,102と103,
104と105はそれぞれ光マスタースレーブフリップフロッ
プ回路を構成している。

第５図は第４図に示した双安定半導体レーザ100,101に
よって構成される光マスタースレーブフリップフロップ
回路を示す。第５図において第４図と同一番号を付した
ものは第４図と同一の構成要素を示す。

第６図は第５図に示した光マスタースレーブフリップフ
ロップ回路の動作を説明するためのタイムチャートであ
る。

第６図によれば第５図に示した光マスタースレーブフリ
ップフロップ回路においては第２図に示した光マスター
スレーブフリップフロップ回路と同様に注入電流T₁およ
びT₂を制御することにより双安定半導体レーザ100の活
性層の一端200に加えられた入力光信号X_n+1を双安定半
導体レーザ100にラッチし双安定半導体レーザ100にラッ
チされた光情報X_n+1を双安定半導体レーザ101に記憶さ
せることができる。

第５図に示した光マスタースレーブフリップフロップ回
路は、更に第６図に示すように注入電流T₁およびT₂の値
を第10図（ｂ）に示した一定値i_1bに設定し可変電流源1
24および125により注入電流T₂′及びT₁′を制御するこ
とにより、双安定半導体レーザ101の活性層の一端500に
加えられた入力光信号Ｘ′_n+1を双安定半導体レーザ101
にラッチし、更に双安定半導体レーザ101にラッチされ
た光情報Ｘ′_n+1を双安定半導体レーザ100に記憶させる
ことができる。

すなわち、第４図に示した本願の第２の発明の実施例に
おいては端子130,131加えられるクロック電気信号φ₂,
φ_１に応じて入力光信号132を右にシフトし、端子133,1
34に加えられるクロック電気信号φ_２′，φ_１′に応じ
て入力光信号135を左にシフトすることができる。

第７図は本願発明に関連する光信号シフト回路の一例を
示す図である。本図において第１図と同一番号を付した
ものは第１図と同一の構成要素を示す。

双安定半導体レーザ101は、第11図で説明したように、
活性層の両端に加えられる光信号の光量P₁,P₂が０であ
り電極107,119に加えられる注入電流がそれぞれi_1b,i_2b
であれば、電極119には双安定半導体レーザ101が第10図
に示したA,B2つの安定点のいずれにあるかによってそれ
ぞれv₀又はv₁の電圧が現われる。

第７図に示した光信号シフト回路においては、端子131
に加えられる電気信号φ_１に応じて電流源112,114,116
を制御することによって、双安定半導体レーザ100,102,
104をすべて第10図に示す安定点Ａへ移す。これにより
双安定半導体レーザ100,102によって双安定半導体レー
ザ101の活性層の端面202,203に加えられる光信号の光量
は０となるから、電極119には双安定半導体レーザ101に
蓄えられている光情報に応じて電圧V₀,V₁のいずれか一
方の値が得られる。比較器700は、この電圧を基準電圧V
_thと比較することによって、双安定半導体レーザ101に
蓄えられている光情報を電気信号として端子703に出力
する。

このようにして第７図に示した光信号シフト回路におい
ては、光信号としてそれぞれ双安定半導体レーザ101,10
3,105に直列に入力された光情報を、比較器700,701,702
によって電気信号として端子703,704,705に並列に出力
することができる。

第８図は本願に関連する光信号シフト回路の他の例を示
す図である。本８図において第１図と同一番号を付した
ものは第１と同一の構成要素を示す。

第８図に示した光信号シフト回路において、端子131に
加えられる電気信号φ_１に応じて電流源112,114,116を
制御することによって、双安定半導体レーザ100,102,10
4をすべて第10図に示す安定点Ａへと移す。これにより
双安定半導体レーザ102によって双安定半導体レーザ101
の活性層の端面203に加えられる光信号の光量は０にな
るから、電極119の注入電流i₂と端面203の出射光量P₀と
の関係は第10図（ｃ）に示した特性に対応する。ここで
端子800に入力される電気信号に応じて電流源125を制御
することによってひとたびi_2t以上の注入電流i₂を加え
れば双安定半導体レーザ101は安定点Ｂに移り、また注
入電流i₂をi_2cに下げれば、安定点Ａに移る。

すなわち、第８図に示した光信号シフト回路において
は、端子800,801,802に加えられた電気信号に応じた光
信号をそれぞれ双安定半導体レーザ101,103,105に並列
入力することができる。

（発明の効果）以上述べたように、本願の発明によれば、クロック電気
信号に応じてデータ光信号を左、右にシフトすることの
できる光信号シフト回路が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本願の第１の発明の一実施例を示す図、第２図
は第１図に示した双安定半導体レーザ100,101によって
構成される光マスタースレーブフリップフロップ回路を
示す図、第３図は第２図に示した光マスタースレーブフ
リップフロップ回路の動作を説明するタイムチャート、
第４図は本願の第２の発明の一実施例を示す図、第５図
は第４図に示した双安定半導体レーザ100,101によって
構成される光マスタースレーブフリップフロップ回路を
示す図、第６図は第５図に示した光マスタースレーブフ
リップフロップ回路の動作を説明するためのタイムチャ
ート、第７図は本願発明に関連する光信号シフト回路の
一例を示す図、第８図は本願発明に関連する光信号シフ
ト回路の他の例を示す図、第９図は本発明に用いる双安
定半導体レーザの具体例を示す断面図、第10図（ａ）〜
（ｄ）及び第11図は第９図に示した双安定半導体レーザ
の特性を示す図である。図において、100,101,102,103,104,105及び900は双安定
半導体レーザ、112,113,114,115,116,117,124,125,126,
127,128及び129は電流源、700,701及び702は比較器をそ
れぞれ表わす。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１及び第２の電極が共振軸方向に互いに
離れて配置され前記第１の電極から供給される第１の注
入電流と出射光量との間及び前記第２の電極から供給さ
れる第２の注入電流と出射光量との間に第１及び第２の
ヒステリシス特性をそれぞれ有し、且つ、前記第１の電
極側の活性層端面からの第１の入射光量と出射光量との
間及び前記第２の電極側の活性層端面からの第２の入射
光量と出射光量との間に第３及び第４のヒステリシス特
性をそれぞれ有し、前記第３及び第４のヒステリシス特
性のしきい値が前記第１及び第２の注入電流によってそ
れぞれ制御可能な双安定半導体レーザと、前記第１のヒ
ステリシスループ内にあり、且つ、あらかじめ定められ
た第１の入射光量に対して前記第３のヒステリシス特性
のしきい値が大きな値を示す注入電流を前記第１の電極
に供給する第１の電流源と、前記第２のヒステリシスル
ープ内にあり、且つ、あらかじめ定められた第２の入射
光量に対し前記第４のヒステリシス特性のしきい値が大
きな値を示す注入電流を前記第２の電極に供給する第２
の電流源とからなる光メモリを2n（ｎは正の整数）個含
み、これら光メモリは前記半導体レーザの活性層の端面を互
いに接して縦続に光接続してあり、 2i−１（ｉ＝1,2・・・・ｎ）番目の前記光メモリの前
記第１の電流源の電流値を前記第１のヒステリシスルー
プ内にあり、且つ、あらかじめ定められた第１の入射光
量に対して前記第３のヒステリシス特性のしきい値が小
さな値を示す電流値のパルスを発生する第１の電気信号
と、2i番目の前記光メモリの前記第１の電流源の電流値
を前記第１のヒステリシスループ内にあり、且つ、あら
かじめ定められた第１の入射光量に対して前記第３のヒ
ステリシス特性のしきい値が小さな値を示す電流値のパ
ルスを発生する第２の電気信号とを交互に発生させる注
入電流制御手段が備えてあることを特徴とする光信号シ
フト回路。
【請求項２】第１及び第２の電極が共振軸方向に互いに
離れて配置され前記第１の電極から供給される第１の注
入電流と出射光量との間及び前記第２の電極から供給さ
れる第２の注入電流と出射光量との間に第１及び第２の
ヒステリシス特性をそれぞれ有し、且つ、前記第１の電
極側の活性層端面からの第１の入射光量と出射光量との
間及び前記第２の電極側の活性層端面からの第２の入射
光量と出射光量との間に第３及び第４のヒステリシス特
性を有し、前記第３及び第４のヒステリシス特性のしき
い値が前記第１及び第２の注入電流によってそれぞれ制
御可能な双安定半導体レーザと、前記第１のヒステリシ
スループ内にあり、且つ、あらかじめ定められた第１の
入射光量に対して前記第３のヒステリシス特性のしきい
値が大きな値を示す注入電流を前記第１の電極に供給す
る第１の電流源と、前記第２のヒステリシスループ内に
あり、且つ、あらかじめ定められた第２の入射光量に対
し前記第４のヒステリシス特性のしきい値が大きな値を
示す注入電流を前記第２の電極に供給する第２の電流源
とからなる光メモリを2n（ｎは正の整数）個含み、これら光メモリは前記半導体レーザの活性層の端面を互
いに接して縦続に光接続してあり、 2i−１（ｉ＝1,2・・・・ｎ）番目の前記光メモリの前
記第１の電流源の電流値を前記第１のヒステリシスルー
プ内にあり、且つ、あらかじめ定められた第１の入射光
量に対して前記第３のヒステリシス特性のしきい値が小
さな値を示す電流値のパルスを発生する第１の電気信号
と、2i番目の前記光メモリの前記第１の電流源の電流値
を前記第１のヒステリシスループ内にあり、且つ、あら
かじめ定められた第１の入射光量に対して前記第３のヒ
ステリシス特性のしきい値が小さな値を示す電流値のパ
ルスを発生する第２の電気信号とを交互に発生させる注
入電流制御手段と、2i−１（ｉ＝1,2・・・・ｎ）番目
の前記光メモリの前記第２の電流源の電流値を前記第２
のヒステリシスループ内にあり、且つ、あらかじめ定め
られた第２の入射光量に対して前記第４のヒステリシス
特性のしきい値が小さな値を示す電流値のパルスを発生
する第３の電気信号と、2i番目の前記光メモリの前記第
２の電流源の電流値を前記第２のヒステリシスループ内
にあり、且つ、あらかじめ定められた第２の入射光量に
対して前記第４のヒステリシス特性のしきい値が小さな
値を示す電流値のパルスを発生する第４の電気信号とを
交互に発生させる第２の注入電流制御手段が備えてある
ことを特徴とする光信号シフト回路。