JPH08124916A - 複数チャンバ真空熱処理装置 - Google Patents
複数チャンバ真空熱処理装置Info
- Publication number
- JPH08124916A JPH08124916A JP28614094A JP28614094A JPH08124916A JP H08124916 A JPH08124916 A JP H08124916A JP 28614094 A JP28614094 A JP 28614094A JP 28614094 A JP28614094 A JP 28614094A JP H08124916 A JPH08124916 A JP H08124916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- heat treatment
- vacuum
- lock chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、ロ−ドロックチャンバを大気圧→
真空及び真空→大気圧にする回数を減らすことによって
所要時間を著しく短縮し、生産性を向上させた複数チャ
ンバ熱処理装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明に於いては、各基板処理チャンバへ基
板を出し入れする基板搬送チャンバの周りにゲ−トバル
ブを介して複数の基板処理チャンバとロ−ドロックチャ
ンバを設けた複数チャンバ真空熱処理装置に於いて、前
記ロ−ドロックチャンバ内に、複数個の基盤運搬用ケ−
スを縦方向に多段に設置したことを特徴とする。
真空及び真空→大気圧にする回数を減らすことによって
所要時間を著しく短縮し、生産性を向上させた複数チャ
ンバ熱処理装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明に於いては、各基板処理チャンバへ基
板を出し入れする基板搬送チャンバの周りにゲ−トバル
ブを介して複数の基板処理チャンバとロ−ドロックチャ
ンバを設けた複数チャンバ真空熱処理装置に於いて、前
記ロ−ドロックチャンバ内に、複数個の基盤運搬用ケ−
スを縦方向に多段に設置したことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体若しくは液晶
デイスプレイ製造装置に係り、詳記すれば、処理装置前
室となるロ−ドロックチャンバ内を、大気圧から真空及
び真空から大気圧にする回数を少なくして生産性を向上
させた複数チャンバ熱処理装置に関するものである。
デイスプレイ製造装置に係り、詳記すれば、処理装置前
室となるロ−ドロックチャンバ内を、大気圧から真空及
び真空から大気圧にする回数を少なくして生産性を向上
させた複数チャンバ熱処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種真空プロセス装置の前室と
なるロ−ドロックチャンバ4は、図4に示すように、基
板搬送チャンバ1に、ゲートバルブ6′を介して設置さ
れ、該ロ−ドロックチャンバ4内には、カセット台12
上に、基盤運搬用ケ−ス(カセット)8が上下動自在に
1個だけしか収納できないようになっていた。従って、
1つの基盤運搬用ケ−スが収納できる枚数分の基板を処
理する毎に、大気圧→真空及び真空→大気圧の操作をし
なければならなかったが、この操作が累積するとかなり
の長時間になるので、生産性が上がらない問題があっ
た。
なるロ−ドロックチャンバ4は、図4に示すように、基
板搬送チャンバ1に、ゲートバルブ6′を介して設置さ
れ、該ロ−ドロックチャンバ4内には、カセット台12
上に、基盤運搬用ケ−ス(カセット)8が上下動自在に
1個だけしか収納できないようになっていた。従って、
1つの基盤運搬用ケ−スが収納できる枚数分の基板を処
理する毎に、大気圧→真空及び真空→大気圧の操作をし
なければならなかったが、この操作が累積するとかなり
の長時間になるので、生産性が上がらない問題があっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ロ−ドロ
ックチャンバを大気圧→真空及び真空→大気圧にする回
数を減らすことによって所要時間を著しく短縮し、生産
性を向上させた複数チャンバ熱処理装置を提供すること
を目的とする。
ックチャンバを大気圧→真空及び真空→大気圧にする回
数を減らすことによって所要時間を著しく短縮し、生産
性を向上させた複数チャンバ熱処理装置を提供すること
を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的に沿う本発明の
構成は、各基板処理チャンバへ基板を出し入れする基板
搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の基板
処理チャンバとロ−ドロックチャンバを設けた複数チャ
ンバ真空熱処理装置に於いて、前記ロ−ドロックチャン
バ内に、複数個の基盤運搬用ケ−スを縦方向に多段に設
置したことを特徴とする。
構成は、各基板処理チャンバへ基板を出し入れする基板
搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の基板
処理チャンバとロ−ドロックチャンバを設けた複数チャ
ンバ真空熱処理装置に於いて、前記ロ−ドロックチャン
バ内に、複数個の基盤運搬用ケ−スを縦方向に多段に設
置したことを特徴とする。
【0005】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は、本発明の実施例を示す平面図である。基
板搬送チャンバ1は、搬送作業中常に真空状態に保た
れ、処理基板7を基板搬送ロボット3によって、ロ−ド
ロック(前室)チャンバ4と、基板処理チャンバ2,
2′との間を搬送するようになっている。尚、処理基板
7の処理中は、ゲ−トバルブ6は、閉となっている。
する。図1は、本発明の実施例を示す平面図である。基
板搬送チャンバ1は、搬送作業中常に真空状態に保た
れ、処理基板7を基板搬送ロボット3によって、ロ−ド
ロック(前室)チャンバ4と、基板処理チャンバ2,
2′との間を搬送するようになっている。尚、処理基板
7の処理中は、ゲ−トバルブ6は、閉となっている。
【0006】図2に示すように、基板搬送チャンバ1
に、ゲ−トバルブ6′を介して接続されているロ−ドロ
ックチャンバ4内には、上下動自在に形成された真空ベ
ロ−ズ11上に、カセット台12が載置され、カセット
台12の底面と上面上には、それぞれ基盤運搬用ケ−ス
8,8′が2段に載置されている。カセット台12は、
真空ベロ−ズ11を伸縮させることによって、真空中で
も上下に駆動させることができるようになっている。ロ
−ドロックチャンバ4には、基盤運搬用ケ−ス8,8′
をロ−ドロックチャンバ4内に出し入れする開口が形成
され、ハッチ5を上昇させることによって、該開口を閉
じ、ハッチ5を下降させることによって、該開口を開く
ようになっている。
に、ゲ−トバルブ6′を介して接続されているロ−ドロ
ックチャンバ4内には、上下動自在に形成された真空ベ
ロ−ズ11上に、カセット台12が載置され、カセット
台12の底面と上面上には、それぞれ基盤運搬用ケ−ス
8,8′が2段に載置されている。カセット台12は、
真空ベロ−ズ11を伸縮させることによって、真空中で
も上下に駆動させることができるようになっている。ロ
−ドロックチャンバ4には、基盤運搬用ケ−ス8,8′
をロ−ドロックチャンバ4内に出し入れする開口が形成
され、ハッチ5を上昇させることによって、該開口を閉
じ、ハッチ5を下降させることによって、該開口を開く
ようになっている。
【0007】ロ−ドロックチャンバ4の下端には、排気
口9が接続され、該排気口9は、ポンプ(図示せず)に
接続され、ロ−ドロックチャンバ4内を真空状態に維持
し得るようになっている。図中13は、ガスフイルタ−
であり、ロ−ドロックチャンバ4内を常圧に戻す場合
に、窒素などの不活性ガスを濾過して、ロ−ドロックチ
ャンバ4内に導入するようになっている。カセット台1
2は、上下の板体14,14′間の外周に、等間隔に4
本のロッド15を立設した構造となっており、板体1
4,14′上に基盤運搬用ケ−ス8,8′を支持し得る
ようになっている。カセット台12を上下動させて、基
盤運搬用ケ−ス8,8′をロ−ドロックチャンバ4内に
移送し、基盤運搬用ケ−ス8,8′内の基板を基板搬送
チャンバ1に、移送し得るようになっている。尚、基盤
運搬用ケ−スを三段に積層する場合は、カセット台12
は、板体を3枚使用し、その間にロッドを立設した構造
とすれば良い。
口9が接続され、該排気口9は、ポンプ(図示せず)に
接続され、ロ−ドロックチャンバ4内を真空状態に維持
し得るようになっている。図中13は、ガスフイルタ−
であり、ロ−ドロックチャンバ4内を常圧に戻す場合
に、窒素などの不活性ガスを濾過して、ロ−ドロックチ
ャンバ4内に導入するようになっている。カセット台1
2は、上下の板体14,14′間の外周に、等間隔に4
本のロッド15を立設した構造となっており、板体1
4,14′上に基盤運搬用ケ−ス8,8′を支持し得る
ようになっている。カセット台12を上下動させて、基
盤運搬用ケ−ス8,8′をロ−ドロックチャンバ4内に
移送し、基盤運搬用ケ−ス8,8′内の基板を基板搬送
チャンバ1に、移送し得るようになっている。尚、基盤
運搬用ケ−スを三段に積層する場合は、カセット台12
は、板体を3枚使用し、その間にロッドを立設した構造
とすれば良い。
【0008】図3に示すように、ベロ−ズ11の下端に
は、ロッド16に連結したロッド17が回動自在に連結
され、ロッド17は、エルエムガイドのようなリニアガ
イド10を使用し、モ−タ22によって上下動させるよ
うになっている。即ち、図3に示すように、ロッド16
に水平に連結したロッド17の先端のベ−ス18を、モ
−タ22によってベルト23とプ−リ24を介して回転
するボ−ルネジ21によって、レール19上を上下動さ
せるようになっている。ロッド17を上下動させ得るな
ら、例えばボ−ルネジ21の代わりにエアシリンダ−を
使用する他の機構であっても差し支えないが、上記した
ように、ボ−ルネジを回転させるリニア機構を使用する
ことによって、精度の良い上下動を達成することができ
る。
は、ロッド16に連結したロッド17が回動自在に連結
され、ロッド17は、エルエムガイドのようなリニアガ
イド10を使用し、モ−タ22によって上下動させるよ
うになっている。即ち、図3に示すように、ロッド16
に水平に連結したロッド17の先端のベ−ス18を、モ
−タ22によってベルト23とプ−リ24を介して回転
するボ−ルネジ21によって、レール19上を上下動さ
せるようになっている。ロッド17を上下動させ得るな
ら、例えばボ−ルネジ21の代わりにエアシリンダ−を
使用する他の機構であっても差し支えないが、上記した
ように、ボ−ルネジを回転させるリニア機構を使用する
ことによって、精度の良い上下動を達成することができ
る。
【0009】ロ−ドロックチャンバ4内の真空ベロ−ズ
11は、本発明の実施例に於いては、上下動だけでな
く、一定角度回動し得るようになっている。これは、カ
セット台12を、ハッチ5に平行な状態から、図1に示
すように、六角形の基板搬送チャンバ1の辺20に平行
な状態にして、ロボット3によって、基板をスム−ズに
移送するためである。図3に示すように、ベロ−ズ11
の下端に連設されたロッド16を、エアシリンダ−21
によって、矢印に示すように、両方向に一定角度回転し
得るようになっている。
11は、本発明の実施例に於いては、上下動だけでな
く、一定角度回動し得るようになっている。これは、カ
セット台12を、ハッチ5に平行な状態から、図1に示
すように、六角形の基板搬送チャンバ1の辺20に平行
な状態にして、ロボット3によって、基板をスム−ズに
移送するためである。図3に示すように、ベロ−ズ11
の下端に連設されたロッド16を、エアシリンダ−21
によって、矢印に示すように、両方向に一定角度回転し
得るようになっている。
【0010】
【作用】本発明によれば、ロ−ドロックチャンバ内に基
板運搬用ケ−スを複数段縦に配置しているので、多数の
基板を収容できるから、従来、基板運搬用ケ−スを1個
使用する毎に、大気圧→真空及び真空→大気圧を繰り返
していた回数を大幅に減らすことができる。
板運搬用ケ−スを複数段縦に配置しているので、多数の
基板を収容できるから、従来、基板運搬用ケ−スを1個
使用する毎に、大気圧→真空及び真空→大気圧を繰り返
していた回数を大幅に減らすことができる。
【0011】
【効果】本発明によれば、従来、1基板運搬用ケ−スを
1個使用する毎に、大気圧→真空及び真空→大気圧を繰
り返していた回数を大幅に減らすことができ、それに費
やしていた時間を短縮できるので、作業時間を大幅に短
縮することができるから、実際の生産ラインに於いて、
大幅に生産性を高めることができる。
1個使用する毎に、大気圧→真空及び真空→大気圧を繰
り返していた回数を大幅に減らすことができ、それに費
やしていた時間を短縮できるので、作業時間を大幅に短
縮することができるから、実際の生産ラインに於いて、
大幅に生産性を高めることができる。
【0012】
【図1】本発明の実施例を示す平面図である。
【図2】図1の縦断面図である。
【図3】図2の一部破断A−A′矢視図である。
【図4】従来のロ−ドロックチャンバの断面図である。
1 基板搬送チャンバ 2,2′ 基板処理チャンバ 3 基板搬送ロボット 4 ロ−ドロックチャンバ 6,6′ ゲ−トバルブ 7 処理基板 8,8′ 基板搬送用ケ−ス 11 真空ベロ−ズ
Claims (5)
- 【請求項1】各基板処理チャンバへ基板を出し入れする
基板搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の
基板処理チャンバとロ−ドロックチャンバを設けた複数
チャンバ真空熱処理装置に於いて、前記ロ−ドロックチ
ャンバ内に、複数個の基盤運搬用ケ−スを、上下動自在
に縦方向に多段に設置したことを特徴とする複数チャン
バ熱処理装置。 - 【請求項2】前記複数個の基盤運搬用ケ−スを、上下動
自在に形成した真空ベロ−ズ上に、カセット台を介して
多段に設置してなる請求項1に記載の複数チャンバ熱処
理装置。 - 【請求項3】前記カセット台を、基盤運搬用ケ−スを載
置する板体の間に、ロッドを立設するように構成してな
る請求項2に記載の複数チャンバ熱処理装置。 - 【請求項4】前記真空ベロ−ズを、モ−タによりボ−ル
ネジを回転させることによるリニア機構によって上下動
させてなる請求項2に記載の複数チャンバ熱処理装置。 - 【請求項5】前記真空ベロ−ズを、両方向に一定角度回
動し得るように形成してなる請求項1に記載の複数チャ
ンバ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28614094A JPH08124916A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 複数チャンバ真空熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28614094A JPH08124916A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 複数チャンバ真空熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124916A true JPH08124916A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17700460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28614094A Pending JPH08124916A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 複数チャンバ真空熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124916A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
| KR100449273B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2004-11-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 및 방법 |
| KR20050067751A (ko) * | 2003-12-29 | 2005-07-05 | 동부아남반도체 주식회사 | 로드락 챔버의 엘리베이터 회전장치 및 그 회전방법 |
| WO2011120385A1 (zh) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基片上载装置 |
| US10971382B2 (en) | 2018-07-16 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP28614094A patent/JPH08124916A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449273B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2004-11-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 및 방법 |
| KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
| KR20050067751A (ko) * | 2003-12-29 | 2005-07-05 | 동부아남반도체 주식회사 | 로드락 챔버의 엘리베이터 회전장치 및 그 회전방법 |
| WO2011120385A1 (zh) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基片上载装置 |
| US10971382B2 (en) | 2018-07-16 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
| US11501987B2 (en) | 2018-07-16 | 2022-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4816545B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
| KR100230697B1 (ko) | 감압 처리 장치 | |
| KR900004872B1 (ko) | 진공처리 유니트 및 장치 | |
| TWI408766B (zh) | Vacuum processing device | |
| JP3030160B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| US20190341283A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20020019414A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법 | |
| JPH09223727A (ja) | 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法 | |
| JP3371230B2 (ja) | 搬送処理装置 | |
| JP2011124565A (ja) | 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法 | |
| CN102046840B (zh) | 处理装置及处理方法 | |
| KR20190020042A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN100543957C (zh) | 基板处理系统和方法 | |
| JP3570827B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR20180111545A (ko) | 처리 시스템 | |
| JPH09205127A (ja) | 基板搬送方法、基板搬送装置及び処理システム | |
| JP3554534B2 (ja) | 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置 | |
| KR100961583B1 (ko) | 종형 열처리 장치 및 그 운용 방법 | |
| JP3429786B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4227623B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP3816929B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP3605692B2 (ja) | 搬送処理方法及び搬送処理装置 | |
| JPH08115968A (ja) | 多段式複数チャンバ真空熱処理装置 | |
| JP2582578Y2 (ja) | 多室式半導体処理装置 | |
| JPH04271139A (ja) | 半導体製造装置 |