JPH0810231B2 - フローセンサ - Google Patents
フローセンサInfo
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- JPH0810231B2 JPH0810231B2 JP62079244A JP7924487A JPH0810231B2 JP H0810231 B2 JPH0810231 B2 JP H0810231B2 JP 62079244 A JP62079244 A JP 62079244A JP 7924487 A JP7924487 A JP 7924487A JP H0810231 B2 JPH0810231 B2 JP H0810231B2
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- JP
- Japan
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- temperature
- fluid
- resistor
- heat
- flow sensor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/696—Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters
- G01F1/698—Feedback or rebalancing circuits, e.g. self heated constant temperature flowmeters
- G01F1/699—Feedback or rebalancing circuits, e.g. self heated constant temperature flowmeters by control of a separate heating or cooling element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
- G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、気体または液体のような流体の流れ方向を
検出することのできるフローセンサに関する。
検出することのできるフローセンサに関する。
＜従来の技術とその問題点＞ 従来より提唱されている熱式で流体の流れ方向を検知
するフローセンサとしては特開昭60−247171号に記載さ
れている半導体式流速検出器がある。この半導体式流速
検出器は基板にシリコンを使用しているため、熱の伝導
が非常に良く、気体の流れによって生じるチップ内の温
度差は１〜100〜1/10℃程度である（電子材料、1983年1
2月号,P38〜43）。従って、この温度差を正確に求める
には感度の高い測温トランジスタを２個１組としてブリ
ッジに組み、平衡状態からのずれを検出している。
するフローセンサとしては特開昭60−247171号に記載さ
れている半導体式流速検出器がある。この半導体式流速
検出器は基板にシリコンを使用しているため、熱の伝導
が非常に良く、気体の流れによって生じるチップ内の温
度差は１〜100〜1/10℃程度である（電子材料、1983年1
2月号,P38〜43）。従って、この温度差を正確に求める
には感度の高い測温トランジスタを２個１組としてブリ
ッジに組み、平衡状態からのずれを検出している。
このフローセンサは、シリコンを使用し、半導体プロ
セス技術を利用しているので量産性に優れるが、反面素
子間の温度特性のバラツキが大きく、また発熱温度を高
く設定することができないなどの欠点を有している。
セス技術を利用しているので量産性に優れるが、反面素
子間の温度特性のバラツキが大きく、また発熱温度を高
く設定することができないなどの欠点を有している。
これに対して、量産性および均質性に優れかつ高温に
おいて安定した動作が得られる熱式フローセンサとし
て、本件発明者を含む発明者により発明され、同じ出願
人が昭和61年９月29日に出願した特願昭61−232885「流
速検知装置」がある。この特許出願は、発熱抵抗の左右
対象位置に側温抵抗体を配し、熱絶縁可能な基板で一体
化したフローセンサである。このフローセンサは、基板
に熱伝導率2w/m・ｋ以下の熱絶縁基板を用いてチップ内
の温度差を十分に大きくし、また半導体プロセス技術を
利用して作製されるので、量産性、均質性に優れた方向
検知可能な素子であり、その模式平面及び断面図を第８
図（Ａ）（Ｂ）に例示する。このフローセンサは熱絶縁
基板１の中央に発熱用抵抗体3aとこの発熱用抵抗体3aを
挾んで両側の対称な位置に温度側定用抵抗体4a,4bを配
置し発熱用抵抗体3aの温度が流体の温度よりも一定温度
高く保持されるように制御し、流体の流速に応じて変化
する発熱用抵抗体3aに流れる電流又はその電流に対応し
て変化する電位もしくは電圧により流体の流速を検出す
ると同時に２個の温度側定用抵抗体4a,4b間に生じる温
度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流体の流れ
方向を検出するものである。各抵抗体3a,4a,4bと基板１
との密着を良くするためにコーティング膜２が被覆され
発熱用抵抗体3aの温度をモニターするために発熱用抵抗
体温度モニター3bが設置されている。第９図はこのフロ
ーセンサにより流体の流れ方向（θ）と温度側定用抵抗
体4a,4b間の温度差の関係をブリッジ回路により電圧差V
Dとして求めたものである。ここでは、出力VDに対し方
位角θが２つ求められ、また出力VDは流速によって影響
を受けるので、その補正を行なう必要があった。
おいて安定した動作が得られる熱式フローセンサとし
て、本件発明者を含む発明者により発明され、同じ出願
人が昭和61年９月29日に出願した特願昭61−232885「流
速検知装置」がある。この特許出願は、発熱抵抗の左右
対象位置に側温抵抗体を配し、熱絶縁可能な基板で一体
化したフローセンサである。このフローセンサは、基板
に熱伝導率2w/m・ｋ以下の熱絶縁基板を用いてチップ内
の温度差を十分に大きくし、また半導体プロセス技術を
利用して作製されるので、量産性、均質性に優れた方向
検知可能な素子であり、その模式平面及び断面図を第８
図（Ａ）（Ｂ）に例示する。このフローセンサは熱絶縁
基板１の中央に発熱用抵抗体3aとこの発熱用抵抗体3aを
挾んで両側の対称な位置に温度側定用抵抗体4a,4bを配
置し発熱用抵抗体3aの温度が流体の温度よりも一定温度
高く保持されるように制御し、流体の流速に応じて変化
する発熱用抵抗体3aに流れる電流又はその電流に対応し
て変化する電位もしくは電圧により流体の流速を検出す
ると同時に２個の温度側定用抵抗体4a,4b間に生じる温
度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流体の流れ
方向を検出するものである。各抵抗体3a,4a,4bと基板１
との密着を良くするためにコーティング膜２が被覆され
発熱用抵抗体3aの温度をモニターするために発熱用抵抗
体温度モニター3bが設置されている。第９図はこのフロ
ーセンサにより流体の流れ方向（θ）と温度側定用抵抗
体4a,4b間の温度差の関係をブリッジ回路により電圧差V
Dとして求めたものである。ここでは、出力VDに対し方
位角θが２つ求められ、また出力VDは流速によって影響
を受けるので、その補正を行なう必要があった。
＜発明の目的＞ 本発明は上述の欠点を解消するためになされたもので
あり、半導体プロセスを利用して量産性及び均質性に優
れ、かつ高温においても安定した動作が得られる流体の
流れ方向を検出するフローセンサを提供することを目的
とするものである。
あり、半導体プロセスを利用して量産性及び均質性に優
れ、かつ高温においても安定した動作が得られる流体の
流れ方向を検出するフローセンサを提供することを目的
とするものである。
＜発明の概要＞ 本発明は熱絶縁基板の中央に発熱用素子例えば発熱用
抵抗体を配置し、そしてこの発熱用素子を中心として円
周上のほぼ等間隔に４個以上の温度側定用素子例えば温
度側定用抵抗体を設置したフローセンサにおいて発熱用
素子の温度が流体の温度よりも一定温度高く保持される
ように制御し、４個以上の温度側定用素子間に生じる温
度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流体の流れ
方向を検出するフローセンサである。
抵抗体を配置し、そしてこの発熱用素子を中心として円
周上のほぼ等間隔に４個以上の温度側定用素子例えば温
度側定用抵抗体を設置したフローセンサにおいて発熱用
素子の温度が流体の温度よりも一定温度高く保持される
ように制御し、４個以上の温度側定用素子間に生じる温
度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流体の流れ
方向を検出するフローセンサである。
またこのフローセンサは、発熱素子の温度が流体の温
度よりも一定温度高く保持されるように制御したとき、
流体の流速に応じて変化する発熱素子に流れる電流又は
その電流に対応して変化する電位もしくは電圧により流
体の流速を同時に検出することができる。
度よりも一定温度高く保持されるように制御したとき、
流体の流速に応じて変化する発熱素子に流れる電流又は
その電流に対応して変化する電位もしくは電圧により流
体の流速を同時に検出することができる。
本発明は、熱伝導率が2w/m・ｋ以下の熱絶縁基板例え
ばガラス基板を利用することにより、チップ内の温度差
を十分に大きくすることができ、流体の流れによって生
じるチップ内の発熱用素子を中心として４個以上の温度
側定用素子の位置の温度差を大きくすることができ、フ
ローセンサの作製が簡単になり、信頼性が高くなる。
ばガラス基板を利用することにより、チップ内の温度差
を十分に大きくすることができ、流体の流れによって生
じるチップ内の発熱用素子を中心として４個以上の温度
側定用素子の位置の温度差を大きくすることができ、フ
ローセンサの作製が簡単になり、信頼性が高くなる。
また、発熱用素子、発熱用素子の温度モニター、温度
側定用素子に用いる抵抗体材料のうち、例えば白金等の
貴金属類はガラスとの密着性がやや弱く、信頼性という
点で問題があるが、ガラス上にアルミナをコーディング
した基板を使用すれば、基板と発熱用素子、発熱用素子
の温度モニター、温度側定用素子との間に充分強い密着
力を付与することができる。
側定用素子に用いる抵抗体材料のうち、例えば白金等の
貴金属類はガラスとの密着性がやや弱く、信頼性という
点で問題があるが、ガラス上にアルミナをコーディング
した基板を使用すれば、基板と発熱用素子、発熱用素子
の温度モニター、温度側定用素子との間に充分強い密着
力を付与することができる。
以上の如く本発明は、発熱用素子、発熱用素子の温度
モニター及び温度側定用素子を同一素子内に一体化した
信頼性の高いフローセンサを実現したものである。
モニター及び温度側定用素子を同一素子内に一体化した
信頼性の高いフローセンサを実現したものである。
＜実施例＞ 第１図（Ａ）（Ｂ）は本発明の１実施例を示すフロー
センサの模式平面及び断面図である。ガラス基板５の上
にアルミナ薄膜６真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法等の薄膜生成技術を適宜利用して堆積させ
る。アルミナ薄膜６上に例えば白金等の抵抗温度係数の
大きな金属薄膜を同様に真空蒸着法、スパッタリング法
あるいはプラズマCVD法等により堆積させた後、エッチ
ング技術により金属薄膜だけをパターン化し、発熱用抵
抗体7a、発熱用抵抗体温度モニター7b及び２対の温度側
定用抵抗体8a,8bと9a,9bを適宜の距離だけ隔てて配置し
第１図（Ａ）の如くとする。温度側定用抵抗体8a,8bと9
a,9bは発熱用抵抗体7aに対して左右対称の位置に置かれ
ている。次に発熱用抵抗体7aと発熱用抵抗体温度モニタ
ー7b及び温度側定抵抗体8a,8bと9a,9bを１組としてガラ
ス基板５を切断し、個々のセンサ素子とする。得られた
センサ素子はガラス基板５に発熱用抵抗体7aと発熱用抵
抗体温度モニター7b、温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9bが
配置された構造となる。またその大きさは数ミリ程度と
微小であり、一枚の基板上に多数個並べて同時に作製す
るいわゆるウエハー処理を行なうことにより、特性の均
一なセンサ素子を量産することができる。得られたセン
サ素子を支持台（図示せず）に接着し、発熱用抵抗体7
a、発熱用抵抗体温度モニター7b及び温度側定用抵抗体8
a,8bと9a,9bのリード接続を行ない本実施例のフローセ
ンサとする。
センサの模式平面及び断面図である。ガラス基板５の上
にアルミナ薄膜６真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法等の薄膜生成技術を適宜利用して堆積させ
る。アルミナ薄膜６上に例えば白金等の抵抗温度係数の
大きな金属薄膜を同様に真空蒸着法、スパッタリング法
あるいはプラズマCVD法等により堆積させた後、エッチ
ング技術により金属薄膜だけをパターン化し、発熱用抵
抗体7a、発熱用抵抗体温度モニター7b及び２対の温度側
定用抵抗体8a,8bと9a,9bを適宜の距離だけ隔てて配置し
第１図（Ａ）の如くとする。温度側定用抵抗体8a,8bと9
a,9bは発熱用抵抗体7aに対して左右対称の位置に置かれ
ている。次に発熱用抵抗体7aと発熱用抵抗体温度モニタ
ー7b及び温度側定抵抗体8a,8bと9a,9bを１組としてガラ
ス基板５を切断し、個々のセンサ素子とする。得られた
センサ素子はガラス基板５に発熱用抵抗体7aと発熱用抵
抗体温度モニター7b、温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9bが
配置された構造となる。またその大きさは数ミリ程度と
微小であり、一枚の基板上に多数個並べて同時に作製す
るいわゆるウエハー処理を行なうことにより、特性の均
一なセンサ素子を量産することができる。得られたセン
サ素子を支持台（図示せず）に接着し、発熱用抵抗体7
a、発熱用抵抗体温度モニター7b及び温度側定用抵抗体8
a,8bと9a,9bのリード接続を行ない本実施例のフローセ
ンサとする。
なお、金属薄膜の材料としては、白金以外に抵抗温度
係数が大きいニッケル若しくはニッケル合金あるいは金
属薄膜の代わりにサーミスタ等の感温抵抗体材料を用い
てもよい。
係数が大きいニッケル若しくはニッケル合金あるいは金
属薄膜の代わりにサーミスタ等の感温抵抗体材料を用い
てもよい。
このようにして作製した発熱用抵抗体7a、発熱用抵抗
体温度モニター7b、温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9bを用
いたフローセンサの模式回路構成図を第２図に示す。気
体又は液体の流体が通過する流路（図示せず）内に上記
製法により作製された発熱用抵抗体7a、発熱用抵抗体温
度モニター7b、温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9bよりなる
フローセンサ、および流体温度補償用抵抗体10が設置さ
れる。流体温度補償用抵抗体10および発熱用抵抗体温度
モニター7bはそれぞれ他の電気抵抗体11,12と連結され
てブリッジ（Ａ）を構成している。流体温度補償用抵抗
体10と発熱用抵抗体温度モニター7bの中間接続点はアー
スされている。これらのブリッジ（Ａ）はブリッジ抵抗
の差電圧を増幅器13で差動増幅し、スイッチング用トラ
ンジスタ14のベース電位を制御してトランジスタ14を駆
動するフィードバック回路に接続され、発熱用抵抗体7a
の電圧を制御している。温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9b
はそれぞれ他の定電流源15,16,17,18と連結されてブリ
ッジ（Ｂ）と（Ｃ）を構成している。温度側定用抵抗体
8a,8bと9a,9bの中間接続点はそれぞれアースされてい
る。
体温度モニター7b、温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9bを用
いたフローセンサの模式回路構成図を第２図に示す。気
体又は液体の流体が通過する流路（図示せず）内に上記
製法により作製された発熱用抵抗体7a、発熱用抵抗体温
度モニター7b、温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9bよりなる
フローセンサ、および流体温度補償用抵抗体10が設置さ
れる。流体温度補償用抵抗体10および発熱用抵抗体温度
モニター7bはそれぞれ他の電気抵抗体11,12と連結され
てブリッジ（Ａ）を構成している。流体温度補償用抵抗
体10と発熱用抵抗体温度モニター7bの中間接続点はアー
スされている。これらのブリッジ（Ａ）はブリッジ抵抗
の差電圧を増幅器13で差動増幅し、スイッチング用トラ
ンジスタ14のベース電位を制御してトランジスタ14を駆
動するフィードバック回路に接続され、発熱用抵抗体7a
の電圧を制御している。温度側定用抵抗体8a,8bと9a,9b
はそれぞれ他の定電流源15,16,17,18と連結されてブリ
ッジ（Ｂ）と（Ｃ）を構成している。温度側定用抵抗体
8a,8bと9a,9bの中間接続点はそれぞれアースされてい
る。
第３図は流速Vfに応じて変化する発熱用抵抗体7aの電
圧Vhの流速−出力特性である。ブリッジ（Ａ）におい
て、発熱用抵抗体7aは流体の温度よりも一定温度高い状
態に電気抵抗体19により保たれる。流体の速度が早い場
合、発熱用抵抗体7aから多量の熱が奪われる。逆に流体
の速度が遅い場合、発熱用抵抗体7aから奪われる熱量も
少ない。従って、流体温度補償用抵抗体10で流体の温度
を側定し流体温度と発熱用抵抗体7aの温度差を一定に保
つようにフィードバック回路を介し、発熱用抵抗体7aに
流す電流値を制御し、流体の流速（流量）に対応した電
流（電圧）値を求める。
圧Vhの流速−出力特性である。ブリッジ（Ａ）におい
て、発熱用抵抗体7aは流体の温度よりも一定温度高い状
態に電気抵抗体19により保たれる。流体の速度が早い場
合、発熱用抵抗体7aから多量の熱が奪われる。逆に流体
の速度が遅い場合、発熱用抵抗体7aから奪われる熱量も
少ない。従って、流体温度補償用抵抗体10で流体の温度
を側定し流体温度と発熱用抵抗体7aの温度差を一定に保
つようにフィードバック回路を介し、発熱用抵抗体7aに
流す電流値を制御し、流体の流速（流量）に対応した電
流（電圧）値を求める。
第４図は、流体の流れ方向（θ）と温度側定用抵抗体
8a,8bと9a,9b間の温度差の関係をブリッジ回路（Ｂ）お
よび（Ｃ）による電圧差として求めたものである。ブリ
ッジ回路（Ｂ）および（Ｃ）において、温度側定用抵抗
体8a,8bと9a,9bはそれぞれ定電流源15,16,17,18と連結
していて、流体の流れ方向変化によって生じる基板内の
温度分布の変化を電圧変化に変換し、電圧差として出力
VD1およびVD2を求める。出力VD1およびVD2はVD1＝ｆ（V
f）・sinθ,VD2＝ｆ（Vf）・cosθ（ｆ（Vf）は流速Vf
の関数）と近似することができる。従って、流体の流れ
方向（θ）は第５図に示す演算回路により、 で求められる。その結果を第６図に示す。
8a,8bと9a,9b間の温度差の関係をブリッジ回路（Ｂ）お
よび（Ｃ）による電圧差として求めたものである。ブリ
ッジ回路（Ｂ）および（Ｃ）において、温度側定用抵抗
体8a,8bと9a,9bはそれぞれ定電流源15,16,17,18と連結
していて、流体の流れ方向変化によって生じる基板内の
温度分布の変化を電圧変化に変換し、電圧差として出力
VD1およびVD2を求める。出力VD1およびVD2はVD1＝ｆ（V
f）・sinθ,VD2＝ｆ（Vf）・cosθ（ｆ（Vf）は流速Vf
の関数）と近似することができる。従って、流体の流れ
方向（θ）は第５図に示す演算回路により、 で求められる。その結果を第６図に示す。
本実施例では発熱用抵抗体温度モニター7bと流体温度
補償用抵抗体10を用いたブリッジ回路により流体の流速
を求めているが、発熱用抵抗体温度モニター7bを省略
し、発熱用抵抗体7aと流体温度補償用抵抗体10を用いた
ブリッジ回路により流体の流速を求める構成にしてもよ
い。
補償用抵抗体10を用いたブリッジ回路により流体の流速
を求めているが、発熱用抵抗体温度モニター7bを省略
し、発熱用抵抗体7aと流体温度補償用抵抗体10を用いた
ブリッジ回路により流体の流速を求める構成にしてもよ
い。
第７図は本発明の他の実施例を示すフローセンサの構
成図であり発熱用抵抗体7aの周囲に等間隔で６個の温度
側定用抵抗体を配設している。
成図であり発熱用抵抗体7aの周囲に等間隔で６個の温度
側定用抵抗体を配設している。
尚、発熱用素子としては抵抗体以外に高出力トランジ
スタ等の回路素子や熱電効果素子その他を用いてもよ
い。
スタ等の回路素子や熱電効果素子その他を用いてもよ
い。
＜発明の効果＞ 以上詳述したように本発明による熱式方向検知フロー
センサは、実用上極めて有益な利点を有する薄膜化によ
り半導体プロセス技術及び熱絶縁基板が利用できるため （１） 量産に適している。
センサは、実用上極めて有益な利点を有する薄膜化によ
り半導体プロセス技術及び熱絶縁基板が利用できるため （１） 量産に適している。
（２） 低価格化が図れる。
（３） 均質性が良い。
（４） 小型化、低消費電力化が可能である。
等の優れた効果がある。
第１図は本発明の１実施例を示すフローセンサの模式平
面および断面図である。第２図は第１図に示すフローセ
ンサの模式回路構成図である。第３図はフローセンサの
流速対出力特性図である。第４図は流体の流れ方向を電
圧差として求めた特性図である。第５図は第２図に続く
信号処理方法を示す説明図である。第６図は第５図に示
す方法により処理した結果の説明図である。第７図は本
発明の他の実施例を示す模式平面図である。第８図は従
来の熱絶縁型熱式フローセンサの模式平面図および断面
図である。第９図は第８図に示すフローセンサにより、
流体の流れ方向を電圧差として求めた特性図である。 ５……ガラス基板、６……アルミナ薄膜、7a……発熱用
抵抗体、7b……発熱用抵抗体温度モニター、8a,8b,9a,9
b……温度側定用抵抗体、10……流体温度補償用抵抗
体、11,12……電気抵抗体、13……増幅器、14……スイ
ッチング用トランジスタ、15,16,17,18……定電流源
面および断面図である。第２図は第１図に示すフローセ
ンサの模式回路構成図である。第３図はフローセンサの
流速対出力特性図である。第４図は流体の流れ方向を電
圧差として求めた特性図である。第５図は第２図に続く
信号処理方法を示す説明図である。第６図は第５図に示
す方法により処理した結果の説明図である。第７図は本
発明の他の実施例を示す模式平面図である。第８図は従
来の熱絶縁型熱式フローセンサの模式平面図および断面
図である。第９図は第８図に示すフローセンサにより、
流体の流れ方向を電圧差として求めた特性図である。 ５……ガラス基板、６……アルミナ薄膜、7a……発熱用
抵抗体、7b……発熱用抵抗体温度モニター、8a,8b,9a,9
b……温度側定用抵抗体、10……流体温度補償用抵抗
体、11,12……電気抵抗体、13……増幅器、14……スイ
ッチング用トランジスタ、15,16,17,18……定電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 枡川 正也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 片岡 照栄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−133866（ＪＰ，Ａ) 特公 昭28−5999（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】熱伝導率が2w/m・ｋ以下の熱絶縁可能な材
質の基板と、 該基板の一主面上に形成されたアルミナコーティング膜
と、 該アルミナコーティング膜上に配置された金属薄膜から
なる発熱用素子と、 前記アルミナコーテイング膜上でかつ前記発熱用素子を
中心としてほぼ点対称に配置された少なくとも４個の金
属薄膜からなる温度測定用素子とを備え、 前記発熱用素子の温度を被測定流体の温度よりも所定の
温度だけ高く保持するに必要なエネルギーを検出するこ
とによって被測定流体の流速を検出すると共に、前記温
度測定用素子間に生じる温度差を検出することによって
被測定流体の流れ方向を検出することを特徴とするフロ
ーセンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079244A JPH0810231B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | フローセンサ |
| DE8888302969T DE3877795T2 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-31 | Stroemungssensor. |
| EP88302969A EP0285451B1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-31 | A flow sensor |
| US07/175,561 US4885937A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-31 | Flow sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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