JPH08127559A - フェナントリレンジアミン誘導体とそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
フェナントリレンジアミン誘導体とそれを用いた電子写真感光体Info
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- JPH08127559A JPH08127559A JP19880995A JP19880995A JPH08127559A JP H08127559 A JPH08127559 A JP H08127559A JP 19880995 A JP19880995 A JP 19880995A JP 19880995 A JP19880995 A JP 19880995A JP H08127559 A JPH08127559 A JP H08127559A
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Abstract
性に優れた新規なフェナントリレンジアミン誘導体と、
より高感度でかつ耐久性に優れた電子写真感光体とを提
供する。 【解決手段】フェナントリレンジアミン誘導体は一般式
(1) で表され、電子写真感光体は、このフェナントリレ
ンジアミン誘導体を電荷輸送剤として含む感光層を、導
電性基体上に設けた。 【化1】 〔式中R1 〜R4 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、アリール基を示し、a,b,c,d
は1〜5の整数を示す。〕
Description
光体、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等にお
いて、電荷輸送剤、とりわけ正孔輸送剤として好適に使
用される新規なフェナントリレンジアミン誘導体と、静
電式複写機やレーザービームプリンタ等の画像形成装置
に使用される電子写真感光体とに関する。
は、カルバゾール系化合物、オキサジアゾール系化合
物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチル
ベン系化合物、フェニレンジアミン系化合物、ベンジジ
ン系化合物等の種々の有機化合物が知られている。
樹脂からなる膜中に分散された状態で使用される。例え
ば、電子写真感光体の場合は、上記電荷輸送剤を電荷発
生剤とともに結着樹脂中に分散させた単層型有機感光
体、あるいは上記電荷輸送剤を含有する電荷輸送層と電
荷発生剤を含有する電荷発生層とを備えた積層型有機感
光体が多く使用されている。この有機感光体は、無機半
導体材料を用いた無機感光体に比べて製造が容易である
とともに、上記電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等の
感光体の構成材料の選択肢が多様であるため、機能設計
の自由度が大きいという利点がある。
ては、下記一般式で表されるm−フェニレンジアミン誘
導体があげられる。
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基、または置換基を有してもよいアリール基を示
す。)
アミン誘導体は結着樹脂との相溶性がよく、電荷輸送能
力にも優れている。しかしながら、m−フェニレンジア
ミン誘導体は安定性が不十分で、特に光照射によって反
応性の高い一重項励起状態となった際に劣化したり分解
したりしやすいという問題がある。これは、正孔輸送に
係わるHOMO凖位(Highest Occupied Molecular Orb
ital、最高被占凖位)の電子が、分子の中心骨格を構成
するベンゼン環の4位と6位の炭素原子に局在化して、
この部分の化学的な反応性が高くなることが原因であ
る。
導体を電荷輸送剤として使用した電子写真感光体は、繰
り返して使用した場合、すなわち帯電、露光、除電の工
程を繰り返した場合、m−フェニレンジアミン誘導体が
光化学反応を起こして劣化物質を生じ、それが感光体の
感度低下や帯電上昇を引き起こすため、耐久性が不十分
になるという問題があった。
下記の一般式(4) で表されるように、上記フェニレンジ
アミン誘導体の中心骨格を構成するベンゼン環に代え
て、クエンチング効果、すなわち光励起状態からの失活
を促進する効果があるフェナントレン環を使用したフェ
ナントリレンジアミン誘導体が開示されている。
アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表
し、RE およびRF は同一でも異ってもよい。)しかし
ながら、上記誘導体(4) は感光層に用いられる結着樹脂
との相溶性が実用上不十分であり、電子写真感光体など
に用いた場合に結晶化が生じるなどの問題があった。
れるとともに結着樹脂との相溶性にも優れ、しかも安定
性にも優れた新規な電荷輸送剤を提供することである。
また、本発明の他の目的は、上記電荷輸送剤を使用した
高感度でかつ耐久性に優れた電子写真感光体を提供する
ことである。
め、本発明者らは、上記フェナントリレンジアミン誘導
体の2つの窒素原子に置換するフェニル基に代えて、ク
エンチング効果および結着樹脂との相溶性を向上させる
効果があるビフェニル基を使用することで、材料の安定
性を向上することを検討し、その方針に沿って、新規化
合物としてのフェナントリレンジアミン誘導体の分子設
計を行った。その結果、フェナントレン環の9位および
10位に2つの窒素原子が置換しており、かつ両窒素原
子に少なくとも1つずつビフェニル基が置換した構造を
有する化合物、すなわち一般式(1):
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
a、b、cおよびdは同一または異なって1〜5の整数
を示す。)で表されるフェナントリレンジアミン誘導体
は、(a) ビフェニル構造に沿ってHOMO凖位の電子が
分子全体に拡がっているため、かかる電子の存在範囲が
m−フェニレンジアミン誘導体よりも大きくなり、電荷
の移動度が良好で、電荷輸送能力がさらに向上する、
(b) 前述のようにHOMO凖位の電子が非局在化するた
めに電子の分布が平面的になり、この誘導体(電荷輸送
剤)を電荷発生剤とともに感光層中に含有させるとき
は、当該電荷発生剤との相互作用、すなわち電荷発生剤
で発生した電荷(とくに正孔)を引き抜く作用が強ま
り、電荷発生剤の電荷発生効率を向上させて感光体の感
度を向上させることができる、(c) HOMO凖位の電子
が非局在化するため、m−フェニレンジアミン誘導体に
おける中心のベンゼン環のように、電子が局在化して化
学的な反応性が高くなる部分がなく、前述のようにフェ
ナントレン環やビフェニル基によるクエンチング効果と
相まって、特に光照射時の安定性に優れたものになる、
(d) 前述のように電子の分布が平面的になるときは分子
自体の構造も平面的となり、結着樹脂への相溶性が低下
する傾向があるが、上記誘導体はビフェニル基のσ結合
の部分で回転が可能であり、分子の必要以上の平面化が
抑制されるので、結着樹脂に対して実用上差し支えのな
い程度の相溶性を有するという新たな事実を見出し、本
発明を完成するに至った。
基体上に、上記一般式(1) で表されるフェナントリレン
ジアミン誘導体を含む感光層を設けたことを特徴とす
る。
R2 ,R3 およびR4 に相当するハロゲン原子として
は、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等があげられ
る。アルキル基としては、例えばメチル、エチル、n−
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、s
−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数
が1〜6の低級アルキル基等があげられる。
エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ基、t−ブトキ
シ、ヘキシルオキシ等の基があげられる。アリール基と
しては、例えばフェニル、ビフェニル、ナフチル、アン
トリル、フェナントリル、o−テルフェニル等の基があ
げられる。アルキル基、アルコキシ基、アリール基に置
換してもよい置換基としては、上記アルキル基、ハロゲ
ン原子またはアルコキシ基等があげられる。
規定される基R1 ,R2 ,R3 およびR4 の置換数は、
いずれも1〜5の範囲で任意に選択できる。なお、符号
a,b,cおよびdが2以上のとき、各基R1 ,R2 ,
R3 およびR4 はそれぞれ異なっていてもよい。本発明
のフェナントリレンジアミン誘導体(1) は、より具体的
には、一般式(2) :
って、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい
アルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を
示し、R2 およびR4 は同一または異なって、水素原
子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、
置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有し
てもよいアリール基を示す。a、b、cおよびdは同一
または異なって1〜5の整数を示す。)で表されるよう
に、2つの窒素原子が、それぞれビフェニル基とフェニ
ル基とを有するフェナントリレンジアミン誘導体と、一
般式(3) :
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
a、b、cおよびdは同一または異なって1〜5の整数
を示す。)で表されるように、2つの窒素原子が、それ
ぞれ2つのビフェニル基を有するフェナントリレンジア
ミン誘導体があげられる。
誘導体は、結着樹脂との相溶性の観点から、窒素原子に
置換する基がすべて同一ではないのが好ましい。すなわ
ち、窒素原子に置換する4つの基のうち、例えば2つが
フェニル基であって、残りの2つがビフェニル基であっ
たり、あるいは2つがビフェニル基であって、残りの2
つがテルフェニル基であるといった構造を有するのが好
ましい。
限定されないが、例えば式(2-1) 〜(2-8) で表される化
合物があげられる。
限定されないが、例えば式(3-1) 〜(3-11)で表される化
合物があげられる。
は、種々の方法で合成することができる。例えば、下記
一般式(31)で表されるように、2つの窒素原子に置換し
た4つのビフェニル基がいずれも同じであるフェナント
リレンジアミン誘導体は、下記反応行程式に従って合成
できる。
る。) すなわち、9,10−フェナントリレンジアミンと4−
ヨードビフェニル誘導体(5) とを、モル比が1:4の割
合で、銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化銅などとともに
混合し、塩基性物質の存在下で反応させることにより、
フェナントリレンジアミン誘導体(31)が得られる。
トリレンジアミン誘導体は、反応行程式:
同じである。)に従って合成できる。すなわち、まず、
N,N’−ジアセチル−9,10−フェナントリレンジ
アミンと4−ヨードビフェニル誘導体(6) とを、モル比
が1:2の割合で、銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化銅
などとともに混合し、塩基性物質の存在下で反応させ
て、反応中間体(7) を得る。次いで、この反応中間体
(7) を、塩酸等とともに適当な溶媒中で反応させ、脱ア
セチル化した中間体(8) を得、この中間体(8) と4−ヨ
ードビフェニル誘導体(9) とを、モル比が1:2の割合
で、上記と同様にして反応させる。
ントリレンジアミン誘導体は、反応行程式:
同じである。)に従って合成できる。すなわち、まず、
N,N’−ジアセチル−9,10−フェナントリレンジ
アミンとヨードベンゼン誘導体(10)とを、モル比が1:
2の割合で、銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化銅などと
ともに混合し、塩基性物質の存在下で反応させて、反応
中間体(11)を得る。次いで、この反応中間体(11)を、塩
酸等とともに適当な溶媒中で反応させ、脱アセチル化し
た中間体(12)を得、この中間体(12)と4−ヨードビフェ
ニル誘導体(13)とを、モル比が1:2の割合で、上記と
同様にして反応させる。
ンジアミン誘導体は、前述のように、太陽電池、エレク
トロルミネッセンス素子、電子写真感光体等において、
電荷輸送剤、とくに正孔輸送剤として好適に使用される
他、その他の種々の分野での利用が可能である。以下、
本発明の電子写真感光体について詳細に説明する。
(1) で表されるフェナントリレンジアミン誘導体の1種
または2種以上を含む感光層を、導電性基体上に設けた
ものである。感光層には、いわゆる単層型感光層と積層
型感光層とがあるが、本発明はこのいずれにも適用可能
である。単層型の感光層は、電荷輸送剤である一般式
(1) で表されるフェナントリレンジアミン誘導体を、電
荷発生剤、結着樹脂等とともに適当な溶媒に溶解または
分散し、こうして得られた塗布液を塗布等の手段によっ
て導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成され
る。
蒸着または塗布等の手段によって電荷発生剤を含有する
電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、電荷
輸送剤である一般式(1) で表されるフェナントリレンジ
アミン誘導体と結着樹脂とを含む塗布液を、塗布等の手
段によって塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成するこ
とで形成される。また上記とは逆に、導電性基体上に電
荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよ
い。
のではないが、例えばセレン、セレン−テルル、セレン
−ヒ素、硫化カドミウム、α−シリコン等の無機光導電
材料の粉末、下記一般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合
物、さらにはアンサンスロン系顔料、トリフェニルメタ
ン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリ
ン系顔料、キナクリドン系顔料等があげられる。 (CG1) 無金属フタロシアニン(PcH2 )
O)
って、炭素数が18以下の置換または未置換のアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基ま
たはアラルキル基を示す。) (CG4) ビスアゾ顔料
ってカップラー残基を示し、Xは
リール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリー
ル基または複素環式基は置換基を有していてもよい。n
は0または1を示す。)
って、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を
示す。)
ロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。)
は異なって、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、ハ
ロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキ
ル基を示す。)である。〕 (CG5) ジチオケトピロロピロール顔料
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示し、R81およびR82は同一または異なっ
て、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。) (CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料
一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ
基またはハロゲン原子を示す。) (CG7) 金属ナフタロシアニン顔料
一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ
基またはハロゲン原子を示し、MはTiまたはVを示
す。) (CG8) スクアライン顔料
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。) (CG9) トリスアゾ顔料
一または異なって、カップラー残基を示す。) (CG10)インジゴ顔料
って、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、
Zは酸素原子または硫黄原子を示す。) (CG11)アズレニウム顔料
って、水素原子、アルキル基またはアリール基を示
す。) (CG12)シアニン顔料
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示し、R99およびR100 は同一または異なっ
て、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。) 上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、
前述と同様な基があげられる。炭素数1〜5のアルキル
基は、前述の炭素数1〜6のアルキル基からヘキシルを
除いたものである。炭素数18以下の置換または未置換
のアルキル基は、前述した炭素数1〜6のアルキル基に
加えて、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、トリデ
シル、ペンタデシル、オクタデシルなどを含む基であ
る。シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピ
ル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、
シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数3〜8の基
があげられる。アルコキシ基およびアリール基としては
前述と同様な基があげられる。アラルキル基としては、
例えばベンジル、ベンズヒドリル、トリチル、フェネチ
ル等のアルキル基部分の炭素数が1〜6の基があげられ
る。アルカノイル基としては、例えばホルミル、アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノ
イル等の基があげられる。複素環式基としては、例えば
チエニル、ピロリル、ピロリジニル、オキサゾリル、イ
ソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダ
ゾリル、2H−イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリ
ル、テトラゾリル、ピラニル基、ピリジル、ピベリジ
ル、ピペリジノ、3−モルホリニル、モルホリノ、チア
ゾリルなどがあげられる。また、芳香族環と縮合した複
素環式基であってもよい。
例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化さ
れてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数1〜6の
アルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アリール基
を有することのある炭素数2〜6のアルケニル基等が挙
げられる。A1 、A2 およびCp1 、Cp2 、Cp3 で
表されるカップラー残基としては、例えば下記一般式(5
1)〜(57)に示す基が挙げられる。
ファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、ア
ントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダ
ントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル
基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有し
てもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル
基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、
カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有してもよ
い。
環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な
原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有し
てもよい。R122 は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ
基を示す。R123 は、2価の鎖式炭化水素基または芳香
族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基
を有してもよい。
リール基または複素環基を表し、これらの基は前記と同
様な置換基を有してもよい。R125 は、2価の鎖式炭化
水素基、芳香族炭化水素基または上記一般式(55)、(56)
中の、下記式:
のに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同様な置
換基を有してもよい。R126 は、水素原子、アルキル
基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ア
ロファノイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニ
ル基、アリール基またはシアノ基を示し、水素原子以外
の基は前記と同様な置換基を有してもよい。
示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよ
い。アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、2
−ブテニル、3−ブテニル、1−メチルアリル、2−ペ
ンテニル、2−ヘキセニル等の炭素数が2〜6の基があ
げられる。
て芳香族環を形成するのに必要な原子団としては、例え
ばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン等のアル
キレン基が挙げられる。上記R121 とベンゼン環との縮
合により形成される芳香族環としては、例えばナフタリ
ン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、
クリセン環、ナフタセン環等が挙げられる。
て多環式炭化水素を形成するのに必要な原子団として
は、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン
等の炭素数1〜4のアルキレン基があげられる。前記R
121 において、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を
形成するのに必要な原子団としては、例えばカルバゾー
ル環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環等が挙
げられる。
して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例え
ばベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリ
ル基、1H−インドリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベ
ンゾチアゾリル基、1H−インダドリル基、ベンゾイミ
ダゾリル基、クロメニル基、クロマニル基、イソクロマ
ニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、シンノリニ
ル基、フタラジニル基、キナゾニリル基、キノキサリニ
ル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、キサンテ
ニル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェ
ナジニル基、フェノキサジニル基、チアントレニル基等
があげられる。
成される芳香族性複素環基としては、例えばチエニル
基、フリル基、ピロリル基、オキサゾリル基、イソオキ
サゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダ
ゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリ
ル基、ピリジル基、チアゾリル基があげられる。また、
さらに他の芳香族環と縮合した複素環基(例えばベンゾ
フラニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリ
ル基、ベンゾチアゾリル基、キノリル基など)であって
もよい。
炭化水素としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレ
ン基等が挙げられ、2価の芳香族炭化水素としては、フ
ェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基等があ
げられる。前記R124 において、複素環基としては、ピ
リジル基、ピラジル基、チエニル基、ピラニル基、イン
ドリル基等が挙げられる。
る部分とともに複素環を形成するのに必要な原子団とし
ては、例えばフェニレン基、ナフチレン基、フェナント
リレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が
あげられる。上記R125 と、前記式(58)で表される部分
とにより形成される芳香族性複素環基としては、例えば
ベンゾイミダゾール基、ベンゾ〔f〕ベンゾイミダゾー
ル基、ジベンゾ〔e,g〕ベンゾイミダゾール基、ベン
ゾピリミジン基等があげられる。これらの基は前記と同
様な置換基を有してもよい。
ル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカル
ボニル基等の基があげられる。これらの電荷発生剤は、
電子写真感光体の感度領域等に合わせて、それぞれ単独
で使用される他、2種以上を併用することもできる。
有する有機感光体に好適な電荷発生剤としては、X型無
金属フタロシアニン、オキソチタニルフタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料があげられる。これらフタロシ
アニン系顔料を電荷発生剤として使用するとともに、前
記一般式(1) で表される本発明のフェナントリレンジア
ミン誘導体を電荷輸送剤として使用した電子写真感光体
は、上記波長領域において高感度であり、例えばレーザ
ービームプリンタ、ファクシミリ等のデジタル光学系の
画像形成装置等に好適に使用することができる。
体に好適な電荷発生剤としては、アゾ系顔料やペリレン
系顔料等があげられる。これらの顔料を電荷発生剤とし
て使用するとともに、前記一般式(1) で表される本発明
のフェナントリレンジアミン誘導体を電荷輸送剤として
使用した電子写真感光体は、可視領域において高感度で
あり、例えば静電式複写機等のアナログ光学系の画像形
成装置等に好適に使用することができる。
ェナントリレンジアミン誘導体は、単独で使用できる
他、他の電荷輸送剤と組み合わせて使用することもでき
る。上記他の電荷輸送剤としては、種々の電子輸送剤お
よび正孔輸送剤があげられる。 電荷輸送剤のうち、電
子輸送剤としては、例えば下記の一般式(ET1) 〜(ET14)
で表される化合物があげられる。
174 は同一または異なって、水素原子、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよいアラルキル基、置換基を有してもよいシクロアル
キル基または置換基を有していてもよいアミノ基を示
す。但し、R171 、R172 、R173 およびR174 のうち
2つは同一の基とする。)
およびR146 は同一または異なって、水素原子、置換基
を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアル
コキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいフェ
ノキシ基またはハロゲン原子を示す。)
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよいアラルキル基またはハロゲン原子を示
す。ωは0〜4の整数を示し、γは0〜5の整数を示
す。なお、γが2以上のとき、各R148 は互いに異なっ
ていてもよい。)
異なって、アルキル基を示す。δは1〜4の整数を示
し、εは0〜4の整数を示す。なお、δおよびεが2以
上のとき、各R149 およびR150 は異なっていてもよ
い。)
基、アラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を
示す。ζは0〜4、ηは0〜5の整数である。なお、η
が2以上のとき、各R151 は異なっていてもよい。)
1〜4の整数である。なお、σが2以上のとき、各R
152 は異なっていてもよい。)
異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリ
ール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ
基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Xは基:
O,N−CNまたはC(CN)2を示す。)
子、アルキル基または置換基を有することのあるフェニ
ル基を示し、R156 は水素原子、ハロゲン原子、置換基
を有することのあるアルキル基、置換基を有することの
あるフェニル基、アルコキシカルボニル基、N−アルキ
ルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。λ
は1〜3の整数である。なお、λが2以上のとき、各R
156 は互いに異なっていてもよい。)
ることのあるアルキル基、置換基を有することのあるフ
ェニル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、N
−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を
示す。μは1〜3の整数である。なお、μが2以上のと
き、各R157 は互いに異なっていてもよい。)
異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有するこ
とのあるアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ
カルボニル基を示す。νおよびξは1〜3の整数であ
る。なお、νまたはξが2以上のとき、各R158 および
R159 は互いに異なっていてもよい。)
異なって、フェニル基、多環芳香族基または複素環式基
を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。)
ミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を
示し、πは1〜2の整数である。なお、πが2のとき、
各R16 2 は互いに異なっていてもよい。)
アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示
す。)などがあげられ、さらにマロノニトリル、チオピ
ラン系化合物、テトラシアノエチレン、2,4,8−ト
リニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロ
アントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキ
ノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マ
レイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等があげられる。
基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、複素環
式基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があ
げられる。多環芳香族基としては、例えばナフチル、フ
ェナントリル、アントリル等の基があげられる。上記基
に置換してもよい置換基としては、前述と同様である。
ベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系
化合物、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、クロルアニル、ブロモアニル、2,4,7−トリ
ニトロ−9−ジシアノメチレンフルオレノン、2,4,
5,7−テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニ
トロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアン
トラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノ
ン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレ
イン酸、ジブロモ無水マレイン酸等の電子吸引性材料
や、これら電子吸引性材料を高分子化したもの等もあげ
られる。
般式(HT1) 〜(HT12)で表される化合物があげられる。
よびR13は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原
子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリー
ル基を示す。aおよびbは同一または異なって1〜4の
整数を示し、c,d,eおよびfは同一または異なって
1〜5の整数を示す。なお、a,b,c,d,eまたは
fが2以上のとき、各R 8 、R9 、R10、R11、R12お
よびR13は異なっていてもよい。)
18は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を
示す。g,h,iおよびjは同一または異なって1〜5
の整数を示し、kは1〜4の整数を示す。なお、g,
h,i,jまたはkが2以上のとき、各R14、R15、R
16、R17およびR18は異なっていてもよい。)
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。
R23は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよ
いアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基
を示す。m,n,oおよびpは同一または異なって、1
〜5の整数を示す。qは1〜6の整数を示す。なお、
m,n,o,pまたはqが2以上のとき、各R19、
R20、R21、R22およびR23は異なっていてもよい。)
って、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアル
コキシ基を示す。R30、R31、R32およびR33は同一ま
たは異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基
を示す。)
は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基また
はアルコキシ基を示す。)
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基またはアルコキシ基を示す。)
45は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基またはアルコキシ基を示す。)
を示し、R47、R48およびR49は同一または異なって、
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ
基を示す。)
は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基また
はアルコキシ基を示す。)
って、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい
アルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を
示す。R55およびR56は同一または異なって、水素原
子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有
してもよいアリール基を示す。)
よびR62は同一または異なって、水素原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。α
は1〜10の整数を示し、v,w,x,y,zおよびβ
は同一または異なって1または2である。なお、v,
w,x,y,zまたはβが2のとき、各R57、R58、R
59、R60、R61およびR62は異なっていてもよい。)
一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基またはアルコキシ基を示し、Arは
は(Ar3)を示す。) 上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基としては、
前述と同様な基があげられる。アルコキシ基としては、
例えばメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロ
ポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、s−ブトキシ、
t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等の炭
素数が1〜6の基があげられる。アリール基としては、
例えばフェニル、トリル、キシリル、ビフェニリル、o
−テルフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリ
ル等の基があげられる。ハロゲン原子としては、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素があげられる。
例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化さ
れていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数1〜
6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アリー
ル基を有することのある炭素数2〜6のアルケニル基等
が挙げられる。また、前記置換基の置換位置については
特に限定されない。
も、例えば2,5−ジ(4−メチルアミノフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール等のジアゾール系化合
物、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセン
等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカ
ルバゾール系化合物、1−フェニル−3−(p−ジメチ
ルアミノフェニル)ピラゾリン等のピラゾリン系化合
物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合
物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソ
オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジア
ゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系
化合物、トリアゾール系化合物等で代表される含窒素環
式化合物、縮合多環式化合物などの電子供与性材料等が
あげられる。
単独で使用できる他、2種以上を併用することもでき
る。なお、ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する
電荷輸送剤を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要
ではない。結着樹脂としては、例えばスチレン系重合
体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリ
ロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、
アクリル系重合体、スチレン−アクリル系共重合体、ポ
リエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキッド
樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート、
ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレート樹
脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエー
テル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂その
他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシ−アクリレー
ト、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等があげ
られる。これら結着樹脂は単独で使用できるほか、2種
以上を併用することもできる。
感剤、フルオレン系化合物、紫外線吸収剤、可塑剤、界
面滑性剤、レベリング剤等の種々の添加剤を添加するこ
ともできる。また感光体の感度を向上させるために、例
えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレ
ン等の増感剤を、電荷発生剤と併用してもよい。積層感
光体において、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着
樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着
樹脂100重量部に対して、電荷発生剤5〜1000重
量部、特に30〜500重量部の割合で用いるのが好ま
しい。
脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しな
い範囲で、種々の割合で使用することができるが、光照
射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるよ
うに、結着樹脂100重量部に対して、一般式(1) で表
されるフェナントリレンジアミン誘導体を含む電荷輸送
剤を総量で10〜500重量部、特に25〜200重量
部の割合で用いるのが好ましい。上記電荷輸送剤の含有
割合は、電荷輸送剤として、一般式(1) で表されるフェ
ナントリレンジアミン誘導体を単独で使用する場合は、
当該フェナントリレンジアミン誘導体の含有割合であ
る。
層が0.01〜5μm程度、特に0.1〜3μm程度に
形成されるのが好ましく、電荷輸送層が2〜100μ
m、特に5〜50μm程度に形成されるのが好ましい。
単層型の感光体においては、結着樹脂100重量部に対
して電荷発生剤は0.1〜50重量部、特に0.5〜3
0重量部、一般式(1) で表されるフェナントリレンジア
ミン誘導体を含む電荷輸送剤は総量で20〜500重量
部、特に30〜200重量部であるのが適当である。上
記電荷輸送剤の含有割合は、電荷輸送剤として、一般式
(1) で表されるフェナントリレンジアミン誘導体を単独
で使用する場合は、当該フェナントリレンジアミン誘導
体の含有割合である。
μm、特に10〜50μm程度に形成されるのが好まし
い。単層型感光体にあっては、導電性基体と感光層との
間に、また、積層型感光体にあっては、導電性基体と電
荷発生層との間や、導電性基体と電荷輸送層との間、ま
たは電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特性を
阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよく、感
光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
は、導電性を有する種々の材料を使用することができ、
例えばアルミニウム、銅、スズ、白金、銀、鉄、バナジ
ウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッ
ケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等
の金属や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラ
スチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化イ
ンジウム等で被覆されたガラス等が例示される。
の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであ
ってもよい。基体自体が導電性を有するか、あるいは基
体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基
体は、使用に際して、充分な機械的強度を有するものが
好ましい。感光体を構成する各層を、塗布の方法により
形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送
剤、結着樹脂等を、適当な溶剤とともに、公知の方法、
例えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイン
トシェーカーあるいは超音波分散器等を用いて分散混合
して塗布液を調整し、これを公知の手段により塗布、乾
燥すればよい。
の有機溶剤が使用可能で、例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、
n−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等があげられる。これらの溶剤は1種又は2種以上を
混合して用いることができる。
性、感光層表面の平滑性をよくするため、塗布液には界
面活性剤、レベリング剤等を添加してもよい。
例に基づいて説明する。 <フェナントリレンジアミン誘導体の合成> 合成例1 N,N′−ビス(4−ビフェニリル)−N,N′−ジフ
ェニル−9,10−フェナントリレンジアミンの合成 N,N′−ジアセチル−9,10−フェナントリレンジ
アミン29.2gとヨードベンゼン40.8gとを、炭
酸カリウム27.6gおよび銅粉2gとともにニトロベ
ンゼン300ml中に加え、強く攪拌しつつ、窒素雰囲
気下にて24時間還流した。反応により生成した水は、
ニトロベンゼンとの共沸により反応系より除去した。
し、水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した。得
られた残渣を10%塩酸50mlとともにテトラヒドロ
フラン200ml中に加え、2時間還流して脱アセチル
化し、N,N′−ジフェニル−9,10−フェナントリ
レンジアミンを得た。この化合物18.0gと4−ヨー
ドビフェニル27.9gとを、炭酸カリウム27.6g
および銅粉2gとともにニトロベンゼン300ml中に
加え、強く攪拌しつつ、窒素雰囲気下にて24時間還流
した。反応により生成した水は、ニトロベンゼンとの共
沸により反応系より除去した。
し、水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した。得
られた残渣をシクロヘキサンに溶解し、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーによって分離精製し、シクロヘキ
サンを留去して白色沈殿を得た。そして、この白色沈殿
をn−ヘキサンから再結晶し、標記化合物(前記式(2-
1) で表される化合物) 14.3gを得た。収率21.
1%。
4.14 実測値(%) C:88.61 H:7.19 N:
4.02 合成例2 N,N′−ビス〔4−(4’−イソプロピル)ビフェニ
リル〕−N,N′−ジ(4−メチルフェニル)−9,1
0−フェナントリレンジアミンの合成 ヨードベンゼンに代えて4−ヨードトルエン43.5g
を用い、4−ヨードビフェニルに代えて4−イソプロピ
ル−4’−ヨードビフェニル32.2gを用いたほか
は、合成例1と同様にして反応を行い、標記化合物(前
記式(2-3) で表される化合物) 15.5gを得た。収率
20.1%。
3.61 実測値(%) C:89.55 H:6.79 N:
3.59 合成例3 N,N′−ビス〔4−(4’−エチル)ビフェニリル〕
−N,N′−ジ(4−メチルフェニル)−9,10−フ
ェナントリレンジアミンの合成 ヨードベンゼンに代えて4−ヨードトルエンを用い、4
−ヨードビフェニルに代えて4−エチル−4’−ヨード
ビフェニルを用いたほかは、合成例1と同様にして反応
を行い、標記化合物(前記式(2-5) で表される化合物)
13.6gを得た。収率18.2%。
3.74 実測値(%) C:89.80 H:6.39 N:
3.77 合成例4 N,N,N′,N′−テトラキス(4−ビフェニリル)
−9,10−フェナントリレンジアミンの合成 9,10−フェナントリレンジアミン20.8gと4−
ヨードビフェニル112.0gとを、炭酸カリウム2
7.6gおよび銅粉2gとともに300mlのニトロベ
ンゼン中に加え、強く攪拌しつつ、窒素雰囲気下にて2
4時間還流した。反応により生成した水は、ニトロベン
ゼンとの共沸により反応系より除去した。
し、水蒸気蒸留によってニトロベンゼンを留去した。得
られた残渣をシクロヘキサンに溶解し、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーによって分離精製し、シクロヘキ
サンを留去して白色沈澱を得た。そして、この白色沈澱
をn−ヘキサンから再結晶し、標記化合物(前記式(3-
1) で表される化合物)23.9gを得た。収率29.
2%。
3.43 実測値(%) C:91.20 H:5.49 N:
3.31 合成例5 N,N,N′,N′−テトラキス(4′−エチルビフェ
ニル−4−イル)−9,10−フェナントリレンジアミ
ンの合成 4−ヨードビフェニルに代えて4−エチル−4′−ヨー
ドビフェニル123.3gを用いたほかは、合成例4と
同様にして、標記化合物(前記式(3-3) で表される化合
物)25.4gを得た。収率27.3。
3.01 実測値(%) C:90.42 H:6.46 N:
3.11 合成例6 N,N,N′,N′−テトラキス(4′−メトキシビフ
ェニル−4−イル)−9,10−フェナントリレンジア
ミンの合成 4−ヨードビフェニルに代えて、4−メトキシ−4′−
ヨードビフェニル124.0gを用いたほかは、合成例
4と同様にして、標記化合物(前記式(3-5) で表される
化合物)23.5gを得た。収率25.1%。
2.99 実測値(%) C:84.47 H:5.63 N:
3.06 <電子写真感光体の製造> 実施例1〜3、比較例1〜2(デジタル光源用単層型感
光体) 電荷発生剤(前記式(CG1) で表されるX型メタルフリー
フタロシアニン)5重量部、電荷輸送剤100重量部お
よび結着樹脂(ポリカーボネート)100重量部を、溶
媒(テトラヒドロフラン)800重量部とともにボール
ミルにて50時間混合分散させて、単層型感光層用の塗
布液を作成した。そして、この塗布液を、導電性基材と
してのアルミニウム素管上にディップコート法にて塗布
し、110℃で30分間熱風乾燥して、膜厚25μmの
単層型感光層を有するデジタル光源用の単層型感光体を
製造した。
のフェナントリレンジアミン誘導体であって、その具体
的化合物は表1に示すとおりである。また、比較例1に
は下記のm−フェニレンジアミン誘導体(HT2-1) を、比
較例2には下記のフェナントリレンジアミン誘導体(4-
1) をそれぞれ電荷輸送剤として使用した。
ついて、以下に記す初期電気特性試験(I) および繰り返
し露光後の電気特性試験(I) を行い、その特性を評価し
た。 初期電気特性試験(I) ジェンテック(GENTEC)社製のドラム感度試験機
を用い、各実施例、比較例の電子写真感光体の表面に印
加電圧を加えてその表面を+700±20Vに帯電さ
せ、表面電位V0 (V)を測定した。そして、露光光源
であるハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルタ
ーを用いて取り出した波長780nm(半値幅20n
m)、光強度10μJ/cm2 の単色光を感光体の表面
に照射(照射時間1.5秒)して、上記表面電位が1/
2になるのに要した時間を測定し、半減露光量E
1/2 (μJ/cm2 )を算出した。また、露光開始から
0.5秒経過した時点での表面電位を残留電位V
r (V)として測定した。繰り返し露光後の電気特性試験(I) 各実施例、比較例の電子写真感光体をレーザービームプ
リンタ(三田工業(株)製の型番TC−650)に使用
し、10000回の画像形成を行った後、前出のドラム
感度試験機を用いて、上記と同様に表面電位V0 (V)
および残留電位Vr (V)を測定し、それぞれの初期値
との差ΔV0 (V)およびΔVr (V)を求めた。
グ光源用単層型感光体) 電荷発生剤として、式(CG3-1) :
1) 〜(CG4-7) :
を5重量部用いたほかは、実施例1〜3、比較例1と同
様にして、アナログ光源用の単層型感光体を製造した。
上記実施例および比較例で使用した電荷輸送剤および電
荷輸送剤は、下記の表2〜3に示すとおりである。上記
実施例および比較例の電子写真感光体について、以下に
記す初期電気特性試験(II)および繰り返し露光後の電気
特性試験(II)を行い、その特性を評価した。初期電気特性試験(II) 前述の初期電気特性試験(I) と同様にして各実施例、比
較例の電子写真感光体の表面電位V0 (V)を測定し
た。そして、露光光源であるハロゲンランプの白色光
(光強度10ルックス)を感光体の表面に照射(照射時
間1.5秒)し、前述の初期電気特性試験(I) と同様に
して半減露光量E1/2 (lux・秒)の算出および残留
電位Vr (V)の測定を行った。繰り返し露光後の電気特性試験(II) 各実施例、比較例の電子写真感光体を、静電式複写機
(三田工業(株)製の型番DC2556)に使用し、1
0000回の画像形成を行った。次いで、前述の繰り返
し露光後の電気特性試験(I) と同様にしてΔV0 (V)
およびΔVr (V)を求めた。
ジタル光源用積層型感光体) 電荷発生剤(前記式(CG1) で表されるX型メタルフリー
フタロシアニン)2.5重量部と結着樹脂(ポリビニル
ブチラール)1重量部とを、溶媒(テトラヒドロフラ
ン)15重量部とともにボールミルにて混合分散させ、
電荷発生層用の塗布液を作成した。そしてこの塗布液
を、導電性基材としてのアルミニウム素管上にディップ
コート法にて塗布し、110℃で30分間、熱風乾燥し
て、膜厚0.5μmの電荷発生層を形成した。
(ポリカボネート)1重量部とを、溶媒(テトラヒドロ
フラン)10重量部ととともにボールミルにて混合分散
させて、電荷輸送層用の塗布液を作成した。そしてこの
塗布液を、上記電荷発生層上にディップコート法にて塗
布し、110℃で30分間熱風乾燥して、膜厚20μm
の電荷輸送層を形成し、デジタル光源用の積層型感光体
を製造した。
ついて、前述の初期電気特性試験(I) および以下に示す
繰り返し露光後の電気特性試験(III) を行い、その特性
を評価した。繰り返し露光後の電気特性試験(III) レーザービームプリンタとして、三田工業(株)製の型
番LP−2080を用いたほかは、前述の繰り返し露光
後の電気特性試験(I) と同様にして、ΔV0 (V)およ
びΔVr (V)を求めた。
および上記特性試験の結果を表4に示す。
ナログ光源用積層型感光体) 電荷発生剤として、前記式(CG3-1) で表されるペリレン
顔料あるいは前記式(CG4-1) 〜(CG4-7) で表されるビス
アゾ顔料を2.5重量部用いたほかは、実施例28〜3
0、比較例10と同様にして、アナログ光源用の積層型
感光体を製造した。
ついて、前述の初期電気特性試験(II)および以下に記す
繰り返し露光後の電気特性試験(IV)を行い、その特性
を評価した。繰り返し露光後の電気特性試験(IV) 静電式複写機として、三田工業(株)製の型番DC25
56を負帯電仕様に改造したものを用いたほかは、前述
の繰り返し露光後の電気特性試験(II)と同様にして、Δ
V0 (V)およびΔVr (V)を求めた。
剤、電荷輸送剤および上記特性試験の結果を表5〜6に
示す。
感光体) 電荷輸送剤として、前記式(2-1) 〜(2-8) で表されるフ
ェナントリレンジアミン誘導体のうち、いずれか100
重量部を用いたほかは、実施例1〜3と同様にしてデジ
タル光源用の単層型感光体を製造し、前述の初期電気特
性試験(I) および繰り返し露光後の電気特性試験(I) を
行った。
荷輸送剤および上記特性試験の結果を表7に示す。
感光体) 電荷輸送剤として、前記式(2-1) 〜(2-8) で表されるフ
ェナントリレンジアミン誘導体のうち、いずれか100
重量部を用いたほかは、実施例4〜27と同様にしてア
ナログ光源用の単層型感光体を製造し、前述の初期電気
特性試験(II)および繰り返し露光後の電気特性試験(II)
を行った。
荷発生剤、電荷輸送剤および上記特性試験の結果を表8
〜9に示す。
感光体) 電荷輸送剤として、前記式(2-1) 〜(2-8) で表されるフ
ェナントリレンジアミン誘導体のうち、いずれか1重量
部を用いて電荷輸送層用の塗布液を作製したほかは、実
施例28〜30と同様にしてデジタル光源用の積層型感
光体を製造し、前述の初期電気特性試験(I) および繰り
返し露光後の電気特性試験(III) を行った。
荷輸送剤および上記特性試験の結果を表10に示す。
層型感光体) 電荷輸送剤として、前記式(2-1) 〜(2-8) で表されるフ
ェナントリレンジアミン誘導体のうち、いずれか100
重量部を用いたほかは、実施例31〜53と同様にし
て、アナログ光源用の積層型感光体を製造し、前述の初
期電気特性試験(II)および繰り返し露光後の電気特性試
験(IV)を行った。
荷発生剤、電荷輸送剤および上記特性試験の結果を表1
1〜12に示す。
剤として、本発明のフェナントリレンジアミンを電子写
真感光体は、対応する比較例の電子写真感光体に比べて
初期電気特性および繰り返し露光後の電気特性が優れて
いる。なお、電荷輸送剤として、前記式(4-1) で表され
るフェナントリレンジアミン誘導体を用いた比較例2、
4、6、8、10、12、15、18、20、22、2
4、26、28および31の感光体は、感光体の特性評
価には影響のない程度に、前記誘導体の微結晶化が発生
した。
トリレンジアミン誘導体は、高い電荷輸送能を有し、か
つ結着樹脂に対する相溶性にも優れているとともに、安
定性にも優れている。従って、本発明のフェナントリレ
ンジアミン誘導体は、例えば太陽電池、エレクトロルミ
ネッセンス素子、電子写真感光体等において、電荷輸送
剤、とりわけ正孔輸送剤として好適に使用することがで
きる。
ェナントリレンジアミン誘導体を電荷輸送剤として含有
する感光層を備えるため、従来のものに比べて感度特性
に優れているとともに、耐久性にも優れており、静電式
複写機やレーザービームプリンタ等の各種の画像形成装
置の高速化、高性能化に寄与するという特有の作用効果
を奏する。
Claims (4)
- 【請求項1】一般式(1) : 【化1】 (式中、R1 、R2 、R3 およびR4 は同一または異な
って、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または
置換基を有してもよいアリール基を示す。a、b、cお
よびdは同一または異なって1〜5の整数を示す。)で
表されるフェナントリレンジアミン誘導体。 - 【請求項2】導電性基体上に、一般式(1) : 【化2】 (式中、R1 、R2 、R3 およびR4 は同一または異な
って、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよい
アルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または
置換基を有してもよいアリール基を示す。a、b、cお
よびdは同一または異なって1〜5の整数を示す。)で
表されるフェナントリレンジアミン誘導体を含む感光層
を設けたことを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項3】前記感光層が、電荷発生剤とともに、上記
一般式(1) で表されるフェナントリレンジアミン誘導体
を電荷輸送剤として含有する単層型である請求項2記載
の電子写真感光体。 - 【請求項4】前記感光層が、上記一般式(1) で表される
フェナントリレンジアミン誘導体を電荷輸送剤として含
有する電荷輸送層と、電荷発生剤を含有する電荷発生層
とを備えた積層型である請求項2記載の電子写真感光
体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19880995A JP3641026B2 (ja) | 1994-09-08 | 1995-08-03 | フェナントリレンジアミン誘導体とそれを用いた電子写真感光体 |
| DE69625134T DE69625134T2 (de) | 1995-08-03 | 1996-07-30 | Phenanthrylendiaminderivate und elektrophotoempfindliche Materialien, die diese verwenden |
| EP96305564A EP0757035B1 (en) | 1995-08-03 | 1996-07-30 | Phenanthrylenediamine derivative and electrophotosensitive material using the same |
| US08/933,045 US5843606A (en) | 1995-08-03 | 1997-09-18 | Phenanthrylenediamine derivative |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-215055 | 1994-09-08 | ||
| JP21505594 | 1994-09-08 | ||
| JP19880995A JP3641026B2 (ja) | 1994-09-08 | 1995-08-03 | フェナントリレンジアミン誘導体とそれを用いた電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08127559A true JPH08127559A (ja) | 1996-05-21 |
| JP3641026B2 JP3641026B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=26511187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19880995A Expired - Fee Related JP3641026B2 (ja) | 1994-09-08 | 1995-08-03 | フェナントリレンジアミン誘導体とそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3641026B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007033868A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2007103819A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 |
| JP2008538221A (ja) * | 2005-03-14 | 2008-10-16 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 新規ポリマー |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP19880995A patent/JP3641026B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007033868A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2007103819A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3641026B2 (ja) | 2005-04-20 |
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