JP2003100604A - 露光装置及びその制御方法、デバイスの製造方法、コンピュータ可読メモリ、プログラム - Google Patents
露光装置及びその制御方法、デバイスの製造方法、コンピュータ可読メモリ、プログラムInfo
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- JP2003100604A JP2003100604A JP2001291854A JP2001291854A JP2003100604A JP 2003100604 A JP2003100604 A JP 2003100604A JP 2001291854 A JP2001291854 A JP 2001291854A JP 2001291854 A JP2001291854 A JP 2001291854A JP 2003100604 A JP2003100604 A JP 2003100604A
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- G—PHYSICS
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- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置において、基板上の複数のショット
領域のそれぞれに対して、補正パラメータに基づいて原
版のパターンを位置合わせする位置合わせの精度を落と
すことなく、スループットを向上させる。 【解決手段】 ショット補正パラメータの自動計測を行
うかどうかを判断し（Ｓ６０２）、計測を行う場合にの
み、ショット補正パラメータの自動計測を行うことで処
理を減らす（Ｓ６０３）。その後、ウエハ補正パラメー
タの自動計測を行い（Ｓ６０４）、ショット補正パラメ
ータの自動計測を行ったかどうかに応じて、ショット補
正パラメータとウエハ補正パラメータとの相対パラメー
タδを算出するか（Ｓ６０６）、記憶してある相対パラ
メータδ及びウエハ補正パラメータからショット補正パ
ラメータを算出するか（Ｓ６０７）を判断することで、
位置合わせの精度を保つ（Ｓ６０５）。得られたショッ
ト補正パラメータとウエハ補正パラメータとに応じて、
装置ユニットを駆動し（Ｓ６０８）、露光する（Ｓ６０
９）。
領域のそれぞれに対して、補正パラメータに基づいて原
版のパターンを位置合わせする位置合わせの精度を落と
すことなく、スループットを向上させる。 【解決手段】 ショット補正パラメータの自動計測を行
うかどうかを判断し（Ｓ６０２）、計測を行う場合にの
み、ショット補正パラメータの自動計測を行うことで処
理を減らす（Ｓ６０３）。その後、ウエハ補正パラメー
タの自動計測を行い（Ｓ６０４）、ショット補正パラメ
ータの自動計測を行ったかどうかに応じて、ショット補
正パラメータとウエハ補正パラメータとの相対パラメー
タδを算出するか（Ｓ６０６）、記憶してある相対パラ
メータδ及びウエハ補正パラメータからショット補正パ
ラメータを算出するか（Ｓ６０７）を判断することで、
位置合わせの精度を保つ（Ｓ６０５）。得られたショッ
ト補正パラメータとウエハ補正パラメータとに応じて、
装置ユニットを駆動し（Ｓ６０８）、露光する（Ｓ６０
９）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及びその
制御方法、デバイスの製造方法、コンピュータ可読メモ
リ、プログラムに関するものである。
制御方法、デバイスの製造方法、コンピュータ可読メモ
リ、プログラムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ステッパーなどの半導体露光装置におい
ては、原板であるレチクル（マスク）上に形成された回
路パターンを、基板であるウェハ（プレート）上に形成
された回路パターンに、高精度で重ね合わせるための位
置合わせ（アライメント）が行われる。
ては、原板であるレチクル（マスク）上に形成された回
路パターンを、基板であるウェハ（プレート）上に形成
された回路パターンに、高精度で重ね合わせるための位
置合わせ（アライメント）が行われる。
【０００３】ウェハ上に形成されている回路パターン領
域（ショット）の配列を求める手法として、ＡＧＡ(Adv
anced Global Alignment)と呼ばれる手法が知られてい
る。ＡＧＡは、全ショットの中から幾つかのサンプルシ
ョットを選び、それらのサンプルショットそれぞれにつ
いての設計位置からの位置ずれ量を計測し、計測結果を
統計処理することにより、ウェハ上のショット配列を補
正するためのウェハの補正パラメータ（ウェハ補正パラ
メータと呼ぶ）を求めるという手法である。ここでいう
ウェハ補正パラメータとは、例えば、以下の量のことで
ある。
域（ショット）の配列を求める手法として、ＡＧＡ(Adv
anced Global Alignment)と呼ばれる手法が知られてい
る。ＡＧＡは、全ショットの中から幾つかのサンプルシ
ョットを選び、それらのサンプルショットそれぞれにつ
いての設計位置からの位置ずれ量を計測し、計測結果を
統計処理することにより、ウェハ上のショット配列を補
正するためのウェハの補正パラメータ（ウェハ補正パラ
メータと呼ぶ）を求めるという手法である。ここでいう
ウェハ補正パラメータとは、例えば、以下の量のことで
ある。
【０００４】
（１）ウェハ中心位置のシフト誤差（平行移動量） （Ｓｗｘ，Ｓｗｙ）
（２）ウェハ（ショット配列）のローテーション誤差（回転量）
（θｗｘ，θｗｙ）
（３）ウェハ（ショット配列）の倍率誤差（線形伸縮量）
（βｗｘ，βｗｙ）
また、ウェハの回転量のＸ−Ｙ成分の差分、（θｗｘ−
θｗｙ）をウェハの直交度と呼ぶ。
θｗｙ）をウェハの直交度と呼ぶ。
【０００５】近年、アライメントの精度をより高めるた
めに、ウェハの補正パラメータだけでなく、ショット自
身の変形量を求めて補正する手法が提案されている。シ
ョットが変形する原因は、露光レンズのディストーショ
ンなどの装置要因や、加熱によるウェハの変形などのプ
ロセス要因が考えられる。ショットの変形（すなわち、
ショットの形状誤差）を補正するためのパラメータ（シ
ョット補正パラメータと呼ぶ）としては、例えば、以下
のような量が挙げられる。
めに、ウェハの補正パラメータだけでなく、ショット自
身の変形量を求めて補正する手法が提案されている。シ
ョットが変形する原因は、露光レンズのディストーショ
ンなどの装置要因や、加熱によるウェハの変形などのプ
ロセス要因が考えられる。ショットの変形（すなわち、
ショットの形状誤差）を補正するためのパラメータ（シ
ョット補正パラメータと呼ぶ）としては、例えば、以下
のような量が挙げられる。
【０００６】
（１）ショットのローテーション誤差（回転量） （θｓｘ，θｓｙ）
（２）ショットの倍率誤差（線形伸縮量） （βｓｘ，βｓｙ）
ウェハ補正パラメータとショット補正パラメータとの関
係を、図１、図２に示す。図１は、ウェハ倍率とショッ
ト倍率の関係を表す図である。点線で示されたＷａｆＤ
は、ウェハの設計上の外形を表わしている。また、実線
で示されたＷａｆＲは熱変形などの要因で、ウェハが伸
び縮みした場合の外形を誇張して表わしたものである。
ステッパーのウェハステージ上の基準点を原点とする標
準座標系（ｘ，ｙ）上で、ウェハ半径のＸ方向の伸びを
βｗｘ，Ｙ方向の伸びをβｗｙで表わしている。ウェハ
倍率はショット配列に影響を与える。図１では、各ショ
ットの中心位置が設計上の座標値から外向きにずれてい
る様子を各ショット上に付した矢印で表わしている。ま
た、ＳframeＤは、ショットの設計上の外形を表わして
おり、ＳframeＲは、ショットの倍率誤差が発生したシ
ョットの外形を表わしている。標準座標系（ｘ，ｙ）上
でのショットの伸びを、βｓｘ，βｓｙで表わしてい
る。
係を、図１、図２に示す。図１は、ウェハ倍率とショッ
ト倍率の関係を表す図である。点線で示されたＷａｆＤ
は、ウェハの設計上の外形を表わしている。また、実線
で示されたＷａｆＲは熱変形などの要因で、ウェハが伸
び縮みした場合の外形を誇張して表わしたものである。
ステッパーのウェハステージ上の基準点を原点とする標
準座標系（ｘ，ｙ）上で、ウェハ半径のＸ方向の伸びを
βｗｘ，Ｙ方向の伸びをβｗｙで表わしている。ウェハ
倍率はショット配列に影響を与える。図１では、各ショ
ットの中心位置が設計上の座標値から外向きにずれてい
る様子を各ショット上に付した矢印で表わしている。ま
た、ＳframeＤは、ショットの設計上の外形を表わして
おり、ＳframeＲは、ショットの倍率誤差が発生したシ
ョットの外形を表わしている。標準座標系（ｘ，ｙ）上
でのショットの伸びを、βｓｘ，βｓｙで表わしてい
る。
【０００７】図２は、ウェハ回転とショット回転の関係
を表す図である。ＷａｆＲはステージの標準座標系
（ｘ，ｙ）に対して、ウェハが回転した場合の外形を誇
張して表わしたものである。ステッパーのウェハステー
ジ上の基準点を原点とする標準座標系（ｘ，ｙ）上で、
ウェハのＸ方向の回転量をθｗｘ，Ｙ方向の回転量をθ
ｗｙで表わしている。図２では、θｗｘ＝βｗｙとし
て、ステージとウェハとの直交度（角度のずれ）が０で
ある場合を表わしている。ウェハ回転はショット配列に
影響与える。また、ＳframeＤは、ショットの設計上の
外形を表わしており、ＳframeＲは、ショット変形によ
り、直交度誤差が発生したショットの外形を表わしてい
る。図２では、標準座標系（ｘ，ｙ）上でのショットの
軸の回転を、θｓｘ、θｓｙで表わしている。
を表す図である。ＷａｆＲはステージの標準座標系
（ｘ，ｙ）に対して、ウェハが回転した場合の外形を誇
張して表わしたものである。ステッパーのウェハステー
ジ上の基準点を原点とする標準座標系（ｘ，ｙ）上で、
ウェハのＸ方向の回転量をθｗｘ，Ｙ方向の回転量をθ
ｗｙで表わしている。図２では、θｗｘ＝βｗｙとし
て、ステージとウェハとの直交度（角度のずれ）が０で
ある場合を表わしている。ウェハ回転はショット配列に
影響与える。また、ＳframeＤは、ショットの設計上の
外形を表わしており、ＳframeＲは、ショット変形によ
り、直交度誤差が発生したショットの外形を表わしてい
る。図２では、標準座標系（ｘ，ｙ）上でのショットの
軸の回転を、θｓｘ、θｓｙで表わしている。
【０００８】ＡＧＡ手法では、ショット内に付したアラ
イメントマークの位置を計測する事で、ショットの基準
位置（通常は中心）の設計値からのずれ量を求める。こ
の場合、ショット内で計測すべきマークは、Ｘ、Ｙ方向
各一つ（１組）である。図３（Ａ）は、ショット（ＳＨ
ＯＴ）上にマークＭＸ１、ＭＹ１が配置されている場合
を表わしている。
イメントマークの位置を計測する事で、ショットの基準
位置（通常は中心）の設計値からのずれ量を求める。こ
の場合、ショット内で計測すべきマークは、Ｘ、Ｙ方向
各一つ（１組）である。図３（Ａ）は、ショット（ＳＨ
ＯＴ）上にマークＭＸ１、ＭＹ１が配置されている場合
を表わしている。
【０００９】一方、ショットの変形を補正するためのシ
ョット補正パラメータを求める場合には、図３（Ｂ）に
示すように、Ｘ、Ｙ方向各一つ（一組）よりも多い数の
マーク（ＭＸ１〜３、ＭＹ１〜３）を配置して計測を行
う。ショット補正パラメータを求めるための手法は、例
えば、本出願人により公報に開示された特開平０９−２
６６１６４号などで紹介されている。
ョット補正パラメータを求める場合には、図３（Ｂ）に
示すように、Ｘ、Ｙ方向各一つ（一組）よりも多い数の
マーク（ＭＸ１〜３、ＭＹ１〜３）を配置して計測を行
う。ショット補正パラメータを求めるための手法は、例
えば、本出願人により公報に開示された特開平０９−２
６６１６４号などで紹介されている。
【００１０】以下、一般的なショット補正アライメント
手法について説明する。図４は、半導体露光装置におけ
るオフアクシス方式のウェハアライメントシステムの概
略を表すブロック図である。このアライメントシステム
は、レチクル４０１、投影露光光学系４０２、入力され
た画像信号に対して種々の画像演算処理を行い、画像信
号や演算処理結果を記憶する画像記憶演算装置４０３、
不図示のウェハ搬入装置からウェハがアライメントシス
テムに送られて来た時に、ウェハの外形基準から大まか
なウェハの向きを調整するためのプリアライメント装置
４０６、ユーザからのコマンド入力を受け付ける為のコ
ンピュータ端末４０７、アライメントの対象であるウェ
ハ４０８、ウェハ４０８上に形成されたパターンの画像
を拡大して見る為の顕微鏡４０４、顕微鏡４０４を通し
て得られたウェハ４０８上のパターン画像を電気信号に
変換し、画像記憶演算装置４０３に提供する為のＣＣＤ
カメラ４１７、ウェハ４０８の座標位置を平面方向、垂
直方向に移動させる為のＸＹステージ４１０、ウェハ４
０８をＸＹステージ４１０上に保持する為のウェハチャ
ック４０９、顕微鏡４０４の画像を直接ユーザが確認す
る為の表示手段としてのモニタ４１１、及び、上記の各
装置を制御するコントローラ４０５、によって構成され
ている。このコントローラ４０５はメモリ４２０やＣＰ
Ｕを有する。顕微鏡４０４、およびＣＣＤカメラ４１７
をオフアクシス観察光学系と呼ぶ。図４において、レチ
クル４０１及び投影露光光学系４０２は、ＦＲＡなどの
方法により正確に位置が決められており、投影露光光学
系４０２とオフアクシス観察光学系４０４、４１７との
相対的な位置関係（ベースライン）は既に計測されてい
るものとする。
手法について説明する。図４は、半導体露光装置におけ
るオフアクシス方式のウェハアライメントシステムの概
略を表すブロック図である。このアライメントシステム
は、レチクル４０１、投影露光光学系４０２、入力され
た画像信号に対して種々の画像演算処理を行い、画像信
号や演算処理結果を記憶する画像記憶演算装置４０３、
不図示のウェハ搬入装置からウェハがアライメントシス
テムに送られて来た時に、ウェハの外形基準から大まか
なウェハの向きを調整するためのプリアライメント装置
４０６、ユーザからのコマンド入力を受け付ける為のコ
ンピュータ端末４０７、アライメントの対象であるウェ
ハ４０８、ウェハ４０８上に形成されたパターンの画像
を拡大して見る為の顕微鏡４０４、顕微鏡４０４を通し
て得られたウェハ４０８上のパターン画像を電気信号に
変換し、画像記憶演算装置４０３に提供する為のＣＣＤ
カメラ４１７、ウェハ４０８の座標位置を平面方向、垂
直方向に移動させる為のＸＹステージ４１０、ウェハ４
０８をＸＹステージ４１０上に保持する為のウェハチャ
ック４０９、顕微鏡４０４の画像を直接ユーザが確認す
る為の表示手段としてのモニタ４１１、及び、上記の各
装置を制御するコントローラ４０５、によって構成され
ている。このコントローラ４０５はメモリ４２０やＣＰ
Ｕを有する。顕微鏡４０４、およびＣＣＤカメラ４１７
をオフアクシス観察光学系と呼ぶ。図４において、レチ
クル４０１及び投影露光光学系４０２は、ＦＲＡなどの
方法により正確に位置が決められており、投影露光光学
系４０２とオフアクシス観察光学系４０４、４１７との
相対的な位置関係（ベースライン）は既に計測されてい
るものとする。
【００１１】ウェハ４０８上には、図３（Ｃ）に示すよ
うに、ショット補正パラメータを算出するための計測用
サンプルショットＳ１〜Ｓ２、およびウェハ補正パラメ
ータを算出するための計測用サンプルショットＳ３〜Ｓ
６が形成されている。Ｓ１〜Ｓ６には、図３（Ｂ）に示
した位置合わせ用マークが形成されている。Ｓ１、Ｓ２
では、ＭＸ１〜ＭＸ３、ＭＹ１〜３をアライメントのた
めの計測の対象とし、Ｓ３〜Ｓ６では、ＭＸ１、ＭＹ１
をアライメントのための計測の対象としている。
うに、ショット補正パラメータを算出するための計測用
サンプルショットＳ１〜Ｓ２、およびウェハ補正パラメ
ータを算出するための計測用サンプルショットＳ３〜Ｓ
６が形成されている。Ｓ１〜Ｓ６には、図３（Ｂ）に示
した位置合わせ用マークが形成されている。Ｓ１、Ｓ２
では、ＭＸ１〜ＭＸ３、ＭＹ１〜３をアライメントのた
めの計測の対象とし、Ｓ３〜Ｓ６では、ＭＸ１、ＭＹ１
をアライメントのための計測の対象としている。
【００１２】図５は、従来のショット補正アライメント
手法の処理の流れを示すフローチャートである。以下、
図５のフローチャートを用いて従来の手法を説明する。
手法の処理の流れを示すフローチャートである。以下、
図５のフローチャートを用いて従来の手法を説明する。
【００１３】ステップＳ５０１において、不図示のウェ
ハ搬送装置によりウェハ４０８が露光装置に送り込ま
れ、プリアライメント装置４０６によりおおまかな位置
決めがされた後、ＸＹステージ４１０上に搬送され、Ｘ
Ｙステージ４１０上のウェハチャック４０９で真空吸着
により保持される。
ハ搬送装置によりウェハ４０８が露光装置に送り込ま
れ、プリアライメント装置４０６によりおおまかな位置
決めがされた後、ＸＹステージ４１０上に搬送され、Ｘ
Ｙステージ４１０上のウェハチャック４０９で真空吸着
により保持される。
【００１４】ステップＳ５０２〜５０５は、ショット補
正パラメータを自動計測するための手順である。
正パラメータを自動計測するための手順である。
【００１５】ステップＳ５０２で、コントローラ４０５
は、１番目の計測ショットＳ１に形成されているアライ
メントマークＭＸ１が、顕微鏡４０４の視野に入るよう
にＸＹステージ４１０を駆動する。
は、１番目の計測ショットＳ１に形成されているアライ
メントマークＭＸ１が、顕微鏡４０４の視野に入るよう
にＸＹステージ４１０を駆動する。
【００１６】次にステップＳ５０３において、マークの
位置ずれを検出する。ここで、マークの位置ずれは以下
のようにして検出される。まず、顕微鏡４０４及びＣＣ
Ｄカメラ４１７が、不図示のアライメント照明装置によ
って照らされたアライメントマークＭＸ１のパターンを
画像信号として取り込む。そして、コントローラ４０５
が、画像記憶処理装置４０３内に記憶されたアライメン
トマークのパターンとＣＣＤカメラ４１７により取り込
んだ画像とをパターンマッチングにより照合し、アライ
メントマークＭＸ１の設計位置からのずれ量ｌｘ１を算
出する。
位置ずれを検出する。ここで、マークの位置ずれは以下
のようにして検出される。まず、顕微鏡４０４及びＣＣ
Ｄカメラ４１７が、不図示のアライメント照明装置によ
って照らされたアライメントマークＭＸ１のパターンを
画像信号として取り込む。そして、コントローラ４０５
が、画像記憶処理装置４０３内に記憶されたアライメン
トマークのパターンとＣＣＤカメラ４１７により取り込
んだ画像とをパターンマッチングにより照合し、アライ
メントマークＭＸ１の設計位置からのずれ量ｌｘ１を算
出する。
【００１７】ステップＳ５０４では、ステップＳ５０
２、ステップＳ５０３をすべてのサンプルショット（Ｓ
１〜Ｓ２）について実施したか否かを判断し、未処理の
ショットがある場合には、ステップＳ５０２に戻り、な
い場合にはステップＳ５０５に進む。すなわち、１番目
の計測ショットＳ１の残りのアライメントマークＭｘ２
〜Ｍｘ３、Ｍｙ１〜Ｍｙ３を、Ｍｘ１と同様な手順で計
測し、各マークのｘおよびｙ方向の位置ずれ量ｌｘｎ、
ｌｙｎ（ｎ＝１〜３、マーク番号に基づいて付す）を計
測する。
２、ステップＳ５０３をすべてのサンプルショット（Ｓ
１〜Ｓ２）について実施したか否かを判断し、未処理の
ショットがある場合には、ステップＳ５０２に戻り、な
い場合にはステップＳ５０５に進む。すなわち、１番目
の計測ショットＳ１の残りのアライメントマークＭｘ２
〜Ｍｘ３、Ｍｙ１〜Ｍｙ３を、Ｍｘ１と同様な手順で計
測し、各マークのｘおよびｙ方向の位置ずれ量ｌｘｎ、
ｌｙｎ（ｎ＝１〜３、マーク番号に基づいて付す）を計
測する。
【００１８】全サンプルショットにおいて、各マークの
位置ずれ量を計測したら（Ｓ５０４でＹＥＳ）、ステッ
プＳ５０５で、ショット補正パラメータを算出する。シ
ョット補正パラメータの算出方法は以下に示す通りであ
る。
位置ずれ量を計測したら（Ｓ５０４でＹＥＳ）、ステッ
プＳ５０５で、ショット補正パラメータを算出する。シ
ョット補正パラメータの算出方法は以下に示す通りであ
る。
【００１９】サンプルショットＳ１〜Ｓ４のそれぞれの
１ショットについて、そのショット補正パラメータを求
める。ショットの中心を原点として、ショット内に存在
する各マークの設計上の位置を（ｄｘｎ，ｄｙｎ）（ｎ
＝１〜３）で表わす。ショット補正パラメータによって
補正されたマーク位置（ｄｘｎ'，ｄｙｎ'）は式（１）
に従って以下のように表わされる。
１ショットについて、そのショット補正パラメータを求
める。ショットの中心を原点として、ショット内に存在
する各マークの設計上の位置を（ｄｘｎ，ｄｙｎ）（ｎ
＝１〜３）で表わす。ショット補正パラメータによって
補正されたマーク位置（ｄｘｎ'，ｄｙｎ'）は式（１）
に従って以下のように表わされる。
【００２０】
【数１】
（１）
ここで、Ｓｓｘ、Ｓｓｙはショット中心のシフト誤差量
である。また、計測されたマークの実位置は、式（２）
に従って以下のように表わされる。
である。また、計測されたマークの実位置は、式（２）
に従って以下のように表わされる。
【００２１】
【数２】
（２）
補正残差Ｖは、式（３）に従って以下のように表わされ
る。
る。
【００２２】
【数３】
（３）
ｌｘｎ，ｌｙｎ，ｄｘｎ，ｄｙｎは既知であるので、こ
のＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｓ
ｘ，Ｓｓｙ，θｓｘ，θｓｙ，βｓｘ，βｓｙ｝を求め
ればよい。ここで、ショット配列のシフトＳｓｘ、Ｓｓ
ｙは、ｆ次ステップのウェハ補正パラメータを算出した
結果として求まったショット配列を使えば良いので、特
にここで求めた値を後の補正駆動で使用する必要はな
い。複数のサンプルショットを計測した結果、ショット
補正パラメータがサンプルショットの数だけ求まるの
で、最後にそれらのショット間平均をとることで、当該
ウェハのショット補正パラメータが求まる。
のＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｓ
ｘ，Ｓｓｙ，θｓｘ，θｓｙ，βｓｘ，βｓｙ｝を求め
ればよい。ここで、ショット配列のシフトＳｓｘ、Ｓｓ
ｙは、ｆ次ステップのウェハ補正パラメータを算出した
結果として求まったショット配列を使えば良いので、特
にここで求めた値を後の補正駆動で使用する必要はな
い。複数のサンプルショットを計測した結果、ショット
補正パラメータがサンプルショットの数だけ求まるの
で、最後にそれらのショット間平均をとることで、当該
ウェハのショット補正パラメータが求まる。
【００２３】ステップＳ５０６〜５０９はウェハ補正パ
ラメータの算出手順であり、ＡＧＡとして知られている
手法である。
ラメータの算出手順であり、ＡＧＡとして知られている
手法である。
【００２４】ステップＳ５０６で、コントローラ４０５
はウェハ計測用の１番目のサンプルショットＳ３に形成
されている位置合わせ用マークＭｘ１が、顕微鏡４０４
の視野範囲内に位置するようＸＹステージ１０を駆動す
る。
はウェハ計測用の１番目のサンプルショットＳ３に形成
されている位置合わせ用マークＭｘ１が、顕微鏡４０４
の視野範囲内に位置するようＸＹステージ１０を駆動す
る。
【００２５】次にステップＳ５０７で、マーク位置を検
出する。マーク位置の検出方法は、ステップＳ５０３と
同様である。ステップＳ５０７により、アライメントマ
ークＭｘ１の設計位置からのずれ量ｌｘｋ（ｋ＝３〜
６、サンプルショット番号に応じて付す）を算出する。
出する。マーク位置の検出方法は、ステップＳ５０３と
同様である。ステップＳ５０７により、アライメントマ
ークＭｘ１の設計位置からのずれ量ｌｘｋ（ｋ＝３〜
６、サンプルショット番号に応じて付す）を算出する。
【００２６】以下、ステップＳ５０８では、ステップＳ
５０６、ステップＳ５０７をすべてのサンプルショット
（Ｓ３〜Ｓ６）について実施したか否かを判断し、未処
理のショットがある場合には、ステップＳ５０６に戻
り、ない場合にはステップＳ５０９に進む。すなわち、
１番目の計測ショットＳ３の残りのマークＭｙ１をＭｘ
１と同様な手順で計測し、マークのｙ方向の位置ずれ量
ｌｙｋを計測する。また、５０６、５０７をすべてのサ
ンプルショット（Ｓ３〜Ｓ６）について繰り返し、各サ
ンプルショットごとに、ｌｘｋ，ｌｙｋ（ｋ＝３〜６）
を求める。
５０６、ステップＳ５０７をすべてのサンプルショット
（Ｓ３〜Ｓ６）について実施したか否かを判断し、未処
理のショットがある場合には、ステップＳ５０６に戻
り、ない場合にはステップＳ５０９に進む。すなわち、
１番目の計測ショットＳ３の残りのマークＭｙ１をＭｘ
１と同様な手順で計測し、マークのｙ方向の位置ずれ量
ｌｙｋを計測する。また、５０６、５０７をすべてのサ
ンプルショット（Ｓ３〜Ｓ６）について繰り返し、各サ
ンプルショットごとに、ｌｘｋ，ｌｙｋ（ｋ＝３〜６）
を求める。
【００２７】全サンプルショットにおいて、各マークの
位置ずれ量が求まったら、ステップ５０９でウェハ補正
パラメータを算出する。ウェハ補正パラメータの算出方
法は以下に示す通りである。
位置ずれ量が求まったら、ステップ５０９でウェハ補正
パラメータを算出する。ウェハ補正パラメータの算出方
法は以下に示す通りである。
【００２８】まず、各サンプルショットの基準位置（通
常はショット中心位置）の設計値からのずれ量（ｌｘ
ｋ，ｌｙｋ）をそれぞれ求める。サンプルショット中心
位置からの各マークの設計上の位置に、計測したアライ
メントマークのずれ量（ｌｘｋ，ｌｙｋ）を足した座標
が、実際のマーク位置である。これらを平均化すること
で、ショットの中心位置からのずれ量（Ｌｘｋ，Ｌｙ
ｋ）が求まる。ウェハ内に存在する各サンプルショット
中心の設計上の位置を（Ｄｘｋ，Ｄｙｋ）で表わす。ウ
ェハ補正パラメータによって補正されたショット中心位
置（Ｄｘｋ'，Ｄｙｋ'）は、式（４）に従って以下のよ
うに表わされる。
常はショット中心位置）の設計値からのずれ量（ｌｘ
ｋ，ｌｙｋ）をそれぞれ求める。サンプルショット中心
位置からの各マークの設計上の位置に、計測したアライ
メントマークのずれ量（ｌｘｋ，ｌｙｋ）を足した座標
が、実際のマーク位置である。これらを平均化すること
で、ショットの中心位置からのずれ量（Ｌｘｋ，Ｌｙ
ｋ）が求まる。ウェハ内に存在する各サンプルショット
中心の設計上の位置を（Ｄｘｋ，Ｄｙｋ）で表わす。ウ
ェハ補正パラメータによって補正されたショット中心位
置（Ｄｘｋ'，Ｄｙｋ'）は、式（４）に従って以下のよ
うに表わされる。
【００２９】
【数４】
（４）
また、計測の結果得られたショット中心の実際の位置
は、式（５）に従って以下のように表わされる。
は、式（５）に従って以下のように表わされる。
【００３０】
【数５】
（５）
補正残差Ｖは、式（６）に従って、以下のように表わさ
れる。
れる。
【００３１】
【数６】
（６）
Ｌｘｋ、Ｌｙｋ、Ｄｘｋ、Ｄｙｋは既知であるので、こ
のＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｗ
ｘ，Ｓｗｙ，θｗｘ，θｗｙ，βｗｘ，βｗｙ｝を求め
ればよい。
のＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｗ
ｘ，Ｓｗｙ，θｗｘ，θｗｙ，βｗｘ，βｗｙ｝を求め
ればよい。
【００３２】ショット補正パラメータとウェハ補正パラ
メータが求まれば、ステップＳ５１０で、これら補正パ
ラメータに応じて、ショット配列とショット形状の誤差
を減らすよう、露光装置の各ユニットを駆動（補正駆
動）する。
メータが求まれば、ステップＳ５１０で、これら補正パ
ラメータに応じて、ショット配列とショット形状の誤差
を減らすよう、露光装置の各ユニットを駆動（補正駆
動）する。
【００３３】最後に、ステップＳ５１１に進み、露光を
行う。
行う。
【００３４】ステップＳ５０１〜５１１を、露光すべき
全ウェハで繰り返す事により、補正されたショット配列
とショット形状に合わせて、高い重ね合わせ精度で各シ
ョットの露光を行うことが可能となる。
全ウェハで繰り返す事により、補正されたショット配列
とショット形状に合わせて、高い重ね合わせ精度で各シ
ョットの露光を行うことが可能となる。
【００３５】
【発明が解決しようとする課題】ウェハ補正パラメータ
を算出するのに最低限必要なマークの数は、ショット内
で、Ｘ、Ｙ一組である（Ｘ計測マークとＹ計測マーク各
々１個、もしくは、Ｘ−Ｙ計測マークを１個）。
を算出するのに最低限必要なマークの数は、ショット内
で、Ｘ、Ｙ一組である（Ｘ計測マークとＹ計測マーク各
々１個、もしくは、Ｘ−Ｙ計測マークを１個）。
【００３６】ところが、ショット補正パラメータを求め
るためにショット内で計測しなければならないアライメ
ントマーク数は、Ｘ、Ｙ一組分より多い。（３）式か
ら、ショット補正パラメータ｛θｓｘ，θｓｙ，βｓ
ｘ，βｓｙ，Ｓｓｘ，Ｓｓｙ｝｝をすべて独立に算出す
るためには、最低限Ｘ、Ｙ３組分計測しなければならな
い。
るためにショット内で計測しなければならないアライメ
ントマーク数は、Ｘ、Ｙ一組分より多い。（３）式か
ら、ショット補正パラメータ｛θｓｘ，θｓｙ，βｓ
ｘ，βｓｙ，Ｓｓｘ，Ｓｓｙ｝｝をすべて独立に算出す
るためには、最低限Ｘ、Ｙ３組分計測しなければならな
い。
【００３７】ショット補正パラメータを自動で計測、補
正する従来のアライメント方法では、ウェハごとに、シ
ョット補正パラメータ算出用のサンプルショットとアラ
イメントマークでの計測を行う必要があった。これによ
り、ウェハごとに多くのサンプルショットやアライメン
トマークでの計測を行こととなり、スループットが低下
してしまうという問題があった。
正する従来のアライメント方法では、ウェハごとに、シ
ョット補正パラメータ算出用のサンプルショットとアラ
イメントマークでの計測を行う必要があった。これによ
り、ウェハごとに多くのサンプルショットやアライメン
トマークでの計測を行こととなり、スループットが低下
してしまうという問題があった。
【００３８】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、例えば、露光装置及びその制御方法におい
て、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、
原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を
落とすことなく、スループットを向上させることを目的
とする。
ものであり、例えば、露光装置及びその制御方法におい
て、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、
原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を
落とすことなく、スループットを向上させることを目的
とする。
【００３９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面は、
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パ
ラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露
光処理を実行する露光装置に係り、露光対象の複数の基
板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置
を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板
上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのシ
ョット補正パラメータを決定する第１の決定部と、露光
対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショ
ット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメー
タを決定する第２の決定部と、前記第１の決定部によっ
て決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定
部によって決定された基板補正パラメータとに基づい
て、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板
以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータ
を決定する第３の決定部とを備えることを特徴とする。
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パ
ラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露
光処理を実行する露光装置に係り、露光対象の複数の基
板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置
を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板
上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのシ
ョット補正パラメータを決定する第１の決定部と、露光
対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショ
ット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメー
タを決定する第２の決定部と、前記第１の決定部によっ
て決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定
部によって決定された基板補正パラメータとに基づい
て、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板
以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータ
を決定する第３の決定部とを備えることを特徴とする。
【００４０】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
第３の決定部は、前記第１の決定部によって決定された
前記第１群の基板についてのショット補正パラメータ
と、前記第２の決定部によって決定された前記第１群の
基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す
相対パラメータを算出する第１の算出部と、前記算出部
によって算出された相対パラメータと前記第２の決定部
によって決定された前記第２群についての基板補正パラ
メータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショ
ット補正パラメータを算出する第２の算出部とを有する
ことが好ましい。
第３の決定部は、前記第１の決定部によって決定された
前記第１群の基板についてのショット補正パラメータ
と、前記第２の決定部によって決定された前記第１群の
基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す
相対パラメータを算出する第１の算出部と、前記算出部
によって算出された相対パラメータと前記第２の決定部
によって決定された前記第２群についての基板補正パラ
メータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショ
ット補正パラメータを算出する第２の算出部とを有する
ことが好ましい。
【００４１】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの差分に基づいて決定されること
が好ましい。
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの差分に基づいて決定されること
が好ましい。
【００４２】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの比率に基づいて決定されること
が好ましい。
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの比率に基づいて決定されること
が好ましい。
【００４３】本発明の好適な実施の形態によれば、露光
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する
ことが好ましい。
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する
ことが好ましい。
【００４４】本発明の好適な実施の形態によれば、露光
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択す
ることが好ましい。
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択す
ることが好ましい。
【００４５】本発明の第２の側面は、基板上の複数のシ
ョット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づい
て原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する
露光装置の制御方法に係り、露光対象の複数の基板のう
ち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測
し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複
数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット
補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象
の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット
領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを
決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によっ
て決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定
工程によって決定された基板補正パラメータとに基づい
て、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板
以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータ
を決定する第３の決定工程とを含むことを特徴とする。
ョット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づい
て原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する
露光装置の制御方法に係り、露光対象の複数の基板のう
ち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測
し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複
数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット
補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象
の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット
領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを
決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によっ
て決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定
工程によって決定された基板補正パラメータとに基づい
て、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板
以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータ
を決定する第３の決定工程とを含むことを特徴とする。
【００４６】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
第３の決定工程は、前記第１の決定工程によって決定さ
れた前記第１群の基板についてのショット補正パラメー
タと、前記第２の決定工程によって決定された前記第１
群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を
示す相対パラメータを算出する第１の算出工程と、前記
算出工程によって算出された相対パラメータと前記第２
の決定工程によって決定された前記第２群についての基
板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板につ
いてのショット補正パラメータを算出する第２の算出工
程とを含むことが好ましい。
第３の決定工程は、前記第１の決定工程によって決定さ
れた前記第１群の基板についてのショット補正パラメー
タと、前記第２の決定工程によって決定された前記第１
群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を
示す相対パラメータを算出する第１の算出工程と、前記
算出工程によって算出された相対パラメータと前記第２
の決定工程によって決定された前記第２群についての基
板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板につ
いてのショット補正パラメータを算出する第２の算出工
程とを含むことが好ましい。
【００４７】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの差分に基づいて決定されること
を特徴とすることが好ましい。
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの差分に基づいて決定されること
を特徴とすることが好ましい。
【００４８】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの比率に基づいて決定されること
が好ましい。
相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショ
ット補正パラメータとの比率に基づいて決定されること
が好ましい。
【００４９】本発明の好適な実施の形態によれば、露光
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する
工程を含むことが好ましい。
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する
工程を含むことが好ましい。
【００５０】本発明の好適な実施の形態によれば、露光
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択す
る工程を含むことが好ましい。
対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の
基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択す
る工程を含むことが好ましい。
【００５１】本発明の第３の側面は、基板上の複数のシ
ョット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づい
て原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する
露光装置のプログラムに係り、露光対象の複数の基板の
うち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計
測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の
複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショッ
ト補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対
象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショッ
ト領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータ
を決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によ
って決定されたショット補正パラメータと前記第２の決
定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づ
いて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基
板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメー
タを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴とす
る。
ョット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づい
て原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する
露光装置のプログラムに係り、露光対象の複数の基板の
うち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計
測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の
複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショッ
ト補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対
象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショッ
ト領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータ
を決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によ
って決定されたショット補正パラメータと前記第２の決
定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づ
いて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基
板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメー
タを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴とす
る。
【００５２】本発明の第４の側面は、基板上の複数のシ
ョット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づい
て原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する
露光装置のプログラムコードが格納されたコンピュータ
可読メモリに係り、該プログラムは露光対象の複数の基
板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置
を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板
上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのシ
ョット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露
光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のシ
ョット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメ
ータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程
によって決定されたショット補正パラメータと前記第２
の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに
基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群
の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラ
メータを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴
とする。
ョット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づい
て原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する
露光装置のプログラムコードが格納されたコンピュータ
可読メモリに係り、該プログラムは露光対象の複数の基
板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置
を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板
上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのシ
ョット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露
光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のシ
ョット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメ
ータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程
によって決定されたショット補正パラメータと前記第２
の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに
基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群
の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラ
メータを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴
とする。
【００５３】本発明の第５の側面は、デバイスの製造方
法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターン
を焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼
き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程とを
有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第
１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、
その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数の
ショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正
パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複
数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域
の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定
する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決
定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程
によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、
前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外
の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決
定する第３の決定工程とを有することを特徴とする。
法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターン
を焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼
き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程とを
有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第
１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、
その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数の
ショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正
パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複
数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域
の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定
する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決
定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程
によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、
前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外
の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決
定する第３の決定工程とを有することを特徴とする。
【００５４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態について説明する。
発明の好適な実施の形態について説明する。
【００５５】本実施形態の露光装置は、図４に示される
従来例と同様なシステム構成で実現可能である。また、
本実施形態で位置合わせの対象となるウェハにも、従来
例と同様に、ウェハ上の各ショットに図３（Ｂ）のよう
なマークが配置されており、ウェハ補正用、ショット補
正用として、図３（Ｃ）のようにサンプルショットが配
置されているものとする。
従来例と同様なシステム構成で実現可能である。また、
本実施形態で位置合わせの対象となるウェハにも、従来
例と同様に、ウェハ上の各ショットに図３（Ｂ）のよう
なマークが配置されており、ウェハ補正用、ショット補
正用として、図３（Ｃ）のようにサンプルショットが配
置されているものとする。
【００５６】本発明の好適な実施の形態に係る露光装置
における処理の流れを図６を参照しながら説明する。な
お、この処理はコントローラ４０５によって制御され
る。
における処理の流れを図６を参照しながら説明する。な
お、この処理はコントローラ４０５によって制御され
る。
【００５７】ステップＳ６０１では、不図示のウェハ搬
入装置よって、ウェハがＸＹステージに搬入される。
入装置よって、ウェハがＸＹステージに搬入される。
【００５８】ステップＳ６０２では、現在処理中のウェ
ハに対して、ショット補正パラメータの自動計測処理が
必要かどうかを判断する。その判断基準としては、例え
ば、 （１）処理すべきロット内の先頭のウェハであれば、シ
ョット補正パラメータの自動計測処理を行う。 （２）処理すべきロット内で最初からＮ枚目までのウェ
ハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を
行う。 （３）ある一定のウェハ枚数ごとに、ショット補正パラ
メータの自動計測処理を行う。 （４）オンライン接続された外部のホストコンピュータ
から司令がきたときにショット補正パラメータの自動計
測処理を行う。 などが考えられる。どのような判断基準を使用するか
を、コンピュータ端末４０７を用いて、ユーザが選択で
きるようにすると、より柔軟なプロセスに対応できて好
ましい。
ハに対して、ショット補正パラメータの自動計測処理が
必要かどうかを判断する。その判断基準としては、例え
ば、 （１）処理すべきロット内の先頭のウェハであれば、シ
ョット補正パラメータの自動計測処理を行う。 （２）処理すべきロット内で最初からＮ枚目までのウェ
ハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を
行う。 （３）ある一定のウェハ枚数ごとに、ショット補正パラ
メータの自動計測処理を行う。 （４）オンライン接続された外部のホストコンピュータ
から司令がきたときにショット補正パラメータの自動計
測処理を行う。 などが考えられる。どのような判断基準を使用するか
を、コンピュータ端末４０７を用いて、ユーザが選択で
きるようにすると、より柔軟なプロセスに対応できて好
ましい。
【００５９】ショット補正パラメータの自動計測処理が
必要ないと判断された場合は、ステップＳ６０４に、シ
ョット補正パラメータの自動計測処理が必要だと判断さ
れれば、ステップＳ６０３に処理を進める。
必要ないと判断された場合は、ステップＳ６０４に、シ
ョット補正パラメータの自動計測処理が必要だと判断さ
れれば、ステップＳ６０３に処理を進める。
【００６０】ステップＳ６０３では、ショット補正パラ
メータの自動計測処理を行う。この方法は、図５のステ
ップＳ５０２〜５０５のと同様である。
メータの自動計測処理を行う。この方法は、図５のステ
ップＳ５０２〜５０５のと同様である。
【００６１】ステップＳ６０４では、ウェハ補正パラメ
ータの自動計測を行う。この方法は、図５のステップＳ
５０６〜５０９の手順と同様である。ステップＳ６０５
では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行った
かどうかを判断する。ショット補正を行った場合は、ス
テップＳ６０６へ、ショット補正を行わなかった場合
は、ステップＳ６０７へ処理を進める。
ータの自動計測を行う。この方法は、図５のステップＳ
５０６〜５０９の手順と同様である。ステップＳ６０５
では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行った
かどうかを判断する。ショット補正を行った場合は、ス
テップＳ６０６へ、ショット補正を行わなかった場合
は、ステップＳ６０７へ処理を進める。
【００６２】ステップＳ６０６では、ステップＳ６０３
で求めたショット補正パラメータとステップＳ６０４で
求めたウェハ補正パラメータとの相対関係を定量的に表
わす相対パラメータδを算出し、記憶する。以下に、相
対パラメータδの求め方について説明する。なお、以下
でδに添字を符した記号は相対パラメータの一例であ
る。
で求めたショット補正パラメータとステップＳ６０４で
求めたウェハ補正パラメータとの相対関係を定量的に表
わす相対パラメータδを算出し、記憶する。以下に、相
対パラメータδの求め方について説明する。なお、以下
でδに添字を符した記号は相対パラメータの一例であ
る。
【００６３】ショット倍率βｓｘ，βｓｙは、加工プロ
セスによりウェハが変形した事より生じる倍率成分と、
装置の投影倍率により生じる倍率成分とが重畳したもの
である。前者はウェハごとに値が変動するのに対し、後
者は装置要因で決まるために、後者はウェハが変わって
も値は変動しない。ウェハ要因で決まる倍率成分はウェ
ハ倍率に等しいと仮定すると、装置要因で決まるショッ
ト倍率成分（δβX、δβY）は、式（７）に従って、以
下のように表される。
セスによりウェハが変形した事より生じる倍率成分と、
装置の投影倍率により生じる倍率成分とが重畳したもの
である。前者はウェハごとに値が変動するのに対し、後
者は装置要因で決まるために、後者はウェハが変わって
も値は変動しない。ウェハ要因で決まる倍率成分はウェ
ハ倍率に等しいと仮定すると、装置要因で決まるショッ
ト倍率成分（δβX、δβY）は、式（７）に従って、以
下のように表される。
【００６４】
【数７】
（７）
また、プロセスによっては、ショット倍率とウェハ倍率
の相対関係を比で表わした方が良い場合もあり、式
（８）に従って、以下のように表される。
の相対関係を比で表わした方が良い場合もあり、式
（８）に従って、以下のように表される。
【００６５】
【数８】
（８）
その他にも、ショット倍率とウェハ倍率との相対関係が
定量的に表わされる場合は、その関係式Ｆにより、（δ
βX、δβY）を計算しても良く、式（９）に従って、以
下のように表される。
定量的に表わされる場合は、その関係式Ｆにより、（δ
βX、δβY）を計算しても良く、式（９）に従って、以
下のように表される。
【００６６】
【数９】
（９）
ショット回転について、ウェハ回転との相対関係を求め
る場合は、以下のような考えればよい。ウエハ上に形成
されたパターンの下層において、ＸＹステージ４１０の
誤差で回転して焼かれたことに起因するショット回転成
分は、ウェハ回転とほぼ等しいものになると考えられ
る。この値はウェハごとに変動する。一方、ショットの
焼き付けの際の投影光学系４０２のディスト−ションの
影響で生じるショットの直交度については、ウェハごと
の値の変動を無視しうると考えられる。
る場合は、以下のような考えればよい。ウエハ上に形成
されたパターンの下層において、ＸＹステージ４１０の
誤差で回転して焼かれたことに起因するショット回転成
分は、ウェハ回転とほぼ等しいものになると考えられ
る。この値はウェハごとに変動する。一方、ショットの
焼き付けの際の投影光学系４０２のディスト−ションの
影響で生じるショットの直交度については、ウェハごと
の値の変動を無視しうると考えられる。
【００６７】そこで、ウェハ間で値が変動しないショッ
ト回転成分（δθX，δθY）は、式（１０）に従って、
以下のように表される。
ト回転成分（δθX，δθY）は、式（１０）に従って、
以下のように表される。
【００６８】
【数１０】
（１０）
ウェハ（ショット配列）の直交度が小さい場合は、θｗ
ｘ＝θｗｙとして、式（１１）に従って、以下のように
表される。
ｘ＝θｗｙとして、式（１１）に従って、以下のように
表される。
【００６９】
【数１１】
（１１）
その他にも、ショット回転とウェハ回転との相対関係が
定量的に分かっている場合は、その関係式Ｇにより（δ
θX，δθY）を計算しても良く、式（１２）に従って、
以下のように表される。
定量的に分かっている場合は、その関係式Ｇにより（δ
θX，δθY）を計算しても良く、式（１２）に従って、
以下のように表される。
【００７０】
【数１２】
（１２）
以上のように、ステップＳ６０６では、δ＝｛δβX，
δβY，δθX，δθY｝を求め、メモリ４２０にこれら
の値を記憶する。
δβY，δθX，δθY｝を求め、メモリ４２０にこれら
の値を記憶する。
【００７１】ショット補正パラメータの自動計測を行わ
なかった場合は、ステップＳ６０７において、ウェハ補
正パラメータと前述の相対パラメータに基づいて、処理
中のウェハでのショット補正パラメータを予測する。た
とえば、ショット倍率を求める場合には、式（７）によ
り求めた（δβx，δβy）がメモリ４２０に記憶されて
いれば、その（δβx，δβy）とウェハ補正パラメータ
（βｗｘ，βｗｙ）とに基づいて、式（１３）に従って
ショット倍率を求めることができる。
なかった場合は、ステップＳ６０７において、ウェハ補
正パラメータと前述の相対パラメータに基づいて、処理
中のウェハでのショット補正パラメータを予測する。た
とえば、ショット倍率を求める場合には、式（７）によ
り求めた（δβx，δβy）がメモリ４２０に記憶されて
いれば、その（δβx，δβy）とウェハ補正パラメータ
（βｗｘ，βｗｙ）とに基づいて、式（１３）に従って
ショット倍率を求めることができる。
【００７２】
【数１３】
（１３）
一般的にショット倍率とウェハ倍率との相対関係が
（９）式の如く、関数Ｆで表わされていれば、その逆関
数Ｆ−１により、δ（δβX、δβY）とウェハ倍率（β
ｗｘ，βｗｙ）とに基づいて式（１４）に従って、ショ
ット倍率を算出する事が可能である。
（９）式の如く、関数Ｆで表わされていれば、その逆関
数Ｆ−１により、δ（δβX、δβY）とウェハ倍率（β
ｗｘ，βｗｙ）とに基づいて式（１４）に従って、ショ
ット倍率を算出する事が可能である。
【００７３】
【数１４】
（１４）
同様に、ショット回転についても、ショット回転とウェ
ハ回転との相対関係が（１１）式の如く、関数Ｇで表わ
されていれば、その逆関数Ｇ−１により、δ（δθX、
δθY）とウェハ回転（θｗｘ、θｗｙ）とに基づいて
式（１５）に従ってショット回転を算出する事が可能で
ある。
ハ回転との相対関係が（１１）式の如く、関数Ｇで表わ
されていれば、その逆関数Ｇ−１により、δ（δθX、
δθY）とウェハ回転（θｗｘ、θｗｙ）とに基づいて
式（１５）に従ってショット回転を算出する事が可能で
ある。
【００７４】
【数１５】
（１５）
ショット補正パラメータ、ウェハ補正パラメータが求ま
れば、ステップＳ６０８でこれら補正パラメータに応じ
て、ショット配列、ショット形状の誤差を減らすよう、
露光装置の各ユニットを駆動（補正駆動）する。
れば、ステップＳ６０８でこれら補正パラメータに応じ
て、ショット配列、ショット形状の誤差を減らすよう、
露光装置の各ユニットを駆動（補正駆動）する。
【００７５】ステップＳ６０８で補正を行った後に、ス
テップＳ６０９に進み、実際にウェハを露光する。
テップＳ６０９に進み、実際にウェハを露光する。
【００７６】ステップＳ６１０では、全てのウェハ処理
が終了したかどうかを判断する。終了していない場合
は、以下、処理すべき残りのウェハについて、ステップ
Ｓ６０１〜６０９を順次繰り返す。処理すべきウェハが
もう残っていなければ、一連の処理を終了し、露光装置
を停止させる。
が終了したかどうかを判断する。終了していない場合
は、以下、処理すべき残りのウェハについて、ステップ
Ｓ６０１〜６０９を順次繰り返す。処理すべきウェハが
もう残っていなければ、一連の処理を終了し、露光装置
を停止させる。
【００７７】本発明の実施形態によれば、処理すべき複
数のウェハのうち、限られたウェハでのみショット補正
パラメータの自動計測を行えばよいことになる。これに
より従来に比べて処理時間を大幅に短縮することができ
る。また、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメ
ータとの相対関係を相対パラメータδとして算出し、メ
モリに記憶することにより、ショット補正パラメータを
自動計測していないウェハにおいても、相対パラメータ
δを用いることによって高精度な位置合わせができる。
数のウェハのうち、限られたウェハでのみショット補正
パラメータの自動計測を行えばよいことになる。これに
より従来に比べて処理時間を大幅に短縮することができ
る。また、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメ
ータとの相対関係を相対パラメータδとして算出し、メ
モリに記憶することにより、ショット補正パラメータを
自動計測していないウェハにおいても、相対パラメータ
δを用いることによって高精度な位置合わせができる。
【００７８】また、本実施形態におけるショット補正パ
ラメータは、回転量（直交度）や倍率であったが、ショ
ット内に配置されたＸ、Ｙ一組より多いアライメントマ
ークを計測して得られるその他の補正パラメータを計測
して位置合わせする場合にも、本実施形態の手法は有効
である。例えば、台形歪みや、たる型、糸巻き型などの
ショットの歪みを、多数のアライメントマークを計測す
ることによって定量的に算出し、それをショット補正パ
ラメータとすることができる。その際、ショット補正パ
ラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を一定の
関数で表わすことにより、この本実施形態が適用され、
露光処理の高速化を実現することができる。
ラメータは、回転量（直交度）や倍率であったが、ショ
ット内に配置されたＸ、Ｙ一組より多いアライメントマ
ークを計測して得られるその他の補正パラメータを計測
して位置合わせする場合にも、本実施形態の手法は有効
である。例えば、台形歪みや、たる型、糸巻き型などの
ショットの歪みを、多数のアライメントマークを計測す
ることによって定量的に算出し、それをショット補正パ
ラメータとすることができる。その際、ショット補正パ
ラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を一定の
関数で表わすことにより、この本実施形態が適用され、
露光処理の高速化を実現することができる。
【００７９】次に上記の露光装置を利用した半導体デバ
イスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイス
の全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2（マスク作製）では設計した回路パターンに
基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含
む。ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導
体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を
行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、
これを出荷（ステップ7）する。
イスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイス
の全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2（マスク作製）では設計した回路パターンに
基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含
む。ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導
体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を
行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、
これを出荷（ステップ7）する。
【００８０】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化さ
せる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を
成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極
を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）
ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト
処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露
光）では上記の露光装置によって回路パターンをウエハ
に転写する。ステップ17（現像）では露光したウエハを
現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
を示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化さ
せる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を
成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極
を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）
ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト
処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露
光）では上記の露光装置によって回路パターンをウエハ
に転写する。ステップ17（現像）では露光したウエハを
現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００８１】以上、本発明の好適な実施形態を詳述した
が、本発明は、複数の機器から構成されるシステムに適
用しても良いし、また、一つの機器からなる装置に適用
しても良い。
が、本発明は、複数の機器から構成されるシステムに適
用しても良いし、また、一つの機器からなる装置に適用
しても良い。
【００８２】なお、本発明は、前述した実施形態の機能
を実現するソフトウェアのプログラム（本実施形態にお
いては図６に示すフローチャートに対応したプログラ
ム）を、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給
し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給さ
れたプログラムコードを読み出して実行することによっ
ても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機
能を有していれば、形態は、プログラムである必要はな
い。
を実現するソフトウェアのプログラム（本実施形態にお
いては図６に示すフローチャートに対応したプログラ
ム）を、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給
し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給さ
れたプログラムコードを読み出して実行することによっ
ても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機
能を有していれば、形態は、プログラムである必要はな
い。
【００８３】従って、本発明の機能処理をコンピュータ
で実現するために、該コンピュータにインストールされ
るプログラムコード自体も本発明を実現するものであ
る。つまり、本発明の請求項では、本発明の機能処理を
実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれ
る。
で実現するために、該コンピュータにインストールされ
るプログラムコード自体も本発明を実現するものであ
る。つまり、本発明の請求項では、本発明の機能処理を
実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれ
る。
【００８４】その場合、プログラムの機能を有していれ
ば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行され
るプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プ
ログラムの形態を問わない。
ば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行され
るプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プ
ログラムの形態を問わない。
【００８５】プログラムを供給するための記録媒体とし
ては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハー
ドディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ
−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発
性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，
ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
ては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハー
ドディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ
−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発
性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，
ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
【００８６】その他、プログラムの供給方法としては、
クライアント側にあるコンピュータのブラウザを用いて
インターネットのホームページに接続し、該ホームペー
ジから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もし
くは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハ
ードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによ
っても供給できる。また、本発明のプログラムを構成す
るプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞ
れのファイルを異なるホームページからダウンロードす
ることによっても実現可能である。つまり、本発明の機
能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファ
イルを複数のユーザに対してダウンロードさせるネット
ワーク上のサーバも、本発明のクレームに含まれるもの
である。
クライアント側にあるコンピュータのブラウザを用いて
インターネットのホームページに接続し、該ホームペー
ジから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もし
くは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハ
ードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによ
っても供給できる。また、本発明のプログラムを構成す
るプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞ
れのファイルを異なるホームページからダウンロードす
ることによっても実現可能である。つまり、本発明の機
能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファ
イルを複数のユーザに対してダウンロードさせるネット
ワーク上のサーバも、本発明のクレームに含まれるもの
である。
【００８７】また、本発明のプログラムを暗号化してＣ
Ｄ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所
定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを
介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロ
ードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化され
たプログラムを実行してコンピュータにインストールさ
せて実現することも可能である。
Ｄ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所
定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを
介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロ
ードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化され
たプログラムを実行してコンピュータにインストールさ
せて実現することも可能である。
【００８８】また、コンピュータが、読み出したプログ
ラムを実行することによって、前述した実施形態の機能
が実現される他、そのプログラムの命令に基づき、コン
ピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一
部または全部を行ない、その処理によっても前述した実
施形態の機能が実現され得る。
ラムを実行することによって、前述した実施形態の機能
が実現される他、そのプログラムの命令に基づき、コン
ピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一
部または全部を行ない、その処理によっても前述した実
施形態の機能が実現され得る。
【００８９】さらに、記録媒体から読み出されたプログ
ラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコ
ンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモ
リに格納された後、そのプログラムの命令に基づき、そ
の機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵな
どが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理に
よっても前述した実施形態の機能が実現される。
ラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコ
ンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモ
リに格納された後、そのプログラムの命令に基づき、そ
の機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵな
どが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理に
よっても前述した実施形態の機能が実現される。
【００９０】
【発明の効果】本発明の露光装置及びその制御方法によ
れば、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対し
て、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精
度を落とすことなく、スループットを向上させることが
できる。
れば、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対し
て、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精
度を落とすことなく、スループットを向上させることが
できる。
【図１】ウェハ倍率とショット倍率の関係を表わす図で
ある。
ある。
【図２】ウェハ回転とショット回転の関係を表わす図で
ある。
ある。
【図３】アライメントマーク及びサンプルショットの配
置を説明する図である。
置を説明する図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る半導体露光装
置の概略構成を示す図である。
置の概略構成を示す図である。
【図５】従来の露光処理の流れを示すフローチャートで
ある。
ある。
【図６】本発明の好適な実施の形態に係る露光処理の流
れを示すフローチャートである。
れを示すフローチャートである。
【図７】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフロ
ーを示す図である。
ーを示す図である。
【図８】図７におけるウエハプロセスの詳細なフローを
示す図である。
示す図である。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA07 AA14 AA20 AA39
BB02 BB27 CC20 DD06 FF04
FF61 FF67 JJ03 JJ26 PP12
PP24 QQ24 QQ31 QQ38 RR09
2F069 AA03 AA17 BB15 GG04 GG07
GG75 MM03 MM24 NN25 NN26
5F046 BA04 DA13 DD06 EB01 EB06
ED01 FC04
Claims (15)
- 【請求項１】 基板上の複数のショット領域のそれぞれ
に対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位
置合わせして露光処理を実行する露光装置であって、 露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基
板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づい
て、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤
差を補正するためのショット補正パラメータを決定する
第１の決定部と、 露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数の
ショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラ
メータを決定する第２の決定部と、 前記第１の決定部によって決定されたショット補正パラ
メータと前記第２の決定部によって決定された基板補正
パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板の
うち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのシ
ョット補正パラメータを決定する第３の決定部と、 を備えることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記第３の決定部は、 前記第１の決定部によって決定された前記第１群の基板
についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定
部によって決定された前記第１群の基板についての基板
補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算
出する第１の算出部と、 前記算出部によって算出された相対パラメータと前記第
２の決定部によって決定された前記第２群についての基
板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板につ
いてのショット補正パラメータを算出する第２の算出部
と、 を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記相対パラメータは、前記基板補正パ
ラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づ
いて決定されることを特徴とする請求項２に記載の露光
装置。 - 【請求項４】 前記相対パラメータは、前記基板補正パ
ラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づ
いて決定されることを特徴とする請求項２に記載の露光
装置。 - 【請求項５】 露光対象の基板が前記第１群の基板に属
するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚
数によって選択することを特徴とする請求項１に記載の
露光装置。 - 【請求項６】 露光対象の基板が前記第１群の基板に属
するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの
指令によって選択することを特徴とする請求項１に記載
の露光装置。 - 【請求項７】 基板上の複数のショット領域のそれぞれ
に対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位
置合わせして露光処理を実行する露光装置の制御方法で
あって、 露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基
板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づい
て、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤
差を補正するためのショット補正パラメータを決定する
第１の決定工程と、 露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数の
ショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラ
メータを決定する第２の決定工程と、 前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パ
ラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板
補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基
板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板について
のショット補正パラメータを決定する第３の決定工程
と、 を含むことを特徴とする露光装置の制御方法。 - 【請求項８】 前記第３の決定工程は、 前記第１の決定工程によって決定された前記第１群の基
板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決
定工程によって決定された前記第１群の基板についての
基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータ
を算出する第１の算出工程と、 前記算出工程によって算出された相対パラメータと前記
第２の決定工程によって決定された前記第２群について
の基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板
についてのショット補正パラメータを算出する第２の算
出工程と、 を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置の制
御方法。 - 【請求項９】 前記相対パラメータは、前記基板補正パ
ラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づ
いて決定されることを特徴とする請求項８に記載の露光
装置の制御方法。 - 【請求項１０】 前記相対パラメータは、前記基板補正
パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基
づいて決定されることを特徴とする請求項８に記載の露
光装置の制御方法。 - 【請求項１１】 露光対象の基板が前記第１群の基板に
属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理
枚数によって選択する工程を含むことを特徴とする請求
項７に記載の露光装置の制御方法。 - 【請求項１２】 露光対象の基板が前記第１群の基板に
属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置から
の指令によって選択する工程を含むことを特徴とする請
求項７に記載の露光装置の制御方法。 - 【請求項１３】 基板上の複数のショット領域のそれぞ
れに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを
位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御する
ためのプログラムであって、 露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基
板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づい
て、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤
差を補正するためのショット補正パラメータを決定する
第１の決定工程と、 露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数の
ショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラ
メータを決定する第２の決定工程と、 前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パ
ラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板
補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基
板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板について
のショット補正パラメータを決定する第３の決定工程
と、 を備えることを特徴とするプログラム。 - 【請求項１４】 基板上の複数のショット領域のそれぞ
れに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを
位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御する
ためのプログラムのコードが格納されたコンピュータ可
読メモリであって、 該プログラムは露光対象の複数の基板のうち第１群の基
板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測
結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット
領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメー
タを決定する第１の決定工程と、 露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数の
ショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラ
メータを決定する第２の決定工程と、 前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パ
ラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板
補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基
板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板について
のショット補正パラメータを決定する第３の決定工程
と、 を備えることを特徴とするコンピュータ可読メモリ。 - 【請求項１５】 デバイスの製造方法であって、 試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、 前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターン
を焼き付ける露光工程と、 前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性
材料を現像する現像工程と、 を有し、 前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第１群の
基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計
測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショッ
ト領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメ
ータを決定する第１の決定工程と、 露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数の
ショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラ
メータを決定する第２の決定工程と、 前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パ
ラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板
補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基
板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板について
のショット補正パラメータを決定する第３の決定工程
と、 を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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