JPH0797646B2 - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0797646B2 JPH0797646B2 JP3867589A JP3867589A JPH0797646B2 JP H0797646 B2 JPH0797646 B2 JP H0797646B2 JP 3867589 A JP3867589 A JP 3867589A JP 3867589 A JP3867589 A JP 3867589A JP H0797646 B2 JPH0797646 B2 JP H0797646B2
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- Japan
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- pressure sensor
- semiconductor pressure
- sensor chip
- lead frame
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体圧力センサの製造方法に関する。
［従来の技術］ 一般に、半導体圧力センサにおいては、ゲージ抵抗が埋
め込まれたダイヤフラム部を有する半導体圧力センサチ
ップは、前記ダイヤフラム部に加わる熱応力を吸収緩和
するためのシリコン単結晶からなるシリコン台座を介し
てリードフレームなどに取り付けられている。
め込まれたダイヤフラム部を有する半導体圧力センサチ
ップは、前記ダイヤフラム部に加わる熱応力を吸収緩和
するためのシリコン単結晶からなるシリコン台座を介し
てリードフレームなどに取り付けられている。
このような半導体圧力センサの製造は、半導体圧力セン
サチップをシリコン台座にダイボンドし、さらに、この
シリコン台座をリードフレームなどにダイボンドした
後、半導体圧力センサチップの電極部とリードフレーム
とのワイヤボンディングを行うようにしている。
サチップをシリコン台座にダイボンドし、さらに、この
シリコン台座をリードフレームなどにダイボンドした
後、半導体圧力センサチップの電極部とリードフレーム
とのワイヤボンディングを行うようにしている。
［発明が解決しようとする課題］ このように従来の製造方法では、熱応力を吸収緩和する
ためのシリコン台座を設けているために、その分コスト
が高くなるとともに、ダイボンドを２回行わねばなら
ず、製造工程が複雑になるなどの難点がある。
ためのシリコン台座を設けているために、その分コスト
が高くなるとともに、ダイボンドを２回行わねばなら
ず、製造工程が複雑になるなどの難点がある。
このため、シリコン台座を設けることなく、半導体圧力
センサチップを、直接リードフレームにダイボンドする
ことが考えられるが、この場合に、熱応力を吸収緩和す
るために、シリコン樹脂などからなるダイボンド材を使
用してその厚みを厚くすると、その後の半導体圧力セン
サチップの電極部とリードフレームとのワイヤボンディ
ングの際のエネルギーが接着層から吸収されて逃げてし
まい、配線不良が生じるなどの問題がある。
センサチップを、直接リードフレームにダイボンドする
ことが考えられるが、この場合に、熱応力を吸収緩和す
るために、シリコン樹脂などからなるダイボンド材を使
用してその厚みを厚くすると、その後の半導体圧力セン
サチップの電極部とリードフレームとのワイヤボンディ
ングの際のエネルギーが接着層から吸収されて逃げてし
まい、配線不良が生じるなどの問題がある。
本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、シ
リコン台座を設けることなく、半導体圧力センサチップ
をリードフレームに直接ダイボンドできるようにすると
ともに、ワイヤボンディングの際に配線不良が生じない
ようにすることを目的とする。
リコン台座を設けることなく、半導体圧力センサチップ
をリードフレームに直接ダイボンドできるようにすると
ともに、ワイヤボンディングの際に配線不良が生じない
ようにすることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明では、上述の目的を達成するために、表面側に電
極部が形成されている半導体圧力センサチップの裏面側
を、前記電極部に対応する位置および前記半導体圧力セ
ンサチップの平行度を保つに適当な位置に突起が形成さ
れているリードフレームのダイパッド部に、接着材によ
って接着し、前記半導体圧力センサチップの前記電極部
と前記リードフレームのリード部とをワイヤボンディン
グするようにしている。
極部が形成されている半導体圧力センサチップの裏面側
を、前記電極部に対応する位置および前記半導体圧力セ
ンサチップの平行度を保つに適当な位置に突起が形成さ
れているリードフレームのダイパッド部に、接着材によ
って接着し、前記半導体圧力センサチップの前記電極部
と前記リードフレームのリード部とをワイヤボンディン
グするようにしている。
［作用］ 上記構成によれば、ダイパッド部の突起が形成されてい
ない部分と半導体圧力センサチップとの間では、熱応力
を吸収できるに十分な厚みの接着層を確保できるととも
に、ダイパッド部の半導体圧力センサチップの電極部に
対応する位置には、突起が形成されているので、この部
分の接着層の厚みは薄く、この突起が半導体圧力センサ
チップの受けとなり、半導体圧力センサチップの電極部
とリードフレームのリード部のワイヤボンディングの際
に、エネルギーが吸収されてしまうことがなく、配線不
良が生じることもない。
ない部分と半導体圧力センサチップとの間では、熱応力
を吸収できるに十分な厚みの接着層を確保できるととも
に、ダイパッド部の半導体圧力センサチップの電極部に
対応する位置には、突起が形成されているので、この部
分の接着層の厚みは薄く、この突起が半導体圧力センサ
チップの受けとなり、半導体圧力センサチップの電極部
とリードフレームのリード部のワイヤボンディングの際
に、エネルギーが吸収されてしまうことがなく、配線不
良が生じることもない。
［実施例］ 以下、図面によって本発明の実施例について、詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例に適用されるリードフレー
ム１の平面図であり、第２図はその側面図であり、第３
図は第１図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図であ
る。
ム１の平面図であり、第２図はその側面図であり、第３
図は第１図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図であ
る。
これらの図において、２は半導体圧力センサチップが装
着されるチップ装着部、いわゆる、ダイパッド部、３は
インナーリード、４はタイバー、５は外部リードであ
る。
着されるチップ装着部、いわゆる、ダイパッド部、３は
インナーリード、４はタイバー、５は外部リードであ
る。
このリードフレーム１においては、半導体圧力センサチ
ップが接着されるダイパッド部２には、半導体圧力セン
サチップの電極部の真下に対応する位置に、突起6aが形
成されるとともに、半導体圧力センサを装着した際に、
高さのバランス、すなわち、平行度が保てるような適当
な位置に、突起6bが形成される。
ップが接着されるダイパッド部２には、半導体圧力セン
サチップの電極部の真下に対応する位置に、突起6aが形
成されるとともに、半導体圧力センサを装着した際に、
高さのバランス、すなわち、平行度が保てるような適当
な位置に、突起6bが形成される。
これらの突起6a,6bの突出高さは、熱応力を緩和できる
に十分な接着材の層厚に対応した高さに選ばれる。この
実施例では、これらの突起6a,6bは、第３図に示される
ように、プレス成型によって形成される。
に十分な接着材の層厚に対応した高さに選ばれる。この
実施例では、これらの突起6a,6bは、第３図に示される
ように、プレス成型によって形成される。
この実施例の半導体圧力センサの製造方法では、第４図
の平面図および第５図の側面図に示されるように、半導
体圧力センサチップ７は、リードフレーム１のダイパッ
ド部２に半田等の金属やシリコン樹脂等の接着材（ダイ
ボンド材）10によって熱応力を緩和できるに十分な層厚
で接着され、さらに、金等の金属細線８によって、半導
体圧力センサチップ７上の接続用電極部９とリードフレ
ーム１のインナーリード３とをワイヤボンディングす
る。
の平面図および第５図の側面図に示されるように、半導
体圧力センサチップ７は、リードフレーム１のダイパッ
ド部２に半田等の金属やシリコン樹脂等の接着材（ダイ
ボンド材）10によって熱応力を緩和できるに十分な層厚
で接着され、さらに、金等の金属細線８によって、半導
体圧力センサチップ７上の接続用電極部９とリードフレ
ーム１のインナーリード３とをワイヤボンディングす
る。
このようにリードフレーム１に突起6a,6bを形成するこ
とによって、突起6a,6b以外の部分には、熱応力を緩和
するに十分な厚みの接着材10の層が確保されるととも
に、ワイヤボンディングされる半導体圧力センサチップ
７の電極部９に相当する部分には、突起6aが形成されて
いるので、ワイヤボンディングの際のエネルギーが吸収
されることもない。
とによって、突起6a,6b以外の部分には、熱応力を緩和
するに十分な厚みの接着材10の層が確保されるととも
に、ワイヤボンディングされる半導体圧力センサチップ
７の電極部９に相当する部分には、突起6aが形成されて
いるので、ワイヤボンディングの際のエネルギーが吸収
されることもない。
なお、ワイヤボンディングされた後、成形されたケース
等を使用して所定の形状に埋め込み、タイバー４を切断
することによって外部リード５を独立させてセンサが完
成する。
等を使用して所定の形状に埋め込み、タイバー４を切断
することによって外部リード５を独立させてセンサが完
成する。
第６図は、本発明の他の実施例に適用されるリードフレ
ーム10の平面図、第７図はその側面図、第８図は第６図
の切断面線Ａ−Ａから見た断面図であり、上述の実施例
に対応する部分には、同一の参照符を付す。上述の実施
例では、突起6a,6bをプレス成型によって形成したけれ
ども、この実施例では、突起を形成する部分以外のダイ
パッド部20をエッチングするようにしており、これによ
って、突起6a0,6b0を形成するものである。その他の構
成は、上述の実施例と同様である。
ーム10の平面図、第７図はその側面図、第８図は第６図
の切断面線Ａ−Ａから見た断面図であり、上述の実施例
に対応する部分には、同一の参照符を付す。上述の実施
例では、突起6a,6bをプレス成型によって形成したけれ
ども、この実施例では、突起を形成する部分以外のダイ
パッド部20をエッチングするようにしており、これによ
って、突起6a0,6b0を形成するものである。その他の構
成は、上述の実施例と同様である。
上述の実施例では、リードフレーム1,10のダイパッド部
2,20には、半導体圧力センサチップ７の電極部９に相当
する位置および平行度を保つのに適当な位置に突起6a,6
b,6a0,6b0が形成されたけれども、本発明の他の実施例
として、平行度が保てる場合には、電極部９に相当する
位置のみに突起6a,6a0を形成してもよい。
2,20には、半導体圧力センサチップ７の電極部９に相当
する位置および平行度を保つのに適当な位置に突起6a,6
b,6a0,6b0が形成されたけれども、本発明の他の実施例
として、平行度が保てる場合には、電極部９に相当する
位置のみに突起6a,6a0を形成してもよい。
また、裏面受圧形の半導体圧力センサの場合には、ダイ
パッド部2,20に、気体や液体の導通用の穴が形成される
ことになるが、この場合にも本発明を適用できるのは勿
論である。
パッド部2,20に、気体や液体の導通用の穴が形成される
ことになるが、この場合にも本発明を適用できるのは勿
論である。
［発明の効果］ 以上のように本発明方法によれば、半導体圧力センサチ
ップを、所定の位置に突起が形成されているリードフレ
ームのダイパッド部に接着し、その後、前記電極部とリ
ードフレームとをワイヤボンディングするようにしてい
るので、熱応力を吸収緩和できるに十分な接着層の厚み
を確保できるとともに、ワイヤボンディングの際にエネ
ルギーが逃げて配線を不良を生じることもない。したが
って、シリコン台座を設ける従来例に比べて部品点数を
削減できるとともに、製造工程が簡素化されてコストの
低減を図ることができる。
ップを、所定の位置に突起が形成されているリードフレ
ームのダイパッド部に接着し、その後、前記電極部とリ
ードフレームとをワイヤボンディングするようにしてい
るので、熱応力を吸収緩和できるに十分な接着層の厚み
を確保できるとともに、ワイヤボンディングの際にエネ
ルギーが逃げて配線を不良を生じることもない。したが
って、シリコン台座を設ける従来例に比べて部品点数を
削減できるとともに、製造工程が簡素化されてコストの
低減を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例に適用されるリードフレーム
の平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の
切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第４図は第１図の
リードフレームに半導体圧力センサチップを取り付けた
状態を示す平面図、第５図は第４図の側面図、第６図は
本発明の他の実施例に適用されるリードフレームの平面
図、第７図は第６図の側面図、第８図は第６図の切断面
線Ａ−Ａから見た断面図である。 1,10……リードフレーム、2,20……ダイパッド部、6a,6
b,6a0,6b0……突起、７……半導体圧力センサチップ、
９……電極部。
の平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の
切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第４図は第１図の
リードフレームに半導体圧力センサチップを取り付けた
状態を示す平面図、第５図は第４図の側面図、第６図は
本発明の他の実施例に適用されるリードフレームの平面
図、第７図は第６図の側面図、第８図は第６図の切断面
線Ａ−Ａから見た断面図である。 1,10……リードフレーム、2,20……ダイパッド部、6a,6
b,6a0,6b0……突起、７……半導体圧力センサチップ、
９……電極部。
Claims (1)
- 【請求項１】表面側に電極部が形成されている半導体圧
力センサチップの裏面側を、前記電極部に対応する位置
および前記半導体圧力センサチップの平行度を保つに適
当な位置に突起が形成されているリードフレームのダイ
パッド部に、接着材によって接着し、前記半導体圧力セ
ンサチップの前記電極部と前記リードフレームのリード
部とをワイヤボンディングすることを特徴とする半導体
圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867589A JPH0797646B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867589A JPH0797646B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218170A JPH02218170A (ja) | 1990-08-30 |
| JPH0797646B2 true JPH0797646B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=12531850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3867589A Expired - Fee Related JPH0797646B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797646B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3867589A patent/JPH0797646B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02218170A (ja) | 1990-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |