JPH03162736A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03162736A JPH03162736A JP30176689A JP30176689A JPH03162736A JP H03162736 A JPH03162736 A JP H03162736A JP 30176689 A JP30176689 A JP 30176689A JP 30176689 A JP30176689 A JP 30176689A JP H03162736 A JPH03162736 A JP H03162736A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 13
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016964 MnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある．さらに詳しくは、この発明は、垂直磁化記録され
、レーザー光により記録ビットからの読取り再生可能な
高性能光磁気記録媒体の製造法に関するものである． （従来の技術とその課題） 従来より、磁気あるいは光磁気による記録媒体の開発が
精力的に進められてきており、記録密度の向上、記録・
再生精度の向上等について様々な角度からの検討が加え
られてきている．このうち、レーザー光を利用しての光
磁気記録が近年注目されており、このための記録媒体に
ついての検討が進んでもいる． 一般的に、光磁気記録のための媒体としては、（１）垂
直磁気異方性を有すること、（２）保磁力が大きいこと
、（３）力一回転角が大きいことが最も重要な特性要件
となっている．もちろん、その他の、反射率、粒界サイ
ズ、耐久性等も大切な要件である． これらの特性要件を満たすために、これまでは、ＴｂＦ
ｅＣｏ、Ｉ）ｙＦｅＣｏなどの遷移金属と希土類金属と
の合金薄膜が使用されてきており、この合金薄膜は、ア
モルファス状態で非常に保磁力が大きく（数ＫＯｅ）、
さらに磁化曲線およびカーヒステリシスにおいて角型比
がほぼ１．０であることを特徴としている． しかしながら、これらの合金薄膜の場合、一方では、力
一回転角が最大でも０．４５゜と非常に小さく、通常Ｓ
１０やＡｊＮなどのエンハンス層を設けて見かけ上のカ
ー回転角を大きくしている．また、耐久性の点でも希土
類元素を含んでいるために非常に酸化されやすく、保護
膜なしでは使用できないという欠点を有している． 一方、このような欠点のない記録媒体として、Ｃｌｋ結
晶構造を有するＰｔＭｎＳｂｌ膜が注目されている． この薄膜は、力一回転角が１〜２゜と大きく、しかも合
金状態ではｐｔが数１０ｗｔ％含有されているために、
上記のＴｂＦｅＣｏなどに比べて耐酸化性が非常に良好
で、保護膜なしでもある程度使用され得るという特徴を
有している．しかしながら、このＰｔＭｎＳｂ薄膜には
これらの利点がある反面で、その磁気特性においては面
内磁化優位性を持ち、また、保磁力がせいぜい２０００
ｅと小さく、光磁気記録媒体としては実用に供すること
はできない．その上、この薄膜は、カー回転角が非常に
大きいとはいえ、それは５ＫＯｅ以上も磁場をかけた場
合であり、外部磁場ゼロでのＰｔＭｎＳｂ薄膜の残留カ
ー回転角はその角型性が悪いためにＴ ｂ Ｆ ｅ Ｃ
ｏ薄膜に比べてさらに小さくなってしまう．カーヒス
テレシスはその磁化曲線に相似することから、その磁気
特性を改善しない限りいくら飽和カー回転角が大きくて
も意味がないことになる．第６図および第７図は、’Ｉ
” ｂ Ｆ ｅ Ｃ ｏ系合金薄膜の磁化曲線とカール
ープ、およびこれまでのＰｔＭｎＳｂ系合金薄膜の磁化
曲線とカーループとを対比して示したものである． ここに見られるように、第６図のＴｂＦｅＣｏ系などの
磁化曲線とカーループは非常に角型性がよいが、力一回
転角度自体の大きさは、前述のごとく、最大でも０．４
５゜程度である．一方の第７図の従来のＰｔＭｎＳｂ系
では、角型性は悪いが、カー回転角度は印加磁場１ ０
Ｋ Ｏ ｅが必要といえども最大で１〜２°にも達す
る．すなわち、磁化曲線の角型性をあげることができれ
ばそれに対応してカーループの角型性もあがり、磁場ゼ
ロでの力一回転角も著しく増大することになる．この発
明は以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、そ
の特性が注目されるＰｔＮｎＳｂ薄膜の欠点を改善し、
磁気特性を向上させ、がっ、カーヒステレシスの角型性
向上を可能としたＰｔＭｎＳｂ薄膜系がらなる光磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的としている．（
課題を解決するための手段） この発明は、上記の課題を解決するものとして、Ｃｌｋ
結晶構造を有するＰｔＭｎＳｂ合金薄膜をその成膜後に
酸素ガス、あるいは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス
雰囲気下に熱処理することを特徴とする光磁気記録媒体
を提供する． この発明の製造方法においては、ＰｔＭｎＳｂ合金薄膜
の成ＷＡ後に、上記の酸素雰囲気下に熱処理することに
より、Ｍｎまたはｓｂの酸化物相、もしくはＭｎ−Ｓｂ
の複合酸化物相をｗｉ細析出させて混和結晶状態とする
ことを特徴としており、この処理方法によって製造した
記録媒体は、従来のＰｔＭｎＳｂ薄膜に比べて保磁力が
大きく、垂直異方性も大きい．また、保磁力が大きくな
るに従って、角型比も増大する． このような優れた磁気特性を有する光磁気記録媒体は、
ＰｔＭｎＳｂ薄膜を真空槽中で、適度な酸素分圧を与え
て熱処理するが、酸素ガス、あるいは酸素ガスと不活性
ガスとの混合ガス中の酸素分圧は、通常、４５０℃、１
時間の処理の場合では５ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ〜５
ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ程度とすることができる． 熱処理の条件としては、通常、３００〜６００℃に加熱
することができる． なお、この熱処理時の温度一時間一酸素分圧の関係につ
いては、温度を一定とした場合には、高い酸素分圧ほど
処理時間を短くし、酸素分圧を一定とした場合には、高
温度ほど処理時間を短くする． 処理対象としてのＰｔＭｎＳｂ合金薄膜は、スパッタリ
ング等の通常の気相蒸着の方法により製造することがで
きる． この発明の方法により製造される記録媒体の磁気特性お
よび磁気光学特性は、従来のものに比べて著しく向上す
るが、これは、微細結晶粒界の選択的な酸化により個々
の結晶粒が磁気的に孤立されて保磁力と垂直異方性が大
きくなることに由来するものと推察される．磁気特性が
改善されればカーヒステレシスの角型比もこれに相似す
ることから改善される． 以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明の光磁気記
録媒体の製造方法についてさらに詳しく説明する． 実龍例１ 通常のＲ．Ｆスパッタリング法により石英基板上に展厚
が１５００人になるようにＰｔＭｎＳｂ薄膜を成膜した
．この時使用したターゲットは、Ｍｎｓｂ合金ターゲッ
ト（６インチ径）上に５關角のｐｔチップを均一に分布
させた複合ターゲットである． また、基板温度を１００℃とし、到達真空度１．５ ｘ
１ ０−’Ｔｏｒｒで純アルゴンガスを導入し、チャ
ンバー内圧力を４ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒとする，こ
の状態でスパッタリング出力２００Ｗで１０分間成膜す
る． 成膜後に、その基板を取り出し、続いて熱処理を行う．
これは別の真空槽において、まず２×１ ０−’Ｔｏｒ
ｒにまで排気し、続いてＡｒと酸素の混合ガス（０２：
２０％）を導入する．真空槽内の圧力を４ Ｘ １ ０
−’Ｔｏｒｒに保ちながら、ヒーターにて４５０ ’Ｃ
まで加熱し、その温度で１時間保持する．この処理によ
って得られる薄膜のＸ線回折パターンを示したものが第
１図である．従来のＰｔＭｎＳｂ単相の回折パターンは
Ｃｌｂｌｌｆｉをとるので明瞭なピーク（１１１ ）、
（２２０）、（３１１ ）、（４００ ）・・・等が現
われるが、この第１図から明らかなように、低角度側で
ＰｔＭｎＳｂ相とは別のピークが現れる．これらは、Ｍ
ｎあるいはｓｂの酸化物相、もしくは、Ｍｎ−Ｓｂの複
合酸化物相を示している．実際に、この第１図には、Ｐ
ｔＭｎＳｂ相の他にｓｂ酸化物相とＭｎ−ｓｂ複合酸化
物相が確認される． また、第２図は、この薄膜の磁気特性（Ｍ−Ｈループ）
を示したものである．この磁気特性の評価結果を従来の
ＰｔＭｎＳｂ薄膜の場合と比較したものが次の表１であ
る． この表１から明らかなように保磁力（ Ｈ ｃ上）が９
０００ｅと従来のものに比べて約４．５倍にも大きくな
っている．また角型比（Ｒｓ）も著しく増大している． 表 １ 実施例２ 実施例１と同様にして、ＰｔＭｎＳｂ薄膜をガラス基板
上に堆積させた．Ｘ線回折法により００結晶椙造を持つ
ことを確認した．他の結晶相は見られなかった． 次いで、成膜面を雰囲気に接するようにセットし、熱処
理炉内を１ ０−’Ｔｏｒｒ台の真空度に排気する．そ
の後、ガス導入口よりＡ ｒ ＋０２ （ Ｏｘ ＝
２０％）の混合ガスを流入させ、一方で真空ポンプによ
り少量づつ排気して炉内圧力を３×１ ０ −’Ｔｏｒ
ｒ （酸素分圧６ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ）に、一定
に保つ． 次にヒーターの通電を開始し、５℃／分の速度で昇温さ
せ、４５０℃で１時間保つ． 室温近くまで徐冷し、材料を炉内より取出す．このよう
にして熱処理した薄膜をＸ線回折により分析すると、Ｐ
ｔＭｎＳｂ相の他に、ｓｂ酸化物、Ｍｎ−Ｓｂ複合酸化
物が認められた． この時の保磁力（Ｈｃ上）は８５００ｅと大きく、角型
比も大幅に増大している．第３図はこの試料のカーヒス
テレシスである．このように、力一回転角も１．９４°
と大きく、さらにカーヒステレシスの角型性が０．４４
と大幅に改善された結果、磁場ゼロでの残留θｋが０．
８５°となり、Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃ ｏ系の０．４５’
に比べて２倍近い増大がみられる（レーザー波長６９０
ｎｎ ） ， 実施例３ 実施例１と同様にして、ＰｔＭｎＳｂｉ’Ｗ膜の熱処理
を行った．４５０℃、１時間の処理において、保磁力（
ＨＣＪＬ）、磁化（Ｍｓ）の酸素分圧依存性について評
価した．その結果を示したものが第４図である．保磁力
（Ｈｃｐ ）は、酸素分圧が大きくなるに従って増大し
、Ｐ ０２ ＝４ Ｘ １ ０−’Ｔｏ『『において１
．１ｋＯｅにも達した．一方、飽和磁化（Ｍｓ）は、Ｐ
Ｏ ２ ＝ ５ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒまでほぼ一
定であるが、酸素分圧の過度の上昇によって酸化物相が
多くなり過ぎると飽和磁下が低下することがわかる，
５ ｘ １ ０ −’Ｔｏｒｒ 〜８ ｘ １ ０ −
’Ｔｏｒｒ程度の適度な酸素分圧が優れた磁気特性を示
す．実鉋例４ 実施例２と同様にして、４５０℃、１時間の熱処理にお
いて、飽和カー回転角と残留カー回転角との酸素分圧依
存性について評価した．その結果を示したものが第５図
である． 飽和カー回転角はＰｏ２＝６Ｘ１ ０−’ＴＯｒｒ″′
Ｃ′最大になるが、飽和カー回転角と角型比との積（外
部磁場ゼロでのカー回転角）では、Ｐ ｏ ｘ ＝ ５
Ｘ１ ０−’Ｔｏｒｒ以下であれば酸素分圧の差によ
る違いはほとんどみられない．このため、光学特性に関
してだけみると、Ｐ ｏｘ ＝８Ｘ １ ０−’ＴＯｒ
ｒ近傍が最適条件となり、記録再生時のＣ／Ｎ比は最良
となる． （発明の効果） この発明の方法により、以上詳しく説明した通り、磁気
特性および磁気光学特性を著しく向上させた新規なＰｔ
ＭｎＳｂ系光磁気記録媒体が実現される．
ある．さらに詳しくは、この発明は、垂直磁化記録され
、レーザー光により記録ビットからの読取り再生可能な
高性能光磁気記録媒体の製造法に関するものである． （従来の技術とその課題） 従来より、磁気あるいは光磁気による記録媒体の開発が
精力的に進められてきており、記録密度の向上、記録・
再生精度の向上等について様々な角度からの検討が加え
られてきている．このうち、レーザー光を利用しての光
磁気記録が近年注目されており、このための記録媒体に
ついての検討が進んでもいる． 一般的に、光磁気記録のための媒体としては、（１）垂
直磁気異方性を有すること、（２）保磁力が大きいこと
、（３）力一回転角が大きいことが最も重要な特性要件
となっている．もちろん、その他の、反射率、粒界サイ
ズ、耐久性等も大切な要件である． これらの特性要件を満たすために、これまでは、ＴｂＦ
ｅＣｏ、Ｉ）ｙＦｅＣｏなどの遷移金属と希土類金属と
の合金薄膜が使用されてきており、この合金薄膜は、ア
モルファス状態で非常に保磁力が大きく（数ＫＯｅ）、
さらに磁化曲線およびカーヒステリシスにおいて角型比
がほぼ１．０であることを特徴としている． しかしながら、これらの合金薄膜の場合、一方では、力
一回転角が最大でも０．４５゜と非常に小さく、通常Ｓ
１０やＡｊＮなどのエンハンス層を設けて見かけ上のカ
ー回転角を大きくしている．また、耐久性の点でも希土
類元素を含んでいるために非常に酸化されやすく、保護
膜なしでは使用できないという欠点を有している． 一方、このような欠点のない記録媒体として、Ｃｌｋ結
晶構造を有するＰｔＭｎＳｂｌ膜が注目されている． この薄膜は、力一回転角が１〜２゜と大きく、しかも合
金状態ではｐｔが数１０ｗｔ％含有されているために、
上記のＴｂＦｅＣｏなどに比べて耐酸化性が非常に良好
で、保護膜なしでもある程度使用され得るという特徴を
有している．しかしながら、このＰｔＭｎＳｂ薄膜には
これらの利点がある反面で、その磁気特性においては面
内磁化優位性を持ち、また、保磁力がせいぜい２０００
ｅと小さく、光磁気記録媒体としては実用に供すること
はできない．その上、この薄膜は、カー回転角が非常に
大きいとはいえ、それは５ＫＯｅ以上も磁場をかけた場
合であり、外部磁場ゼロでのＰｔＭｎＳｂ薄膜の残留カ
ー回転角はその角型性が悪いためにＴ ｂ Ｆ ｅ Ｃ
ｏ薄膜に比べてさらに小さくなってしまう．カーヒス
テレシスはその磁化曲線に相似することから、その磁気
特性を改善しない限りいくら飽和カー回転角が大きくて
も意味がないことになる．第６図および第７図は、’Ｉ
” ｂ Ｆ ｅ Ｃ ｏ系合金薄膜の磁化曲線とカール
ープ、およびこれまでのＰｔＭｎＳｂ系合金薄膜の磁化
曲線とカーループとを対比して示したものである． ここに見られるように、第６図のＴｂＦｅＣｏ系などの
磁化曲線とカーループは非常に角型性がよいが、力一回
転角度自体の大きさは、前述のごとく、最大でも０．４
５゜程度である．一方の第７図の従来のＰｔＭｎＳｂ系
では、角型性は悪いが、カー回転角度は印加磁場１ ０
Ｋ Ｏ ｅが必要といえども最大で１〜２°にも達す
る．すなわち、磁化曲線の角型性をあげることができれ
ばそれに対応してカーループの角型性もあがり、磁場ゼ
ロでの力一回転角も著しく増大することになる．この発
明は以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、そ
の特性が注目されるＰｔＮｎＳｂ薄膜の欠点を改善し、
磁気特性を向上させ、がっ、カーヒステレシスの角型性
向上を可能としたＰｔＭｎＳｂ薄膜系がらなる光磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的としている．（
課題を解決するための手段） この発明は、上記の課題を解決するものとして、Ｃｌｋ
結晶構造を有するＰｔＭｎＳｂ合金薄膜をその成膜後に
酸素ガス、あるいは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス
雰囲気下に熱処理することを特徴とする光磁気記録媒体
を提供する． この発明の製造方法においては、ＰｔＭｎＳｂ合金薄膜
の成ＷＡ後に、上記の酸素雰囲気下に熱処理することに
より、Ｍｎまたはｓｂの酸化物相、もしくはＭｎ−Ｓｂ
の複合酸化物相をｗｉ細析出させて混和結晶状態とする
ことを特徴としており、この処理方法によって製造した
記録媒体は、従来のＰｔＭｎＳｂ薄膜に比べて保磁力が
大きく、垂直異方性も大きい．また、保磁力が大きくな
るに従って、角型比も増大する． このような優れた磁気特性を有する光磁気記録媒体は、
ＰｔＭｎＳｂ薄膜を真空槽中で、適度な酸素分圧を与え
て熱処理するが、酸素ガス、あるいは酸素ガスと不活性
ガスとの混合ガス中の酸素分圧は、通常、４５０℃、１
時間の処理の場合では５ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ〜５
ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ程度とすることができる． 熱処理の条件としては、通常、３００〜６００℃に加熱
することができる． なお、この熱処理時の温度一時間一酸素分圧の関係につ
いては、温度を一定とした場合には、高い酸素分圧ほど
処理時間を短くし、酸素分圧を一定とした場合には、高
温度ほど処理時間を短くする． 処理対象としてのＰｔＭｎＳｂ合金薄膜は、スパッタリ
ング等の通常の気相蒸着の方法により製造することがで
きる． この発明の方法により製造される記録媒体の磁気特性お
よび磁気光学特性は、従来のものに比べて著しく向上す
るが、これは、微細結晶粒界の選択的な酸化により個々
の結晶粒が磁気的に孤立されて保磁力と垂直異方性が大
きくなることに由来するものと推察される．磁気特性が
改善されればカーヒステレシスの角型比もこれに相似す
ることから改善される． 以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明の光磁気記
録媒体の製造方法についてさらに詳しく説明する． 実龍例１ 通常のＲ．Ｆスパッタリング法により石英基板上に展厚
が１５００人になるようにＰｔＭｎＳｂ薄膜を成膜した
．この時使用したターゲットは、Ｍｎｓｂ合金ターゲッ
ト（６インチ径）上に５關角のｐｔチップを均一に分布
させた複合ターゲットである． また、基板温度を１００℃とし、到達真空度１．５ ｘ
１ ０−’Ｔｏｒｒで純アルゴンガスを導入し、チャ
ンバー内圧力を４ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒとする，こ
の状態でスパッタリング出力２００Ｗで１０分間成膜す
る． 成膜後に、その基板を取り出し、続いて熱処理を行う．
これは別の真空槽において、まず２×１ ０−’Ｔｏｒ
ｒにまで排気し、続いてＡｒと酸素の混合ガス（０２：
２０％）を導入する．真空槽内の圧力を４ Ｘ １ ０
−’Ｔｏｒｒに保ちながら、ヒーターにて４５０ ’Ｃ
まで加熱し、その温度で１時間保持する．この処理によ
って得られる薄膜のＸ線回折パターンを示したものが第
１図である．従来のＰｔＭｎＳｂ単相の回折パターンは
Ｃｌｂｌｌｆｉをとるので明瞭なピーク（１１１ ）、
（２２０）、（３１１ ）、（４００ ）・・・等が現
われるが、この第１図から明らかなように、低角度側で
ＰｔＭｎＳｂ相とは別のピークが現れる．これらは、Ｍ
ｎあるいはｓｂの酸化物相、もしくは、Ｍｎ−Ｓｂの複
合酸化物相を示している．実際に、この第１図には、Ｐ
ｔＭｎＳｂ相の他にｓｂ酸化物相とＭｎ−ｓｂ複合酸化
物相が確認される． また、第２図は、この薄膜の磁気特性（Ｍ−Ｈループ）
を示したものである．この磁気特性の評価結果を従来の
ＰｔＭｎＳｂ薄膜の場合と比較したものが次の表１であ
る． この表１から明らかなように保磁力（ Ｈ ｃ上）が９
０００ｅと従来のものに比べて約４．５倍にも大きくな
っている．また角型比（Ｒｓ）も著しく増大している． 表 １ 実施例２ 実施例１と同様にして、ＰｔＭｎＳｂ薄膜をガラス基板
上に堆積させた．Ｘ線回折法により００結晶椙造を持つ
ことを確認した．他の結晶相は見られなかった． 次いで、成膜面を雰囲気に接するようにセットし、熱処
理炉内を１ ０−’Ｔｏｒｒ台の真空度に排気する．そ
の後、ガス導入口よりＡ ｒ ＋０２ （ Ｏｘ ＝
２０％）の混合ガスを流入させ、一方で真空ポンプによ
り少量づつ排気して炉内圧力を３×１ ０ −’Ｔｏｒ
ｒ （酸素分圧６ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ）に、一定
に保つ． 次にヒーターの通電を開始し、５℃／分の速度で昇温さ
せ、４５０℃で１時間保つ． 室温近くまで徐冷し、材料を炉内より取出す．このよう
にして熱処理した薄膜をＸ線回折により分析すると、Ｐ
ｔＭｎＳｂ相の他に、ｓｂ酸化物、Ｍｎ−Ｓｂ複合酸化
物が認められた． この時の保磁力（Ｈｃ上）は８５００ｅと大きく、角型
比も大幅に増大している．第３図はこの試料のカーヒス
テレシスである．このように、力一回転角も１．９４°
と大きく、さらにカーヒステレシスの角型性が０．４４
と大幅に改善された結果、磁場ゼロでの残留θｋが０．
８５°となり、Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃ ｏ系の０．４５’
に比べて２倍近い増大がみられる（レーザー波長６９０
ｎｎ ） ， 実施例３ 実施例１と同様にして、ＰｔＭｎＳｂｉ’Ｗ膜の熱処理
を行った．４５０℃、１時間の処理において、保磁力（
ＨＣＪＬ）、磁化（Ｍｓ）の酸素分圧依存性について評
価した．その結果を示したものが第４図である．保磁力
（Ｈｃｐ ）は、酸素分圧が大きくなるに従って増大し
、Ｐ ０２ ＝４ Ｘ １ ０−’Ｔｏ『『において１
．１ｋＯｅにも達した．一方、飽和磁化（Ｍｓ）は、Ｐ
Ｏ ２ ＝ ５ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒまでほぼ一
定であるが、酸素分圧の過度の上昇によって酸化物相が
多くなり過ぎると飽和磁下が低下することがわかる，
５ ｘ １ ０ −’Ｔｏｒｒ 〜８ ｘ １ ０ −
’Ｔｏｒｒ程度の適度な酸素分圧が優れた磁気特性を示
す．実鉋例４ 実施例２と同様にして、４５０℃、１時間の熱処理にお
いて、飽和カー回転角と残留カー回転角との酸素分圧依
存性について評価した．その結果を示したものが第５図
である． 飽和カー回転角はＰｏ２＝６Ｘ１ ０−’ＴＯｒｒ″′
Ｃ′最大になるが、飽和カー回転角と角型比との積（外
部磁場ゼロでのカー回転角）では、Ｐ ｏ ｘ ＝ ５
Ｘ１ ０−’Ｔｏｒｒ以下であれば酸素分圧の差によ
る違いはほとんどみられない．このため、光学特性に関
してだけみると、Ｐ ｏｘ ＝８Ｘ １ ０−’ＴＯｒ
ｒ近傍が最適条件となり、記録再生時のＣ／Ｎ比は最良
となる． （発明の効果） この発明の方法により、以上詳しく説明した通り、磁気
特性および磁気光学特性を著しく向上させた新規なＰｔ
ＭｎＳｂ系光磁気記録媒体が実現される．
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、各々、この発明の一実施例につ
いてのＸ線回折パターン図と磁気特性（Ｍ−Ｈループ）
図を示したものである．第３図は、この発明の記録媒体
のカーヒステレシス図を示したものである． 第４図および第５図は、各々、この発明の記録媒体につ
いて、保磁力と磁化、およびカー回転角の酸素分圧との
関係を示した相関図である．第６図は、従来のＴｂＦｅ
Ｃｏ薄膜の磁化曲線とカーループを示した特性図であり
、また第７図は従来のＰｔＭｎＳｂ薄膜の磁化曲線とカ
ーループとを示した特性図である．
いてのＸ線回折パターン図と磁気特性（Ｍ−Ｈループ）
図を示したものである．第３図は、この発明の記録媒体
のカーヒステレシス図を示したものである． 第４図および第５図は、各々、この発明の記録媒体につ
いて、保磁力と磁化、およびカー回転角の酸素分圧との
関係を示した相関図である．第６図は、従来のＴｂＦｅ
Ｃｏ薄膜の磁化曲線とカーループを示した特性図であり
、また第７図は従来のＰｔＭｎＳｂ薄膜の磁化曲線とカ
ーループとを示した特性図である．
Claims (1)
- （１）Ｃ＿１＿ｂ結晶構造を有するＰｔＭｎＳｂ合金薄
膜を、その成膜後に酸素ガス、あるいは酸素ガスと不活
性ガスとの混合ガス雰囲気下に熱処理することを特徴と
する光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30176689A JPH03162736A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30176689A JPH03162736A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162736A true JPH03162736A (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=17900917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30176689A Pending JPH03162736A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03162736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008008A1 (en) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetooptic recording medium and production method thereof |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP30176689A patent/JPH03162736A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008008A1 (en) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetooptic recording medium and production method thereof |
| US6190763B1 (en) | 1994-09-06 | 2001-02-20 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetoopic record medium |
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