JPH0810676B2 - 気相成長などの処理方法 - Google Patents
気相成長などの処理方法Info
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- JPH0810676B2 JPH0810676B2 JP59275086A JP27508684A JPH0810676B2 JP H0810676 B2 JPH0810676 B2 JP H0810676B2 JP 59275086 A JP59275086 A JP 59275086A JP 27508684 A JP27508684 A JP 27508684A JP H0810676 B2 JPH0810676 B2 JP H0810676B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3418—Phosphides
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば半導体基板（以下ウェハと呼ぶ）に
エピタキシャル成長させるための気相成長や不純物を添
加するための拡散などのように処理室内で多数の工程
（シーケンス）からなる処理プロセスを施こす必要のあ
る処理方法に関するものである。
エピタキシャル成長させるための気相成長や不純物を添
加するための拡散などのように処理室内で多数の工程
（シーケンス）からなる処理プロセスを施こす必要のあ
る処理方法に関するものである。
従来、シリコン等のウェハ表面に該ウェハと同じ結晶
方位を有する結晶薄膜を成長させるいわゆるエピタキシ
ャル成長に用いられる装置としては横型、縦型、シリン
ダ型と呼ばれる３つの代表的な方式が実用化されてい
る。これらの装置は、それぞれ特徴がありすぐれたもの
であるが、生産性の向上が望まれていること、さらにウ
ェハの大径化（５インチ、６インチ化）が進められてい
ること等から、ウェハの載置されるサセプタの大型化
（従って反応室の大型化）が進められている。しかし、
サセプタの大型化は、高価になるばかりか、製造技術上
の問題があり、限界がある。また、反応室を構成してい
る石英ベルジャ等の石英部品も大型化しなければなら
ず、石英部品の大型化は、こわれやすく高価となるので
大きな問題となっていた。
方位を有する結晶薄膜を成長させるいわゆるエピタキシ
ャル成長に用いられる装置としては横型、縦型、シリン
ダ型と呼ばれる３つの代表的な方式が実用化されてい
る。これらの装置は、それぞれ特徴がありすぐれたもの
であるが、生産性の向上が望まれていること、さらにウ
ェハの大径化（５インチ、６インチ化）が進められてい
ること等から、ウェハの載置されるサセプタの大型化
（従って反応室の大型化）が進められている。しかし、
サセプタの大型化は、高価になるばかりか、製造技術上
の問題があり、限界がある。また、反応室を構成してい
る石英ベルジャ等の石英部品も大型化しなければなら
ず、石英部品の大型化は、こわれやすく高価となるので
大きな問題となっていた。
さらに、エピタキシャル層に要求される特性として、
膜厚および膜抵抗の均一性が重要なポイントとなってい
るが、大型化に伴いバッチ内のバラツキを小さくするこ
とが難しくなっている。
膜厚および膜抵抗の均一性が重要なポイントとなってい
るが、大型化に伴いバッチ内のバラツキを小さくするこ
とが難しくなっている。
また、１バッチ毎の処理枚数を増やすと、処理中にト
ラブルが生じた場合、そのバッチ全品が不良品となり損
害は大きい。さらに、エピタキシャル成長には、爆発性
のガス腐食性、あるいは毒性のガスを用いるので、大型
化は好ましくない方向といえる。しかも反応室の容積が
大きいので反応室内を例えばN2ガス雰囲気にするのに長
時間を要する等のため１つのプロセスの合計所要時間は
かなり長いものとなっている。このような問題は気相成
長装置に限らず、拡散装置、蒸着装置、ならびにエッチ
ング装置などにおいてもほぼ同様である。
ラブルが生じた場合、そのバッチ全品が不良品となり損
害は大きい。さらに、エピタキシャル成長には、爆発性
のガス腐食性、あるいは毒性のガスを用いるので、大型
化は好ましくない方向といえる。しかも反応室の容積が
大きいので反応室内を例えばN2ガス雰囲気にするのに長
時間を要する等のため１つのプロセスの合計所要時間は
かなり長いものとなっている。このような問題は気相成
長装置に限らず、拡散装置、蒸着装置、ならびにエッチ
ング装置などにおいてもほぼ同様である。
バッチ処理に代るものとして、処理プロセスの一連の
シーケンスに従った処理部をライン化し、このラインに
沿ってウェハを流すことにより連続処理する方式が種々
提案されているが、このようにライン化した連続処理に
おいては、爆発性のガスや毒性のガスを用いる場合、ガ
スの確実なシールなど実用化に当って種々の問題があ
る。
シーケンスに従った処理部をライン化し、このラインに
沿ってウェハを流すことにより連続処理する方式が種々
提案されているが、このようにライン化した連続処理に
おいては、爆発性のガスや毒性のガスを用いる場合、ガ
スの確実なシールなど実用化に当って種々の問題があ
る。
これに対し、本願発明者は、処理プロセスの一連のシ
ーケンスを個々の処理室内でそれぞれ実行する複数の処
理室を用い、前記複数の処理室でのシーケンスを所定時
間順次ずらせてプロセスを実行することにより、各処理
室から所定時間毎に処理された物品を順次得る処理装置
を提案した。
ーケンスを個々の処理室内でそれぞれ実行する複数の処
理室を用い、前記複数の処理室でのシーケンスを所定時
間順次ずらせてプロセスを実行することにより、各処理
室から所定時間毎に処理された物品を順次得る処理装置
を提案した。
前記本願発明者による処理装置は、処理プロセスの処
理条件が同一のものを繰り返し行なう場合には、それぞ
れの処理室における処理が所定時間ずつずれて円滑に行
なわれるが、気相成長層の膜厚は最終製品である半導体
装置の種類などにより異なるため、処理プロセスの処理
条件が常に一定とは限らず、ロットによって変化するこ
とがあり、この場合、処理室間のシーケンスの時間的な
ずれが乱れ、同一時間に同一シーケンスの前記所定時間
を単位として区切られた同一時間帯の処理が２以上の処
理室で行なわれるようになってしまうことがある。この
ように２以上の処理室で重複が生ずると、装置の能力に
よっては、処理が不可能になることがある。すなわち、
例えばそれぞれの処理室へのウェハの搬入搬出を１台の
搬出入装置によって行なう装置において、２以上の処理
室で搬出入工程が同時に来てしまうと、搬出入できない
処理室が生じ、これによってシーケンスが乱れ、制御不
能になってしまう。
理条件が同一のものを繰り返し行なう場合には、それぞ
れの処理室における処理が所定時間ずつずれて円滑に行
なわれるが、気相成長層の膜厚は最終製品である半導体
装置の種類などにより異なるため、処理プロセスの処理
条件が常に一定とは限らず、ロットによって変化するこ
とがあり、この場合、処理室間のシーケンスの時間的な
ずれが乱れ、同一時間に同一シーケンスの前記所定時間
を単位として区切られた同一時間帯の処理が２以上の処
理室で行なわれるようになってしまうことがある。この
ように２以上の処理室で重複が生ずると、装置の能力に
よっては、処理が不可能になることがある。すなわち、
例えばそれぞれの処理室へのウェハの搬入搬出を１台の
搬出入装置によって行なう装置において、２以上の処理
室で搬出入工程が同時に来てしまうと、搬出入できない
処理室が生じ、これによってシーケンスが乱れ、制御不
能になってしまう。
本発明は、前述したように処理条件の異なるプロセス
の処理を挿入する場合、同一時間に同一シーケンスの所
定時間単位で区切られた同一時間帯の処理が２以上の処
理室で行なわれないように、新たな条件による処理プロ
セスの開始時間を制御するようにしたものである。
の処理を挿入する場合、同一時間に同一シーケンスの所
定時間単位で区切られた同一時間帯の処理が２以上の処
理室で行なわれないように、新たな条件による処理プロ
セスの開始時間を制御するようにしたものである。
新らたな条件による処理プロセスの開始時期は、先行
している処理プロセスのシーケンス（時間的要素を含
む）と、新らたな条件による処理プロセスのシーケンス
とを比較することによって決定され、先行している処理
プロセスの後に挿入する新らたな条件の処理プロセスが
先行している処理プロセスに対し、同一時間に同一シー
ケンスの所定時間単位で区切られた同一時間帯の処理が
行なわれないようにする。なお、新らたな条件による処
理を引続いて行なう場合、次の処理の開始は先行してい
る処理プロセスと同一または新らたな処理プロセスに応
じて定めた所定時間だけ時間をずらせて行なう。このよ
うにすれば、すべての処理室におけるシーケンスの実行
が、必ず互いにある時間のずれを持って行なわれ、所定
時間単位での重複によるシーケンスの乱れは生じない。
している処理プロセスのシーケンス（時間的要素を含
む）と、新らたな条件による処理プロセスのシーケンス
とを比較することによって決定され、先行している処理
プロセスの後に挿入する新らたな条件の処理プロセスが
先行している処理プロセスに対し、同一時間に同一シー
ケンスの所定時間単位で区切られた同一時間帯の処理が
行なわれないようにする。なお、新らたな条件による処
理を引続いて行なう場合、次の処理の開始は先行してい
る処理プロセスと同一または新らたな処理プロセスに応
じて定めた所定時間だけ時間をずらせて行なう。このよ
うにすれば、すべての処理室におけるシーケンスの実行
が、必ず互いにある時間のずれを持って行なわれ、所定
時間単位での重複によるシーケンスの乱れは生じない。
以下、本発明を気相成長に適用した一実施例を参照し
て説明する。第１図中、11は処理室すなわち気相成長の
ための反応室で、この反応室11はベースプレート２と、
このベースプレート２に対し昇降（開閉）可能に載置さ
れた石英製のベルジャ31とによって構成されている。ま
た、上記反応室11内には、サセプタ４が設けられ、この
サセプタ４上には被処理物であるウェハ５が載置されて
いる。前記サセプタ４は回転軸６によって支持され、こ
の回転軸６は歯車7,8を介してモータ91により回転を与
えられるようになっている。
て説明する。第１図中、11は処理室すなわち気相成長の
ための反応室で、この反応室11はベースプレート２と、
このベースプレート２に対し昇降（開閉）可能に載置さ
れた石英製のベルジャ31とによって構成されている。ま
た、上記反応室11内には、サセプタ４が設けられ、この
サセプタ４上には被処理物であるウェハ５が載置されて
いる。前記サセプタ４は回転軸６によって支持され、こ
の回転軸６は歯車7,8を介してモータ91により回転を与
えられるようになっている。
また、ベルジャ31にはガス供給管101が接続され、開
閉弁111を介してガスユニット12からパージガスや反応
ガスなどの気相成長の工程に必要な種々のガスを供給さ
れるようになっている。ベース２にはガス排出管131が
接続され、開閉弁141を介して図示しない排ガス処理部
へ連通されるようになっている。
閉弁111を介してガスユニット12からパージガスや反応
ガスなどの気相成長の工程に必要な種々のガスを供給さ
れるようになっている。ベース２にはガス排出管131が
接続され、開閉弁141を介して図示しない排ガス処理部
へ連通されるようになっている。
また、ベルジャ31の上面部には、ウェハ５およびサセ
プタ４を加熱するための赤外線ランプ151が設けられ、
スイッチ161を介して加熱ユニット17から電力を供給さ
れるようになっている。なお、この供給電力はウェハ５
またはサセプタ４の温度検出器（図示せず）からの出力
に応じて加熱ユニット17により制御されるようになって
いる。
プタ４を加熱するための赤外線ランプ151が設けられ、
スイッチ161を介して加熱ユニット17から電力を供給さ
れるようになっている。なお、この供給電力はウェハ５
またはサセプタ４の温度検出器（図示せず）からの出力
に応じて加熱ユニット17により制御されるようになって
いる。
ベース２上には、前記ベルジャ31と同様のベルジャ
32,33…3nが後述するような数だけ直線上あるいは円周
上に配列されている。各々のベルジャ31,32,33…3nに
は、前記モータ91と同様のモータ92,93…9nや、前記ガ
ス供給用の開閉弁111と同様の開閉弁112,113…11n、ガ
ス排出用の開閉弁141と同様の開閉弁142,143…14n、な
らびに赤外線ランプ152,153…15nとそのスイッチ162,16
3…16nがそれぞれ設けられており、これらはプロセス制
御装置18にて作動されるようになっている。
32,33…3nが後述するような数だけ直線上あるいは円周
上に配列されている。各々のベルジャ31,32,33…3nに
は、前記モータ91と同様のモータ92,93…9nや、前記ガ
ス供給用の開閉弁111と同様の開閉弁112,113…11n、ガ
ス排出用の開閉弁141と同様の開閉弁142,143…14n、な
らびに赤外線ランプ152,153…15nとそのスイッチ162,16
3…16nがそれぞれ設けられており、これらはプロセス制
御装置18にて作動されるようになっている。
しかして、気相成長させる場合には、反応室11内にガ
ス供給管101から反応ガスが供給されるとともに、赤外
線ランプ151により加熱され、さらに、モータ91の作動
によりサセプタ４が回転される。反応室11内に供給され
た反応ガスは赤外線を吸収して電子的に励起して解離化
合し、さらに、加熱されたウェハ５の熱エネルギーを受
けてウェハ５にエピタキシャル膜を成長させる。
ス供給管101から反応ガスが供給されるとともに、赤外
線ランプ151により加熱され、さらに、モータ91の作動
によりサセプタ４が回転される。反応室11内に供給され
た反応ガスは赤外線を吸収して電子的に励起して解離化
合し、さらに、加熱されたウェハ５の熱エネルギーを受
けてウェハ５にエピタキシャル膜を成長させる。
ところで、上記反応室11ないし1nの個数ｎはユーザー
におけるエピタキシャル成長プロセスのシーケンスの選
択と、１つの反応室11等で処理できるウェハ５の枚数な
らびに一定時間当りにどれだけ生産したいかで決定され
ている。すなわち、仮にエピタキシャル成長のプロセス
の合計所要時間が30分で、１時間当り60枚のウェハ５を
処理したい場合に、一つの反応室で一枚のウェハ５を処
理するとすると、所定時間単位を１分と決め、反応室１
の個数ｎは30個になされている。
におけるエピタキシャル成長プロセスのシーケンスの選
択と、１つの反応室11等で処理できるウェハ５の枚数な
らびに一定時間当りにどれだけ生産したいかで決定され
ている。すなわち、仮にエピタキシャル成長のプロセス
の合計所要時間が30分で、１時間当り60枚のウェハ５を
処理したい場合に、一つの反応室で一枚のウェハ５を処
理するとすると、所定時間単位を１分と決め、反応室１
の個数ｎは30個になされている。
第１表は、一般的なエピタキシャルのプロセスの一例
を示すもので、シーケンスNo.とシーケンス名およびシ
ーケンス内容、ならびに各シーケンスの所要時間が表示
されている。この第１表の場合、所定時間単位を１分と
決めると、合計所要時間が28分であるため、28個の反応
室11ないし128によって構成されることになる。なお、
前記所定時間単位の１分は、各シーケンスの区切れる時
間に一致する必要はなく、シーケンスNo.2,3ならびに8,
9に示すように、所定時間単位に対して途中で切換って
もよい。
を示すもので、シーケンスNo.とシーケンス名およびシ
ーケンス内容、ならびに各シーケンスの所要時間が表示
されている。この第１表の場合、所定時間単位を１分と
決めると、合計所要時間が28分であるため、28個の反応
室11ないし128によって構成されることになる。なお、
前記所定時間単位の１分は、各シーケンスの区切れる時
間に一致する必要はなく、シーケンスNo.2,3ならびに8,
9に示すように、所定時間単位に対して途中で切換って
もよい。
第２図は、本発明の説明を簡潔にするため、第１表に
示したような処理プロセスを単純にモデル化し、No.1な
いしNo.10の10個の反応室11ないし110においてそれぞれ
実行される処理プロセスのタイムチャートを示すもので
ある。この第２図に示した例は、処理プロセスの合計所
要時間が10分から８分に変更される例を示しており、所
定時間単位は１分である。また、処理プロセスは、太線
および白抜きの矢印の上に示した１ないし６のシーケン
スからなっている。
示したような処理プロセスを単純にモデル化し、No.1な
いしNo.10の10個の反応室11ないし110においてそれぞれ
実行される処理プロセスのタイムチャートを示すもので
ある。この第２図に示した例は、処理プロセスの合計所
要時間が10分から８分に変更される例を示しており、所
定時間単位は１分である。また、処理プロセスは、太線
および白抜きの矢印の上に示した１ないし６のシーケン
スからなっている。
第２図に示すように、合計所要時間が10分の太線で示
す処理プロセスは、No.1の反応室すなわち第１図におい
て反応室11から開始され、反応室12での処理は１分遅れ
て開始され、以下同様に１分ずつ遅れて反応室13から1
10まで順次処理が実行される。こうして、反応室11での
処理開始から10分経過すると、この反応室11での処理プ
ロセスの一連のシーケンスが終了し、最終のシーケンス
６においてウェハ５が図示しない搬出入装置により取出
される。次いで、反応室11は、11分目すなわち２回目の
１分目に入ると、再びシーケンス１に戻り、ウェハ５が
反応室11に搬入され、２回目の処理プロセスが実行され
る。また、２回目の１分目では、反応室12において最終
シーケンス６すなわちウェハ５の搬出が行なわれ、以下
１分毎に反応室13、14…から処理されたウェハ５が順次
搬出され、次のウェハ５が搬入される。
す処理プロセスは、No.1の反応室すなわち第１図におい
て反応室11から開始され、反応室12での処理は１分遅れ
て開始され、以下同様に１分ずつ遅れて反応室13から1
10まで順次処理が実行される。こうして、反応室11での
処理開始から10分経過すると、この反応室11での処理プ
ロセスの一連のシーケンスが終了し、最終のシーケンス
６においてウェハ５が図示しない搬出入装置により取出
される。次いで、反応室11は、11分目すなわち２回目の
１分目に入ると、再びシーケンス１に戻り、ウェハ５が
反応室11に搬入され、２回目の処理プロセスが実行され
る。また、２回目の１分目では、反応室12において最終
シーケンス６すなわちウェハ５の搬出が行なわれ、以下
１分毎に反応室13、14…から処理されたウェハ５が順次
搬出され、次のウェハ５が搬入される。
第２図から明らかなように、No.1ないしNo.10の反応
室において、同一時間に行なわれているシーケンスは、
それぞれ１分ずつずれており、この１分すなわち所定時
間単位を基準にして各反応室11ないし110に対するガス
ユニット12からのガスの供給や加熱ユニット17からの給
電が制御され、装置全体が秩序を保って円滑に運転され
る。
室において、同一時間に行なわれているシーケンスは、
それぞれ１分ずつずれており、この１分すなわち所定時
間単位を基準にして各反応室11ないし110に対するガス
ユニット12からのガスの供給や加熱ユニット17からの給
電が制御され、装置全体が秩序を保って円滑に運転され
る。
ところが、第２図のNo.5の反応室の欄に白抜きの線で
示すように、合計所要時間が８分の処理プロセスを挿入
する必要が生じた場合、太線で示す１回目の処理プロセ
スが終了した後、直ちにこの白抜き線で示す処理プロセ
スを開始してしまうと、この処理プロセスの最終シーケ
ンス６は、２つ前を先行しているNo.3の反応室における
最終シーケンス６と重なってしまう。この最終シーケン
ス６が前記のようにウェハ５の搬出であるとすると、搬
出個所が同時に２個所生じ、１台の搬出入装置を各反応
室11ないし110にら順次対応させて搬出する場合には、
前記２個所の搬出を行なうことができない。このような
問題は、途中のシーケンスにおけるガスや加熱のための
エネルギの供給の場合においてもそれらの容量に制限が
あるため、所定時間単位で区切られた同一時間帯が該制
限を越えて重複すると同様に生ずることがある。
示すように、合計所要時間が８分の処理プロセスを挿入
する必要が生じた場合、太線で示す１回目の処理プロセ
スが終了した後、直ちにこの白抜き線で示す処理プロセ
スを開始してしまうと、この処理プロセスの最終シーケ
ンス６は、２つ前を先行しているNo.3の反応室における
最終シーケンス６と重なってしまう。この最終シーケン
ス６が前記のようにウェハ５の搬出であるとすると、搬
出個所が同時に２個所生じ、１台の搬出入装置を各反応
室11ないし110にら順次対応させて搬出する場合には、
前記２個所の搬出を行なうことができない。このような
問題は、途中のシーケンスにおけるガスや加熱のための
エネルギの供給の場合においてもそれらの容量に制限が
あるため、所定時間単位で区切られた同一時間帯が該制
限を越えて重複すると同様に生ずることがある。
しかして本発明は、第２図のNo.5の反応室の欄に白抜
き線で示すように、その処理プロセスの開始を短縮され
た時間すなわち２分だけ遅くらせるもので、このように
すれば、同一時間に同一シーケンスの所定時間単位で区
切られた同一時間帯が互に重なることを回避でき、しか
も処理後のウェハ５の搬出は、先行している処理プロセ
スに続いて１分毎に行なわれる。もちろん、このNo.5の
反応室の欄における白抜き線の処理プロセスの開始は、
３分以上遅らせてもよいが、それは単に時間的ロスを生
じるのみで好ましくない。
き線で示すように、その処理プロセスの開始を短縮され
た時間すなわち２分だけ遅くらせるもので、このように
すれば、同一時間に同一シーケンスの所定時間単位で区
切られた同一時間帯が互に重なることを回避でき、しか
も処理後のウェハ５の搬出は、先行している処理プロセ
スに続いて１分毎に行なわれる。もちろん、このNo.5の
反応室の欄における白抜き線の処理プロセスの開始は、
３分以上遅らせてもよいが、それは単に時間的ロスを生
じるのみで好ましくない。
この白抜き線で示す処理プロセスが、その後も引続き
行なわれる場合は、第２図のNo.6ないしNo.10の反応室
の欄に示すように、その開始時期は単に１分ずつずらせ
ればよい。
行なわれる場合は、第２図のNo.6ないしNo.10の反応室
の欄に示すように、その開始時期は単に１分ずつずらせ
ればよい。
ただし、この場合は、最終シーケンス６と次の処理プ
ロセスの開始との間に、処理を行なわない空白時間が、
それぞれの反応室において生ずる。これは、合計所要時
間が８分の処理プロセスを10個の反応室11ないし110に
よって行なっているためである。
ロセスの開始との間に、処理を行なわない空白時間が、
それぞれの反応室において生ずる。これは、合計所要時
間が８分の処理プロセスを10個の反応室11ないし110に
よって行なっているためである。
第３図は、処理プロセスの合計所要時間が変化したと
き、実際に処理プロセスを実行する反応室の数を変える
ようにした例を示すものである。
き、実際に処理プロセスを実行する反応室の数を変える
ようにした例を示すものである。
すなわち、第３図のNo.7の反応室の欄に白抜き線で示
すように、第２図ではNo.5の反応室から開始した白抜き
線の処理プロセスを、No.5の反応室の欄の先行する太線
の最終シーケンス６から２分だけ遅らせると共に、No.
5,6の反応室の２つを飛び越え、No.7の反応室の先行す
る太線の最終シーケンス６の後に続けて行なう。No.8以
下の反応室の欄における白抜き線の処理プロセスの開始
は、１分ずつずらせばよいので、第３図に示すように、
先行する太線の最終シーケンス６の後に、空白時間を置
くことなく行なわれる。この白抜き線の処理プロセスが
一巡してNo.4の反応室で処理が開始されたならば、次の
処理プロセスの実行は、No.5,6の反応室を抜かして再び
No.7の反応室に移る。すなわち、処理プロセスの実行
は、No.5,6の反応室を除いた８個の反応室によって行な
われる。この場合、実際に処理プロセスを実行する８個
の反応室は、空白時間を生ずることなく、稼動する。
すように、第２図ではNo.5の反応室から開始した白抜き
線の処理プロセスを、No.5の反応室の欄の先行する太線
の最終シーケンス６から２分だけ遅らせると共に、No.
5,6の反応室の２つを飛び越え、No.7の反応室の先行す
る太線の最終シーケンス６の後に続けて行なう。No.8以
下の反応室の欄における白抜き線の処理プロセスの開始
は、１分ずつずらせばよいので、第３図に示すように、
先行する太線の最終シーケンス６の後に、空白時間を置
くことなく行なわれる。この白抜き線の処理プロセスが
一巡してNo.4の反応室で処理が開始されたならば、次の
処理プロセスの実行は、No.5,6の反応室を抜かして再び
No.7の反応室に移る。すなわち、処理プロセスの実行
は、No.5,6の反応室を除いた８個の反応室によって行な
われる。この場合、実際に処理プロセスを実行する８個
の反応室は、空白時間を生ずることなく、稼動する。
なお、前記の処理プロセスの実行に参加しないNo.5,6
の反応室は、点検や整備を行なうことができる。
の反応室は、点検や整備を行なうことができる。
処理プロセスの条件が、合計所要時間を増加する方向
へ変化する場合すなわち白抜き線から太線に変わる場合
には、第２図および第３図の白抜き線と太線との関係か
ら明らかなように、先行する処理プロセスの最終シーケ
ンス６が終ったところで直ちに開始しても、同一時間
に、同一シーケンスの所定時間単位で区切られた同一時
間帯が重複することはない。
へ変化する場合すなわち白抜き線から太線に変わる場合
には、第２図および第３図の白抜き線と太線との関係か
ら明らかなように、先行する処理プロセスの最終シーケ
ンス６が終ったところで直ちに開始しても、同一時間
に、同一シーケンスの所定時間単位で区切られた同一時
間帯が重複することはない。
また、第３図から明らかなように、合計所要時間が８
分から10分に戻った場合には、No.5,6の反応室を再び処
理プロセスの実行に参加させる。
分から10分に戻った場合には、No.5,6の反応室を再び処
理プロセスの実行に参加させる。
第４図は、太線で示すように合計所要時間が10分の処
理プロセスを10個の反応室で行なっているときに、反応
室の数を増加させずに合計所要時間が長くなる処理プロ
セスを挿入する場合の例を示すものである。すなわち、
No.5の反応室の欄における２回目の白抜き線で示すよう
に処理プロセスの合計所要時間が12分になる場合を示す
もので、この場合、処理プロセスの開始時期は、No.5の
反応室において先行している処理プロセスの最終シーケ
ンス６が終った直後でよい。ただし、第４図に示す例
は、合計所要時間が増加しても反応室の数を増加してい
ないため、No.4とNo.5の反応室の欄における最下段の最
終シーケンス６をそれぞれ比較すると明らかなように、
最終シーケンス６の時間のずれが合計所要時間が増加し
た分だけ長くなる。これは、各反応室における処理の終
了時期の間隔が変わることを意味するが、これによって
処理不能となることはない。また、No.6以下の反応室に
おいても同様に合計所要時間が12分の処理プロセスを実
行すれば、以後の処理終了時期の間隔は所定時間単位で
ある１分に戻る。ただし、合計所要時間が12分の処理プ
ロセスが続き、No.4の反応室を経てNo.5の反応室に一巡
すると、この両反応室の間の処理終了時期の間隔は再び
長くなり、以下同様の繰返しとなる。
理プロセスを10個の反応室で行なっているときに、反応
室の数を増加させずに合計所要時間が長くなる処理プロ
セスを挿入する場合の例を示すものである。すなわち、
No.5の反応室の欄における２回目の白抜き線で示すよう
に処理プロセスの合計所要時間が12分になる場合を示す
もので、この場合、処理プロセスの開始時期は、No.5の
反応室において先行している処理プロセスの最終シーケ
ンス６が終った直後でよい。ただし、第４図に示す例
は、合計所要時間が増加しても反応室の数を増加してい
ないため、No.4とNo.5の反応室の欄における最下段の最
終シーケンス６をそれぞれ比較すると明らかなように、
最終シーケンス６の時間のずれが合計所要時間が増加し
た分だけ長くなる。これは、各反応室における処理の終
了時期の間隔が変わることを意味するが、これによって
処理不能となることはない。また、No.6以下の反応室に
おいても同様に合計所要時間が12分の処理プロセスを実
行すれば、以後の処理終了時期の間隔は所定時間単位で
ある１分に戻る。ただし、合計所要時間が12分の処理プ
ロセスが続き、No.4の反応室を経てNo.5の反応室に一巡
すると、この両反応室の間の処理終了時期の間隔は再び
長くなり、以下同様の繰返しとなる。
前述した実施例は、処理プロセスの合成所要時間が所
定時間単位で増減した例を示したが、この増減時間は必
ずしも所定時間単位である必要はなく、例えば前述した
ように所定時間単位が１分の場合、10秒とか20秒の増減
であってもよい。この場合には、新らたな処理プロセス
の開始は、この増減時間に応じて制御すればよいが、た
とえ10秒であっても所定時間の１単位を要するものと
し、所定時間単位毎の制御としてもよい。また所定時間
単位は、常に一定とは限らず、処理プロセスの合計所要
時間や反応室の数などにより変化させてもよい。
定時間単位で増減した例を示したが、この増減時間は必
ずしも所定時間単位である必要はなく、例えば前述した
ように所定時間単位が１分の場合、10秒とか20秒の増減
であってもよい。この場合には、新らたな処理プロセス
の開始は、この増減時間に応じて制御すればよいが、た
とえ10秒であっても所定時間の１単位を要するものと
し、所定時間単位毎の制御としてもよい。また所定時間
単位は、常に一定とは限らず、処理プロセスの合計所要
時間や反応室の数などにより変化させてもよい。
さらに、前述した実施例は、気相成長を例にとって説
明したが、本発明は１つの処理室内で多数のシーケンス
により処理プロセスを実行する拡散、蒸着、エッチング
などの種々の処理に適用することができる。
明したが、本発明は１つの処理室内で多数のシーケンス
により処理プロセスを実行する拡散、蒸着、エッチング
などの種々の処理に適用することができる。
以上説明したように本発明によれば、処理プロセスの
一連のシーケンスを個々の処理室内でそれぞれ実行する
複数の処理室を用い、各処理室でのシーケンスを所定時
間順次ずらせてプロセスを実行する場合、処理条件の異
なるプロセスの処理を挿入しても、各処理室でのシーケ
ンスが錯綜することなく、処理できる。
一連のシーケンスを個々の処理室内でそれぞれ実行する
複数の処理室を用い、各処理室でのシーケンスを所定時
間順次ずらせてプロセスを実行する場合、処理条件の異
なるプロセスの処理を挿入しても、各処理室でのシーケ
ンスが錯綜することなく、処理できる。
第１図は本発明を実施するための処理装置の一例を示す
一部省略一部破断概要構成図、第２図ないし第４図は処
理条件が変化した場合の各処理室におけるシーケンスの
進行状態のそれぞれ異なる例を示すタイムチャートであ
る。 11〜1n……処理室（反応室）、５……被処理物（ウェ
ハ）、12……ガスユニット、17……加熱ユニット、18…
…プロセス制御装置。
一部省略一部破断概要構成図、第２図ないし第４図は処
理条件が変化した場合の各処理室におけるシーケンスの
進行状態のそれぞれ異なる例を示すタイムチャートであ
る。 11〜1n……処理室（反応室）、５……被処理物（ウェ
ハ）、12……ガスユニット、17……加熱ユニット、18…
…プロセス制御装置。
Claims (4)
- 【請求項１】処理プロセスの一連のシーケンスを当該処
理室単位でそれぞれ実行可能な多数の処理室と、それぞ
れの処理室に対して接続可能に設けられたガス及び熱エ
ネルギなどの処理体供給手段と、前記各処理室での前記
シーケンスの実行を所定時間単位を基準として順次時間
をずらせて行うようにそれぞれの処理室に対して前記処
理体供給手段からの供給を制御する手段とを具備し、各
処理室から処理された物品が順次得られるようにした気
相成長などの処理装置を用いて該処理を行う方法におい
て、処理条件の異なるプロセスの処理を挿入する場合、
挿入する新らたな条件による処理プロセスの合計所要時
間が、先行している処理プロセスの合計所要時間より短
いときは、挿入される新らたな条件による処理プロセス
がスタートする処理室での開始時期を前記の短くなった
時間以上遅らせることにより、同一時間に同一シーケン
スの前記所定時間単位で区切られた同一時間帯の処理が
２以上の処理室で行われないようにすることを特徴とす
る気相成長などの処理方法。 - 【請求項２】新らたな条件による処理プロセスの合計所
要時間が、先行している処理プロセスの合計所要時間よ
り短い場合、実際に処理を行う処理室の数を短くなった
時間に相当する数だけ減少させることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の気相成長などの処理方法。 - 【請求項３】処理プロセスの一連のシーケンスを当該処
理室単位でそれぞれ実行可能な多数の処理室と、それぞ
れの処理室に対して接続可能に設けられたガス及び熱エ
ネルギなどの処理体供給手段と、前記各処理室での前記
シーケンスの実行を所定時間単位を基準として順次時間
をずらせて行うようにそれぞれの処理室に対して前記処
理体供給手段からの供給を制御する手段とを具備し、各
処理室から処理された物品が順次得られるようにした気
相成長などの処理装置を用いて該処理を行う方法におい
て、処理条件の異なるプロセスの処理を挿入する場合、
挿入する新らたな条件による処理プロセスの合計所要時
間が、先行している処理プロセスの合計所要時間より長
いときは、挿入される新らたな条件による処理プロセス
がスタートする処理室での開始時期を従前どおりとする
ことにより、同一時間に同一シーケンスの前記所定時間
単位で区切られた同一時間帯の処理が２以上の処理室で
行われないようにすることを特徴とする気相成長などの
処理方法。 - 【請求項４】新らたな条件による処理プロセスの合計所
要時間が、先行している処理プロセスの合計所要時間よ
り長い場合、実際に処理を行う処理室の数を長くなった
時間に相当する数だけ増加させることを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の気相成長などの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59275086A JPH0810676B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 気相成長などの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59275086A JPH0810676B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 気相成長などの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150321A JPS61150321A (ja) | 1986-07-09 |
| JPH0810676B2 true JPH0810676B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17550607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59275086A Expired - Lifetime JPH0810676B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 気相成長などの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810676B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2501444B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1996-05-29 | 東京エレクトロン株式会社 | アツシング装置 |
| JP2588899B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1997-03-12 | クロリンエンジニアズ株式会社 | レジスト膜の除去装置 |
| JP2544666B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1996-10-16 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52107772A (en) * | 1976-03-06 | 1977-09-09 | Kanematsu Semikondakutaa Kk | Apparatus for controlling epitaxial growth |
| JPS55134928A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-21 | Matsushita Electronics Corp | Continuous vapor reaction device and vapor reaction method |
| JPS5916132U (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | 東芝機械株式会社 | 気相成長装置の加熱機構 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP59275086A patent/JPH0810676B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61150321A (ja) | 1986-07-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |