JPH08115968A - 多段式複数チャンバ真空熱処理装置 - Google Patents
多段式複数チャンバ真空熱処理装置Info
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- JPH08115968A JPH08115968A JP27307094A JP27307094A JPH08115968A JP H08115968 A JPH08115968 A JP H08115968A JP 27307094 A JP27307094 A JP 27307094A JP 27307094 A JP27307094 A JP 27307094A JP H08115968 A JPH08115968 A JP H08115968A
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- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、異種のプロセス処理を多数連続で
行うようなプロセスに於いて、或は基板処理チャンバを
超高真空に維持する場合に於いて、従来のような広い占
有面積を必要としない複数チャンバ熱処理装置を提供す
ることを目的とする。 【構成】この発明に於いては、各基板処理チャンバへ基
板を出し入れする基板搬送チャンバの周りにゲ−トバル
ブを介して複数の基板処理チャンバを設けた複数チャン
バ真空熱処理装置に於いて、前記複数の基板処理チャン
バを設けた基板搬送チャンバを多段に積層し、前記基板
搬送チャンバの周りにゲートバルブを介して、基板を上
下の基板搬送チャンバに移送する基板上下移載チャンバ
を設けたことを特徴とする。
行うようなプロセスに於いて、或は基板処理チャンバを
超高真空に維持する場合に於いて、従来のような広い占
有面積を必要としない複数チャンバ熱処理装置を提供す
ることを目的とする。 【構成】この発明に於いては、各基板処理チャンバへ基
板を出し入れする基板搬送チャンバの周りにゲ−トバル
ブを介して複数の基板処理チャンバを設けた複数チャン
バ真空熱処理装置に於いて、前記複数の基板処理チャン
バを設けた基板搬送チャンバを多段に積層し、前記基板
搬送チャンバの周りにゲートバルブを介して、基板を上
下の基板搬送チャンバに移送する基板上下移載チャンバ
を設けたことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体若しくは液晶
デイスプレイ製造装置に係り、詳記すれば、複数の基板
処理チャンバを有する真空熱処理装置に於いて、省スペ
ースで高い生産性を上げることができるようにした多段
式複数チャンバ熱処理装置に関するものである。
デイスプレイ製造装置に係り、詳記すれば、複数の基板
処理チャンバを有する真空熱処理装置に於いて、省スペ
ースで高い生産性を上げることができるようにした多段
式複数チャンバ熱処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種真空プロセス装置(マルチ
チャンバ)は、図7に示すように、基板搬送チャンバ1
の機構部を中心に、同心状に基板処理チャンバ2を複数
台設置した構造となっており、これらの基板処理チャン
バは、最大でも4台程度装備するのが限界であったの
で、装置の占有面積の割には生産性を上げることは困難
であった。この場合、これ以上の基板処理チャンバを接
続するには、近接した場所に別の搬送チャンバ1′を有
する基板処理チャンバ2を設置する必要があったので、
非常に広い占有面積を必要としていた。
チャンバ)は、図7に示すように、基板搬送チャンバ1
の機構部を中心に、同心状に基板処理チャンバ2を複数
台設置した構造となっており、これらの基板処理チャン
バは、最大でも4台程度装備するのが限界であったの
で、装置の占有面積の割には生産性を上げることは困難
であった。この場合、これ以上の基板処理チャンバを接
続するには、近接した場所に別の搬送チャンバ1′を有
する基板処理チャンバ2を設置する必要があったので、
非常に広い占有面積を必要としていた。
【0003】即ち、例えば6種類の異なる連続処理を行
う場合は、図7に示すように、基板搬送チャンバ1,
1′を2台並べた方法を使用しなければならなかった
が、これは図7に示すように、非常に広い占有面積を必
要とし、そのため単位面積当たりの生産性を上げること
ができなかった。このような真空プロセス装置は、クリ
−ンル−ムに設置される場合が多いが、この場合は、ク
リ−ンル−ムに於いての設置面積を大きくし、これが処
理コストの増大につながる問題があった。また、基板処
理チャンバを超高真空に維持する場合、複数の基板搬送
チャンバを使用して、ベ−ス圧力を段階的に下げること
が行われているが、この場合も同様に基板搬送チャンバ
を複数台並べて設置する方法が行われていたので、同様
の問題があった。
う場合は、図7に示すように、基板搬送チャンバ1,
1′を2台並べた方法を使用しなければならなかった
が、これは図7に示すように、非常に広い占有面積を必
要とし、そのため単位面積当たりの生産性を上げること
ができなかった。このような真空プロセス装置は、クリ
−ンル−ムに設置される場合が多いが、この場合は、ク
リ−ンル−ムに於いての設置面積を大きくし、これが処
理コストの増大につながる問題があった。また、基板処
理チャンバを超高真空に維持する場合、複数の基板搬送
チャンバを使用して、ベ−ス圧力を段階的に下げること
が行われているが、この場合も同様に基板搬送チャンバ
を複数台並べて設置する方法が行われていたので、同様
の問題があった。
【0004】また、従来の複数チャンバ熱処理装置は、
基板搬送チャンバの前室となるロ−ドロックチャンバ4
は、基板処理チャンバと同様に、同心状に2個設置さ
れ、該ロ−ドロックチャンバ内には、基板運搬用ケ−ス
(カセット)を1個収納するようになっていた。従っ
て、基板運搬用ケ−ス内の基板を全て基板搬送チャンバ
に移送した場合は、ロ−ドロックチャンバを大気圧に戻
し、また真空状態にしなければならなかったが、これに
必要な時間が生産性を下げる原因となっていた。
基板搬送チャンバの前室となるロ−ドロックチャンバ4
は、基板処理チャンバと同様に、同心状に2個設置さ
れ、該ロ−ドロックチャンバ内には、基板運搬用ケ−ス
(カセット)を1個収納するようになっていた。従っ
て、基板運搬用ケ−ス内の基板を全て基板搬送チャンバ
に移送した場合は、ロ−ドロックチャンバを大気圧に戻
し、また真空状態にしなければならなかったが、これに
必要な時間が生産性を下げる原因となっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、このよう
な点に着目してなされたものであり、異種のプロセス処
理を多数連続で行うようなプロセスに於いて、或は基板
処理チャンバを超高真空に維持する場合に於いて、従来
のような広い占有面積を必要としない複数チャンバ熱処
理装置を提供することを目的とする。またこの発明は、
ロ−ドロックチャンバを大気圧に戻し、また真空状態に
する回数を減らすことによって所要時間を著しく短縮し
た複数チャンバ熱処理装置を提供することを目的とす
る。
な点に着目してなされたものであり、異種のプロセス処
理を多数連続で行うようなプロセスに於いて、或は基板
処理チャンバを超高真空に維持する場合に於いて、従来
のような広い占有面積を必要としない複数チャンバ熱処
理装置を提供することを目的とする。またこの発明は、
ロ−ドロックチャンバを大気圧に戻し、また真空状態に
する回数を減らすことによって所要時間を著しく短縮し
た複数チャンバ熱処理装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的に沿う本発明の
構成は、各基板処理チャンバへ基板を出し入れする基板
搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の基板
処理チャンバを設けた複数チャンバ真空熱処理装置に於
いて、前記複数の基板処理チャンバを設けた基板搬送チ
ャンバを多段に積層し、前記基板搬送チャンバの周りに
ゲートバルブを介して、基板を上下の基板搬送チャンバ
に移送する基板上下移載チャンバを設けたことを特徴と
する。 またこの発明は、上記装置に於いて、ロ−ドロ
ックチャンバ内に、基板搬送用ケ−スを縦方向に多段に
設置するか、或は複数のロ−ドロックチャンバを互いに
縦方向に隔離して設けたことを特徴とする。
構成は、各基板処理チャンバへ基板を出し入れする基板
搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の基板
処理チャンバを設けた複数チャンバ真空熱処理装置に於
いて、前記複数の基板処理チャンバを設けた基板搬送チ
ャンバを多段に積層し、前記基板搬送チャンバの周りに
ゲートバルブを介して、基板を上下の基板搬送チャンバ
に移送する基板上下移載チャンバを設けたことを特徴と
する。 またこの発明は、上記装置に於いて、ロ−ドロ
ックチャンバ内に、基板搬送用ケ−スを縦方向に多段に
設置するか、或は複数のロ−ドロックチャンバを互いに
縦方向に隔離して設けたことを特徴とする。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例を図1〜図3に基づい
て説明する。図1は、本発明の実施例を示す平面図であ
り、図2は図1のA−A′矢視図、図3は、図1の一部
破断側面図である。尚、図1は、上面の蓋が開口した状
態を示している。処理基板7は、図3に示すように、ロ
−ドロックチャンバ4内にカセット13と共に装着さ
れ、真空ハッチ5が閉められた後、真空引きされ、到達
真空の状態になった後、ゲ−トバルブ6が開かれ、基板
搬送ロボット3によって、基板搬送チャンバ1からゲ−
トバルブ6を開いて各基板処理チャンバ2に搬送され
る。尚、基板搬送チャンバ1及び基板処理チャンバ2
は、搬送作業中常に真空状態に保たれている。
て説明する。図1は、本発明の実施例を示す平面図であ
り、図2は図1のA−A′矢視図、図3は、図1の一部
破断側面図である。尚、図1は、上面の蓋が開口した状
態を示している。処理基板7は、図3に示すように、ロ
−ドロックチャンバ4内にカセット13と共に装着さ
れ、真空ハッチ5が閉められた後、真空引きされ、到達
真空の状態になった後、ゲ−トバルブ6が開かれ、基板
搬送ロボット3によって、基板搬送チャンバ1からゲ−
トバルブ6を開いて各基板処理チャンバ2に搬送され
る。尚、基板搬送チャンバ1及び基板処理チャンバ2
は、搬送作業中常に真空状態に保たれている。
【0008】図2に示すように、基板搬送チャンバ1,
1′は、2段に積層され、上部基板搬送チャンバ1と下
部基板搬送チャンバ1′とは、両基板搬送チャンバ1,
1′にゲ−トバルブ6,6′を介して接続された上下移
載チャンバ8が連設されている。上下移載チャンバ8内
には、真空ベロ−ズ16を伸縮させることによって真空
状態でも上下動するロッド17が内装されている。該ロ
ッド17の上端には、プレ−ト19の外周に間隔付けて
3本形成した突起20上に、基板7が載置され、ロッド
17を上下動させることによって、基板7を上下動さ
せ、基板搬送チャンバ1と1′との間に移送するように
なっている。尚、図中10は、排気口であり、該排気口
は、真空ポンプ(図示せず)に接続され、上下移載チャ
ンバ8内を作業中常に真空状態に保っことができるよう
になっている。
1′は、2段に積層され、上部基板搬送チャンバ1と下
部基板搬送チャンバ1′とは、両基板搬送チャンバ1,
1′にゲ−トバルブ6,6′を介して接続された上下移
載チャンバ8が連設されている。上下移載チャンバ8内
には、真空ベロ−ズ16を伸縮させることによって真空
状態でも上下動するロッド17が内装されている。該ロ
ッド17の上端には、プレ−ト19の外周に間隔付けて
3本形成した突起20上に、基板7が載置され、ロッド
17を上下動させることによって、基板7を上下動さ
せ、基板搬送チャンバ1と1′との間に移送するように
なっている。尚、図中10は、排気口であり、該排気口
は、真空ポンプ(図示せず)に接続され、上下移載チャ
ンバ8内を作業中常に真空状態に保っことができるよう
になっている。
【0009】上下移載チャンバ8は、四角筒状に形成さ
れ、ゲ−トバルブ6を開いて、基板搬送チャンバ1,
1′と上下移載チャンバ8との間を基板7が移送できる
ようになっている。尚、基板7は、上下移載チャンバ8
内では、突起20によって支持されているので、ロボッ
ト3によって、容易に出し入れできるようになってい
る。ベロ−ズ16の下端には、ロッド17に連結したロ
ッド21が連結され、ロッド21は、エルエムガイドの
ようなリニアガイド9を使用し、モ−タ若しくはエアシ
リンダ−等によって上下動させるようになっている。即
ち、図2に示すように、ロッド21に水平に連結したロ
ッド22の先端のベ−ス23を、エアシリンダ−若しく
はボ−ルネジによって、レール24上を上下動させるよ
うになっている。ロッド17を上下動させ得るなら、勿
論他の機構であっても差し支えない。
れ、ゲ−トバルブ6を開いて、基板搬送チャンバ1,
1′と上下移載チャンバ8との間を基板7が移送できる
ようになっている。尚、基板7は、上下移載チャンバ8
内では、突起20によって支持されているので、ロボッ
ト3によって、容易に出し入れできるようになってい
る。ベロ−ズ16の下端には、ロッド17に連結したロ
ッド21が連結され、ロッド21は、エルエムガイドの
ようなリニアガイド9を使用し、モ−タ若しくはエアシ
リンダ−等によって上下動させるようになっている。即
ち、図2に示すように、ロッド21に水平に連結したロ
ッド22の先端のベ−ス23を、エアシリンダ−若しく
はボ−ルネジによって、レール24上を上下動させるよ
うになっている。ロッド17を上下動させ得るなら、勿
論他の機構であっても差し支えない。
【0010】ロ−ドロックチャンバ4は、図3に示すよ
うに、上下の基板搬送チャンバ1及び1′の両方に接続
されている。ロ−ドロックチャンバ4内には、真空ベロ
−ズ11が伸縮自在に立設され、真空ベロ−ズ11上に
載置されたカセット台12内と、カセット台12上に、
それぞれカセット13,13′が載置されている。ロ−
ドロックチャンバ4には、カセット13をロ−ドロック
チャンバ4内に出し入れする開口が形成され、図3に於
いては、ハッチ5を上昇させることによって、該開口を
閉じ、ハッチ5を下降させることによって、該開口を開
くようになっている。
うに、上下の基板搬送チャンバ1及び1′の両方に接続
されている。ロ−ドロックチャンバ4内には、真空ベロ
−ズ11が伸縮自在に立設され、真空ベロ−ズ11上に
載置されたカセット台12内と、カセット台12上に、
それぞれカセット13,13′が載置されている。ロ−
ドロックチャンバ4には、カセット13をロ−ドロック
チャンバ4内に出し入れする開口が形成され、図3に於
いては、ハッチ5を上昇させることによって、該開口を
閉じ、ハッチ5を下降させることによって、該開口を開
くようになっている。
【0011】ロ−ドロックチャンバ4の下端には、排気
口25が接続され、該排気口25は、ポンプに接続さ
れ、ロ−ドロックチャンバ4内を真空状態に維持し得る
ようになっている。図中26は、ガスフイルタ−であ
り、ロ−ドロックチャンバ4内を常圧に戻す場合に、窒
素などの不活性ガスを濾過して、ロ−ドロックチャンバ
4内に導入するようになっている。カセット台12は、
上下の板体27,27′間の外周に、等間隔に4本の柱
28を立設した構造となっており、板体27,27′上
にカセット13,13′を支持し得るようになってい
る。カセット台12を上下動させて、カセットをロ−ド
ロックチャンバ4内に移送し、カセット13,13′内
の基板を上下の基板搬送チャンバ1及び1′に、移送し
得るようになっている。
口25が接続され、該排気口25は、ポンプに接続さ
れ、ロ−ドロックチャンバ4内を真空状態に維持し得る
ようになっている。図中26は、ガスフイルタ−であ
り、ロ−ドロックチャンバ4内を常圧に戻す場合に、窒
素などの不活性ガスを濾過して、ロ−ドロックチャンバ
4内に導入するようになっている。カセット台12は、
上下の板体27,27′間の外周に、等間隔に4本の柱
28を立設した構造となっており、板体27,27′上
にカセット13,13′を支持し得るようになってい
る。カセット台12を上下動させて、カセットをロ−ド
ロックチャンバ4内に移送し、カセット13,13′内
の基板を上下の基板搬送チャンバ1及び1′に、移送し
得るようになっている。
【0012】上記実施例に於いては、カセット台12の
上下動は、真空ベロ−ズ11を上下動させることによっ
て行っているので、真空状態でも支障なく上下動させる
ことができる。真空ベロ−ズ11の上下動は、例えば前
記ベロ−ズ16の上下動と同様に、エルエムガイドのよ
うなリニアガイド(図示せず)を使用し、モ−タ若しく
はエアシリンダ−等によって上下動させれば良い。図4
は、基板搬送チャンバ1,1′,1′′を、3台縦に配
置した実施例を示すものである。基板処理チャンバ2,
2′,2′′も3台縦に積層され、カセット13,1
3′,13′′も、ロ−ドロックチャンバ4内の2段に
形成したカセット台12に、3台縦に積載されている。
上下動は、真空ベロ−ズ11を上下動させることによっ
て行っているので、真空状態でも支障なく上下動させる
ことができる。真空ベロ−ズ11の上下動は、例えば前
記ベロ−ズ16の上下動と同様に、エルエムガイドのよ
うなリニアガイド(図示せず)を使用し、モ−タ若しく
はエアシリンダ−等によって上下動させれば良い。図4
は、基板搬送チャンバ1,1′,1′′を、3台縦に配
置した実施例を示すものである。基板処理チャンバ2,
2′,2′′も3台縦に積層され、カセット13,1
3′,13′′も、ロ−ドロックチャンバ4内の2段に
形成したカセット台12に、3台縦に積載されている。
【0013】上記実施例のように、3段に配設すると、
基板処理チャンバ2,2′,2′′は、9台以上搭載す
ることができるので、多数連続処理や生産性の向上が更
に可能となる。図5及び図6は、本発明の他の実施例を
示すものであり、基板搬送チャンバ1,1′を縦に2台
配置し、ロ−ドロックチャンバ4,4′を壁29を介し
て、上下の2室に隔離した例を示すものである。ロ−ド
ロックチャンバ4,4′のカセットを出し入れする開口
32,32′は、それぞれハッチ5,5′によって、別
々に開閉し得るようになっている。
基板処理チャンバ2,2′,2′′は、9台以上搭載す
ることができるので、多数連続処理や生産性の向上が更
に可能となる。図5及び図6は、本発明の他の実施例を
示すものであり、基板搬送チャンバ1,1′を縦に2台
配置し、ロ−ドロックチャンバ4,4′を壁29を介し
て、上下の2室に隔離した例を示すものである。ロ−ド
ロックチャンバ4,4′のカセットを出し入れする開口
32,32′は、それぞれハッチ5,5′によって、別
々に開閉し得るようになっている。
【0014】上記実施例のようにすることによって、上
下全く別々の処理が可能となるほか、一方が既に処理を
終了している場合に、その一方のロ−ドロックチャンバ
を大気圧に戻したい場合は、他方のロ−ドロックチャン
バの干渉を受けることなく作業を進めることができるか
ら、非常に効率的となる。ロ−ドロックチャンバ4,
4′内の真空ベロ−ズ11は、本発明の実施例に於いて
は、上下動だけでなく、一定角度回動し得るようになっ
ている。これは、図1に示すように、カセット台12
を、ハッチ5に平行な状態から、六角形の基板搬送チャ
ンバ1の辺33に平行な状態にして、ロボット3によっ
て、基板をスム−ズに移送するためである。図6に示す
ように、ベロ−ズ11の下端に連設されたロッド30
を、エアシリンダ−31によって、矢印に示すように、
両方向に一定角度回転し得るようになっている。尚、ロ
ッド30の上下動は、エルエムガイドのようなリニアガ
イド9を使用し、モ−タ若しくはエアシリンダ−等によ
る真空ベロ−ズ16の上下動と同様に行っている。
下全く別々の処理が可能となるほか、一方が既に処理を
終了している場合に、その一方のロ−ドロックチャンバ
を大気圧に戻したい場合は、他方のロ−ドロックチャン
バの干渉を受けることなく作業を進めることができるか
ら、非常に効率的となる。ロ−ドロックチャンバ4,
4′内の真空ベロ−ズ11は、本発明の実施例に於いて
は、上下動だけでなく、一定角度回動し得るようになっ
ている。これは、図1に示すように、カセット台12
を、ハッチ5に平行な状態から、六角形の基板搬送チャ
ンバ1の辺33に平行な状態にして、ロボット3によっ
て、基板をスム−ズに移送するためである。図6に示す
ように、ベロ−ズ11の下端に連設されたロッド30
を、エアシリンダ−31によって、矢印に示すように、
両方向に一定角度回転し得るようになっている。尚、ロ
ッド30の上下動は、エルエムガイドのようなリニアガ
イド9を使用し、モ−タ若しくはエアシリンダ−等によ
る真空ベロ−ズ16の上下動と同様に行っている。
【0015】
【作用】本発明によれば、基板処理チャンバを複数接続
した基板搬送チャンバを縦に複数段配置し、該基板搬送
チャンバを上下移載チャンバで連結したので、多数連続
処理や超高真空を、装置占有面積を最小限にして実現す
ることができる。また、ロ−ドロックチャンバを各基板
搬送チャンバ毎に隔離して設けるか、或は単一として基
板を収容する基板搬送用ケ−スを複数段上下動自在に縦
に配設することによって、ロ−ドロックチャンバを真空
から常圧若しくは常圧から真空にする回数若しくは時間
を短縮することがる。
した基板搬送チャンバを縦に複数段配置し、該基板搬送
チャンバを上下移載チャンバで連結したので、多数連続
処理や超高真空を、装置占有面積を最小限にして実現す
ることができる。また、ロ−ドロックチャンバを各基板
搬送チャンバ毎に隔離して設けるか、或は単一として基
板を収容する基板搬送用ケ−スを複数段上下動自在に縦
に配設することによって、ロ−ドロックチャンバを真空
から常圧若しくは常圧から真空にする回数若しくは時間
を短縮することがる。
【0016】
【効果】本発明によれば、装置占有面積を最小限にし
て、異種のプロセス処理を多数連続で処理することや超
真空に維持することができるから省スペ−スで高い生産
性を上げることができる。また、ロ−ドロックチャンバ
を各基板搬送チャンバ毎に隔離して設けるか、或は単一
として基板を収容する基板搬送用ケ−スを複数段上下動
自在に縦に配設することによって、ロ−ドロックチャン
バを真空から常圧若しくは常圧から真空にする回数若し
くは時間を短縮することができ、作業時間を短縮するこ
とができるから、生産性を高めることができる。
て、異種のプロセス処理を多数連続で処理することや超
真空に維持することができるから省スペ−スで高い生産
性を上げることができる。また、ロ−ドロックチャンバ
を各基板搬送チャンバ毎に隔離して設けるか、或は単一
として基板を収容する基板搬送用ケ−スを複数段上下動
自在に縦に配設することによって、ロ−ドロックチャン
バを真空から常圧若しくは常圧から真空にする回数若し
くは時間を短縮することができ、作業時間を短縮するこ
とができるから、生産性を高めることができる。
【0017】
【図1】本発明の実施例を示す平面図である。
【図2】図1のA−A′矢視図である。
【図3】本発明の実施例を示す一部破断側面図である。
【図4】本発明の他の実施例を示す一部破断側面図であ
る。
る。
【図5】本発明の他の実施例を示す一部破断側面図であ
る。
る。
【図6】図5の一部破断正面図である。
【図7】従来の複数チャンバ真空熱処理装置を示す平面
図である。
図である。
1,1′,1′′ 基板搬送チャンバ 2,2′,2′′ 基板処理チャンバ 4,4′ ロ−ドロックチャンバ 6,6′ ゲ−トバルブ 7 処理基板 8 上下移載チャンバ 9 リニアガイド 13,13′ カセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/324 D
Claims (7)
- 【請求項1】各基板処理チャンバへ基板を出し入れする
基板搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の
基板処理チャンバを設けた複数チャンバ真空熱処理装置
に於いて、前記複数の基板処理チャンバを設けた基板搬
送チャンバを多段に積層し、前記基板搬送チャンバの周
りにゲートバルブを介して、基板を上下の基板搬送チャ
ンバに移送する基板上下移載チャンバを設けたことを特
徴とする多段式複数チャンバ熱処理装置。 - 【請求項2】前記基板上下移載チャンバ内に、前記基板
を載せて上下動し得るロッドを配設してなる請求項1に
記載の多段式複数チャンバ熱処理装置。 - 【請求項3】前記ロッド先端に、上面に間隔付けて基板
支持突起を形成したプレ−トを設けてなる請求項2に記
載の多段式複数チャンバ熱処理装置。 - 【請求項4】前記基板上下移載チャンバ内の前記ロッド
下端には、真空ベロ−ズを装着してなる請求項3に記載
の多段式複数チャンバ熱処理装置。 - 【請求項5】前記ロッド下端に連設した前記基板上下移
載チャンバ外のロッドを、リニア機構を使って上下動さ
せてなる請求項4に記載の多段式複数チャンバ熱処理装
置。 - 【請求項6】前記基板搬送チャンバへ基板を移送する前
室となるロ−ドロックチャンバを、前記基板搬送チャン
バ毎に縦方向に隔離して設けてなる請求項1に記載の多
段式複数チャンバ熱処理装置。 - 【請求項7】前記基板搬送チャンバへ基板を移送する前
室となるロ−ドロックチャンバを、前記多段基板搬送チ
ャンバの全てに連通するように設け、該ロ−ドロックチ
ャンバ内に基板搬送用ケ−スを、複数個多段に上下動且
つ一定角度回動し得るように積層してなる請求項1に記
載の多段式複数チャンバ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27307094A JPH08115968A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 多段式複数チャンバ真空熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27307094A JPH08115968A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 多段式複数チャンバ真空熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115968A true JPH08115968A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17522732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27307094A Pending JPH08115968A (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 多段式複数チャンバ真空熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08115968A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221610A (ja) * | 1995-12-12 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理装置 |
| JP2011139098A (ja) * | 1996-06-13 | 2011-07-14 | Brooks Automation Inc | マルチレベル基板処理装置 |
| CN103299413A (zh) * | 2010-12-29 | 2013-09-11 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | 真空处理设备和制造方法 |
| JP2014067940A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム |
| US10971382B2 (en) | 2018-07-16 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
-
1994
- 1994-10-13 JP JP27307094A patent/JPH08115968A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221610A (ja) * | 1995-12-12 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理装置 |
| JP2011139098A (ja) * | 1996-06-13 | 2011-07-14 | Brooks Automation Inc | マルチレベル基板処理装置 |
| CN103299413A (zh) * | 2010-12-29 | 2013-09-11 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | 真空处理设备和制造方法 |
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| US10971382B2 (en) | 2018-07-16 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
| US11501987B2 (en) | 2018-07-16 | 2022-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
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