JPH079864B2 - Ｃｏ系アモルフアス磁性膜の製造方法 - Google Patents
Ｃｏ系アモルフアス磁性膜の製造方法Info
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- JPH079864B2 JPH079864B2 JP23918286A JP23918286A JPH079864B2 JP H079864 B2 JPH079864 B2 JP H079864B2 JP 23918286 A JP23918286 A JP 23918286A JP 23918286 A JP23918286 A JP 23918286A JP H079864 B2 JPH079864 B2 JP H079864B2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はCo系アモルフアス磁性膜の形成方法に関し、特
に耐摩耗性が改善されたCo系アモルフアス磁性膜の形成
方法に関する。
に耐摩耗性が改善されたCo系アモルフアス磁性膜の形成
方法に関する。
（従来技術） CoM（ただしZr、Nb、Hf、Ti、Ta、Ｗ、Mo等）は高い飽
和磁束密度、高い透磁率を有し、すぐれた軟磁性を示す
ので磁気ヘツド用材料として有望である。しかし、フエ
ライト材料等に比べれば耐摩耗性に劣るという欠点があ
る。このような磁性膜はフエライト等のヘツドヨークの
突き合せ端面に形成され間にガラス層を挟んで合着され
て磁気ヘツドギヤツプ部を構成している。磁気ヘツドの
使用時に磁気テープ等の記録媒体がヘツド表面と摩耗状
態で走行するとき、アモルフアス合金の硬度がフエライ
トよりも低いために片減りを生じ、記録再生特性が次第
に低下する。従つて、耐摩耗性の高い磁性膜が望まれる
が、高飽和磁束密度、高透磁率の要請と高耐摩耗性を十
分に満足する磁性層は提案されていない。
和磁束密度、高い透磁率を有し、すぐれた軟磁性を示す
ので磁気ヘツド用材料として有望である。しかし、フエ
ライト材料等に比べれば耐摩耗性に劣るという欠点があ
る。このような磁性膜はフエライト等のヘツドヨークの
突き合せ端面に形成され間にガラス層を挟んで合着され
て磁気ヘツドギヤツプ部を構成している。磁気ヘツドの
使用時に磁気テープ等の記録媒体がヘツド表面と摩耗状
態で走行するとき、アモルフアス合金の硬度がフエライ
トよりも低いために片減りを生じ、記録再生特性が次第
に低下する。従つて、耐摩耗性の高い磁性膜が望まれる
が、高飽和磁束密度、高透磁率の要請と高耐摩耗性を十
分に満足する磁性層は提案されていない。
（発明の目的） 本発明は耐摩耗性の高いCo系アモルフアス合金磁性膜を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
（発明の概要） 本発明はCoM（ただしＭはZr、Nb、Hf、Ti、Ta、Ｗ、Mo
より成る群より選ばれた少なくとも１種）で表わされる
合金をターゲツトとし、Ar等の不活性ガス中でスパツタ
成膜することによりCo系アモルフアス合金磁性膜を成膜
するに当り、不活性ガス中に酸素、または酸素と窒素の
両者を含有させることにより、酸素または窒素または両
者を含有するCo系アモルフアス合金磁性膜を形成するこ
とを特徴とする。
より成る群より選ばれた少なくとも１種）で表わされる
合金をターゲツトとし、Ar等の不活性ガス中でスパツタ
成膜することによりCo系アモルフアス合金磁性膜を成膜
するに当り、不活性ガス中に酸素、または酸素と窒素の
両者を含有させることにより、酸素または窒素または両
者を含有するCo系アモルフアス合金磁性膜を形成するこ
とを特徴とする。
本発明によると、Co系アモルフアス合金磁性膜の磁気特
性を低下させないで、耐摩耗性を向上させることがで
き、磁気ヘツド等における特性を改善することができ
る。
性を低下させないで、耐摩耗性を向上させることがで
き、磁気ヘツド等における特性を改善することができ
る。
（発明の具体的な発明） 本発明者はCo系アモルフアス合金磁性膜特性向上のため
にスパツタ雰囲気、スパツタ条件を変えて数多くの実験
を行つたところ、スパツタガスである不活性ガスに少量
の酸素または酸素と窒素を含有させたとき耐摩耗性が高
くなるが、磁気ヘツドの磁性膜として必要な飽和磁束密
度及び透磁率がこれらのガスが存在しない場合に比べて
ほんど差がないことを見出した。
にスパツタ雰囲気、スパツタ条件を変えて数多くの実験
を行つたところ、スパツタガスである不活性ガスに少量
の酸素または酸素と窒素を含有させたとき耐摩耗性が高
くなるが、磁気ヘツドの磁性膜として必要な飽和磁束密
度及び透磁率がこれらのガスが存在しない場合に比べて
ほんど差がないことを見出した。
このような酸化または酸窒化処理の効果は、Co系アモル
フアス合金CoM（Ｍは上記の通り）の種類によつてほと
んど差がないことが分つた。
フアス合金CoM（Ｍは上記の通り）の種類によつてほと
んど差がないことが分つた。
Ar等の不活性ガスに混入するガスが酸素の場合には、ガ
ス全量に対して酸素を0.01〜10vol％混入させると良い
ことが分つた。この量が0.01vol％未満の場合には耐摩
耗性（硬度を指標にする）が充分に改善されない。また
この量が10vol％までは透磁率が向上するが10vol％を超
えると、急に減少する。なお、飽和磁束密度は酸素量の
増大と共に漸次減少するが、酸素10vol％では余り目立
つた減少ではない。
ス全量に対して酸素を0.01〜10vol％混入させると良い
ことが分つた。この量が0.01vol％未満の場合には耐摩
耗性（硬度を指標にする）が充分に改善されない。また
この量が10vol％までは透磁率が向上するが10vol％を超
えると、急に減少する。なお、飽和磁束密度は酸素量の
増大と共に漸次減少するが、酸素10vol％では余り目立
つた減少ではない。
一方、混入ガスが酸素と窒素ガスの場合には総量が15vo
l％を超えない範囲で酸素が0.01〜10vol％、窒素が0.01
〜15vol％未満の範囲で混入すれば同様な効果が得ら
れ、下限以下では硬度が向上せず、また15vol％以上で
は透磁率が急に減少する。飽和磁束密度はこの範囲では
目立つた減少を示さない。
l％を超えない範囲で酸素が0.01〜10vol％、窒素が0.01
〜15vol％未満の範囲で混入すれば同様な効果が得ら
れ、下限以下では硬度が向上せず、また15vol％以上で
は透磁率が急に減少する。飽和磁束密度はこの範囲では
目立つた減少を示さない。
スパツタ法は従来良く知られている方法に従えば良い。
ターゲツトには所定の合金組成に予め調製された板を用
い、真空容器内にターゲツト−基板間距離数10mmでター
ゲツト及び成膜基板を配し、10-6Torr程度に減圧し、A
r、Heなどの不活性ガスを酸素、窒素ガスと共に10-3Tor
r程度のガス圧で導入し、電離した不活性ガスによりタ
ーゲツトから所定金属原子を放出させて基板、例えば磁
性フエライト製ヘツドヨークの突き合せ面の上に成膜さ
せてCo系アモルフアス合金膜を形成させるものである。
ターゲツトには所定の合金組成に予め調製された板を用
い、真空容器内にターゲツト−基板間距離数10mmでター
ゲツト及び成膜基板を配し、10-6Torr程度に減圧し、A
r、Heなどの不活性ガスを酸素、窒素ガスと共に10-3Tor
r程度のガス圧で導入し、電離した不活性ガスによりタ
ーゲツトから所定金属原子を放出させて基板、例えば磁
性フエライト製ヘツドヨークの突き合せ面の上に成膜さ
せてCo系アモルフアス合金膜を形成させるものである。
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例１ ターゲツトとしてCo83Zr4Nb13（数字は原子％）を用
い、不活性ガスとしてArを用い、これに酸素を種々の割
合いで混入させ、スパツタし、結晶化ガラス基板上にCo
−Zr−Nb系の膜を生成した。その条件は次の通りであつ
た。
い、不活性ガスとしてArを用い、これに酸素を種々の割
合いで混入させ、スパツタし、結晶化ガラス基板上にCo
−Zr−Nb系の膜を生成した。その条件は次の通りであつ
た。
RF電力 500W ターゲツト・基板間距離 60mm 基板温度 水冷 到達圧力 1.0×10-6Torr ガス圧力 5.0×10-3Torr 膜厚 約５μ その後回転磁界中アニールを次の条件で行つた。
印加磁界 10KGauss 温度 360℃ 回転数 400rpm 時間 60min 雰囲気 Arガス中 得られたアモルフアス磁性膜のピツカース硬度、透磁率
（5MHzで）、及び飽和磁束密度を測定したところ第１図
及び第２図のグラフに示す結果を得た。なおビツカース
硬度は重量10gで15秒間加重して測定した。
（5MHzで）、及び飽和磁束密度を測定したところ第１図
及び第２図のグラフに示す結果を得た。なおビツカース
硬度は重量10gで15秒間加重して測定した。
第１〜２図から分るように、酸素が全ガス量の10vol％
以下ならば飽和磁束密度はほとんど変化せず、透磁率は
上がり、硬度も上がる。酸素が0.01vol％未満ならばビ
ツカース硬度はほとんど向上せず、10vol％より多くな
ると透磁率が急激に減少する。従つて、0.01〜10vol％
の酸素を含有するArガスを用いて磁気ヘツドの磁性膜を
スパツタ成膜すると、耐摩耗性にすぐれていることが分
る。
以下ならば飽和磁束密度はほとんど変化せず、透磁率は
上がり、硬度も上がる。酸素が0.01vol％未満ならばビ
ツカース硬度はほとんど向上せず、10vol％より多くな
ると透磁率が急激に減少する。従つて、0.01〜10vol％
の酸素を含有するArガスを用いて磁気ヘツドの磁性膜を
スパツタ成膜すると、耐摩耗性にすぐれていることが分
る。
実施例２ ターゲツトとしてCo83Ta15（数子は原子％）を用い、不
活性ガスとしてArを用い、これに酸素を種々の割合いで
混入させてスパツタし、結晶化ガラス基板上にCo−Ta膜
を生成した。その条件は次の通りであつた。
活性ガスとしてArを用い、これに酸素を種々の割合いで
混入させてスパツタし、結晶化ガラス基板上にCo−Ta膜
を生成した。その条件は次の通りであつた。
RF電力 600W ターゲツト・基板間距離 60mm 基板温度 水冷 到達圧力 1.0×10-6Torr ガス圧力 3.0×10-3Torr 膜厚 約５μ その後、実施例１、２と同様の回転磁界中アニールを行
いビツカース硬度および磁気特性を測定した。その結果
を第１図及び第２図に示す。効果は実施例１とほぼ同様
であつた。
いビツカース硬度および磁気特性を測定した。その結果
を第１図及び第２図に示す。効果は実施例１とほぼ同様
であつた。
（効果のまとめ） 以上から明らかなように、本発明の方法によるCo系アモ
ルフアス合金膜は高い磁気特性と向上した硬度を有し、
耐摩耗性の高い磁性膜であり、磁気ヘツド等の用途で大
きい効果を奏する。
ルフアス合金膜は高い磁気特性と向上した硬度を有し、
耐摩耗性の高い磁性膜であり、磁気ヘツド等の用途で大
きい効果を奏する。
第１図は酸素ガスの混入量と磁性膜の硬度の関係を示す
グラフ、第２図は酸素ガスの混入量と磁性膜の磁気特性
の関係を示すグラフである。
グラフ、第２図は酸素ガスの混入量と磁性膜の磁気特性
の関係を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】CoM（ただしＭはZr、Nb、Hf、Ti、Ta、
Ｗ、Moより成る群より選ばれた少なくとも１種）をター
ゲットとし、酸素又は酸素と窒素の混合ガスを含む不活
性ガス中でスパッタすることより成るCo系アモルファス
磁性膜の製造方法。 - 【請求項２】酸素が単独で0.01〜10vo1％含まれる前記
第１項記載の製造方法。 - 【請求項３】総量が15vo1％を超えない範囲で酸素が0.0
1〜10vo1％、窒素が0.01〜15vo1％含有されている前記
第１項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23918286A JPH079864B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Ｃｏ系アモルフアス磁性膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23918286A JPH079864B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Ｃｏ系アモルフアス磁性膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394611A JPS6394611A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH079864B2 true JPH079864B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=17040938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23918286A Expired - Lifetime JPH079864B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Ｃｏ系アモルフアス磁性膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079864B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165761A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 雰囲気中における低摩擦性、耐焼付性並びに低摩耗性部材 |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP23918286A patent/JPH079864B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6394611A (ja) | 1988-04-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |