JPH02218170A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体圧力センサの製造方法に関する。

［従来の技術］ 一般に、半導体圧力センサにおいては、ゲージ抵抗が埋
め込まれたダイヤフラム部を有する半導体圧力センサチ
ップは、前記ダイヤフラム部に加わる熱応力を吸収緩和
するためのシリコン単結晶からなるシリコン台座を介し
てリードフレームなどに取り付けられている。

このような半導体圧力センサの製造は、半導体圧力セン
サチップをシリコン台座にグイボンドし、さらに、この
シリコン台座をリードフレームなどにグイボンドした後
、半導体圧力センサチップの電極部とリードフレームと
のワイヤボンディングを行うようにしている。

［発明が解決しようとする課題〕 このように従来の製造方法では、熱応力を吸収緩和する
ためのシリコン台座を設けているために、その分コスト
が高くなるとともに、グイボンドを２回行わねばならず
、製造工程が複雑になるなどの難点がある。

このため、シリコン台座を設けることなく、半導体圧力
センサチップを、直接リードフレームにグイボンドする
ことが考えられるが、この場合に、熱応力を吸収緩和す
るために、シリコン樹脂などからなるグイボンド材を使
用してその厚みを厚くすると、その後の半導体圧力セン
サチップの電極部とリードフレームとのワイヤボンディ
ングの際のエネルギーが接着層から吸収されて逃げてし
まい、配線不良が生じるなどの問題がある。

本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、シ
リコン台座を設けることなく、半導体圧力センサチップ
をリードフレームに直接グイボンドできるようにすると
ともに、ワイヤボンディングの際に配線不良が生じない
ようにすることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明では、上述の目的を達成するために、表面側に電
極部が形成されている半導体圧力センサチップの裏面側
を、前記電極部に対応する位置および前記半導体圧力セ
ンサチップの平行度を保つに適当な位置に突起が形成さ
れているリードフレームのダイパッド部に、接着材によ
って接着し、前記半導体圧力センサチップの前記電極部
と前記リードフレームのリード部とをワイヤボンディン
グするようにしている。

［作用］ 上記構成によれば、ダイパッド部の突起が形成されてい
ない部分と半導体圧力センサチップとの間では、熱応力
を吸収できるに十分な厚みの接着層を確保できるととも
に、ダイパッド部の半導体圧力センサチップの電極部に
対応する位置には、突起が形成されているので、この部
分の接着層の厚みは薄く、この突起が半導体圧力センサ
チップの受けとなり、半導体圧力センサチップの電極部
とリードフレームのリード部のワイヤボンディングの際
に、エネルギーが吸収されてしまうことがなく、配線不
良が生じることもない。

［実施例］ 以下、図面によって本発明の実施例について、詳細に説
明する。

第１図は、本発明の一実施例に適用されるリードフレー
ムｌの平面図であり、第２図はその側面図であり、第３
図は第１図の切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図である
。

これらの図１こおいて、２は半導体圧力センサチップが
装着されるチップ装着部、いわゆる、ダイパッド部、３
はインナーリード、４はタイバー　５は外部リードであ
る。

このリードフレーム！においては、半導体圧力センサチ
ップが接着されるダイパッド部２には、半導体圧力セン
サチップの電極部の真下に対応する位置に、突起６ａが
形成されるとともに、半導体圧力センサを装着した際に
、高さのバランス、すなわち、平行度が保てるような適
当な位置に、突起６ｂが形成される。

これらの突起６ａ　、６ｂの突出高さは、熱応力を緩和
できるに十分な接着材の層厚に対応した高さに選ばれる
。この実施例では、これらの突起６ａ、６ｂは、第３図
に示されるように、プレス成型によって形成される。

この実施例の半導体圧力センサの製造方法では、第４図
の平面図および第５図の側面図に示されるように、半導
体圧力センサチップ７は、リードフレーム１のダイパッ
ド部２に半田等の金属やシリコン樹脂等の接着材（グイ
ボンド材）１０によって熱応力を緩和できるに十分な層
厚で接着され、さらに、金等の金属細線８によって、半
導体圧力センサチップ７上の接続用電極部９とリードフ
レームｌのインナーリード３とをワイヤボンディングす
る。

このようにリードフレームｌに突起６ａ、６ｂを形成す
ることによって、突起６ａ　、６ｂ以外の部分には、熱
応力を緩和するに十分な厚みの接着材ｌＯの層が確保さ
れるとともに、ワイヤボンディングされる半導体圧力セ
ンサチップ７の電極部９に相当する部分には、突起６ａ
が形成されているので、ワイヤボンディングの際のエネ
ルギーが吸収されることもない。

なお、ワイヤボンディングされた後、成形されたケース
等を使用して所定の形状に埋め込み、タイバー４を切断
することによって外部リード５を独立させてセンサが完
成する。

第６図は、本発明の他の実施例に適用されるリードフレ
ームＩ。の平面図、第７図はその側面図、第８図は第６
図の切断面線Ａ−Ａから見た断面図であり、上述の実施
例に対応する部分には、同一の参照符を付す。上述の実
施例では、突起６ａ。

６ｂをプレス成型によって形成したけれども、この実施
例では、突起を形成する部分以外のダイパッド部２゜を
エツチングするようにしており、これによって、突起６
ａｏ、６ｂ、）を形成するものである。その他の構成は
、上述の実施例と同様である。

上述の実施例では、リードフレーム１．ｉｏのダイパッ
ド部２，２゜には、半導体圧力センサチップ７の電極部
９に相当する位置および平行度を保つのに適当な位置に
突起６ａ　、６ｂ　、６ａ　ｏ、６ｂ　ｏが形成された
けれども、本発明の他の実施例として、平行度が保てる
場合には、電極部９に相当する位置のみに突起６ａ　、
６ａ　０を形成してもよい。

また、裏面受圧形の半導体圧力センサの場合には、ダイ
パッド部２．２ｏに、気体や液体の導通用の穴が形成さ
れることになるが、この場合にも本発明を適用できるの
は勿論である。

［発明の効果コ 以上のように本発明方法によれば、半導体圧力センサチ
ップを、所定の位置に突起が形成されているリードフレ
ームのダイパッド部に接着し、その後、前記電極部とリ
ードフレームとをワイヤボンディングするようにしてい
るので、熱応力を吸収緩和できるに十分な接着層の厚み
を確保できるとともに、ワイヤボンディングの際にエネ
ルギーが逃げて配線を不良を生じることもない。したが
って、シリコン台座を設ける従来例に比べて部品点数を
削減できるととらに、製造工程が簡素化されてコストの
低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に適用されるリードフレーム
の平面図、第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の
切断面線Ａ−Ａから見た拡大断面図、第４図は第１図の
リードフレームに半導体圧力センサチップを取り付けた
状態を示す平面図、第５図は第４図の側面図、第６図は
本発明の他の実施例に適用されるリードフレームの平面
図、第７図は第６図の側面図、第８図は第６図の切断面
線Ａ−Ａから見た断面図である。 １．１．・・・リードフレーム、２，２．・・・ダイパ
ッド部、６ａ　、６ｂ　、６ａ　ｏ、６ｂ　ｏ−・・突
起、７・・・半導体圧力センサチップ、９・・・電極部
。 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　表面側に電極部が形成されている半導体圧力セ
   ンサチップの裏面側を、前記電極部に対応する位置およ
   び前記半導体圧力センサチップの平行度を保つに適当な
   位置に突起が形成されているリードフレームのダイパッ
   ド部に、接着材によって接着し、前記半導体圧力センサ
   チップの前記電極部と前記リードフレームのリード部と
   をワイヤボンディングすることを特徴とする半導体圧力
   センサの製造方法。