JPH0476504B2 - - Google Patents

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JPH0476504B2
JPH0476504B2 JP61008379A JP837986A JPH0476504B2 JP H0476504 B2 JPH0476504 B2 JP H0476504B2 JP 61008379 A JP61008379 A JP 61008379A JP 837986 A JP837986 A JP 837986A JP H0476504 B2 JPH0476504 B2 JP H0476504B2
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JP
Japan
Prior art keywords
resin
metal member
oxide film
integrated circuit
silicon oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61008379A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62166553A (ja
Inventor
Sunao Kato
Osamu Nakagawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS62166553A publication Critical patent/JPS62166553A/ja
Publication of JPH0476504B2 publication Critical patent/JPH0476504B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/456—Materials
    • H10W70/458—Materials of insulating layers on leadframes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止型半導体装置の金属部材
の表面処理に関するものである。
〔従来の技術〕
第４図は、従来の集積回路フレームを示す平面
図である。図において、１は集積回路フレーム、
２はパツケージの外形線、３は集積回路素子、４
は集積回路素子３を載せるダイパツト、５はリー
ド、６は集積回路素子３と、リード５を接続する
金線、７は樹脂の流れをせき止めるタイバであ
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の技術では、前記集積回路フレームと樹脂
との接着力にばらつきがあり、不均一なので熱ス
トレスによる応力が弱い場所に集中し、クラツク
が発生することがある。これが原因となり界面ひ
び割れ、金線切れや、クラツクから水分が浸入す
るため耐湿性等の品質が劣化する問題があつた。
この発明は、上記のようにな問題点を改善する
ためになされたもので、前記界面での接着力を向
上させて均一にし、信頼度の高い製品を得ること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導
体素子と、半導体素子を載置すると共に外部との
信号の授受を行なう金属部材と、金属部材の表面
に形成された酸化シリコン膜と、半導体素子およ
び金属部材を包囲して設けられた樹脂とを備えた
ものである。
〔作用〕
この発明においては、金属部材表面に酸化シリ
コン膜が設けられているので、熱的に安定で、ワ
イヤボンデイング等の熱処理による金属部材の酸
化を防止し、樹脂との接着力を向上させる。
〔実施例〕
第１図は、この発明の一実施例を示す平面図で
あり、第３図と同一符号は、同一のものを示す。
フレーム１の表面と裏面の全面に蒸着により酸
化膜８として酸化シリコン膜を生成したのち、ダ
イパツト４に集積回路素子３を接着し、金線６で
集積回路素子３とリード５を接続し、これらを樹
脂で封止する。
第２図は、この発明の他の実施例を示す平面図
であり酸化膜８をパツケージ外形線２で囲まれた
範囲、すなわち図示しない樹脂で封止される金属
部材の部分に生成されたものである。
第３図はこの発明の他の実施例を示す平面図で
あり、第１図、第２図のように表と裏と同じ範囲
に酸化膜８を生成するのではなく、第２図の実施
例の表側の金線を接続する部分であるボンデイン
グエリア９とダイパツト４上に集積回路素子３が
載る部分を除いて酸化膜８を生成したものであ
る。
〔発明の効果〕 以上の様に、この発明は金属部材の表面に酸化
シリコン膜を設けて樹脂封止するようにしたので
金属部材と樹脂との接着力が増加するという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図。第
２図、第３図はそれぞれこの発明の他の実施例を
示す平面図、第４図は従来の樹脂封止型半導体装
置に使用される金属部材を示す。 図において１は集積回路フレーム、２はパツケ
ージ外形線、３は集積回路素子、４はダイパツ
ト、５はリード、６は金線、７はタイバ、８は酸
化膜である。図中、同一符号は同一、又は相当部
分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子と、前記半導体素子を載置すると
    共に外部との信号の授受を行なう金属部材と、前
    記金属部材の表面に形成された酸化シリコン膜
    と、前記半導体素子および金属部材を包囲して設
    けられた樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置。 ２ 酸化シリコン膜は、蒸着によつて形成される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹
    脂封止型半導体装置。
JP61008379A 1986-01-18 1986-01-18 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS62166553A (ja)

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JPS62166553A JPS62166553A (ja) 1987-07-23
JPH0476504B2 true JPH0476504B2 (ja) 1992-12-03

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WO1998042022A1 (en) * 1997-03-18 1998-09-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing same
JP5761280B2 (ja) * 2013-09-12 2015-08-12 株式会社デンソー 半導体パッケージおよびその製造方法

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JPS60201651A (ja) * 1984-03-26 1985-10-12 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム

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