JPS6226817A - スピンナ−装置 - Google Patents
スピンナ−装置Info
- Publication number
- JPS6226817A JPS6226817A JP60165903A JP16590385A JPS6226817A JP S6226817 A JPS6226817 A JP S6226817A JP 60165903 A JP60165903 A JP 60165903A JP 16590385 A JP16590385 A JP 16590385A JP S6226817 A JPS6226817 A JP S6226817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- central part
- centrifugal force
- treated
- rotating stand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野〕
本発明は、半導体製造プロセスのりソグラフイ過程で用
いるレジスト液等を塗布するためのスピンナー装置に関
する。
いるレジスト液等を塗布するためのスピンナー装置に関
する。
「発明の背景]
半導体製造プロセスのりソグラフイ過程において、半導
体ウェハ上にレジスト膜を全面コーティングし、これを
例えば電子ビーム照射あるいはパターンマスクを介して
露光してレジストパターンを形成する。このレジストパ
ターンを形成したウェハをエツチング処理することによ
り、半導体ウェハのパターニングが完成する。このよう
なりソグラフィ過程のレジストコーティングプロセスに
おいて、ウェハを回転させながらレジスト液を上から滴
下し遠心力によりウェハ全面にレジスト液を塗布するス
ピンナー装置が用いられている。従来のスピンナー装置
は、回転台上の中央部にウェハを固定し、これを回転さ
せながら回転中心部にレジスト液を滴下し、遠心力によ
り周囲全面にレジスト液を散布して全面コーティングし
ていた。
体ウェハ上にレジスト膜を全面コーティングし、これを
例えば電子ビーム照射あるいはパターンマスクを介して
露光してレジストパターンを形成する。このレジストパ
ターンを形成したウェハをエツチング処理することによ
り、半導体ウェハのパターニングが完成する。このよう
なりソグラフィ過程のレジストコーティングプロセスに
おいて、ウェハを回転させながらレジスト液を上から滴
下し遠心力によりウェハ全面にレジスト液を塗布するス
ピンナー装置が用いられている。従来のスピンナー装置
は、回転台上の中央部にウェハを固定し、これを回転さ
せながら回転中心部にレジスト液を滴下し、遠心力によ
り周囲全面にレジスト液を散布して全面コーティングし
ていた。
ところで、従来のスピンナー装置においては、ウェハ中
心部と端部との遠心力の差により、レジスト膜の厚さに
差ができ中心部が厚り端部に向うに従って薄くなるとい
う欠点があった。
心部と端部との遠心力の差により、レジスト膜の厚さに
差ができ中心部が厚り端部に向うに従って薄くなるとい
う欠点があった。
[発明の目的]
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、ウェハの半径方向の遠心力の差にかかわらずレジス
ト液をウェハ全面に均一に塗布できるスピンナー装置の
提供を目的とする。
て、ウェハの半径方向の遠心力の差にかかわらずレジス
ト液をウェハ全面に均一に塗布できるスピンナー装置の
提供を目的とする。
[実施例]
図面は本発明に係るスピンナー装置の構成図であり、(
a)図は上面、(b)図は縦断面を示す。
a)図は上面、(b)図は縦断面を示す。
回転台1は図示しない回転駆動機構を介して@2を中心
として回転可能である。この回転台1の上面には複数の
吸引口3が設けられる。各吸引口3は回転台1内の導管
8を介して真空ポンプ4に連通する。回転台1の回転中
心部近傍には2つの環状電熱ヒータ5,6が設けられる
。各電熱ヒータ56は制御回路7を介して電源9に接続
される。
として回転可能である。この回転台1の上面には複数の
吸引口3が設けられる。各吸引口3は回転台1内の導管
8を介して真空ポンプ4に連通する。回転台1の回転中
心部近傍には2つの環状電熱ヒータ5,6が設けられる
。各電熱ヒータ56は制御回路7を介して電源9に接続
される。
レジストコーティングすべきウェハ(図示しない)は回
転台1上に搭載され真空ポンプ4による吸引口3の吸着
作用により固定保持される。この回転台1上に固定され
たウェハを電熱ヒータ 5,6により加熱する。制御回
路7により内側の電熱ヒータ 5の加熱量を外側の電熱
ヒータ6の加熱量より大きくする。この状態で、周囲を
塗布液飛散防止カバー(図示しない)で覆い、回転台1
を回転させる。回転台1を回転させながらレジスト液を
回転台1上のウェハ中心部(回転中心部)に滴下する。
転台1上に搭載され真空ポンプ4による吸引口3の吸着
作用により固定保持される。この回転台1上に固定され
たウェハを電熱ヒータ 5,6により加熱する。制御回
路7により内側の電熱ヒータ 5の加熱量を外側の電熱
ヒータ6の加熱量より大きくする。この状態で、周囲を
塗布液飛散防止カバー(図示しない)で覆い、回転台1
を回転させる。回転台1を回転させながらレジスト液を
回転台1上のウェハ中心部(回転中心部)に滴下する。
ウェハ上面中央部に滴下したレジスト液は遠心力により
周囲に拡がる。このとき、ウェハ温度は端部から中心に
向い温度が高くなるような温度勾配となっている。従っ
て、ウェハ上面のレジスト液の粘性は端部から中心に向
って小さくなり、中心部のレジスト液程流れ易くなる。
周囲に拡がる。このとき、ウェハ温度は端部から中心に
向い温度が高くなるような温度勾配となっている。従っ
て、ウェハ上面のレジスト液の粘性は端部から中心に向
って小さくなり、中心部のレジスト液程流れ易くなる。
このため端部から中心に向って弱くなる遠心力の差が打
消されレジスト液はウェハ上全面に均一に分散し、均一
な膜厚となる。
消されレジスト液はウェハ上全面に均一に分散し、均一
な膜厚となる。
上記実施例では、ウェハ加熱手段として電熱ヒータを用
い、回転台を介してウェハを加熱したが、赤外線ヒータ
等によりウェハ表面を直接加熱してもよい。
い、回転台を介してウェハを加熱したが、赤外線ヒータ
等によりウェハ表面を直接加熱してもよい。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明に係るスピンナー装置にお
いては、ウェハ等被処理物の中心部を加熱する加熱手段
を設けることにより回転する被処理物表面の塗布液の粘
性を端部から中心部に向って小さくすることができ遠心
力の差を打消して被処理物上の塗布液の厚さを均一にす
ることができる。従って、例えばウェハ上にレジストを
コーティングする場合、均一な厚さのレジスト膜がコー
ティングされ、特に大口径ウェハに対し半導体製造プロ
セスの信頼性が向上する。
いては、ウェハ等被処理物の中心部を加熱する加熱手段
を設けることにより回転する被処理物表面の塗布液の粘
性を端部から中心部に向って小さくすることができ遠心
力の差を打消して被処理物上の塗布液の厚さを均一にす
ることができる。従って、例えばウェハ上にレジストを
コーティングする場合、均一な厚さのレジスト膜がコー
ティングされ、特に大口径ウェハに対し半導体製造プロ
セスの信頼性が向上する。
図面は本発明に係るスピンナー装置の構成図である。
1・・・回転台、3・・・吸引口、5.6・・・電熱ヒ
ータ、7・・・割面回路、9・・・電源。
ータ、7・・・割面回路、9・・・電源。
Claims (1)
- 1、回転台上の被処理物の回転中心部近傍を加熱するた
めの加熱手段を備えたスピンナー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165903A JPS6226817A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | スピンナ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165903A JPS6226817A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | スピンナ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226817A true JPS6226817A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15821183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165903A Pending JPS6226817A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | スピンナ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226817A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236626A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Tokyo Electron Ltd | レジストコーティング方法 |
| JPH0341715A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | スピンコーター |
| JPH03106728U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-05 | ||
| US5580607A (en) * | 1991-07-26 | 1996-12-03 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus and method |
| JP2001068490A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
| JP2012185222A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60165903A patent/JPS6226817A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236626A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Tokyo Electron Ltd | レジストコーティング方法 |
| JPH0341715A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | スピンコーター |
| JPH03106728U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-05 | ||
| US5580607A (en) * | 1991-07-26 | 1996-12-03 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus and method |
| JP2001068490A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
| JP2012185222A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
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