JPH0325082B2 - - Google Patents

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JPH0325082B2
JPH0325082B2 JP60077549A JP7754985A JPH0325082B2 JP H0325082 B2 JPH0325082 B2 JP H0325082B2 JP 60077549 A JP60077549 A JP 60077549A JP 7754985 A JP7754985 A JP 7754985A JP H0325082 B2 JPH0325082 B2 JP H0325082B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体集積回路チツプを搭載した多層配線基板
に於ける層間配線の接続部を、伝搬される信号の
種類に対応してインダクタンス成分が異なるよう
に構成し、高速動作の半導体集積回路チツプによ
る動作特性を改善したものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、数Ｇビツト／ｓ程度の高速データを
処理する半導体集積回路チツプを多層配線基板上
に搭載して気密封止した高速集積回路パツケージ
に関するものである。
Si（シリコン）やGaAs（ガリウム砒素）等の半
導体チツプに複数のトランジスタ等を形成して、
数Ｇビツト／ｓ程度の高速データ処理を行う半導
体集積回路チツプが製作されており、このような
半導体集積回路チツプは、信頼性確保の為にパツ
ケージによつて気密封止する必要がある。
〔従来の技術〕
高速集積回路パツケージは、例えば、第３図の
概略断面図に示すように、多層配線基板１５上に
半導体集積回路チツプ１８を搭載し、この半導体
集積回路チツプ１８と外部端子となる配線１７と
を金線等の接続線１９で接続し、多層配線基板の
周辺に絶縁体２０を介して金属のキヤツプ２１を
接合して、半導体集積回路チツプ１８を気密封止
するものである。なお、１６はアース等となる下
面の金属配線である。
半導体集積回路チツプ１８を搭載する多層配線
基板１５は、例えば、グリーンシートの状態で所
望の配線を施し且つ上下層の配線の接続用のスル
ーホールを形成し、順次積層して焼成するもので
ある。その場合の各層の配線の幅は同一で且つ層
間の配線を接続する為のスルーホールの直径も同
一である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
多層配線基板１５には、半導体集積回路チツプ
１８上のトランジスタ等に電源を供給する為の配
線や、高速信号が伝搬する配線が混在しているも
のであり、前述のように、これらの配線の幅及び
各層の配線間を接続する為の接続部の直径も同一
である。即ち、従来は、直流電流が流れる径路
も、高周波信号が流れる径路も同一の構成のもの
である。その為、高速動作可能の半導体集積回路
チツプ１８の特性を充分に引き出すことが困難で
あつた。
本発明は、高周波信号の流れる径路のインダク
タンス成分を小さくし、電源供給用の径路のイン
ダクタンス成分を大きくして、高速動作の半導体
集積回路チツプの特性を充分に発揮させることを
目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の高速集積回路パツケージは、第１図を
参照して説明すると、半導体集積回路チツプを搭
載する多層配線基板の高周波信号が伝搬する配線
１ａ，１ｂ，１ｃ間を、スルーホールによるイン
ダクタンス成分の小さい第１の接続部４ａ，４ｂ
により接続し、電源供給用の配線２ａ，２ｂ，２
ｃ間を、第１の接続部４ａ，４ｂに比較して直径
を小さくするか又は長さを長くするかの何れか一
方或いは両方の構成としてインダクタンス成分を
大きくしたスルーホールによる第２の接続部５
ａ，５ｂにより接続したものである。
〔作用〕
高周波信号が伝搬する配線間は、インダクタン
ス成分の小さい接続部４ａ，４ｂで接続されるの
で、伝搬遅延を受けることが少なくなり、それに
よつて高速動作の半導体集積回路チツプの特性を
充分に引き出すことができ、又電源供給用の配線
間は、インダクタンス成分の大きい接続部５ａ，
５ｂで接続されるので、電源供給用の配線に重畳
される高周波信号を減衰させ、異なる電源間のア
イソレーシヨン特性を向上させることができる。
〔実施例〕
以下図面を参照して、本発明の実施例について
詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例の要部断面図であり、
半導体集積回路チツプやキヤツプ等の図示を省略
している。セラミツク等の絶縁基板６に、各層の
配線１ａ，１ｂ，１ｃ，２ａ，２ｂ，２ｃ，３
ａ，３ｂが形成され、配線１ａ，１ｂ，１ｃには
高周波信号が伝搬し、配線２ａ，２ｂ，２ｃには
電源供給用として直流電流が流れるものとする
と、高周波信号が伝搬する配線１ａ，１ｂ，１ｃ
間を接続する接続部４ａ，４ｂの直径を大きくし
てインダクタンス成分を小さくし、又直流電流の
みが流れる配線２ａ，２ｂ，２ｃ間を接続する接
続部５ａ，５ｂの直径を小さく或いは長くしてイ
ンダクタンス成分を大きくするものである。
高周波信号が伝搬する配線１ａ，１ｂ，１ｃ間
はインダクタンス成分の小さい接続部４ａ，４ｂ
により接続されるものであるから、高速動作の半
導体集積回路チツプへの入力データ又は出力デー
タの遅延や波形歪が小さくなり、高速動作の半導
体集積回路チツプの特性を充分に引き出すことが
できる。
又電源供給用としての配線２ａ，２ｂ，２ｃ間
はインダクタンス成分の大きい接続部５ａ，５ｂ
により接続されるものであるから、半導体集積回
路チツプに対する電源供給用の配線に於ける耐雑
音特性を向上することができる。この接続部５
ａ，５ｂは、インダクタンス成分を大きくする為
に、その長さを５ｂのように長くすることもで
き、又接続用の孔内に螺旋、或いは折返線路を形
成することもできる。
第２図は本発明の他の実施例の要部断面図であ
り、多層配線基板のうちの一層について示すもの
である。同図に於いて、１０は絶縁基板、１１，
１２は配線、１３はコイルである。これらの配線
１１，１２間はコイル１３で接続されている。こ
のコイル１３はインダクタンス成分を大きくする
為のものであり、例えば、グリーンシートに配線
間の接続用の孔を開け、この孔中に微細コイルを
捩じ込んで構成することができる。この微細コイ
ルは、積層したグリーンシートの焼成温度に耐え
られるようなタングステンやモリブデン等により
構成することが好適である。又この微細コイルと
配線１１，１２との接続は、例えば、グリーンシ
ート上に配線１１，１２を形成する導電性塗料を
塗布し、接続用孔に捩じ込んだ微細コイルの端部
にも導電性塗料を塗布して焼成すれば良いことに
なる。
コイルのインダクタンスＬは、 Ｌ＝（2πRN）2／ｌμrＫ×10-7 で表される。なお、Ｒはコイルの半径、Ｎは巻
数、ｌはコイルの長さ、μrは比透磁率、Ｋは長岡
係数である。
例えば、配線１１，１２間の絶縁基板１０の厚
さに対応して、コイルの長さｌ＝2500μｍ、接続
用の孔の直径に対応して、コイルの半径Ｒを
1000μｍ、巻数Ｎを10とすると、インダクタンス
Ｌは120nHとなり、1.8GHzでは、インピーダンス
Ｚは1.3KΩとなるから、電源供給用の配線に、
ノイズ除去等のインダクタンスを挿入した場合と
同じ構成となり、高速動作の半導体集積回路チツ
プへの電源供給用として、耐雑音特性を向上する
ことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、半導体集積回
路チツプ１８を多層配線基板１５に搭載してキヤ
ツプ２１により気密封止した高速集積回路パツケ
ージに於いて、多層配線基板１５に於ける高周波
信号が伝搬する配線１ａ，１ｂ，１ｃ間をスルー
ホールによるインダクタンス成分の小さい第１の
接続部４ａ，４ｂにより接続し、電源供給用の配
線２ａ，２ｂ，２ｃ間を、第１の接続部４ａ，４
ｂに比較して直径を小さくしてインダクタンス成
分を大きくするか、又は長さを長くしてインダク
タンス成分を大きくするか、或いは直径を小さく
すると共に長さを長くしてインダクタンス成分を
大きくしたスルーホールによる第２の接続部５
ａ，５ｂにより接続したものであり、多層配線基
板を製作する時に、配線の種類に対応して異なる
大きさの接続用孔を形成することになるが、高速
動作の半導体集積回路チツプ１８の動作特性を阻
害することなく、電源供給並びに信号の入出力を
行わせることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の要部断面図、第２図
は本発明の他の実施例の要部断面図、第３図は集
積回路パツケージの概略断面図である。 １ａ，１ｂ，１ｃ，２ａ，２ｂ，２ｃ，３ａ，
３ｂ，１１，１２は配線、４ａ，４ｂ，５ａ，５
ｂは接続部、６，１０は絶縁基板、１３はコイ
ル、１５は多層配線基板、１６，１７は配線、１
８は半導体集積回路チツプ、１９は接続線、２０
は絶縁体、２１はキヤツプである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体集積回路チツプを多層配線基板に搭載
    してキヤツプにより気密封止した高速集積回路パ
    ツケージに於いて、 前記多層配線基板の高周波信号が伝搬する配線
    １ａ，１ｂ，１ｃ間を、スルーホールによるイン
    ダクタンス成分の小さい第１の接続部４ａ，４ｂ
    により接続し、 電源供給用の配線２ａ，２ｂ，２ｃ間を、前記
    第１の接続部４ａ，４ｂに比較して直径を小さく
    するか又は長さを長くするかの何れか一方或いは
    両方の構成としてインダクタンス成分を大きくし
    たスルーホールによる第２の接続部５ａ，５ｂに
    より接続した ことを特徴とする高速集積回路パツケージ。
JP60077549A 1985-04-13 1985-04-13 高速集積回路パツケ−ジ Granted JPS61239649A (ja)

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