JPH0797547B2 - レジストコーティング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レジストコーティング方法に関する。

（従来の技術） 例えば、半導体デバイスの製造においては、精密写真転
写技術を用いて回路パターンの転写を行うため、半導体
ウエハに均一にレジストをコーティングする工程があ
る。

このように、半導体ウエハにレジストをコーティングす
る方法としては、半導体ウエハの中央部付近にレジスト
を供給し、半導体ウエハを高速回転させることにより、
レジストを半導体ウエハ全面に拡散させるスピンコーテ
ィングによる方法が一般的である。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記説明の従来のレジストコーティング
方法では、中心から周辺へレジストが遠心力により振り
切られ、一定の膜厚を形成する過程で、回転する半導体
ウエハ各部の周速の違いにより、雰囲気中へのレジスト
溶媒の揮発速度（揮発量）に違いが生じ、レジストの見
掛けの粘度が異なり、半導体ウエハ周辺部のレジスト膜
厚が、半導体ウエハ中央部のレジスト膜厚より厚くな
り、レジスト膜厚が不均一になるという問題がある。こ
のようなレジスト膜厚の違いは、特に大口径の半導体ウ
エハほど大きくなるが、近年、半導体ウエハは大口径化
される傾向にあり、特に大きな問題となる可能性があ
る。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、半導体ウエハ等の被処理基板にレジストを均一にコ
ーティングすることのできるレジストコーティング方法
を提供しようとするものである。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、被処理基板の中心部及び／又はその
近傍に前記被処理基板の温度よりも高い温度に温調され
たレジストを供給する工程と、 前記被処理基板を回転させる工程と を具備したことを特徴とするものである。

（作用） 上記構成の本発明のレジストコーティング方法では、被
処理基板の中心部及び／又はその近傍に前記被処理基板
の温度よりも高い温度に温調されたレジストを供給する
ことにより、被処理基板の中央部の温度が周辺部の温度
よりも高くなるようにする。

したがって、周速の差によるレジスト溶媒の揮発速度の
違いを温度差によって相殺し、揮発速度を被処理基板各
部で均一化することにより、被処理基板全面に渡って均
一にレジストをコーティングすることができる。

（実施例） 以下本発明方法を半導体ウエハのレジストコーティング
に適用した実施例を図面を参照して説明する。

この実施例方法では、まず、第１図（ａ）に示すよう
に、半導体ウエハ１を、レジストコーティング装置の保
持台２上に載置し、例えば真空チャック等で半導体ウエ
ハ１を吸着保持する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１の中
央部に半導体ウエハ１より高温としたレジスト３を滴下
する。

この後、第１図（ｃ）に示すように、例えば毎分数万回
転程度の回転速度で保持台２、半導体ウエハ１を回転さ
せ、レジスト３を半導体ウエハ１の全面に拡散させる。

なお、レジスト３の温度は、室温および半導体ウエハ１
の温度等によって適宜選択する必要がある。例えば、第
２図のグラフは、室温21.6℃、半導体ウエハ温度21.5℃
の条件下におけるレジスト温度と膜厚のばらつきとの関
係を測定した結果を示すもので、曲線ａ、ｂ、ｃ、ｄ、
ｅ、ｆ、ｇ、ｈは、それぞれレジスト温度が16.2℃、1
8.1℃、19.9℃、20.9℃、21.3℃、21.8℃、22.7℃、24.
4℃の場合を示している。

このグラフに曲線ｇで示されるように、上記条件下では
レジスト温度が22.7℃程度でほぼ均一な膜厚を得ること
ができる。なお、レジスト温度を上げ過ぎると、曲線ｈ
で示されるように、半導体ウエハ１の中央部の膜厚が厚
くなる。これは、周速の差によるレジスト溶媒の揮発速
度の違い以上に温度差によるレジスト溶媒の揮発速度の
違いが生じるためである。

第３図は他の実施例方法を示すもので、この実施例方法
では、レジストコーティング装置の保持台２に、中央部
で温度が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配
を形成する温度制御機構を配置する。なお、このような
温度制御機構は、例えば保持台２内の中央部のみにヒー
タ４を配置し、このヒータ４により、保持台２の中央部
のみを所定温度に加熱することによって実現することが
できる。

そして、まず第３図（ａ）に示すように、予め中央部で
温度が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配を
形成した保持台２上に半導体ウエハ１を載置し、例えば
真空チャック等で半導体ウエハ１を吸着保持する。

次に、第３図（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１の中
央部にジスト３を滴下する。

この後、第３図（ｃ）に示すように、例えば毎分数万回
転程度の回転速度で保持台２、半導体ウエハ１を回転さ
せ、レジスト３を半導体ウエハ１の全面に拡散させる。

すなわち、この実施例では、保持台２に、中央部で温度
が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配を形成
する温度制御機構を配置し、前述の実施例と同様に、半
導体ウエハ１各部の周速の差によるレジスト溶媒の揮発
速度の違いを温度差によって相殺し、レジスト溶媒の揮
発速度を各部で均一化することにより、半導体ウエハ１
全面に渡って均一にレジスト３をコーティングすること
ができる。なおヒータ４による加熱設定温度は、前述の
実施例と同様に適宜選択する必要がある。

なお、これらの実施例では、レジスト３の温度調節によ
り半導体ウエハ１の温度を調節する例と、保持台２の温
度調節により半導体ウエハ１の温度を調節する例につい
て説明したが、例えば半導体ウエハ１の上方から温度の
異なる気体を吹付ける等、雰囲気の温度を調節して半導
体ウエハ１の温度を調節することもできるし、これらの
方法を組合わせて行うこともできる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のレジストコーティング方
法によれば、半導体ウエハ等の被処理基板にレジストを
均一にコーティングすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のレジストコーティング方法
を示す説明図、第２図はレジスト温度と膜厚のばらつき
との関係を示すグラフ、第３図は他の実施例のレジスト
コーティング方法を示す説明図である。 １……半導体ウエハ、２……保持台、３……レジスト、
４……ヒータ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被処理基板の中心部及び／又はその近傍に
   前記被処理基板の温度よりも高い温度に温調されたレジ
   ストを供給する工程と、 前記被処理基板を回転させる工程と を具備したことを特徴とするレジストコーティング方
   法。